CN107015387A - 一种用于阵列基板的测试线路 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种用于阵列基板的测试线路，所述测试线路包括多条第一、第二测试短棒，所述多条第一测试短棒设置于阵列基板的栅极侧，所述多条第二测试短棒设置于阵列基板的源极侧，所述阵列基板的多条栅线所在层定义为第一金属层，所述阵列基板的多条数据线所在层定义为第二金属层，所述测试线路进一步包括多条第一、第二金属走线；每一所述第一测试短棒通过每一所述第一金属走线连接至每一所述栅线，每一所述第二测试短棒通过每一所述第二金属走线连接至每一所述数据线；其中所述第一、第二金属走线均位于第一金属层或者第二金属层；在所述测试线路进行所述阵列基板的加电点亮检测之后，对第一、第二金属走线所在区域进行激光切割。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示领域，尤其涉及一种用于阵列基板的测试线路。
背景技术
液晶显示面板是液晶显示装置中最重要的元件，其通常包括薄膜晶体管 (ThinFilm Transistor,TFT)基板、彩色滤光片(Color Filter,CF)基板以及夹设在两基板之间的液晶层。其中，阵列基板上设置有多条扫描线、多条数据线、多个像素电极以及多个成矩阵排列的薄膜晶体管等等各类电子元器件。为了保证阵列基板上各类电子元器件的电连接关系正确，业界通常在制造阵列基板时，会一并在阵列基板的边缘处设置测试短棒(shorting bar)，以利用测试短棒而在模组化之前进行cell段的加电点亮检测，然后检测完毕后切除液晶显示面板中的阵列基板上的测试短棒，再将液晶显示面板送去进行模组化(Module 段)。
通常，测试短棒将设置于阵列基板的源极侧的红色信号线R、绿色信号线 G及蓝色信号线B(分别对应红绿蓝R/G./B的测试)分别短接在一起。另外，将设置于阵列基板的栅极侧的奇数信号线、偶数信号线分别短接在一起。这样，在进行cell段的加电点亮检测之后，就需要通过激光切割将测试短棒断开。
测试短棒的布线结构为图1所示。其中，栅极侧走线所在层定义为第一金属层M1，测试短棒引出线所在层定义为第二金属层M2；源极侧走线所在层定义为第二金属层M2，测试短棒引出线所在层定义为第一金属层M1。在做激光切割的时候，栅极驱动侧需要切断第一金属层M1，数据驱动侧需要切断第二金属层M2。但是第一金属层M1和第二金属层M2之间是栅极绝缘层(即 gate insulator层)，由于激光切割M1与M2所需要的聚焦情况是不一样，激光功率也不一样，因此，在同一个激光配置(laser recipe)的情况下容易造成有切不断栅极侧走线或源极侧走线的风险，而采用不同的配置则会增加机台的生产作业时间(tacttime)。
因此，亟需提供一种新型的测试线路以解决上述问题。
发明内容
本发明的目的在于，提供一种用于阵列基板的测试线路，其通过均采用栅极侧走线方式或均采用源极侧走线方式来实现在切割栅极侧的栅线或源极侧的数据线时所需要的聚焦相同，且激光功率相同，从而保证切割良率。
本发明提供一种用于阵列基板的测试线路，所述测试线路包括多条第一测试短棒和多条第二测试短棒，所述多条第一测试短棒设置于阵列基板的栅极侧，所述多条第二测试短棒设置于阵列基板的源极侧，所述阵列基板的多条栅线所在层定义为第一金属层，所述阵列基板的多条数据线所在层定义为第二金属层，所述测试线路进一步包括多条第一金属走线和多条第二金属走线；每一所述第一测试短棒通过每一所述第一金属走线连接至每一所述栅线，每一所述第二测试短棒通过每一所述第二金属走线连接至每一所述数据线；其中所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第一金属层，或者所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第二金属层；在所述测试线路进行所述阵列基板的加电点亮检测之后，对第一金属走线和第二金属走线所在区域进行激光切割。
在本发明的一实施例中，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料相同。
在本发明的一实施例中，所述第一测试短棒所在层和所述第二测试短棒所在层均与第一金属走线所在层不同；或者，所述第一测试短棒所在层和所述第二测试短棒所在层均与第二金属走线所在层不同。
在本发明的一实施例中，所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第一金属层时，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料与所述阵列基板的多条栅线所使用的材料相同。
在本发明的另一实施例中，所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第二金属层时，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料与所述阵列基板的多条数据线所使用的材料相同。
在本发明的一实施例中，所述数据线包括红色信号线、绿色信号线及蓝色信号线，且按照一预设定顺序排列设置。
在本发明的一实施例中，所述栅线包括奇数栅线和偶数栅线，且按照一预设定顺序排列设置。
本发明还提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括显示区域及位于所述显示区域外围的外围区域，所述外围区域包括上述的测试线路。
本发明的优点在于，本发明通过均采用栅极侧走线方式或均采用源极侧走线方式(即以一侧走线为基准，另一侧走线进行走线转接)来实现在切割栅极侧的栅线或源极侧的数据线时所需要的聚焦相同，且激光功率相同，从而保证切割良率，且避免增加生产作业时间的问题。
附图说明
图1为现有技术中测试短棒的连接示意图；
图2A和图2B分别为现有技术中栅极侧的测试短棒的布线设计示意图以及源极侧的测试短棒的布线设计示意图；
图3A和图3B分别为本发明的第一实施例的测试线路的栅极侧测试短棒的布线设计及源极侧测试短棒的布线设计的示意图；
图4A和图4B分别为本发明所述第一实施例的测试线路中的第一金属走线和栅线连接的示意图以及第二金属走线和数据线连接的示意图；
图5A和图5B分别为本发明的第二实施例的测试线路的栅极侧测试短棒的布线设计及源极侧测试短棒的布线设计的示意图；
图6A和图6B分别为本发明所述第二实施例的测试线路中的第一金属走线和栅线连接的示意图以及第二金属走线和数据线连接的示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明提供的测试线路的具体实施方式做详细说明。
液晶显示面板包括显示区域及位于所述显示区域外围的外围区域。其中，在液晶显示面板的显示区域包括多条相互垂直的数据线及栅线，参见图1所示。所述数据线包括红色信号线、绿色信号线及蓝色信号线，且按照一预设定顺序(顺序例如为红色信号线R1、绿色信号线G1及蓝色信号线B1，但不限于此，顺序也可以为绿色信号线G1、蓝色信号线B1、红色信号线R1)排列设置。所述栅线包括奇数栅线和偶数栅线，且按照一预设定顺序(顺序例如为奇数栅线ODD、偶数栅线EVEN，但是，顺序也可以为偶数栅线、奇数栅线)排列设置。另外，所述外围区域一般可包括测试线路。
本发明提供一种用于阵列基板的测试线路，具体如图3A至图6B所示。
同时参考图1至2B所示，所述测试线路包括多条第一测试短棒111和多条第二测试短棒112，所述多条第一测试短棒111设置于阵列基板的源极侧，所述多条第二测试短棒112设置于阵列基板的栅极侧。一般情况下，将所述阵列基板的多条栅线131所在层定义为第一金属层M1，所述阵列基板的多条数据线132所在层定义为第二金属层M2。且，第一金属层M1和第二金属层M2为不同层。在第一金属层M1和第二金属层M2之间为栅极绝缘层140。
参见图3A、3B、5A、5B所示，所述测试线路进一步包括多条第一金属走线121和多条第二金属走线122；每一所述第一测试短棒111通过每一所述第一金属走线121连接至每一所述栅线131(如图5A中的G1，G2，G3，G4)，每一所述第二测试短棒112通过每一所述第二金属走线122连接至每一所述数据线132(如图3B中的R1，G1，B1，R2)。其中所述第一金属走线121和所述第二金属走线122均位于第一金属层M1(如图4A和图4B所示)，或者所述第一金属走线121和所述第二金属走线122均位于第二金属层M2(如图6A 和图6B所示)。也就是说，第一金属走线121和第二金属走线122位于同一层且材料相同。这样，当所述测试线路进行所述阵列基板的加电点亮检测之后，对第一金属走线121和第二金属走线122所在区域(如图3A,3B中所示的 151,152)进行激光切割，激光光束路径中的媒介相同(例如，均是先绝缘层140再第一金属层M1，或者，均是先第二金属层M2再绝缘层140)，因此可以使用相同的聚焦和激光功率。这样，不仅能够保证切割良率，而且也避免了增加生产作业时间。优选地，所述第一金属走线121和所述第二金属走线122 所使用的材料相同，从而能够进一步提高切割良率。
参见图3A至4B所示，在本发明的第一实施例中，当保持栅极侧不变的情况下，将源极侧实施了如图3B所示的改变，数据线132在第二切割区域152 做了一个走线转换。具体而言，参见图4B所示，在所述栅极绝缘层140中刻蚀一过孔160，使得第二金属走线122穿过所述过孔160之后与源极侧的数据线132相连，由于源极侧的数据线132所在层为第二金属层M2，所述第二金属走线122位于栅极绝缘层140的下方，因此，所述第二金属走线122位于第一金属层M1。一并参考图4A和图4B所示，当在栅极侧使用一预设激光配置来切割栅极侧的第一金属走线121(第一金属走线121和栅线131位于同一层，即第一金属层M1，且均在GI层140(即gate insulator层)的下方)之后，可以使用相同的激光配置(包括聚焦和功率)来切割在第二切割区域152内的第二金属走线122(由于第二金属走线122也位于第一金属层M1，且在GI层140 的下方)。因此，不仅可以避免现有技术不同层需要不同的聚焦和激光功率的问题，而且能够通过使用相同激光配置来切割栅极侧的栅线131和源极侧的数据线132，并保证切割良率。
另外，优选地，所述第一金属走线121和所述第二金属走线122均位于第一金属层M1时，所述第一金属走线121和所述第二金属走线122所使用的材料与所述阵列基板的多条栅线131所使用的材料相同，从而节省材料成本。
另外，在本发明第一实施例中，在栅极侧的第一测试短棒111和在源极侧的第二测试短棒112均位于第二金属层M2，而第一金属走线121和第二金属走线122均位于第一金属层M1。
参见图5A至6B所示，在本发明第二实施例中，当保持源极侧不变的情况下，将栅极侧实施了如图5A所示的改变，栅线131在第一切割区域151做了一个走线转换。具体而言，参见图6A所示，在所述栅极绝缘层140中刻蚀一过孔160，使得第一金属走线121穿过所述过孔160之后与栅极侧的栅线131 相连，由于栅极侧的栅线131所在层为第一金属层M1，所述第一金属走线121 位于栅极绝缘层140的上方，因此，所述第一金属走线121位于第二金属层M2。一并参考图6A和图6B所示，当在源极侧使用一预设激光配置来切割源极侧的第二金属走线122(第二金属走线122和数据线132位于同一层，即第二金属层M2，且均在GI层140的上方)之后，可以使用相同的激光配置(包括聚焦和功率)来切割在第一切割区域151内的第一金属走线121(由于第一金属走线121也位于第二金属层M2，且在GI层140的上方)。因此，不仅可以避免现有技术不同层需要不同的聚焦和激光功率的问题，而且能够通过使用相同激光配置来切割栅极侧的栅线131和源极侧的数据线132，并保证切割良率。
另外，优选地，所述第一金属走线121和所述第二金属走线122均位于第二金属层M2时，所述第一金属走线121和所述第二金属走线122所使用的材料与所述阵列基板的多条数据线132所使用的材料相同，从而节省材料成本。
另外，在本发明第二实施例中，在栅极侧的第一测试短棒111和在源极侧的第二测试短棒112均位于第一金属层M1，而第一金属走线121和第二金属走线122均位于第二金属层M2。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (8)
1.一种用于阵列基板的测试线路，所述测试线路包括多条第一测试短棒和多条第二测试短棒，所述多条第一测试短棒设置于阵列基板的栅极侧，所述多条第二测试短棒设置于阵列基板的源极侧，所述阵列基板的多条栅线所在层定义为第一金属层，所述阵列基板的多条数据线所在层定义为第二金属层，其特征在于，所述测试线路进一步包括多条第一金属走线和多条第二金属走线；每一所述第一测试短棒通过每一所述第一金属走线连接至每一所述栅线，每一所述第二测试短棒通过每一所述第二金属走线连接至每一所述数据线；其中所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第一金属层，或者所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第二金属层；在所述测试线路进行所述阵列基板的加电点亮检测之后，对第一金属走线和第二金属走线所在区域进行激光切割。
2.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料相同。
3.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述第一测试短棒所在层和所述第二测试短棒所在层均与第一金属走线所在层不同；或者，所述第一测试短棒所在层和所述第二测试短棒所在层均与第二金属走线所在层不同。
4.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第一金属层时，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料与所述阵列基板的多条栅线所使用的材料相同。
5.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述第一金属走线和所述第二金属走线均位于第二金属层时，所述第一金属走线和所述第二金属走线所使用的材料与所述阵列基板的多条数据线所使用的材料相同。
6.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述数据线包括红色信号线、绿色信号线及蓝色信号线，且按照一预设定顺序排列设置。
7.根据权利要求1所述的测试线路，其特征在于，所述栅线包括奇数栅线和偶数栅线，且按照一预设定顺序排列设置。
8.一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括显示区域及位于所述显示区域外围的外围区域，其特征在于，所述外围区域包括权利要求1～7任意一项所述的测试线路。
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| Date | Code | Title | Description |
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| PB01 | Publication | ||
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| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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| TA01 | Transfer of patent application right | ||
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Effective date of registration: 20171026 Address after: 518132 No. 9-2 Ming Avenue, Gongming street, Guangming District, Guangdong, Shenzhen Applicant after: Shenzhen Huaxing photoelectric semiconductor display technology Co., Ltd. Address before: 518132 9-2, Guangming Road, Guangming New District, Guangdong, Shenzhen Applicant before: Shenzhen Huaxing Optoelectronic Technology Co., Ltd. |
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| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
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Application publication date: 20170804 |