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CN106991964A - 像素电路及其驱动方法、显示装置 - Google Patents

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CN106991964A
CN106991964A CN201710245409.3A CN201710245409A CN106991964A CN 106991964 A CN106991964 A CN 106991964A CN 201710245409 A CN201710245409 A CN 201710245409A CN 106991964 A CN106991964 A CN 106991964A
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light
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青海刚
黄炜赟
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Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Chengdu BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种像素电路及其驱动方法、显示装置,属于显示技术领域。本发明的像素电路,包括数据写入模块、阈值补偿模块、发光控制模块、存储电容、驱动晶体管、发光器件;所述驱动晶体管的控制极、所述存储电容的第二端,以及所述阈值补偿模块连接,且三者的连接节点为P节点;所述数据写入模块用于在扫描信号的控制下,将数据电压信号写入所述存储电容的第一端;所述阈值补偿模块用于通过参考电压对P节点进行充电,直至所述P节点电位等于参考电压与驱动晶体管的阈值电压之和,以对所述驱动晶体管进行阈值补偿;所述发光控制模块用于在发光控制信号的控制下,控制所述驱动晶体管产生的驱动电流,驱动所述发光器件发光。

Description

像素电路及其驱动方法、显示装置
技术领域
本发明属于显示技术领域,具体涉及一种像素电路及其驱动方法、显示装置。
背景技术
有机发光显示器(Organic Light Emitting Diode,OLED)相比现在的主流显示技术薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transisitor Liquid Crystal Display,TFT-LCD),具有广视角、高亮度、高对比度、低能耗、体积更轻薄等优点,是目前平板显示技术关注的焦点。
有机发光显示器的驱动方法分为被动矩阵式(PM,Passive Matrix)和主动矩阵式(AM,Active Matrix)两种。而相比被动矩阵式驱动,主动矩阵式驱动具有显示信息量大、功耗低、器件寿命长、画面对比度高等优点。现有技术的一种主动矩阵式有机发光显示器的像素单元驱动电路的等效电路,如图1所示,包括:第一开关晶体管M1、驱动晶体管M2、存储电容C1以及发光器件D1。其中,第一开关晶体管M1的漏极与驱动晶体管M2的栅极连接;驱动晶体管M2的栅极同时连接存储电容C1的一端,其源极与存储电容C1另一端连接,其漏极与发光器件D1连接。第一开关晶体管M1在栅极被扫描信号Vscan(n)选通时打开,从源极引入数据信号Vdata。驱动晶体管M2一般工作在饱和区,其栅源电压Vgs 和阈值电压Vth决定了流过其电流的大小,进而为发光器件D1 提供了稳定的电流。其中Vgs=Vdata-VDD,VDD为电源电压,连接驱动晶体管M2,用于提供发光器件D1发光所需要的能源。而存储电容C1的作用是在一帧的时间内维持驱动晶体管M2栅极和源极电压的稳定。
当扫描信号Vscan(n)的第一个低电平开始时,第n行像素单元被选通,将该行像素单元中的第一开关晶体管M1打开,引入数据信号驱动Vdata,通过驱动数据信号Vdata的电平使存储电容 C1充电完成,之后,通过扫描信号Vscan(n)的高电平关闭该行像素单元的第一开关晶体管M1。此时,存储电容C1维持充电时的电压,维持该行像素单元的驱动晶体管M2输出稳定的电流,使得该行像素单元的有机发光二级管D1持续发光直到一帧时间结束。一帧时间通常为同一行像素单元连续两次被扫描信号选通的时间间隔。
在第n行像素单元的充电完成后,扫描信号选通第n+1行像素单元,将第n+1行像素单元的第一开关晶体管M1打开,引入驱动数据信号进行同样的充电过程,充电完成后通过像素单元中的存储电容C1维持充电时的电压,维持驱动管输出稳定电流,使得n+1行像素单元的发光器件D1持续发光直到一帧时间结束。如此依序下去,当对最后一行像素单元充电完成后,便又从第一行像素单元开始重新扫描充电。
尽管现有技术像素单元电路被广泛使用,但是其仍然必不可免的存在以下问题:驱动晶体管M2的阈值电压Vth由于工艺制程的不均匀导致显示面板不同位置的驱动管存在差异,,从而导致针对同样的数据驱动信号Vdata由于阈值电压的差异发光器件 D1的电流(也就是亮度)不同,从而将会影响整个有机发光显示器的画面均匀性及其发光质量。同样由于面板的内阻问题,由于电流的存在,不同位置的VDD存在差异,这也会导致同样的数据信号Vdata出现不同的Vgs,从而导致发光电流的不一致,同样会影响显示画面的不均匀性。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种有效解决显示面板显示均一性问题的像素电路及其驱动方法、显示装置。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种像素电路,包括:数据写入模块、阈值补偿模块、发光控制模块、存储电容、驱动晶体管、发光器件;其中,所述驱动晶体管的控制极、所述存储电容的第二端,以及所述阈值补偿模块连接,且三者的连接节点为P节点;
所述数据写入模块,用于在扫描信号的控制下,将数据电压信号写入所述存储电容的第一端;
所述阈值补偿模块,用于通过参考电压对P节点进行充电,直至所述P节点电位等于参考电压与驱动晶体管的阈值电压之和,以对所述驱动晶体管进行阈值补偿;
所述发光控制模块,用于在发光控制信号的控制下,控制所述驱动晶体管产生的驱动电流,驱动所述发光器件发光。
优选的是,所述像素电路还包括重置模块;所述重置模块连接所述P节点;
所述重置模块,用于在复位信号的控制下,将初始化信号输出给所述P节点,以对所述P节点的电位进行重置。
优选的是,所述发光器件的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,所述发光器件的第二极连接第二电源端;其中,所述第二电源端所输入的电压值为Vss;所述参考电压为Vref,且0< Vref-Vss≤0.3。
优选的是,所述发光控制模块包括第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述阈值补偿模块和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述数据写入模块,第二极连接所述发光控制模块,控制极连接所述发光控制线。
优选的是,所述阈值补偿模块包括第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第一极,第二极连接所述发光控制模块和所述P节点,控制极连接所述扫描线。
优选的是,所述阈值补偿模块包括第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极和所述发光控制模块,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,第二极连接所述P节点和所述发光器件的第一极,控制极连接所述扫描线。
优选的是,所述数据写入单元包括第五晶体管;其中,
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述发光控制模块,控制极连接扫描线。
优选的是,所述重置模块包括第六晶体管;其中,
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端。
本发明还提供一种上述像素电路的驱动方法,包括:
阈值补偿阶段:所述扫描信号为工作电平,所述数据写入模块打开,阈值补偿模块打开,其中,数据电压通过所述数据写入模块写入至所述存储电容的第一端;同时,参考电压通过阈值补偿模块给P节点充电,直至所述P节点电位等于参考电压与驱动晶体管的阈值电压之和,以对所述驱动晶体管进行阈值补偿;
发光阶段:所述发光控制信号为工作电平信号,所述发光控制模块打开,控制所述驱动晶体管产生的驱动电流,驱动所述发光器件发光。
优选的是,所述像素电路还包括重置模块;所述重置模块连接所述P节点;所述驱动方法还包括:
重置模块阶段:复位信号为工作电平,所述重置模块打开,通过初始化信号对所述P节点的电位进行重置。
优选的是,所述发光器件的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,所述发光器件的第二极连接第二电源端;所述阈值补偿阶段还包括:
给所述第二电源端所输入的电压值为Vss;所述参考电压为 Vref,且0<Vref-Vss≤0.3,以对所述发光器件进行复位。
本发明还提供一种显示装置,包括上述像素电路。
本发明还提供一种一种像素电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述第四晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述第五晶体管的第二极,第二极连接所述第一晶体管的第一极和第一电源端,控制极连接所述发光控制线;
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的所述驱动晶体管的第一极,第二极连接第一晶体管的第二极和第一极连接P节点,控制极连接所述扫描线;
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述第二晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端;
所述存储电容的第一端连接所述第二晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极,第二端连接所述P节点;
所述驱动晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极,第二极连接所述发光器件的第一极和所述第三晶体管的第一极,控制极连接所述P节点;
所述发光器件的第一极连接所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第二极,第二极连接第二电源端;
所述P节点为所述存储电容的第二端、驱动晶体管的控制极,以及第四晶体管的第二极之间的连接节点。
本发明还提供一种像素电路,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述第五晶体管的第二极,第二极连接所述第一晶体管的第一极和第一电源端,控制极连接所述发光控制线;
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接第一晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,第二极连接P节点和所述发光器件的第一极,控制极连接所述扫描线;
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述第二晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端;
所述存储电容的第一端连接所述第二晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极,第二端连接所述P节点;
所述驱动晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极和所述第三晶体管的第二极,第二极连接所述发光器件的第一极和所述第四晶体管的第一极,控制极连接所述P节点;
所述发光器件的第一极连接所述第四晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第二极,第二极连接第二电源端;
所述P节点为所述存储电容的第二端、驱动晶体管的控制极,以及第四晶体管的第二极之间的连接节点。
本发明具有如下有益效果
由于本发明中的像素电路中阈值补偿模块,在工作时,也即阈值补偿阶段将驱动晶体管的第一极或者第二极中的一者(以第一极为例)和控制极连接,以使驱动晶体管通过二极管的连接方式与P节点连接,而P节点是驱动晶体管的控制极、存储电容的第二端,以及阈值补偿模块之间的连接节点,也就是说阈值补偿模块在阈值补偿阶段,可以使得驱动管通过二极管连接的方式与存储电容相连接,与此同时,驱动晶体管的第二极是输入的参考电压信号,利用参考电压通过驱动管对存储电容充电从而获取驱动晶体管的阈值电压,因此可以很好的补偿由于驱动晶体管管阈值电压差异带来的面板显示不均的问题。同时,在发光控制阶段,发光控制模块在发光控制信号的控制下,驱动晶体管的第一极(源极)和控制极(栅极)之间通过存储电容连接,也即此时驱动晶体管的栅源电压与第一电源电压没有关系,因此,整个电路发光电流不受电路内阻影响,完全解决了IR-drop的问题。
附图说明
图1为现有的像素电路的电路图;
图2、7为本发明的实施例的像素电路的电路图;
图3为图2的像素电路的驱动方法的时序图;
图4为图2的像素电路在重置阶段的等效电路图;
图5为图2的像素电路在阈值补偿阶段的等效电路图;
图6为图2的像素电路在发光阶段的等效电路图;
图8为图7的像素电路在阈值补偿阶段的等效电路图。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
本发明实施例中的所采用的晶体管可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性的相同器件,由于采用的晶体管的源极和漏极在一定条件下是可以互换的,所以其源极、漏极从连接关系的描述上是没有区别的。在本发明实施例中,为区分晶体管的源极和漏极,将其中一极称为第一极,另一极称为第二极,栅极称为控制极。此外按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为N型和P型,以下实施例中是以晶体管为P型晶体管进行说明的。当采用P型晶体管时,第一极为P型晶体管的源极,第二极为P型晶体管的漏极,栅极输入低电平时,源漏极导通,N型相反。可以想到的是采用晶体管为N型晶体管实现是本领域技术人员可以在没有付出创造性劳动前提下轻易想到的,因此也是在本发明实施例的保护范围内的。
实施例1:
结合图2和7所示,本实施例提供一种像素电路,包括:数据写入模块3、阈值补偿模块2、发光控制模块1、存储电容Cst、驱动晶体管DTFT、发光器件OLED;其中,驱动晶体管DTFT的控制极、存储电容Cst的第二端,以及阈值补偿模块2连接,且三者的连接节点为P节点;数据写入模块3,在扫描信号G(n)的控制下,将数据电压Vdata信号写入存储电容Cst的第一端;阈值补偿模块2,通过参考电压Vref对P节点进行充电,直至P节点电位等于参考电压Vref与驱动晶体管DTFT的阈值电压之和,以对驱动晶体管DTFT进行阈值补偿;发光控制模块1,在发光控制信号的控制下,控制驱动晶体管DTFT产生的驱动电流,驱动发光器件OLED发光。
由于本实施例中的像素电路中阈值补偿模块2,在工作时,也即阈值补偿阶段将驱动晶体管DTFT的第一极或者第二极中的一者(以第一极为例)和控制极连接,以使驱动晶体管DTFT通过二极管的连接方式与P节点连接,而P节点是驱动晶体管DTFT 的控制极、存储电容Cst的第二端,以及阈值补偿模块2之间的连接节点,也就是说阈值补偿模块2在阈值补偿阶段,可以使得驱动管通过二极管连接的方式与存储电容Cst相连接,与此同时,驱动晶体管DTFT的第二极是输入的参考电压Vref信号,利用参考电压Vref通过驱动管对存储电容Cst充电从而获取驱动晶体管 DTFT的阈值电压,因此可以很好的补偿由于驱动晶体管DTFT管阈值电压差异带来的面板显示不均的问题。同时,在发光控制阶段,发光控制模块1在发光控制信号的控制下,驱动晶体管DTFT 的第一极(源极)和控制极(栅极)之间通过存储电容Cst连接,也即此时驱动晶体管DTFT的栅源电压与第一电源电压没有关系,因此,整个电路发光电流不受电路内阻影响,完全解决了IR-drop 的问题。
其中,本实施例中的像素电路还包括重置模块4;重置模块4 连接P节点;该重置模块4用于在复位信号Reset的控制下,将初始化信号Init输出给P节点,以对P节点的电位进行重置。也即对驱动晶体管DTFT的控制极电位进行重置,此时发光器件OLED 不发光。
其中,发光器件OLED的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极,发光器件OLED的第二极连接第二电源端ELVSS;其中,第二电源端ELVSS所输入的电压值为Vss;参考电压Vref为Vref,且0<Vref-Vss≤0.3。
之所以控制0<Vref-Vss≤0.3是为了在参考电平Vref进入像素电路,由于参考电压Vref的电压与第二电源端ELVSS所输入的电压值为Vss较为接近,Vref和Vss之间的压差主要在于确保补偿阶段发光器件OLED没有电流流过,同时因此参考电压Vref 进入发光器件OLED的第一极(阳极)可以对发光器件OLED进行复位,消除发光器件OLED内部发光界面上没有复合的载流子,缓解发光器件OLED的老化,因此0.3V只是一个参考值,并不对本发明构成限定
其中,本实施例中的发光控制模块1包括第一晶体管T1和第二晶体管T2;其中,第一晶体管T1的第一极连接第二晶体管T2 的第二极和第一电源端ELVDD,第二极连接阈值补偿模块2和驱动晶体管DTFT的第一极,控制极连接发光控制线;第二晶体管 T2的第一极连接存储电容Cst的第一端和数据写入模块3,第二极连接第一晶体管T1的第一极,控制极连接发光控制线。
具体的,当发光控制线输入工作电平信号时,第一晶体管T1 和第二晶体管T2打开,此时驱动晶体管DTFT的第一极和控制极,也即源极和栅极之间则通过存储电容Cst连接,因此,控制驱动晶体管DTFT产生驱动电流的栅源电压则与第一电源端ELVDD 所输入的电源信号无关,而仅与存储电容Cst两端的电压相关,从而即便在同一面板的不同位置,由于内阻ELVDD或ELVSS存在差异,也不会对存储电容Cst两端的压差产生影响,因而完全解决了IR-drop问题,即由于内阻导致的面板显示不均匀性。
其中,阈值补偿模块2包括第三晶体管T3和第四晶体管T4;其中,第三晶体管T3的第一极连接参考电压Vref端,第二极连接驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED的第一极,控制极连接扫描线;第四晶体管T4的第一极连接驱动晶体管DTFT的第一极,第二极连接第一晶体管T1的第二极和P节点,控制极连接扫描线。
具体的,在扫描线输入工作电平时,第三晶体管T3和第四晶体管T4,此时驱动晶体管DTFT管通过第四晶体管T4形成的二极管是开启的,由于第三晶体管T3打开,此时参考电压Vref通过驱动晶体管DTFT对驱动晶体管DTFT的控制极充电,由于控制极也是与存储电容Cst相连,因此也是在对存储电容Cst充电,随着电荷的不断流入,P节点的电位不断上升,当P节点电位上升到Vref-|Vthd|(Vthd驱动晶体的阈值电压)时,驱动晶体管DTFT 截止,充电结束,此时也完成了对驱动晶体管DTFT的阈值补偿。
其中,阈值补偿模块2同样可以包括第三晶体管T3和第四晶体管T4;但是连接关系与上述方式不同,具体的,第三晶体管T3 的第一极连接参考电压Vref端,第二极连接驱动晶体管DTFT的第一极和第一晶体管T1的第二极,控制极连接扫描线;第四晶体管T4的第一极连接驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED 的第一极,第二极连接P节点,控制极连接扫描线。但是工作原理是与上述方式相同的,在此不再详细描述了。
其中,数据写入单元包括第五晶体管T5;第五晶体管T5的第一极连接数据线,第二极连接存储电容Cst的第一端和发光控制模块1,控制极连接扫描线。
具体的,当扫描线输入工作电平信号时,第五晶体管T5打开,此时数据线上输入的数据电压Vdata则可以通过第五晶体管T5写入至存储电容Cst的第一端。
其中,重置模块4包括第六晶体管T6;第六晶体管T6的第一极连接初始化信号Init端,第二极连接P节点,控制极连接复位信号Reset端。
具体的,当复位信号Reset端写入复位信号Reset时,第六晶体管T6打开,此时初始化信号Init端所输入的初始化信号Init则通过第六晶体管T6写入至P节点,以实现P节点的复位,也即实现驱动晶体管DTFT的控制极复位。
相应的,对于上述像素电路本实施例中提供了一种像素驱动电路的驱动方法。具体包括:
重置阶段:复位信号Reset为工作电平,重置模块4打开,通过初始化信号Init对P节点的电位进行重置。
阈值补偿阶段:扫描信号G(n)为工作电平,数据写入模块3 打开,阈值补偿模块2打开,其中,数据电压Vdata通过数据写入模块3写入至存储电容Cst的第一端;同时,参考电压Vref通过阈值补偿模块2给P节点充电,直至P节点电位等于参考电压 Vref与驱动晶体管DTFT的阈值电压之和,以对驱动晶体管DTFT 进行阈值补偿。
发光阶段:发光控制信号为工作电平信号,发光控制模块1 打开,控制驱动晶体管DTFT产生的驱动电流,驱动发光器件 OLED发光。
由于本实施例中的像素电路的驱动方法中,在阈值补偿阶段,阈值补偿模块2在工作将驱动晶体管DTFT的第一极或者第二极中的一者(以第一极为例)和控制极连接,以使驱动晶体管DTFT 通过二极管的连接方式与P节点连接,而P节点是驱动晶体管 DTFT的控制极、存储电容Cst的第二端,以及阈值补偿模块2之间的连接节点,也就是说阈值补偿模块2在阈值补偿阶段,可以使得驱动管通过二极管连接的方式与存储电容Cst相连接,与此同时,驱动晶体管DTFT的第二极是输入的参考电压Vref信号,利用参考电压Vref通过驱动管对存储电容Cst充电从而获取驱动晶体管DTFT的阈值电压,因此可以很好的补偿由于驱动晶体管 DTFT管阈值电压差异带来的面板显示不均的问题。同时,在发光控制阶段,发光控制模块1在发光控制信号的控制下,驱动晶体管DTFT的第一极(源极)和控制极(栅极)之间通过存储电容 Cst连接,也即此时驱动晶体管DTFT的栅源电压与第一电源电压没有关系,因此,整个电路发光电流不受电路内阻影响,完全解决了IR-drop的问题。
为了更清楚本实施例中的像素电路的驱动方法,以下结合具体工作方法,对本实施例中像素电路的驱动方法进行说明。
首先,以图2中所示的像素电路的发光控制模块1包括第一晶体管T1和第二晶体管T2;阈值补偿模块2包括第三晶体管T3 和第四晶体管T4;数据写入模块3包括第五晶体管T5;重置模块 4包括第六晶体管T6为例;其中,第一晶体管T1的第一极连接第二晶体管T2的第二极和第一电源端ELVDD,第二极连接第四晶体管T4的第二极和驱动晶体管DTFT的第一极,控制极连接发光控制线;第二晶体管T2的第一极连接存储电容Cst的第一端和第五晶体管T5的第二极,第二极连接第一晶体管T1的第一极和第一电源端ELVDD,控制极连接发光控制线;第三晶体管T3的第一极连接参考电压Vref端,第二极连接驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED的第一极,控制极连接扫描线;第四晶体管T4的第一极连接P节点,第二极连接第一晶体管T1的第二极和驱动晶体管DTFT的第一极,控制极连接扫描线;第五晶体管T5的第一极连接数据线,第二极连接存储电容Cst的第一端和第二晶体管T2的第一极,控制极连接扫描线;第六晶体管T6的第一极连接初始化信号Init端,第二极连接P节点,控制极连接复位信号Reset端;存储电容Cst的第一端连接第二晶体管T2的第一极和第五晶体管T5的第二极,第二端连接P节点;驱动晶体管 DTFT的第一极连接第一晶体管T1的第二极和第四晶体管T4的第二极,第二极连接发光器件OLED的第一极和第三晶体管T3 的第二极,控制极连接P节点;发光器件OLED的第一极连接第三晶体管T3的第二极和驱动晶体管DTFT的第二极,第二极连接第二电源端ELVSS;P节点为存储电容Cst的第二端、驱动晶体管DTFT的控制极,以及第四晶体管T4的第一极之间的连接节点。其中,以上述各个晶体管为P型进行为例,此时各个晶体管的工作电平则为低电平。结合图3所示的时序图,该像素的驱动方法具体包括:
重置阶段:复位信号Reset为低电平、发光控制信号、本行扫描信号G(n)为高电平。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5截止,第六晶体管T6 开启。等效电路图如图4,由于第六晶体管T6开启,初始化信号 Init通过第六晶体管T6到达驱动晶体管DTFT的控制极,重置驱动晶体管DTFT控制极电位,为下阶段的补偿做准备,同时由于第一晶体管T1截止,该阶段没有电流流过驱动晶体管DTFT,发光器件OLED不发光。
阈值补偿:复位信号Reset和发光控制信号为高电平,本行扫描信号G(n)为低电平。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第六晶体管T6截止,第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5 开启。等效电路如图5,该阶段由于四晶体管的开启,驱动晶体管 DTFT为二极管连接。第三晶体管T3开启,参考电平Vref进入电路,第二电源端ELVSS所输入的电压值为Vss,且0<Vref-Vss ≤0.3,也即参考电压Vref的电压与第二电源端ELVSS所输入的电压值Vss较为接近,Vref和Vss之间的压差主要在于确保补偿阶段发光器件OLED没有电流流过,同时因此参考电压Vref进入发光器件OLED的第一极(阳极)可以对发光器件OLED进行复位,消除发光器件OLED内部发光界面上没有复合的载流子,缓解发光器件OLED的老化,因此0.3V只是一个参考值。当然, Vref和Vss的差值也不局限于上述范围,也可以是只要保证在该过程中发光器件不发光即可。同时,由于参考电压Vref要比初始化电压Init大一个驱动晶体管DTFT阈值电压的绝对值以上,此时驱动晶体管DTFT的控制极(栅极)仍然为Init电压,因此,驱动晶体管DTFT通过第四晶体管T4形成的二极管是开启的,参考电压Vref通过驱动晶体管DTFT的第一极对驱动晶体管DTFT 的控制极(栅极)充电,由于栅极也是与存储电容Cst相连,因此也是在对存储电容Cst充电,随着电荷的不断流入,P节点的电位不断上升,当P节点电位上升到比参考电压Vref小驱动晶管的阈值电压时,驱动晶体管DTFT截止,充电结束。由于第五晶体管T5的开启,在该阶段一开始,数据电压Vdata对存储电容Cst 的第一端充电写入数据电压Vdata,该阶段结束时,存储电容Cst 两端的电压为:
V(Cst)=Vdata-(Vref-|Vthd|);Vthd为驱动晶体管DTFT 的阈值电压。
发光阶段:复位信号Reset和本行扫描信号G(n)为高电平,发光控制信号为低电平。第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6都截止,第一晶体管T1和第二晶体管 T2开启。等效电路如图6。由于第一晶体管T1和第二晶体管T2 开启,存储电容Cst连接在驱动晶体管DTFT栅极和第一极(源极) 两端,驱动管栅极和源极两端的电压即为存储电容Cst两端的电压,因此驱动晶体管DTFT的栅极和源极之间的电压Vsg即为:
Vsg=V(Cst)=Vdata–Vref+|Vthd|;其中,Vth为驱动晶体管DTFT的阈值电压。
由于第一电源端ELVDD所输入的电源电压可以保证驱动晶体管DTFT源漏电压Vsd>Vsg-|Vth|,因此驱动晶体管DTFT工作在饱和状态,因此发光电流:
Ioled=K(Vsg-|Vth|)2=K(Vdata–Vref+|Vthd|-|Vthd|)2=K(Vdata-Vref)2; K为与工艺和设计有关的常数。
由上式可以知道,发光器件OLED的发光电流只与数据电压 Vdata和参考电压Vref有关系,而与驱动晶体管DTFT的阈值电压Vthd无关。同时,在像素电路的驱动过程中,第一电源电压端并没有进入到存储电容Cst当中,最终影响发光器件OLED的因素也没有第一电源端ELVDD和第二电源端ELVSS所输入的电源电压,因此即便在同一面板的不同位置,由于内阻VDD或VSS 存在差异,也不会对存储电容Cst两端的压差产生影响,因而完全解决了IR-drop问题,即由于内阻导致的面板显示不均匀性。
本实施例中还提供了另一种像素电路,与上述的像素电路大致相同。如图7所示,像素电路的发光控制模块1包括第一晶体管T1和第二晶体管T2;阈值补偿模块2包括第三晶体管T3和第四晶体管T4;数据写入模块3包括第五晶体管T5;重置模块4 包括第六晶体管T6为例;其中,第一晶体管T1的第一极连接第二晶体管T2的第二极和第一电源端ELVDD,第二极连接第三晶体管T3的第二极和驱动晶体管DTFT的第一极,控制极连接发光控制线;第二晶体管T2的第一极连接存储电容Cst的第一端和第五晶体管T5的第二极,第二极连接第一晶体管T1的第一极和第一电源端ELVDD,控制极连接发光控制线;第三晶体管T3的第一极连接参考电压Vref端,第二极连接第一晶体管T1的第二极和驱动晶体管DTFT的第一极,控制极连接扫描线;第四晶体管 T4的第一极连接P节点,第二极连接驱动晶体管DTFT的第二极和发光器件OLED的第一极,控制极连接扫描线;第五晶体管T5 的第一极连接数据线,第二极连接存储电容Cst的第一端和第二晶体管T2的第一极,控制极连接扫描线;第六晶体管T6的第一极连接初始化信号Init端,第二极连接P节点,控制极连接复位信号Reset端;存储电容Cst的第一端连接第二晶体管T2的第一极和第五晶体管T5的第二极,第二端连接P节点;驱动晶体管 DTFT的第一极连接第一晶体管T1的第二极和第三晶体管T3的第二极,第二极连接发光器件OLED的第一极和第四晶体管T4 的第一极,控制极连接P节点;发光器件OLED的第一极连接第四晶体管T4的第一极和驱动晶体管DTFT的第二极,第二极连接第二电源端ELVSS;P节点为存储电容Cst的第二端、驱动晶体管DTFT的控制极,以及第四晶体管T4的第二极之间的连接节点。
对于该种像素电路的驱动方法,与上述驱动方法相同基本相同,仅在于阈值补偿阶段,因此以下仅对阈值补偿阶段进行描述,其余阶段则不再重复说明。
阈值补偿阶段:复位信号Reset和发光控制信号为高电平,本行扫描信号G(n)为低电平。第一晶体管T1、第二晶体管T2、第六晶体管T6截止,第三晶体管T3、第四晶体管T4、第五晶体管T5开启。等效电路如图8,该阶段由于四晶体管的开启,驱动晶体管DTFT为二极管连接。第三晶体管T3开启,参考电平Vref 进入电路,第二电源端ELVSS所输入的电压值为Vss,且0< Vref-Vss≤0.3,也即参考电压Vref的电压与第二电源端ELVSS 所输入的电压值Vss较为接近,因此参考电压Vref进入发光器件 OLED的第一极(阳极)可以对发光期间按进行复位,消除发光二极管内部发光界面上没有复合的载流子,缓解发光二极管的老化。同时,由于参考电压Vref要比初始化电压Init大一个驱动晶体管DTFT阈值电压的绝对值以上,此时驱动晶体管DTFT的控制极(栅极)仍然为Init电压,因此,驱动晶体管DTFT通过第四晶体管T4形成的二极管是开启的,参考电压Vref通过驱动晶体管DTFT的第一极对驱动晶体管DTFT的控制极(栅极)充电,由于栅极也是与存储电容Cst相连,因此也是在对存储电容Cst 充电,随着电荷的不断流入,P节点的电位不断上升,当P节点电位上升到比参考电压Vref小驱动晶管的阈值电压时,驱动晶体管DTFT截止,充电结束。由于第五晶体管T5的开启,在该阶段一开始,数据电压Vdata对存储电容Cst的第一端充电写入数据电压Vdata,该阶段结束时,存储电容Cst两端的电压为:
V(Cst)=Vdata-(Vref-|Vthd|);Vthd为驱动晶体管DTFT 的阈值电压。
与上述方式相同的,驱动晶体管DTFT的栅极和源极之间的电压Vsg即为:
Vsg=V(Cst)=Vdata–Vref+|Vthd|;其中,Vth为驱动晶体管 DTFT的阈值电压。
由于第一电源端ELVDD所输入的电源电压可以保证驱动晶体管DTFT源漏电压Vsd>Vsg-|Vth|,因此驱动晶体管DTFT工作在饱和状态,因此发光电流:
Ioled=K(Vsg-|Vth|)2=K(Vdata–Vref+|Vthd|-|Vthd|)2=K(Vdata-Vref)2; K为与工艺和设计有关的常数。
由上式可以知道,发光器件OLED的发光电流只与数据电压Vdata和参考电压Vref有关系,而与驱动晶体管DTFT的阈值电压Vthd无关。同时,在像素电路的驱动过程中,第一电源电压端并没有进入到存储电容Cst当中,最终影响发光器件OLED的因素也没有第一电源端ELVDD和第二电源端ELVSS所输入的电源电压,因此即便在同一面板的不同位置,由于内阻VDD或VSS 存在差异,也不会对存储电容Cst两端的压差产生影响,因而完全解决了IR-drop问题,即由于内阻导致的面板显示不均匀性。
相应的,本实施例中还提供了一种包括上述任意一种像素电路的显示装置。
可以理解的是,以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式,然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言,在不脱离本发明的精神和实质的情况下,可以做出各种变型和改进,这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (14)

1.一种像素电路,其特征在于,包括:数据写入模块、阈值补偿模块、发光控制模块、存储电容、驱动晶体管、发光器件;其中,所述驱动晶体管的控制极、所述存储电容的第二端,以及所述阈值补偿模块连接,且三者的连接节点为P节点;
所述数据写入模块,用于在扫描信号的控制下,将数据电压信号写入所述存储电容的第一端;
所述阈值补偿模块,用于通过参考电压对P节点进行充电,直至所述P节点电位等于参考电压与驱动晶体管的阈值电压之和,以对所述驱动晶体管进行阈值补偿;
所述发光控制模块,用于在发光控制信号的控制下,控制所述驱动晶体管产生的驱动电流,驱动所述发光器件发光。
2.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述像素电路还包括重置模块;所述重置模块连接所述P节点;
所述重置模块,用于在复位信号的控制下,将初始化信号输出给所述P节点,以对所述P节点的电位进行重置。
3.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述发光器件的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,所述发光器件的第二极连接第二电源端;其中,所述第二电源端所输入的电压值为Vss;所述参考电压为Vref,且0<Vref-Vss≤0.3。
4.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述发光控制模块包括第一晶体管和第二晶体管;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述阈值补偿模块和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述数据写入模块,第二极连接所述发光控制模块,控制极连接所述发光控制线。
5.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述阈值补偿模块包括第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第一极,第二极连接所述发光控制模块和所述P节点,控制极连接所述扫描线。
6.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述阈值补偿模块包括第三晶体管和第四晶体管;其中,
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第一极和所述发光控制模块,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,第二极连接所述P节点和所述发光器件的第一极,控制极连接所述扫描线。
7.根据权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述数据写入单元包括第五晶体管;其中,
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述发光控制模块,控制极连接扫描线。
8.根据权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述重置模块包括第六晶体管;其中,
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端。
9.一种如权利要求1-8中任一项所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,包括:
阈值补偿阶段:所述扫描信号为工作电平,所述数据写入模块打开,阈值补偿模块打开,其中,数据电压通过所述数据写入模块写入至所述存储电容的第一端;同时,参考电压通过阈值补偿模块给P节点充电,直至所述P节点电位等于参考电压与驱动晶体管的阈值电压之和,以对所述驱动晶体管进行阈值补偿;
发光阶段:所述发光控制信号为工作电平信号,所述发光控制模块打开,控制所述驱动晶体管产生的驱动电流,驱动所述发光器件发光。
10.根据权利要求9所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述像素电路还包括重置模块;所述重置模块连接所述P节点;所述驱动方法还包括:
重置模块阶段:复位信号为工作电平,所述重置模块打开,通过初始化信号对所述P节点的电位进行重置。
11.根据权利要求9所述的像素电路的驱动方法,其特征在于,所述发光器件的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,所述发光器件的第二极连接第二电源端;所述阈值补偿阶段还包括:
给所述第二电源端所输入的电压值为Vss;所述参考电压为Vref,且0<Vref-Vss≤0.3,以对所述发光器件进行复位。
12.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1-9中任一项所述的像素电路。
13.一种像素电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述第四晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述第五晶体管的第二极,第二极连接所述第一晶体管的第一极和第一电源端,控制极连接所述发光控制线;
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接所述驱动晶体管的第二极和所述发光器件的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的所述驱动晶体管的第一极,第二极连接第一晶体管的第二极和第一极连接P节点,控制极连接所述扫描线;
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述第二晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端;
所述存储电容的第一端连接所述第二晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极,第二端连接所述P节点;
所述驱动晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极和所述第四晶体管的第二极,第二极连接所述发光器件的第一极和所述第三晶体管的第一极,控制极连接所述P节点;
所述发光器件的第一极连接所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第二极,第二极连接第二电源端;
所述P节点为所述存储电容的第二端、驱动晶体管的控制极,以及第四晶体管的第二极之间的连接节点。
14.一种像素电路,其特征在于,包括:第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、驱动晶体管、存储电容、发光器件;其中,
所述第一晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极和第一电源端,第二极连接所述第三晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接发光控制线;
所述第二晶体管的第一极连接所述存储电容的第一端和所述第五晶体管的第二极,第二极连接所述第一晶体管的第一极和第一电源端,控制极连接所述发光控制线;
所述第三晶体管的第一极连接参考电压端,第二极连接第一晶体管的第二极和所述驱动晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第四晶体管的第一极连接所述驱动晶体管的第二极,第二极连接P节点和所述发光器件的第一极,控制极连接所述扫描线;
所述第五晶体管的第一极连接数据线,第二极连接所述存储电容的第一端和所述第二晶体管的第一极,控制极连接扫描线;
所述第六晶体管的第一极连接初始化信号端,第二极连接所述P节点,控制极连接复位信号端;
所述存储电容的第一端连接所述第二晶体管的第一极和所述第五晶体管的第二极,第二端连接所述P节点;
所述驱动晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极和所述第三晶体管的第二极,第二极连接所述发光器件的第一极和所述第四晶体管的第一极,控制极连接所述P节点;
所述发光器件的第一极连接所述第四晶体管的第一极和所述驱动晶体管的第二极,第二极连接第二电源端;
所述P节点为所述存储电容的第二端、驱动晶体管的控制极,以及第四晶体管的第二极之间的连接节点。
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