[go: up one dir, main page]
More Web Proxy on the site http://driver.im/

CN106887450B - 柔性内嵌式触控结构及其制作方法 - Google Patents

柔性内嵌式触控结构及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106887450B
CN106887450B CN201710151467.XA CN201710151467A CN106887450B CN 106887450 B CN106887450 B CN 106887450B CN 201710151467 A CN201710151467 A CN 201710151467A CN 106887450 B CN106887450 B CN 106887450B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
touch
anode
pixel
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201710151467.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN106887450A (zh
Inventor
苏伟盛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority to CN201710151467.XA priority Critical patent/CN106887450B/zh
Priority to US15/571,037 priority patent/US10180744B2/en
Priority to PCT/CN2017/080736 priority patent/WO2018166028A1/zh
Publication of CN106887450A publication Critical patent/CN106887450A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106887450B publication Critical patent/CN106887450B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
    • H01L21/77—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components or integrated circuits formed in, or on, a common substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/805—Electrodes
    • H10K50/82—Cathodes
    • H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/123—Connection of the pixel electrodes to the thin film transistors [TFT]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/131—Interconnections, e.g. wiring lines or terminals
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/40—OLEDs integrated with touch screens
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/621—Providing a shape to conductive layers, e.g. patterning or selective deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H10K77/111—Flexible substrates
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102—Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04111—Cross over in capacitive digitiser, i.e. details of structures for connecting electrodes of the sensing pattern where the connections cross each other, e.g. bridge structures comprising an insulating layer, or vias through substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/1201—Manufacture or treatment
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明提供一种柔性内嵌式触控结构及其制作方法。本发明的柔性内嵌式触控结构，包括TFT基板、平坦层、OLED触控层、以及封装层；所述OLED触控层包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层；所述阳极层包括数个阳极单元、及数个触控连接线，所述数个触控连接线对应位于所述像素定义层下方；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过像素定义层上的数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；本发明通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需改变阴极层及阳极层的图形设计，制作方法简单。

Description

柔性内嵌式触控结构及其制作方法
技术领域
本发明涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种柔性内嵌式触控结构及其制作方法。
背景技术
随着显示技术的快速发展，触控屏已经普及到人们的日常生活中，举例而言，透过触控屏使用者可直接以手指或触控笔在屏幕上操作程式、输入讯息/文字/图样，省去使用键盘或按键等输入装置的麻烦。实际上，触控屏通常由一感应面板及设置于感应面板后方的显示器组成。电子装置根据使用者在感应面板上所触碰的位置，以及当时显示器所呈现的画面，来判断该次触碰的意涵，并执行相对应的操作结果。
目前被广泛应用的电容式触控技术主要有跨桥式电容式触控技术和自容式触控技术。其中，自容式触控屏由制程较单纯的单层自电容的触控电极结构实现，自容式触控屏中，触控电极大多采用正方形(Block Pattern)设计，为了将触控电极与触控侦测芯片连接，会设置与触控电极对应连接的触控信号线，从而将触控信号传递给触控侦测芯片；且为了减小各触控电极之间的电阻差及电容差以保证触控精度，会设置与触控电极对应连接的虚拟触控信号线。而跨桥式电容式触控结构，用以形成触控功能的透明导电层也只有一层，而触控电极大多采用菱形设计，常规的跨桥式电容式触控结构，如图1所示，图中省略基板等结构，以清楚表达桥点结构，触控电极层中设有多列菱形的第一触控电极57、及多行设于第一触控电极57间的菱形的第二触控电极55，每一列第一触控电极57中相邻第一触控电极57则通过同层的第一连接部56相连，为使电信号传出，需将如一行的第二触控电极55串接，于此，需构造跨越第一连接部56的桥体59以连接相邻的第二触控电极55，即形成搭桥结构，另外于搭桥结构的桥点形成电容，需构造绝缘介质，如图1中所示的绝缘层52，以隔离第一连接部56与桥体59。
近年来柔性显示器也开始进入市场，但目前的柔性触控产品有以下的缺点：1、仅为一固定形状，无法任意弯折；2、触控功能需要另外贴合触控传感器薄膜，工艺上困难度大幅增加；3、触控传感器的电极材料仍为氧化铟锡(ITO)，弯折性不足。参见图2，其为现有柔性触控结构的示意图，包括：主要由依次层叠的TFT基板1、发光层2及封装层3形成的柔性面板，柔性面板的封装层3上方设置的光学胶层4，光学胶层4上方贴合的触控传感器层5。现有柔性触控结构中，传统全贴合技术会需要许多胶材，多次弯折后会产生剥离(peeling)的状况，造成面板失效。
发明内容
本发明的目的在于提供一种柔性内嵌式触控结构，将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，且制作方法简单。
本发明的目的还在于提供一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，且制作方法简单。
为实现上述目的，本发明提供一种柔性内嵌式触控结构，包括：TFT基板、设于TFT基板上平坦层、设于TFT基板及平坦层上的OLED触控层、以及设于OLED触控层上的封装层；
所述OLED触控层包括：设于所述TFT基板上的阳极层、设于所述平坦层及阳极层上的像素定义层、设于阳极层上的发光层、以及设于像素定义层及发光层上的阴极层；
所述像素定义层在阳极层上围出数个阵列排布的像素开口，所述阳极层包括与所述像素开口对应设置的数个阳极单元、及位于所述像素定义层下方与阳极单元间隔的数个触控连接线，所述发光层设于所述像素开口内；
所述像素定义层在所述触控连接线上方设有数个过孔；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过所述数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；
所述阴极层覆盖所述数个像素开口，每一像素开口内的发光层、其下方对应的阳极单元、及其上方对应的阴极层共同构成一OLED单元结构。
可选地，所述触控传感器结构为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极包括数个第一触控电极部、位于所述数个第一触控电极部之间的数个第二触控电极部、及用于将相邻两第一触控电极部电连接的数个连接部；
所述触控连接线用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部电连接。
所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口中的一部分，所述阴极层还包括位于数个触控电极之间的数个补充电极，所述数个补充电极覆盖所述数个像素开口中剩余的一部分；
所述第一触控电极部及第二触控电极部均为菱形。
可选地，所述触控传感器结构为自容式触控传感器结构，所述触控连接线用作自容式触控传感器结构中的信号线。
所述数个触控电极均为长方形，所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口。
本发明还提供一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板，在所述TFT基板上形成一有机材料膜，对所述有机材料膜进行图案化处理，得到平坦层；
步骤2、在所述TFT基板及平坦层上沉积形成第一导电层，对所述第一导电层进行图案化处理，得到阳极层，所述阳极层包括数个间隔排布的阳极单元、及设于所述数个阳极单元之间的数个触控连接线；
步骤3、在所述平坦层及阳极层上形成一隔离层，对所述隔离层进行图案化处理，得到像素定义层，所述像素定义层在阳极层上对应所述数个阳极单元围出数个阵列排布的像素开口，且所述像素定义层在所述触控连接线上方具有数个过孔；
步骤4、在所述像素定义层在所述阳极层上所围出的像素开口内形成发光层；
步骤5、提供第一精细掩膜板，以所述第一精细掩膜板为遮蔽层，在所述像素定义层及发光层上蒸镀形成图案化的阴极层，得到包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层的OLED触控层；
所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过所述数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；且所述阴极层覆盖所述数个像素开口，每一像素开口内的发光层、其下方对应的阳极单元、及其上方对应的阴极层共同构成一OLED单元结构；
步骤6、在所述像素定义层及阴极层上形成封装层。
可选地，所述触控传感器结构为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极包括数个第一触控电极部、位于所述数个第一触控电极部之间的数个第二触控电极部、及用于将相邻两第一触控电极部电连接的数个连接部；
所述触控连接线用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部电连接。
所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口中的一部分，所述阴极层还包括位于数个触控电极之间的数个补充电极，所述数个补充电极覆盖所述数个像素开口中剩余的一部分；
所述第一触控电极部及第二触控电极部均为菱形。
可选地，所述触控传感器结构为自容式触控传感器结构，所述触控连接线用作自容式触控传感器结构中的信号线。
所述数个触控电极均为长方形，所述数个触控电极覆盖所述数个像素开口。
本发明的有益效果：本发明提供的一种柔性内嵌式触控结构，包括TFT基板、平坦层、OLED触控层、以及封装层；所述OLED触控层包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层；所述阳极层包括数个阳极单元、及数个触控连接线，所述数个触控连接线对应位于所述像素定义层下方；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过像素定义层上的数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；本发明通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需改变阴极层及阳极层的图形设计，制作方法简单。本发明提供的一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，相对于现有柔性OLED面板制程，在图案化形成阳极层时，在非发光区制作触控线路用的触控连接线，并将原本是整面蒸镀形成阴极层，改变为采用精细掩膜板蒸镀形成图案化的阴极层，在阴极层中制作触控电极，并让触控电极与触控连接线接触，从而完成触控传感器结构，通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，且制作方法简单。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有一种跨桥式电容式触控结构的俯视状态示意图；
图2为现有一种柔性触控结构的示意图；
图3为本发明柔性内嵌式触控结构第一实施例的俯视状态示意图；
图4为本发明柔性内嵌式触控结构第二实施例的俯视状态示意图；
图5为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的流程示意图；
图6-7为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤1的示意图；
图8-9为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤2的示意图；
图10-11为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤3的示意图；
图12为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤4的示意图；
图13为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤5的示意图；
图14为本发明柔性内嵌式触控结构的制作方法的步骤6的示意图及本发明柔性内嵌式触控结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图14，本发明提供一种柔性内嵌式触控结构，主要包括TFT基板10、设于TFT基板10上平坦层40、设于TFT基板10及平坦层40上的OLED触控层20、以及设于OLED触控层20上的封装层30。本发明提出将触控传感器整合进柔性面板当中的技术，可减少贴合次数提升良率，并有效减薄面板整体厚度，增加弯折性。
进一步，请参阅图3，图3为本发明柔性内嵌式触控结构第一实施例的俯视状态示意图，该图3中省略了TFT基板10、平坦层40等结构，以清楚表达本实施例中触控传感器的结构，本实施例中，所述OLED触控层20包括：设于所述TFT基板10上的阳极层21、设于所述平坦层40及阳极层21上的像素定义层22、设于阳极层21上的发光层23、以及设于像素定义层22及发光层23上的阴极层24；
所述像素定义层22在阳极层21上围出数个阵列排布的像素开口225，所述阳极层21包括与所述像素开口225对应设置的数个阳极单元211、及位于所述像素定义层22下方与阳极单元211间隔的数个触控连接线212，所述发光层23设于所述像素开口225内；
所述像素定义层22在所述触控连接线212上方设有数个过孔221；所述阴极层24包括数个触控电极241，所述数个触控电极241分别通过所述数个过孔221与所述触控连接线212相连接，从而构成触控传感器结构25；
所述阴极层24覆盖所述数个像素开口225，每一像素开口225内的发光层23、其下方对应的阳极单元211、及其上方对应的阴极层24共同构成一OLED单元结构D。
进一步地，本实施例中，所述触控传感器结构25为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极241包括阵列排布的数个第一触控电极部2411、位于所述数个第一触控电极部2411之间的阵列排布的数个第二触控电极部2412、及用于将上下相邻的两第一触控电极部2411电连接的数个连接部2413；
所述触控连接线212用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将左右相邻的两第二触控电极部2412电连接。
具体地，所述数个触控电极241覆盖所述数个像素开口225中的一部分，所述阴极层24还包括位于数个触控电极241之间的数个补充电极242，所述数个补充电极242覆盖所述数个像素开口225中剩余的一部分；所述第一触控电极部2411及第二触控电极部2412均为菱形。
具体地，所述阳极单元211穿过所述平坦层40与所述TFT基板10相连接。
具体地，所述发光层23包括由下至上依次形成的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
请参阅图4，图4为本发明柔性内嵌式触控结构第二实施例的俯视状态示意图，该图4中同样省略了TFT基板10、平坦层40等结构，以清楚表达本实施例中的触控传感器结构25，本实施例与上述第一实施例相比，所述触控传感器结构25为自容式触控传感器结构，所述触控连接线212用作自容式触控传感器结构中的信号线。
具体地，所述数个触控电极241均为长方形，所述数个触控电极241覆盖所述数个像素开口225。
本发明的柔性内嵌式触控结构，通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需改变阴极层24及阳极层21的图形设计，在阳极层21中在非发光区域制作形成触控连接线212，在阴极层24中制作形成触控电极241，其中，触控电极241与触控连接线212的图案，根据预形成的触控传感器结构25的类型来确定，例如跨桥式电容式触控传感器、或自容式触控传感器，制作方法简单。
请参阅图5，基于上述的柔性内嵌式触控结构，本发明还提供一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图6-7所示，提供一TFT基板10，在所述TFT基板10上形成一有机材料膜400，对所述有机材料膜400进行图案化处理，得到平坦层40。
步骤2、如图8-9所示，在所述TFT基板10及平坦层40上沉积形成第一导电层210，对所述第一导电层210进行图案化处理，得到阳极层21，所述阳极层21包括数个间隔排布的阳极单元211、及设于所述数个阳极单元211之间的数个触控连接线212。
具体地，所述阳极单元211穿过所述平坦层40与所述TFT基板10相连接。
步骤3、如图10-11所示，在所述平坦层40及阳极层21上形成一隔离层220，对所述隔离层220进行图案化处理，得到像素定义层22，所述像素定义层22在阳极层21上对应所述数个阳极单元211围出数个阵列排布的像素开口225，且所述像素定义层22在所述触控连接线212上方具有数个过孔221。
步骤4、如图12所示，在所述像素定义层22在所述阳极层21上所围出的像素开口225内形成发光层23。
具体地，所述发光层23包括由下至上依次形成的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层。
具体地，所述步骤4中采用第二精细掩膜板600在所述阳极层21上形成发光层23。
步骤5、如图13所示，提供第一精细掩膜板500，以所述第一精细掩膜板500为遮蔽层，在所述像素定义层22及发光层23上蒸镀形成图案化的阴极层24，得到包括阳极层21、像素定义层22、发光层23、以及阴极层24的OLED触控层20。
具体地，所述阴极层24包括数个触控电极241，所述数个触控电极241分别通过所述数个过孔221与所述触控连接线212相连接，从而构成触控传感器结构25；且所述阴极层24覆盖所述数个像素开口225，每一像素开口225内的发光层23、其下方对应的阳极单元211、及其上方对应的阴极层24共同构成一OLED单元结构D。
步骤6、如图14所示，在所述像素定义层22及阴极层24上形成封装层30，完成柔性内嵌式触控结构的制作。
具体地，所述触控传感器结构25可以为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极241包括阵列排布的数个第一触控电极部2411、位于所述数个第一触控电极部2411之间的阵列排布的数个第二触控电极部2412、及用于将上下相邻的两第一触控电极部2411电连接的数个连接部2413；所述触控连接线212用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将左右相邻的两第二触控电极部2412电连接。所述数个触控电极241覆盖所述数个像素开口225中的一部分，所述阴极层24还包括位于数个触控电极241之间的数个补充电极242，所述数个补充电极242覆盖所述数个像素开口225中剩余的一部分；所述第一触控电极部2411及第二触控电极部2412均为菱形。或者，
所述触控传感器结构25也可以为自容式触控传感器结构，所述触控连接线212用作自容式触控传感器结构中的信号线。所述数个触控电极241均为长方形，所述数个触控电极241覆盖所述数个像素开口225。
本发明的柔性内嵌式触控结构的制作方法，相对于现有柔性OLED面板制程，在图案化形成阳极层21时，在非发光区制作触控线路用的触控连接线212，并将原本是整面蒸镀形成阴极层，改变为采用精细掩膜板蒸镀形成图案化的阴极层24，即在制作阴极层24时仅需将蒸镀用的普通金属掩膜板(Common metal mask，CMM)改为精细金属掩膜板(Finemetal mask，FMM)，在阴极层24中制作触控电极241，并在蒸镀时让触控电极241与触控连接线212接触，从而完成触控传感器结构25，其中，触控电极241与触控连接线212的图案，根据预形成的触控传感器结构25类型来确定，例如跨桥式电容式触控传感器、或自容式触控传感器，从而通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数提升良率，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，且制作方法简单。
综上所述，本发明提供的一种柔性内嵌式触控结构，包括TFT基板、平坦层、OLED触控层、以及封装层；所述OLED触控层包括阳极层、像素定义层、发光层、以及阴极层；所述阳极层包括数个阳极单元、及数个触控连接线，所述数个触控连接线对应位于所述像素定义层下方；所述阴极层包括数个触控电极，所述数个触控电极分别通过像素定义层上的数个过孔与所述触控连接线相连接，从而构成触控传感器结构；本发明通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，相对于现有柔性OLED面板，只需改变阴极层及阳极层的图形设计，制作方法简单。本发明提供的一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，相对于现有柔性OLED面板制程，在图案化形成阳极层时，在非发光区制作触控线路用的触控连接线，并将原本是整面蒸镀形成阴极层，改变为采用精细掩膜板蒸镀形成图案化的阴极层，在阴极层中制作触控电极，并让触控电极与触控连接线接触，从而完成触控传感器结构，通过将触控传感器整合进柔性面板当中，能够有效减少面板内贴合次数，减薄面板的整体厚度，增加面板的弯折性，从而提升良率，且制作方法简单。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种柔性内嵌式触控结构，其特征在于，包括：TFT基板(10)、设于TFT基板(10)上平坦层(40)、设于TFT基板(10)及平坦层(40)上的OLED触控层(20)、以及设于OLED触控层(20)上的封装层(30)；
所述OLED触控层(20)包括：设于所述TFT基板(10)上的阳极层(21)、设于所述平坦层(40)及阳极层(21)上的像素定义层(22)、设于阳极层(21)上的发光层(23)、以及设于像素定义层(22)及发光层(23)上的阴极层(24)；
所述像素定义层(22)在阳极层(21)上围出数个阵列排布的像素开口(225)，所述阳极层(21)包括与所述像素开口(225)对应设置的数个阳极单元(211)、及位于所述像素定义层(22)下方与阳极单元(211)间隔的数个触控连接线(212)，所述发光层(23)设于所述像素开口(225)内；
所述像素定义层(22)在所述触控连接线(212)上方设有数个过孔(221)；所述阴极层(24)包括数个触控电极(241)，所述数个触控电极(241)分别通过所述数个过孔(221)与所述触控连接线(212)相连接，从而构成触控传感器结构(25)；
所述阴极层(24)覆盖所述数个像素开口(225)，每一像素开口(225)内的发光层(23)、其下方对应的阳极单元(211)、及其上方对应的阴极层(24)共同构成一OLED单元结构(D)；
所述触控传感器结构(25)为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极(241)包括数个第一触控电极部(2411)、位于所述数个第一触控电极部(2411)之间的数个第二触控电极部(2412)、及用于将相邻两第一触控电极部(2411)电连接的数个连接部(2413)；
所述触控连接线(212)用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部(2412)电连接；
所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)中的一部分，所述阴极层(24)还包括位于数个触控电极(241)之间的数个补充电极(242)，所述数个补充电极(242)覆盖所述数个像素开口(225)中剩余的一部分；
所述第一触控电极部(2411)及第二触控电极部(2412)均为菱形。
2.如权利要求1所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述触控传感器结构(25)为自容式触控传感器结构，所述触控连接线(212)用作自容式触控传感器结构中的信号线。
3.如权利要求2所述的柔性内嵌式触控结构，其特征在于，所述数个触控电极(241)均为长方形，所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)。
4.一种柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一TFT基板(10)，在所述TFT基板(10)上形成一有机材料膜(400)，对所述有机材料膜(400)进行图案化处理，得到平坦层(40)；
步骤2、在所述TFT基板(10)及平坦层(40)上沉积形成第一导电层(210)，对所述第一导电层(210)进行图案化处理，得到阳极层(21)，所述阳极层(21)包括数个间隔排布的阳极单元(211)、及设于所述数个阳极单元(211)之间的数个触控连接线(212)；
步骤3、在所述平坦层(40)及阳极层(21)上形成一隔离层(220)，对所述隔离层(220)进行图案化处理，得到像素定义层(22)，所述像素定义层(22)在阳极层(21)上对应所述数个阳极单元(211)围出数个阵列排布的像素开口(225)，且所述像素定义层(22)在所述触控连接线(212)上方具有数个过孔(221)；
步骤4、在所述像素定义层(22)在所述阳极层(21)上所围出的像素开口(225)内形成发光层(23)；
步骤5、提供第一精细掩膜板(500)，以所述第一精细掩膜板(500)为遮蔽层，在所述像素定义层(22)及发光层(23)上蒸镀形成图案化的阴极层(24)，得到包括阳极层(21)、像素定义层(22)、发光层(23)、以及阴极层(24)的OLED触控层(20)；
所述阴极层(24)包括数个触控电极(241)，所述数个触控电极(241)分别通过所述数个过孔(221)与所述触控连接线(212)相连接，从而构成触控传感器结构(25)；且所述阴极层(24)覆盖所述数个像素开口(225)，每一像素开口(225)内的发光层(23)、其下方对应的阳极单元(211)、及其上方对应的阴极层(24)共同构成一OLED单元结构(D)；
步骤6、在所述像素定义层(22)及阴极层(24)上形成封装层(30)。
5.如权利要求4所述的柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，所述触控传感器结构(25)为跨桥式电容式触控传感器结构，所述数个触控电极(241)包括数个第一触控电极部(2411)、位于所述数个第一触控电极部(2411)之间的数个第二触控电极部(2412)、及用于将相邻两第一触控电极部(2411)电连接的数个连接部(2413)；
所述触控连接线(212)用作跨桥式电容式触控传感器结构中的桥体，用于将相邻两第二触控电极部(2412)电连接。
6.如权利要求4所述的柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，所述触控传感器结构(25)为自容式触控传感器结构，所述触控连接线(212)用作自容式触控传感器结构中的信号线。
7.如权利要求5所述的柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)中的一部分，所述阴极层(24)还包括位于数个触控电极(241)之间的数个补充电极(242)，所述数个补充电极(242)覆盖所述数个像素开口(225)中剩余的一部分；
所述第一触控电极部(2411)及第二触控电极部(2412)均为菱形。
8.如权利要求6所述的柔性内嵌式触控结构的制作方法，其特征在于，所述数个触控电极(241)均为长方形，所述数个触控电极(241)覆盖所述数个像素开口(225)。
CN201710151467.XA 2017-03-14 2017-03-14 柔性内嵌式触控结构及其制作方法 Active CN106887450B (zh)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710151467.XA CN106887450B (zh) 2017-03-14 2017-03-14 柔性内嵌式触控结构及其制作方法
US15/571,037 US10180744B2 (en) 2017-03-14 2017-04-17 Flexible embedded touch control structure and manufacturing method thereof
PCT/CN2017/080736 WO2018166028A1 (zh) 2017-03-14 2017-04-17 柔性内嵌式触控结构及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201710151467.XA CN106887450B (zh) 2017-03-14 2017-03-14 柔性内嵌式触控结构及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106887450A CN106887450A (zh) 2017-06-23
CN106887450B true CN106887450B (zh) 2019-09-24

Family

ID=59180907

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201710151467.XA Active CN106887450B (zh) 2017-03-14 2017-03-14 柔性内嵌式触控结构及其制作方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US10180744B2 (zh)
CN (1) CN106887450B (zh)
WO (1) WO2018166028A1 (zh)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107170780A (zh) * 2017-05-17 2017-09-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示面板及其制作方法、oled显示装置
CN107291295A (zh) * 2017-06-28 2017-10-24 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种内嵌式触控oled显示装置
CN107527938B (zh) * 2017-07-24 2020-05-29 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 内嵌式触控amoled面板结构
CN109791453A (zh) * 2017-08-09 2019-05-21 深圳市柔宇科技有限公司 触控传感器的制备方法和显示屏组件的制备方法
CN107482040A (zh) * 2017-08-14 2017-12-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled触控显示面板及oled触控显示器
US10719151B2 (en) 2017-08-21 2020-07-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display screen and manufacturing method thereof
CN107526468B (zh) * 2017-08-21 2019-11-26 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示屏及其制备方法
CN107706212B (zh) * 2017-09-06 2019-08-30 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种显示面板的制备方法及显示面板
EP3716027A4 (en) * 2017-11-21 2021-07-28 Shenzhen Royole Technologies Co., Ltd TOUCH PANEL, TOUCH PANEL MANUFACTURING PROCESS AND TOUCH DEVICE
CN107992225A (zh) * 2017-11-22 2018-05-04 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板及其制造方法
CN108227989B (zh) * 2018-01-02 2021-03-05 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制备方法、金属掩膜板以及显示装置
US20190227646A1 (en) * 2018-01-25 2019-07-25 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Touch panel
US11889719B2 (en) * 2018-02-01 2024-01-30 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
US20190280051A1 (en) * 2018-03-09 2019-09-12 Int Tech Co., Ltd. Electroluminescent display integrated with touch sensor and method of forming the same
KR102533131B1 (ko) * 2018-05-08 2023-05-18 삼성디스플레이 주식회사 입력 감지 유닛 및 이를 포함한 전자 장치
CN109616501A (zh) * 2018-12-07 2019-04-12 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 Oled显示器件的触控面板膜层结构、显示面板及制备方法
CN109671747A (zh) * 2018-12-12 2019-04-23 武汉华星光电技术有限公司 一种oled显示器
CN110419109B (zh) * 2018-12-19 2022-12-27 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其制造方法、显示装置
KR102720520B1 (ko) * 2019-03-05 2024-10-22 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 표시 장치
CN110504286B (zh) 2019-08-01 2020-10-27 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 触控显示面板
CN110703954A (zh) * 2019-10-16 2020-01-17 业成科技（成都）有限公司 触控面板
CN111029373A (zh) * 2019-11-18 2020-04-17 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制备方法
CN111610887B (zh) * 2020-05-21 2024-05-28 京东方科技集团股份有限公司 一种触控基板及其制备方法、显示基板及显示装置
CN111766973B (zh) * 2020-06-11 2022-02-01 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触控显示面板和显示装置
CN111755486A (zh) * 2020-06-16 2020-10-09 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 一种触控屏及电子装置
CN111755487A (zh) * 2020-06-17 2020-10-09 福建华佳彩有限公司 一种新型amoled显示结构及其制备方法
CN114115571A (zh) * 2020-08-26 2022-03-01 深圳市柔宇科技股份有限公司 触控显示面板及电子设备
KR20220051901A (ko) * 2020-10-19 2022-04-27 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
CN116056510B (zh) * 2023-03-31 2023-06-09 惠科股份有限公司 显示面板及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103677431A (zh) * 2013-12-31 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及其制作方法、显示装置
CN103887324A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 友达光电股份有限公司 一种集成触控面板的有源矩阵有机发光二极管显示装置

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8368661B2 (en) * 2009-07-13 2013-02-05 Apple Inc. Method for fabricating touch sensor panels
KR101030029B1 (ko) * 2010-01-06 2011-04-20 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR101980766B1 (ko) * 2012-12-27 2019-05-21 엘지디스플레이 주식회사 터치 패널 내장형 유기 발광 다이오드 표시 장치
KR101964845B1 (ko) * 2013-01-30 2019-04-04 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 표시 장치
CN104750321B (zh) * 2013-12-26 2018-09-04 昆山国显光电有限公司 一种触控显示装置及其制备方法
KR102193454B1 (ko) * 2013-12-30 2020-12-21 엘지디스플레이 주식회사 터치패널과 그 제조 방법
KR102256461B1 (ko) * 2014-10-10 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101679977B1 (ko) * 2015-05-29 2016-11-28 엘지디스플레이 주식회사 자기 정전용량식 터치 센서 일체형 표시장치와 그 제조방법
CN104850268B (zh) 2015-06-10 2018-02-06 京东方科技集团股份有限公司 一种触控显示面板、触控显示装置及制作方法
CN106406590A (zh) 2015-07-31 2017-02-15 昆山国显光电有限公司 触控显示装置及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103677431A (zh) * 2013-12-31 2014-03-26 京东方科技集团股份有限公司 一种触摸屏及其制作方法、显示装置
CN103887324A (zh) * 2014-04-14 2014-06-25 友达光电股份有限公司 一种集成触控面板的有源矩阵有机发光二极管显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2018166028A1 (zh) 2018-09-20
US10180744B2 (en) 2019-01-15
CN106887450A (zh) 2017-06-23
US20180348926A1 (en) 2018-12-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106887450B (zh) 柔性内嵌式触控结构及其制作方法
CN107527938B (zh) 内嵌式触控amoled面板结构
US9006598B2 (en) Conductive structure and method of manufacturing the same
JP6219659B2 (ja) 表示装置
TWI522867B (zh) 內嵌式有源矩陣有機發光二極體觸控面板
US9454267B2 (en) Touch sensing circuit and method for making the same
KR101391243B1 (ko) 터치 인식 기능을 가지는 표시장치
EP3321785B1 (en) Embedded touch screen and organic light-emitting diode display device
CN106020553B (zh) 一种显示面板、其制作方法及显示装置
CN106547405A (zh) 一种有机发光显示面板、装置及制作方法
WO2020211811A1 (zh) 触控面板及其制备方法和显示装置
CN109388294B (zh) 触控面板及其制作方法、触控显示装置
CN105045435B (zh) 一种内嵌式触摸屏及显示装置
CN107168578B (zh) 内嵌式触控显示面板及其制作方法、显示装置
CN107025028B (zh) 自电容触摸屏以及具有该自电容触摸屏的显示装置
CN110391277A (zh) 具有触摸传感器的有机发光显示装置
TWI603236B (zh) 觸控面板、觸控顯示面板及觸控訊號的感測方法
CN105630260A (zh) 包括触摸传感器的显示装置及其驱动方法
US20110267290A1 (en) Touch screen panel and image display device having the same
JP2015072663A (ja) 表示装置
CN107544627A (zh) 可携式电子装置
CN108091676B (zh) 一种触控显示基板、其制作方法及触控显示装置
KR101865303B1 (ko) 터치 입력 장치
CN104750321A (zh) 一种触控显示装置及其制备方法
CN112069935B (zh) 显示面板、显示装置及显示面板的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant