CN107170833A - 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 34
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 14
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 8
- 229910017107 AlOx Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 5
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 4
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 11
- 238000013532 laser treatment Methods 0.000 description 9
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 5
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002835 absorbance Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000686 essence Substances 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000005224 laser annealing Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000021715 photosynthesis, light harvesting Effects 0.000 description 1
- 238000013404 process transfer Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000035882 stress Effects 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/34—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies not provided for in groups H01L21/0405, H01L21/0445, H01L21/06, H01L21/16 and H01L21/18 with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/42—Bombardment with radiation
- H01L21/423—Bombardment with radiation with high-energy radiation
- H01L21/428—Bombardment with radiation with high-energy radiation using electromagnetic radiation, e.g. laser radiation
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Optics & Photonics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Toxicology (AREA)
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Abstract
本发明属于显示器件技术领域，公开了一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。所述制备方法为：在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜栅极，然后表面氧化生长栅极绝缘层AlOx:Nd；在栅绝缘层上沉积厚度为5～30nm的STO薄膜有源层，再在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；最后所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。本发明采用全固态激光处理TFT器件，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。
Description
技术领域
本发明属于显示器件技术领域，具体涉及一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法。
背景技术
近年来，非晶氧化物薄膜晶体管(TFT)在以有源矩阵驱动液晶显示(AMLCD)、有源矩阵有机发光二极管(AMOLED)和电子纸(E-paper)为代表的信息显示中起重要作用。非晶氧化物TFT具有较高的迁移率，低制备温度，高均匀性等优点可满足当前显示技术朝大尺寸、高分辨率和柔性等方向发展的要求。
对于非晶氧化物TFT通常需要经过退火处理来改善器件的电学性能。这是因为退火处理不仅可以降低有源层内部的缺陷及有源层/栅绝缘层界面的缺陷，还可以改善有源层与电极之间接触质量形成欧姆接触。传统的退火方法是气氛热退火，均匀加热器件，使得有源层材料中原子获得能量重新分布，填补缺陷态，但退火处理存在以下缺点：1.薄膜受热依靠内部原子热运动重新排列减少缺陷态，需要很长时间，导致热退火时间很长，通常以小时为单位。2.器件各部分需要同时加热，因此对退火设备均匀温升需要很高的要求。3.由于氧化物TFT是由多种薄膜材料构成，各组分热膨胀系数不同，热退火会造成器件热应力增大。4.由于柔性TFT器件中的柔性基板不耐高温，不能通过热处理改善器件性能，使得热处理样品种类有限。5.为了提高器件性能，常会在多种气氛混合退火或非惰性气氛下热退火，导致不安全。
发明内容
针对以上现有技术存在的缺点和不足之处，本发明的首要目的在于提供一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法。
本发明的另一目的在于提供一种通过上述方法制备得到的非晶氧化物薄膜晶体管。
本发明目的通过以下技术方案实现：
一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，包括如下制备步骤：
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体(STO)薄膜，作为TFT的有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；
(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；
(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。
优选地，步骤(1)中所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述AlOx:Nd栅极绝缘层的厚度为200～400nm。
优选地，步骤(1)中所述Al:Nd的掺杂浓度为1～5at％。
优选地，所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5(SiO2:SnO2＝5:95wt％)。
优选地，所述全固态激光的波长为230～400nm。
一种非晶氧化物薄膜晶体管，通过上述方法制备得到。
本发明的原理为：选择全固态激光对STO-TFT进行激光退火处理。1.激光由于波长短，能量高，可以不需要惰性气体或真空环境，能够在短时间内快速彻底地消除薄膜内部缺陷，获得高质量薄膜。2.激光具有高能量，作用时间短的特点，使得薄膜内部原子吸收能量但来不及达到平衡态，只能在原位调整，材料变形小，减小器件应力畸变。3.激光可以通过光学整形，可以对器件进行局部处理(沟道区和源漏电极与有源层重叠区)，减少能量浪费。4.当激光照射TFT时，器件表面获得较高的温度，由于激光作用时间短温度来不及扩散，不会使基板温度升高太高，可以实现对柔性器件进行处理。
本发明的制备方法及所得到的非晶氧化物薄膜晶体管具有如下优点及有益效果：
本发明处理TFT器件时间短，器件性能可达到与热退火处理器件性能相近，有效地节约生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例的氧化物薄膜晶体管的结构示意图。
图2、图3和图4分别为实施例步骤(3)未经激光能量密度处理的器件、经热退火处理的器件和实施例步骤(4)激光处理的STO-TFT的输出特性曲线图。
图5为未经激光能量密度处理、热退火处理和激光处理STO-TFTs的转移特性曲线图。
图6为实施例中激光处理STO-TFT示意图。
图7为实施例步骤(3)未经激光能量密度处理的器件STO薄膜对不同波长激光的吸收率曲线图。
图8为实施例中不同激光能量密度处理后所得STO-TFT的转移特性曲线图。
具体实施方式
下面结合实施例及附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
实施例
本实施例的一种非晶氧化物薄膜晶体管，其结构结构示意图如图1所示。所述氧化物薄膜晶体管从下至上依次为玻璃基板11、Al:Nd薄膜栅极12、AlOx:Nd栅极绝缘层13、STO薄膜有源层14和源/漏电极15，其中源/漏电极15与有源层14位于同一层，源/漏电极15分布在有源层14两端。
本实施例的非晶氧化物薄膜晶体管通过如下方法制备：
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射100～300nm的Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长200～400nm的栅极绝缘层AlOx:Nd；
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体STO-5(SiO2:SnO2＝5:95wt％)薄膜，作为TFT的有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～20nm；
(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；
(4)将步骤(3)所得器件在功率因子为550～950，样品到场镜的距离为20-50cm，激光能量密度为20～100mJ/cm2、波长为355nm的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管(STO-TFT)。
本实施例步骤(3)未经激光能量密度处理的器件的输出特性曲线如图2所示。其中，曲线21，22，23，24分别对应在VGS为0V，10V，20V，30V时的输出特性曲线；图3为热退火处理(350℃，30～60min)的STO-TFT的输出特性曲线。其中，曲线31，32，33，34分别对应在VGS为0V，10V，20V，30V时的输出特性曲线；图4为实施例步骤(4)激光处理的STO-TFT的输出特性曲线。其中，曲线41，42，43，44分别对应在VGS为0V，10V，20V，30V时的输出特性曲线；图5为未经激光能量密度处理、热退火处理和激光处理STO-TFTs的转移特性曲线。其中，曲线51为未经激光能量密度处理的STO-TFT的转移特性曲线，曲线52为热退火处理的STO-TFT的转移特性曲线，曲线53为激光处理的转移特性曲线。
图6为本实施例激光处理STO-TFT示意图。其中66为波长为355nm的全固态激光。
图7为本实施例步骤(3)未经激光能量密度处理的器件STO薄膜对不同波长激光的吸收率曲线。
图8为不同激光能量密度处理后所得STO-TFT的转移特性曲线。
由以上结果可以看出，未经激光处理的STO-TFT没有器件性能，随着激光照射的能量逐渐升高，器件逐渐出现转移特性曲线。说明STO-TFT能够通过激光处理获得器件性能。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其它的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (6)
1.一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于包括如下制备步骤：
(1)在玻璃基板上直流磁控溅射Al:Nd薄膜作为栅极，然后在Al:Nd薄膜栅极表面氧化生长AlOx:Nd栅极绝缘层；
(2)采用射频磁控溅射在栅绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，作为有源层，氧化物半导体薄膜厚度为5～30nm；
(3)利用光刻技术在STO薄膜上直流磁控溅射制备源/漏电极；
(4)将步骤(3)所得器件在能量密度为20～100mJ/cm2的全固态激光条件下进行激光能量密度处理，得到所述非晶氧化物薄膜晶体管。
2.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Al:Nd薄膜的厚度为100～300nm；所述AlOx:Nd栅极绝缘层的厚度为200～400nm。
3.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：步骤(1)中所述Al:Nd的掺杂浓度为1～5at％。
4.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述的氧化物半导体薄膜的材料为STO-5。
5.根据权利要求1所述的一种非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法，其特征在于：所述全固态激光的波长为230～400nm。
6.一种非晶氧化物薄膜晶体管，其特征在于：通过权利要求1～5任一项所述的方法制备得到。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710448040.6A CN107170833A (zh) | 2017-06-14 | 2017-06-14 | 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
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| CN201710448040.6A CN107170833A (zh) | 2017-06-14 | 2017-06-14 | 一种非晶氧化物薄膜晶体管及其制备方法 |
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| CN (1) | CN107170833A (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231905A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-06-29 | 华南理工大学 | 一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法 |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1414616A (zh) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | 株式会社日立制作所 | 激光退火设备，tft装置和相应的退火方法 |
| CN1516230A (zh) * | 1999-08-13 | 2004-07-28 | ��ʽ����뵼����Դ�о��� | 半导体器件的制造方法 |
| CN1577773A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三菱电机株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| JP2007220918A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | レーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法 |
| US20070290200A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-20 | Sony Corporation | Thin film semiconductor device, method of manufacturing the same and display |
| CN105321827A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-02-10 | 华南理工大学 | 湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法及所制备的薄膜晶体管 |
| CN105552114A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 |
-
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- 2017-06-14 CN CN201710448040.6A patent/CN107170833A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1516230A (zh) * | 1999-08-13 | 2004-07-28 | ��ʽ����뵼����Դ�о��� | 半导体器件的制造方法 |
| CN1414616A (zh) * | 2001-10-10 | 2003-04-30 | 株式会社日立制作所 | 激光退火设备，tft装置和相应的退火方法 |
| CN1577773A (zh) * | 2003-07-29 | 2005-02-09 | 三菱电机株式会社 | 薄膜晶体管及其制造方法 |
| JP2007220918A (ja) * | 2006-02-16 | 2007-08-30 | Ulvac Japan Ltd | レーザアニール方法、薄膜半導体装置及びその製造方法、並びに表示装置及びその製造方法 |
| US20070290200A1 (en) * | 2006-06-02 | 2007-12-20 | Sony Corporation | Thin film semiconductor device, method of manufacturing the same and display |
| CN105321827A (zh) * | 2015-10-26 | 2016-02-10 | 华南理工大学 | 湿法刻蚀型氧化物薄膜晶体管的制备方法及所制备的薄膜晶体管 |
| CN105552114A (zh) * | 2015-12-14 | 2016-05-04 | 华南理工大学 | 一种基于非晶氧化物半导体材料的薄膜晶体管及其制备方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108231905A (zh) * | 2017-12-13 | 2018-06-29 | 华南理工大学 | 一种激光处理非晶氧化物薄膜晶体管的制备方法 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20170915 |