CN107731965A - 一种太阳能电池的制备方法 - Google Patents
一种太阳能电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107731965A CN107731965A CN201711171520.9A CN201711171520A CN107731965A CN 107731965 A CN107731965 A CN 107731965A CN 201711171520 A CN201711171520 A CN 201711171520A CN 107731965 A CN107731965 A CN 107731965A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon chip
- shady face
- smooth surface
- solar cell
- silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 59
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 59
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 58
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims abstract description 16
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 12
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 8
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 8
- 230000003667 anti-reflective effect Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000005422 blasting Methods 0.000 claims abstract description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 4
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims description 6
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims 1
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims 1
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 abstract description 2
- 230000008033 biological extinction Effects 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000005381 potential energy Methods 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种太阳能电池的制备方法，包括：对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900‑1000℃下通氧沉积三溴化硼20‑60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10‑60分钟，然后降温到800‑900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。本发明能够提高太阳能电池的光电转换效率。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其涉及一种太阳能电池的制备方法。
背景技术
太阳能是一种最清洁、最普遍和最有潜力的能源。太阳能发电装置又称为太阳能电池或光伏电池，可以将太阳能直接转换成电能，其发电原理是基于半导体PN结的光生伏特效应。现有技术中，硅片的类型主要有P型硅片和N型硅片。
晶体硅太阳电池的效率主要取决于三个方面——吸光量，光电量子效率和光电子的收集效率。其中，光电量子效率是描述被太阳电池吸收的光子转换成电子的比率。提高晶体硅太阳电池的效率则必须要同时提高吸光量，光电转换效率和收集效率。绒面制备是降低光的反射率，增大吸光量的有效手段，消除PN结的复合中心能够有效提高光电量子效率，而晶体硅电池的缺陷、杂质、电阻率和PN结的特性等对光电子收集效率有重要影响。
目前，太阳能电池制作工艺比较复杂，增加了太阳能电池的制作成本。
发明内容
本发明的目的在于提出一种太阳能电池的制备方法，以提高太阳能电池的发电效率，降低生产成本。
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下过程：
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；
(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；
(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟，然后降温到800-900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；
(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
进一步的，所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
进一步的，所述在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅钝化层；
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层；
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层；
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
进一步的，所述离子注入的元素为磷元素。
本发明提出了一种太阳能电池的制备方法，与现有工艺相比，本发明的制备方法工艺得到了极大简化，且高温过程只有两步，因而电池制备成本低且效率更高；大大简化了工艺步骤；本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
具体实施方式
为使本发明解决的技术问题、采用的技术方案和达到的技术效果更加清楚，下面结合实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。
本发明提供了一种太阳能电池的制备方法，所述方法包括以下过程：
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；
(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；
(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟，然后降温到800-900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；
(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
进一步的，所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
进一步的，所述在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅钝化层；
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层；
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层；
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
进一步的，所述离子注入的元素为磷元素。
本发明一种太阳能电池的制备方法，与现有工艺相比，制备工艺得到了极大简化，且高温过程只有两步，因而电池制备成本低且效率更高；大大简化了工艺步骤；本发明的制备方法简单易行，成本较低，适于推广应用。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
Claims (4)
1.一种太阳能电池的制备方法，其特征在于，包括以下过程：
(1)对硅片进行清洗、去损和制绒工艺；
(2)对硅片的背光面进行抛光处理，对的硅片的受光面进行离子注入；
(3)对硅片的背光面进行硼扩散；所述硼扩散采用三溴化硼液态源扩散法，先在900-1000℃下通氧沉积三溴化硼20-60分钟，之后不通源在氧气氛下推进10-60分钟，然后降温到800-900℃氧化至少30分钟，在硅片的背光面生长氧化层；所述氧化层的厚度至少为20纳米；
(4)在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜；
(5)在硅片的背光面印刷铝电极，在受光面印刷银电极；将所述铝电极和银电极进行共烧结，以形成金属化接触。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述硅片包括单晶硅片和多晶硅片。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述在硅片的背光面形成钝化层，在硅片的受光面形成减反膜，包括：
在硅片的表面形成氧化硅钝化层；
在硅片的背光面形成氧化铝钝化层；
在硅片的背光面形成氮化硅钝化层；
在硅片的受光面形成氮化硅减反膜。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池的制备方法，其特征在于，所述离子注入的元素为磷元素。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711171520.9A CN107731965A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201711171520.9A CN107731965A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN107731965A true CN107731965A (zh) | 2018-02-23 |
Family
ID=61216647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201711171520.9A Pending CN107731965A (zh) | 2017-11-22 | 2017-11-22 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN107731965A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109904280A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-06-18 | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681971A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-26 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 |
| CN103904164A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-02 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 |
| CN203812893U (zh) * | 2014-04-15 | 2014-09-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池 |
| CN105161552A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-16 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 |
| CN105206699A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-30 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种背面结n型双面晶体硅电池及其制备方法 |
-
2017
- 2017-11-22 CN CN201711171520.9A patent/CN107731965A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103681971A (zh) * | 2013-12-23 | 2014-03-26 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 |
| CN103904164A (zh) * | 2014-04-15 | 2014-07-02 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池的制备方法 |
| CN203812893U (zh) * | 2014-04-15 | 2014-09-03 | 苏州阿特斯阳光电力科技有限公司 | 一种n型背结太阳能电池 |
| CN105161552A (zh) * | 2015-08-18 | 2015-12-16 | 广东爱康太阳能科技有限公司 | 一种单面抛光n型太阳能电池及其制备方法 |
| CN105206699A (zh) * | 2015-09-07 | 2015-12-30 | 中国东方电气集团有限公司 | 一种背面结n型双面晶体硅电池及其制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109904280A (zh) * | 2019-02-22 | 2019-06-18 | 卡姆丹克太阳能（江苏）有限公司 | 一种太阳能电池的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6178400B2 (ja) | ワイドバンドギャップ半導体材料含有のエミッタ領域を有する太陽電池 | |
| US9722101B2 (en) | Solar cell, solar cell manufacturing method, and solar cell module | |
| CN110707159A (zh) | 一种正背面全面积接触钝化的p型晶硅太阳电池及其制备方法 | |
| TWI550890B (zh) | 太陽能電池及其製造方法 | |
| CN104993059B (zh) | 一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN102800738A (zh) | 一种叉指型背接触式太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2018157521A1 (zh) | 能够提高光电转换效率的perc太阳能电池及其制备方法 | |
| WO2023011653A1 (zh) | 钝化接触结构、其制备方法以及其应用的太阳能电池 | |
| TWM527159U (zh) | 異質接面太陽能電池結構 | |
| WO2023093604A1 (zh) | 太阳能电池以及太阳能电池的制备方法 | |
| CN103346214B (zh) | 一种硅基径向同质异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN104300032A (zh) | 一种单晶硅太阳能离子注入工艺 | |
| TW201515244A (zh) | 太陽電池及太陽電池模組 | |
| US20120015474A1 (en) | Method for fabricating silicon heterojunction solar cells | |
| TW201511302A (zh) | ｐ型選擇射極形成方法及太陽電池 | |
| TW201906180A (zh) | 光伏元件及其製造方法 | |
| CN107731965A (zh) | 一种太阳能电池的制备方法 | |
| CN215731736U (zh) | 钝化接触结构以及其应用的太阳能电池 | |
| CN110212037A (zh) | 选择性增强正面钝化的perc太阳能电池及其制备方法 | |
| CN107302029B (zh) | 面向物联网的硅基具有热电转换功能的mosfet器件 | |
| US20140360584A1 (en) | Manufacturing method of solar cell | |
| CN103943693A (zh) | 一种p型硅衬底背面接触式太阳电池结构和制备方法 | |
| CN205231078U (zh) | 全背极太阳电池结构 | |
| TWI492400B (zh) | 太陽能電池及其製造方法與太陽能電池模組 | |
| CN105070789B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池发射极的制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20180223 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |