CN106773227A - 一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了一种液晶显示装置和液晶显示装置的制造方法。其中,液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元、栅极线、数据线、触控信号线,数据线和触控信号线位于同一层;触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;以及公共电极层和像素电极层,像素电极层包括多个呈阵列式排布的像素电极;公共电极层包括公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠。本发明提供的液晶显示装置可以减小触控信号线与公共电极层之间的寄生电容。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。
背景技术
液晶显示装置与生活密切相关,应用于多种设备中,如手机、电脑、电视、车辆等等。
图1是现有技术提供的一种液晶显示装置的局部示意图,图2是图1中沿AA’线的一种剖视图。请结合参考图1和图2,液晶显示装置包括衬底基板07,设置在衬底基板07上的栅极线04、数据线02、触控电极线03,其中数据线02和触控电极线03设置在同一膜层。液晶显示装置还包括公共电极05和像素电极06。触控电极线03与公共电极之间形成寄生电容C,该寄生电容C影响触控电极线03传输的电信号,影响液晶显示装置的触控功能。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种液晶显示装置及液晶显示装置的制造方法。
本发明提供了一种液晶显示装置,包括多个呈阵列式排布的像素单元,其特征在于,液晶显示装置还包括:多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线,多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线,栅极线和数据线交叉绝缘限定出像素单元;多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,多条数据线和多条触控信号线位于同一层;触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;以及公共电极层和像素电极层,像素电极层包括多个呈阵列式排布的像素电极;其中,像素单元包括开关元件,开关元件的控制端与栅极线电连接、开关元件的第一端与数据线电连接、开关元件的第二端与像素电极电连接;公共电极层包括公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠。
本发明还提供了一种液晶显示装置的制造方法,液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成第一金属层,刻蚀第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线;在第一金属层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀第二金属层,形成多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线和多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,栅极线和数据线交叉绝缘限定出像素单元;触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;在数据线上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成公共电极层,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠;在公共电极层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成像素电极层,刻蚀像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,像素单元包括开关元件,开关元件的控制端与栅极线电连接、开关元件的第一端与数据线电连接、开关元件的第二端与像素电极电连接。
本发明还提供了另一种液晶显示装置的制造方法,液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:提供一衬底基板;在衬底基板上形成第一金属层,刻蚀第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线;在第一金属层上形成第一绝缘层;在第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀第二金属层,形成多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线和多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,栅极线和数据线交叉绝缘限定出像素单元;触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;在数据线上形成第二绝缘层;在第二绝缘层上形成像素电极层,刻蚀像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,像素单元包括开关元件,开关元件的控制端与栅极线电连接、开关元件的第一端与数据线电连接、开关元件的第二端与像素电极电连接;在像素电极层上形成第三绝缘层;在第三绝缘层上形成公共电极层,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠。
与现有技术相比,本发明至少具有如下突出的优点之一:
本发明提供的液晶显示装置中,公共电极层包括公共电极部和镂空部,并且该镂空部与触控信号线的一侧不交叠、与至少部分触控信号线的另一侧交叠;该镂空部可以减小触控信号线与公共电极层之间的寄生电容;后续制作的膜层在该镂空部对应位置处会形成一定的凹陷,由于该镂空部与触控信号线的第一侧不交叠,可以防止凹陷形成在触控信号线的该侧进而影响液晶显示装置的显示效果。
附图说明
图1是现有技术提供的一种液晶显示装置的局部示意图;
图2是图1中沿AA’线的一种剖视图;
图3是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的平面示意图;
图4是图3中区域X的一种局部放大示意图;
图5是图3中沿BB’线的一种剖视图;
图6是本发明实施例提供的另一种液晶显示装置的平面示意图;
图7是本发明实施例提供的又一种液晶显示装置的平面示意图;
图8是图3中区域X的另一种局部放大示意图;
图9是图8中沿CC’线的一种剖视图;
图10是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的制造方法的流程图;
图11是本发明实施例提供的另一种液晶显示装置的制造方法的流程图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂,下面将结合附图和实施例对本发明做进一步说明。
需要说明的是,在以下描述中阐述了具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以多种不同于在此描述的其它方式来实施,本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此本发明不受下面公开的具体实施方式的限制。
请参考图3、图4和图5,图3是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的平面示意图,图4是图3中区域X的一种局部放大示意图,图5是图3中沿BB’线的一种剖视图。本实施例提供的液晶显示装置,包括多个呈阵列式排布的像素单元10,多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线40,多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线20,栅极线40和数据线20交叉绝缘限定出像素单元10。
本实施例提供的液晶显示装置还包括多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线30,多条数据线20和多条触控信号线30位于同一层;触控信号线30包括第一侧31和第二侧32,触控信号线的第一侧与像素单元10相邻,触控信号线30的第二侧与数据线20相邻。
本实施例提供的液晶显示装置还包括公共电极层50和像素电极层60,像素电极层60包括多个呈阵列式排布的像素电极61;其中,像素单元10包括开关元件11,开关元件11的控制端110与栅极线40电连接、开关元件11的第一端111与数据线20电连接、开关元件11的第二端112与像素电极61电连接。可选的,开关元件11为薄膜晶体管(Thin FilmTransistor,简称TFT),开关元件11的控制端110为栅极,与栅极线40电连接,栅极线40传输的电信号可以控制开关元件11的打开或者关闭;开关元件11的第一端111为源极,与数据线20电连接,数据线20传输数据信号;开关元件11的第二端112为漏极,与像素电极61电连接,数据信号通过开关元件11中的半导体层从源极传输至漏极,并最终传输至像素电极61。
公共电极层50包括公共电极部55和镂空部51,镂空部51与触控信号线30的第一侧31不交叠、镂空部51与至少部分触控信号线30的第二侧32交叠。其中,镂空部51与触控信号线30的第一侧31不交叠可以理解为,触控信号线30的第一侧31在公共电极层50所在平面的正投影与没有落入镂空部51所在区域;镂空部51与至少部分触控信号线30的第二侧32交叠可以理解为,触控信号线30的第二侧32在公共电极层50所在平面的正投影至少部分落入镂空部51所在区域。
本实施例提供的液晶显示装置中,触控信号线30与触控电极电连接,为触控电极传输电信号,本实施例对触控电极的具体设置方式不做具体限制。触控信号线30和数据线20位于同一层,可以在同一工艺制程中使用同种材料制作而成,节省了工艺制程,触控信号线30设置在相邻的像素单元10之间的间隔区域中,触控信号线30一侧与像素单元10相邻、另一侧与数据线20相邻。本实施例提供的液晶显示装置在执行显示功能时,公共电极部55接收公共信号,像素电极61接收数据信号,公共电极部55与像素电极61之间形成电场,用于控制液晶分子的偏转,从而实现显示功能。本实施例以像素电极层60在公共电极层50上方为例进行说明,在一些可选的实现方式中,公共电极层50可以在像素电极层60的上方,本实施例对此不作具体限制。可选的,液晶显示装置还包括衬底基板00,多条数据线20、多条触控信号线30、公共电极层50和像素电极层60等结构均设置在衬底基板00的一侧。
本实施例提供的液晶显示装置中,公共电极层50具有镂空部51,并且该镂空部51与触控信号线30的第一侧31不交叠、镂空部51与至少部分触控信号线30的第二侧32交叠;该镂空部51可以减小触控信号线30与公共电极层50之间的寄生电容。后续工艺制程中制作的膜层在该镂空部51的对应位置处会形成凹陷,凹陷处对应位置的液晶分子会发生扩散方向混乱,影响显示效果。由于该镂空部51与触控信号线30的第一侧31不交叠,可以防止凹陷形成在触控信号线30的该侧的对应位置处,不影响与触控信号线30的第一侧31相邻的像素单元10的显示效果。
本实施例提供的液晶显示装置,可以减小触控信号线30与公共电极层50之间的寄生电容;后续制作的膜层在该镂空部51对应位置处会形成一定的凹陷,由于该镂空部51与触控信号线30的第一侧不交叠,可以防止凹陷形成在触控信号线30的该侧进而影响液晶显示装置的显示效果。
在一些可选的实现方式中,请继续参考图4和图5,镂空部51与数据线20不交叠。本实施例提供的液晶显示装置中,由于镂空部51与数据线20不交叠,因此液晶显示装置中的数据线20均被公共电极层50覆盖,不会影响显示效果的均一性。
在一些可选的实现方式中,触控信号线30的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。可选的,数据线20的宽度为d2,并且1μm≤d2≤6μm。受限于当前的制造工艺精度,数据线20和的宽度触控信号线30最小可以做到1μm,同时,高分辨率的液晶显示装置要求数据线的宽度尽量的小,优选在4μm以内。由于触控信号线30需要给触控电极传输电信号,触控电极通常为块状、条状、面状,并且覆盖多个像素单元,为了减小触控电极的充电时间,通常需要触控信号线30的电阻较小,因此触控信号线30的宽度d1通常大于数据线20的宽度d2。
在一些可选的实现方式中,公共电极部55与触控信号线30交叠形成交叠部52,交叠部52沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。公共电极部55与触控信号线30交叠可以理解为,触控信号线30在公共电极层50所在平面的正投影与公共电极部55至少有部分重合。本实施例提供的液晶显示装置中,交叠部52与镂空部51沿行方向相邻设置,交叠部52沿行方向的宽度为d3不能过大,至多为2μm,否则会增加公共电极部55与触控信号线30之间的寄生电容。
在一些可选的实现方式中,请参考图6,图6是本发明实施例提供的另一种液晶显示装置的平面示意图。本实施例提供的液晶显示装置沿用了图3的附图标记,相同之处不再赘述。图6与图3的不同之处在于,图6实施例提供的液晶显示装置中,公共电极部55包括多个呈阵列式排布的公共电极块551,每个公共电极块551与一条触控信号线30电连接、与其余触控信号线30绝缘。公共电极块551与触控信号线30电连接,例如,公共电极块551可以通过过孔与触控信号线30电连接。触控信号线30为公共电极块551传输触控信号,因此,公共电极块551除具有显示功能外还具有触控功能。请结合图6参考图4,液晶显示装置在执行显示功能时,公共电极块551接收公共信号,像素电极61接收数据信号,公共电极块551与像素电极61之间形成电场,用于控制液晶分子的偏转,从而实现显示功能;液晶显示装置在执行触控功能时,为自电容式工作模式,公共电极块551通过触控信号线30传输触控信号,当液晶显示装置发生触控操作时,例如当手指靠近或者接触液晶显示装置时,公共电极块551对地的电容发生变化,导致公共电极块551的电量发生变化从而产生电流,每块公共电极块551将各自发生变化的电流信号通过对应的触控信号线30传输给液晶显示装置中的处理模块,从而可以确定触控操作发生的具体位置。本实施例提供的液晶显示装置,在其工作的不同时刻,公共电极块551分别用于实现显示功能和触控功能,通过这种分时复用公共电极块551的方法,可以在不增加触控电极的情况下实现触控功能,减少了工艺制程,并且有利于液晶显示装置的轻薄化。
图6实施例提供的液晶显示装置中,镂空部51的设置方式有多种,示例性的在此提供了镂空部51的两种设置方式。
镂空部51的第一种设置方式请继续参考图6。公共电极块551沿行方向和列方向排布;镂空部51设置在沿行方向相邻的两个公共电极块551之间。换言之,可以认为整面的公共电极层50通过刻蚀或其他工艺制程形成了镂空区域和公共电极块551,镂空区域可以如图6所示为网格状,其中,在沿行方向相邻的两个公共电极块551之间的镂空区域为镂空部51。
镂空部51的第二种设置方式请继续参考图7,图7是本发明实施例提供的又一种液晶显示装置的平面示意图。本实施例提供的液晶显示装置沿用了图3的附图标记,相同之处不再赘述。图7与图3的不同之处在于,镂空部51设置在公共电极块551内部,一个公共电极块551包括至少一个镂空部51。
图4和图5提供的实施例中,以像素电极层60在公共电极层50上方为例进行说明,在一些可选的实现方式中,公共电极层50可以在像素电极层60的上方,请参考图8和图9。图8是图3中区域X的另一种局部放大示意图,图9是图8中沿CC’线的一种剖视图。图8和图9沿用图4和图5中的附图标记,相同之处不再赘述。图8和图9实施例提供的液晶显示装置与图4和图5实施例提供的液晶显示装置的不同之处在于,图4和图5实施例提供的液晶显示装置中,公共电极层50位于像素电极层60与数据线20之间;图8和图9实施例提供的液晶显示装置中,像素电极层60位于公共电极层50与数据线20之间。需要说明的是,本发明各实施例提供的液晶显示装置的液晶驱动方式以边缘场开关(FFS,Fringe Filed Switching)方式为例进行说明,但本发明对液晶驱动方式不做具体限制。
需要说明的是,在一些实现方式中,本发明各实施例提供的液晶显示装置可以为液晶显示面板,包括阵列基板、彩膜基板、以及夹持设置在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层,其中阵列基板包括栅极线、数据线、触控信号线、公共电极层和像素电极层等结构。在另一些实施例中,本发明各实施例提供的液晶显示装置可以为手机、平板电脑、笔记本电脑、电视等显示设备。
本发明还提供了一种液晶显示装置的制造方法。请参考图10,图10是本发明实施例提供的一种液晶显示装置的制造方法的流程图。
本实施例中液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:
S110:提供一衬底基板;
本实施例中,衬底基板可以为硬质的衬底基板,如使用玻璃材质的衬底基板,也可以为柔性的衬底基板,如使用塑料材质的衬底基板。
S120:在衬底基板上形成第一金属层,刻蚀所述第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线;
S130:在第一金属层上形成第一绝缘层;
S140:在第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀第二金属层,形成多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线和多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,栅极线和数据线交叉绝缘限定出像素单元;触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;
S150:在数据线上形成第二绝缘层;
S160:在第二绝缘层上形成公共电极层,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠;
S170:在公共电极层上形成第三绝缘层;
S180:在第三绝缘层上形成像素电极层,刻蚀像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,像素单元包括开关元件,开关元件的控制端与栅极线电连接、开关元件的第一端与数据线电连接、开关元件的第二端与像素电极电连接。
可选的,开关元件为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),开关元件的控制端为栅极,与栅极线电连接,栅极线传输的电信号可以控制开关元件的打开或者关闭;开关元件的第一端为源极,与数据线电连接,数据线传输数据信号;开关元件的第二端为漏极,与像素电极电连接,数据信号通过开关元件中的半导体层从源极传输至漏极,并最终传输至像素电极。
在一些可选的实现方式中,镂空部与数据线不交叠。在步骤S160中,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部的区域不宜过大,以保证镂空部与数据线不交叠,因此液晶显示装置中的数据线均被公共电极层覆盖,不会影响显示效果的均一性。
在一些可选的实现方式中,触控信号线的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。在步骤S140中,刻蚀第二金属层形成触控信号线时,通过调整掩膜版(mask)的参数,可以控制形成的触控信号线的宽度。
在一些可选的实现方式中,公共电极部与触控信号线部分交叠形成交叠部,交叠部沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。公共电极部与触控信号线交叠可以理解为,触控信号线在公共电极层所在平面的正投影与公共电极部至少有部分重合。本实施例提供的液晶显示装置中,交叠部与镂空部沿行方向相邻设置,交叠部沿行方向的宽度为d3不能过大,至多为2μm,否则会增加公共电极层与触控信号线之间的寄生电容。
本发明实施例还提供了另一种液晶显示装置的制造方法,图11是本发明实施例提供的另一种液晶显示装置的制造方法的流程图。
本实施例中液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:
S210:提供一衬底基板;
本实施例中,衬底基板可以为硬质的衬底基板,如使用玻璃材质的衬底基板,也可以为柔性的衬底基板,如使用塑料材质的衬底基板。
S220:在衬底基板上形成第一金属层,刻蚀第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线;
S230:在第一金属层上形成第一绝缘层;
S240:在第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀第二金属层,形成多条沿列方向延伸且沿行方向排列的数据线和多条沿列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,栅极线和数据线交叉绝缘限定出像素单元;
触控信号线包括第一侧和第二侧,触控信号线的第一侧与像素单元相邻,触控信号线的第二侧与数据线相邻;
S250:在数据线上形成第二绝缘层;
S260:在第二绝缘层上形成像素电极层,刻蚀像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,
像素单元包括开关元件,开关元件的控制端与栅极线电连接、开关元件的第一端与数据线电连接、开关元件的第二端与像素电极电连接;
S270:在像素电极层上形成第三绝缘层;
S280:在第三绝缘层上形成公共电极层,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部与触控信号线的第一侧不交叠、镂空部与至少部分触控信号线的第二侧交叠。
可选的,开关元件为薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT),开关元件的控制端为栅极,与栅极线电连接,栅极线传输的电信号可以控制开关元件的打开或者关闭;开关元件的第一端为源极,与数据线电连接,数据线传输数据信号;开关元件的第二端为漏极,与像素电极电连接,数据信号通过开关元件中的半导体层从源极传输至漏极,并最终传输至像素电极。
在一些可选的实现方式中,镂空部与数据线不交叠。在步骤S160中,刻蚀公共电极层形成公共电极部和镂空部,镂空部的区域不宜过大,以保证镂空部与数据线不交叠,因此液晶显示装置中的数据线均被公共电极层覆盖,不会影响显示效果的均一性。
在一些可选的实现方式中,触控信号线的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。在步骤S140中,刻蚀第二金属层形成触控信号线时,通过调整掩膜版(mask)的参数,可以控制形成的触控信号线的宽度。
在一些可选的实现方式中,公共电极部与触控信号线部分交叠形成交叠部,交叠部沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。公共电极部与触控信号线交叠可以理解为,触控信号线在公共电极层所在平面的正投影与公共电极部至少有部分重合。本实施例提供的液晶显示装置中,交叠部与镂空部沿行方向相邻设置,交叠部沿行方向的宽度为d3不能过大,至多为2μm,否则会增加公共电极层与触控信号线之间的寄生电容。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本发明所作的进一步详细说明,不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本发明构思的前提下,还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本发明的保护范围。
Claims (17)
1.一种液晶显示装置,包括多个呈阵列式排布的像素单元,其特征在于,所述液晶显示装置还包括:
多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线,多条沿所述列方向延伸且沿所述行方向排列的数据线,所述栅极线和所述数据线交叉绝缘限定出所述像素单元;
多条沿所述列方向延伸且沿所述行方向排列的触控信号线,多条所述数据线和多条所述触控信号线位于同一层;
所述触控信号线包括第一侧和第二侧,所述触控信号线的第一侧与所述像素单元相邻,所述触控信号线的第二侧与所述数据线相邻;以及
公共电极层和像素电极层,所述像素电极层包括多个呈阵列式排布的像素电极;其中,
所述像素单元包括开关元件,所述开关元件的控制端与所述栅极线电连接、所述开关元件的第一端与所述数据线电连接、所述开关元件的第二端与所述像素电极电连接;
所述公共电极层包括公共电极部和镂空部,所述镂空部与所述触控信号线的第一侧不交叠、所述镂空部与至少部分所述触控信号线的第二侧交叠。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述镂空部与所述数据线不交叠。
3.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述触控信号线的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。
4.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述数据线的宽度为d2,并且1μm≤d2≤6μm。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述公共电极部与所述触控信号线交叠形成交叠部,所述交叠部沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,
所述公共电极部包括多个呈阵列式排布的公共电极块,每个所述公共电极块与一条所述触控信号线电连接、与其余所述触控信号线绝缘。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述镂空部设置在所述公共电极块内部,一个所述公共电极块包括至少一个所述镂空部。
8.如权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,所述公共电极块沿所述行方向和所述列方向排布;
所述镂空部设置在沿所述行方向相邻的两个公共电极块之间。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,所述公共电极层位于所述像素电极层与所述数据线之间,或者所述像素电极层位于所述公共电极层与所述数据线之间。
10.一种液晶显示装置的制造方法,所述液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一金属层,刻蚀所述第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿列方向排列的栅极线;
在所述第一金属层上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀所述第二金属层,形成多条沿所述列方向延伸且沿所述行方向排列的数据线和多条沿所述列方向延伸且沿所述行方向排列的触控信号线,所述栅极线和所述数据线交叉绝缘限定出所述像素单元;
所述触控信号线包括第一侧和第二侧,所述触控信号线的第一侧与所述像素单元相邻,所述触控信号线的第二侧与所述数据线相邻;
在所述数据线上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成公共电极层,刻蚀所述公共电极层形成公共电极部和镂空部,所述镂空部与所述触控信号线的第一侧不交叠、所述镂空部与至少部分所述触控信号线的第二侧交叠;
在所述公共电极层上形成第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上形成像素电极层,刻蚀所述像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,
所述像素单元包括开关元件,所述开关元件的控制端与所述栅极线电连接、所述开关元件的第一端与所述数据线电连接、所述开关元件的第二端与所述像素电极电连接。
11.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述镂空部与所述数据线不交叠。
12.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述触控信号线的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。
13.如权利要求10所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述公共电极部与所述触控信号线部分交叠形成交叠部,所述交叠部沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。
14.一种液晶显示装置的制造方法,所述液晶显示装置包括多个呈阵列式排布的像素单元,所述制造方法包括:
提供一衬底基板;
在所述衬底基板上形成第一金属层,刻蚀所述第一金属层,形成多条沿行方向延伸且沿所述列方向排列的栅极线;
在所述第一金属层上形成第一绝缘层;
在所述第一绝缘层上形成第二金属层,刻蚀所述第二金属层,形成多条沿所述列方向延伸且沿行方向排列的数据线和多条沿所述列方向延伸且沿行方向排列的触控信号线,所述栅极线和所述数据线交叉绝缘限定出所述像素单元;
所述触控信号线包括第一侧和第二侧,所述触控信号线的第一侧与所述像素单元相邻,所述触控信号线的第二侧与所述数据线相邻;
在所述数据线上形成第二绝缘层;
在所述第二绝缘层上形成像素电极层,刻蚀所述像素电极层形成多个呈阵列式排布的像素电极;其中,
所述像素单元包括开关元件,所述开关元件的控制端与所述栅极线电连接、所述开关元件的第一端与所述数据线电连接、所述开关元件的第二端与所述像素电极电连接;
在所述像素电极层上形成第三绝缘层;
在所述第三绝缘层上形成公共电极层,刻蚀所述公共电极层形成公共电极部和镂空部,所述镂空部与所述触控信号线的第一侧不交叠、所述镂空部与至少部分所述触控信号线的第二侧交叠。
15.如权利要求14所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述镂空部与所述数据线不交叠。
16.如权利要求14所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述触控信号线的宽度为d1,并且1μm≤d1≤6μm。
17.如权利要求14所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,所述公共电极部与所述触控信号线部分交叠形成交叠部,所述交叠部沿行方向的宽度为d3,并且0μm<d3≤2μm。
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