CN106384761B - 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 84
- 239000002061 nanopillar Substances 0.000 title claims abstract description 77
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000005084 Strontium aluminate Substances 0.000 title claims description 23
- AGDGPIPRLIPOPB-UHFFFAOYSA-N [La].[Ta] Chemical compound [La].[Ta] AGDGPIPRLIPOPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N strontium aluminate Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Sr+2].[Sr+2] FNWBQFMGIFLWII-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 12
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 40
- 239000000872 buffer Substances 0.000 claims description 25
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 24
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 21
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 16
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 13
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims description 11
- 238000004049 embossing Methods 0.000 claims description 10
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 9
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 6
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 5
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 claims description 5
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000000231 atomic layer deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 4
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N trimethylgallium Chemical compound C[Ga](C)C XCZXGTMEAKBVPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N trimethylindium Chemical compound C[In](C)C IBEFSUTVZWZJEL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 claims 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 6
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 3
- 230000006911 nucleation Effects 0.000 abstract 2
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 abstract 2
- -1 strontium tantalum lanthanum aluminate Chemical class 0.000 abstract 2
- 238000003491 array Methods 0.000 abstract 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 241000931526 Acer campestre Species 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 241000209094 Oryza Species 0.000 description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 description 2
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 2
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010406 interfacial reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/01—Manufacture or treatment
- H10H20/011—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers
- H10H20/013—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials
- H10H20/0133—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials
- H10H20/01335—Manufacture or treatment of bodies, e.g. forming semiconductor layers having light-emitting regions comprising only Group III-V materials with a substrate not being Group III-V materials the light-emitting regions comprising nitride materials
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
- H10H20/81—Bodies
- H10H20/811—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions
- H10H20/812—Bodies having quantum effect structures or superlattices, e.g. tunnel junctions within the light-emitting regions, e.g. having quantum confinement structures
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10H—INORGANIC LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR DEVICES HAVING POTENTIAL BARRIERS
- H10H20/00—Individual inorganic light-emitting semiconductor devices having potential barriers, e.g. light-emitting diodes [LED]
- H10H20/80—Constructional details
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- H10H20/815—Bodies having stress relaxation structures, e.g. buffer layers
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Abstract
本发明属于纳米阵列的多量子阱的技术领域，公开了生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法。生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。本发明所选择的衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的多量子阱的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
Description
技术领域
本发明涉及纳米阵列的多量子阱与生长领域，特别涉及生长在铝酸锶钽镧(La0.3Sr1.7AlTaO6)衬底上的纳米柱多量子阱及其制备方法。
背景技术
GaN及其相关的III族氮化物在电学、光学以及声学上具有极其优异的性质，已经被广泛地应用于制备发光二极管(LEDs)、激光二极管(LDs)和场效应晶体管等器件。近年来，GaN基纳米柱LED作为一种具有潜力的LED结构而备受关注，这是由于与平面结构LED相比，首先纳米柱LED具有高的面容比(面积/体积)，能够显著降低穿透位错密度；其次，纳米柱LED可大幅度提高LED的出光效率，实现光的耦合出射；最后可通过控制纳米柱LED的尺寸，改变纳米柱LED的发光波长，制备出单芯片多色发光的纳米柱LED，为实现低成本白光LED的制备开辟了新的道路。
目前科研工作者们生长的纳米柱LED主要是在蓝宝石衬底上获得的，蓝宝石与GaN的晶格失配和热失配高，导致GaN纳米柱中形成很高的位错密度，从而降低材料的载流子迁移率，最终影响了器件的性能。La0.3Sr1.7AlTaO6衬底与GaN的晶格失配和热失配分别仅为0.1％和3.6％，是外延GaN最佳衬底之一。但La0.3Sr1.7AlTaO6衬底高温下化学性质不稳定，因此要使La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上纳米柱LED能够真正实现大规模应用，迫切需要寻找La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上生长纳米柱LED的新方法及工艺。
另外，制备高质量InGaN/GaN多量子阱是高效GaN基纳米柱LED的基础。与GaN薄膜的生长机理有所区别，GaN基纳米柱的掺杂、多量子阱的生长都会受到纳米柱尺寸、间距等因素的影响，因此新型衬底上外延生长制备高质量InGaN/GaN纳米柱多量子阱势必是研究的难点与热点。
发明内容
为了克服现有技术的上述缺点与不足，本发明的目的在于提供一种生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法，所选择的铝酸锶钽镧衬底材料成本低廉，所制备的纳米柱阵列尺寸可控，取向均一，所获得的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的缺陷密度低、电学和光学性能优良。
本发明的目的通过以下技术方案实现：
生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，包括La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱。
所述GaN纳米柱模板是将生长在AlN成核层上的GaN缓冲层通过纳米压印技术和刻蚀制备而成的。所述GaN缓冲层的厚度为500～1000nm。所述缓冲层采用脉冲激光沉积(PLD)技术来实现低温下外延生长，能够有效缓解La0.3Sr1.7AlTaO6衬底高温下不稳定，与缓冲层之间发生严重界面反应的问题。
所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面。
所述GaN纳米柱模板的GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面。
所述GaN纳米柱模板通过采用TracePro软件优化纳米柱排布，采用纳米压印技术和刻蚀技术将GaN缓冲层制备而成，所获得的纳米柱阵列尺寸均匀，然后将所制备的纳米柱模板转移到金属有机化合物气相沉积反应腔(MOCVD)中通过选区生长进行纳米柱多量子阱的制备。
所述GaN纳米柱模板为GaN纳米柱阵列。所述GaN纳米柱模板的高度和GaN缓冲层相同。
所述AlN成核层的厚度为100～200nm；所述GaN纳米柱模板的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm。
所述AlN/GaN超晶格层为15～25个周期的AlN层/GaN层，总厚度为20～100nm，其中AlN层的厚度为1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm。
所述InGaN/GaN纳米柱多量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。
所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，还包括隔离层，所述隔离层沉积在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板的AlN成核层上。所述隔离层厚度为10～50nm。
所述隔离层的材料为SiNx、SiO2或者Al2O3。
所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的制备方法，包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
(2)衬底表面抛光、清洗以及退火处理，所述退火的具体过程为：将衬底放入退火室内，在800～900℃下空气氛围中对La0.3Sr1.7AlTaO6衬底进行退火处理3～5小时然后空冷至室温；
(3)AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为450～550℃，在反应室的压力为5.0×10-3～7.0×10-3Torr、生长速度为0.2～0.3ML/s的条件下生长100～200nm厚的AlN成核层；
(4)GaN缓冲层外延生长：采用PLD技术，衬底温度为650～850℃，在反应室的压力为5.0×10-3～7.0×10-3Torr、生长速度为0.4～0.6ML/s的条件下在AlN成核层上生长GaN缓冲层，缓冲层厚度为500～1000nm；
(5)GaN纳米柱模板的制备：采用TracePro软件优化纳米柱排布，采用纳米压印技术和干法刻蚀工艺对GaN缓冲层进行向下刻蚀，得到GaN纳米柱模板即GaN纳米柱阵列，纳米柱阵列的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm；
(6)隔离层的制备：利用化学气相沉积、原子层沉积或磁控溅射技术在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板覆盖的AlN成核层沉积隔离层；所述隔离层的材料为SiNx、SiO2或者Al2O3，隔离层的厚度为10～50nm；
(7)AlN/GaN超晶格层的外延生长：在MOCVD中，反应室温度保持在720～780℃，反应室的压力为150～200Torr，在GaN纳米柱模板的顶部生长15～25个周期AlN/GaN超晶格层，其中AlN层厚度1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm，总厚度为20～100nm；
(8)InGaN/GaN纳米柱多量子阱的外延生长：在MOCVD中，反应室温度保持在700～780℃，反应室的压力为150～200Torr，通入氨气、氮气、三甲基镓和三甲基铟，在步骤(7)得到的AlN/GaN超晶格层上生长InGaN/GaN纳米柱多量子阱，InGaN/GaN量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。
与现有技术相比，本发明具有以下优点和有益效果：
(1)本发明使用La0.3Sr1.7AlTaO6作为衬底，La0.3Sr1.7AlTaO6衬底容易获得，价格便宜，有利于降低生产成本。
(2)本发明采用纳米压印技术获得高质量纳米柱模板，然后将纳米柱模板转移至MOCVD通过选区生长进行InGaN/GaN纳米柱多量子阱外延材料的制备；既降低了InGaN/GaN纳米柱多量子阱的生长难度，又消除了使用催化剂而引入杂质的不良影响。
(3)本发明充分利用了PLD和MOCVD的各自优势：首先使用PLD技术在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上采用低温(450-550℃)先外延生长高质量缓冲层，成功抑制界面反应，为下一步制备高质量低缺陷的纳米柱阵列做好铺垫；随后转移至MOCVD中外延InGaN/GaN纳米柱多量子阱，充分发挥了MOCVD的优势，提高了生长速率和产能。
(4)本发明采用与GaN晶格失配和热失配度低的La0.3Sr1.7AlTaO6(111)作为衬底，能够有效地减少热应力，减少位错的形成，在纳米柱阵列上制备出高质量InGaN/GaN材料，有利提高了载流子的辐射复合效率，可大幅度提高氮化物器件如半导体激光器、发光二极管及太阳能电池的发光效率。
附图说明
图1是实施例1的生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的制备过程示意图；
图2是本发明的生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的结构示意图；
图3是实施例1制备的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的光致发光(PL)图谱。
具体实施方式
下面结合实施例和附图对本发明作进一步详细的描述，但本发明的实施方式不限于此。
本发明的生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的结构示意图如图2所示，包括生长La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底10上的AlN成核层11，生长在AlN成核层上的GaN缓冲层，并经过纳米压印技术和刻蚀技术将GaN缓冲层刻蚀成GaN纳米柱模板层12即GaN纳米柱阵列，沉积在GaN纳米柱模板层12即GaN纳米柱阵列侧壁及未被纳米柱覆盖的AlN成核层上的隔离层13，生长在GaN纳米柱模板层12上(GaN纳米柱顶部)的AlN/GaN超晶格层14，生长在AlN/GaN超晶格层14上的InGaN/GaN量子阱15。
所述AlN成核层的厚度为100～200nm；所述GaN纳米柱模板的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm。
所述AlN/GaN超晶格层为15～25个周期的AlN层/GaN层，总厚度为20～100nm，其中AlN层的厚度为1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm。
所述InGaN/GaN纳米柱多量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。所述隔离层厚度为10～50nm。
实施例1
本实施例的生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的制备方法，包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
(2)衬底表面抛光、清洗以及退火处理，所述退火的具体过程为：将衬底放入退火室内，在800℃下空气氛围中对La0.3Sr1.7AlTaO6衬底进行退火处理3小时然后空冷至室温；
所述衬底表面抛光，具体为：首先将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底表面用金刚石泥浆进行抛光，配合光学显微镜观察衬底表面，直到没有划痕后，再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理；
所述清洗，具体为：将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底放入去离子水中室温下超声清洗3分钟，去除La0.3Sr1.7AlTaO6衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物，用干燥氮气吹干；
(3)AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为450℃，在反应室的压力为6.0×10-3Torr、生长速度为0.6ML/s的条件下生长100nm厚AlN成核层；衬底转速为5Rad/s，靶基距为5cm，同时脉冲激光沉积(PLD)中激光波长为248nm，激光能量为220mJ，频率为10Hz，氮的等离子体流量为5sccm，靶材为纯度为99.99％的AlN，氮源为射频等离子发生器处理高纯氮气产生的氮等离子体；
(4)GaN缓冲层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为650℃，在反应室的压力为6.0×10-3Torr生长速度为0.6ML/s的条件下在AlN成核层上生长GaN缓冲层，缓冲层厚度为1000nm；衬底转速为5Rad/s，靶基距为5cm，同时脉冲激光沉积(PLD)中激光波长为248nm，激光能量为200mJ，频率为10Hz，氮的等离子体流量为5sccm，靶材为纯度为99.99％的GaN；
(5)纳米压印技术刻蚀纳米柱模板：利用纳米压印技术和干法刻蚀工艺对GaN缓冲层进行向下刻蚀，得到GaN纳米柱模板即GaN纳米柱阵列，高度为1000nm，直径为200nm，相邻间距为250nm；
(6)沉积隔离层：利用化学气相沉积、原子层沉积或磁控溅射技术在GaN纳米柱模板的侧壁和未被纳米柱覆盖的AlN成核层上沉积隔离层，所述隔离层的材料为SiNx，厚度为10nm；
(7)AlN/GaN超晶格层的外延生长：将制备好的GaN纳米柱阵列转移至MOCVD中，将反应室温度保持在750℃，在反应室的压力为180Torr条件下，在未被隔离层沉积的GaN纳米柱模板的顶部即纳米柱上生长20个周期AlN/GaN超晶格层，AlN层的厚度为1nm和GaN层的厚度为1nm，总厚度为40nm；铝源：150～300sccm、镓源：125～175sccm、氮源：25～35slm；
(8)InGaN/GaN纳米柱多量子阱的外延生长：反应室温度保持在750℃，在反应室的压力为150Torr条件下，通入氨气、氮气、三甲基镓和三甲基铟，在步骤(7)得到的AlN/GaN超晶格层上生长InGaN/GaN纳米柱多量子阱，InGaN/GaN量子阱为8个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3nm，GaN垒层的厚度为10nm；铟源：450～550sccm、镓源100～150sccm、氮源25～35slm。
本实施例中生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的制备过程示意图如图1所示，具体包括：(1)PLD法在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上生长AlN成核层上，在AlN成核层上生长高质量GaN缓冲层；(2)利用纳米压印技术和刻蚀技术将GaN缓冲层制备成GaN纳米柱模板(即纳米柱阵列)；(3)在GaN纳米柱模板的侧壁及未被纳米柱覆盖的AlN成核层上沉积隔离层；(4)随后将模板转移至MOCVD中进行选区生长AlN/GaN超晶格层，后在AlN/GaN超晶格层上得到InGaN/GaN纳米柱多量子阱。
本实施例制备出的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的PL光谱如图3所示，测试表明量子阱的光致发光的峰位在462nm，半峰宽为22.0nm，表明该LED具有较好的光电性能，是制备高效LED器件的理想材料。
实施例2
本实施例的生长在铝酸锶钽镧衬底上的纳米柱LED的制备方法，包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
(2)衬底表面抛光、清洗以及退火处理，所述退火的具体过程为：将衬底放入退火室内，在850℃下空气氛围中对La0.3Sr1.7AlTaO6衬底进行退火处理5小时然后空冷至室温；
所述衬底表面抛光，具体为：
首先将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底表面用金刚石泥浆进行抛光，配合光学显微镜观察衬底表面，直到没有划痕后，再采用化学机械抛光的方法进行抛光处理。
所述清洗，具体为：
将La0.3Sr1.7AlTaO6衬底放入去离子水中室温下超声清洗5分钟，去除La0.3Sr1.7AlTaO6衬底表面粘污颗粒，再依次经过盐酸、丙酮、乙醇洗涤，去除表面有机物，用干燥氮气吹干。
(3)AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为550℃，在反应室的压力为6.0×10-3Torr生长速度为0.2～0.3ML/s的条件下生长200nm厚AlN成核层；衬底转速为10Rad/s，靶基距为10cm，同时脉冲激光沉积(PLD)中激光波长为248nm，激光能量为250mJ，频率为30Hz，氮的等离子体流量为10sccm，靶材为纯度为99.99％的AlN，氮源为射频等离子发生器处理高纯氮气产生的氮等离子体；
(4)GaN缓冲层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为850℃，在反应室的压力为6.0×10-3Torr、生长速度为0.5ML/s的条件下在AlN成核层上生长GaN缓冲层，缓冲层厚度为1000nm；衬底转速为10Rad/s，靶基距为10cm，同时脉冲激光沉积(PLD)中激光波长为248nm，激光能量为220mJ，频率为30Hz，氮的等离子体流量为10sccm，靶材为纯度为99.99％的GaN；
(5)纳米压印技术刻蚀纳米柱模板：利用纳米压印技术和干法刻蚀工艺对GaN缓冲层进行向下刻蚀，得到GaN纳米柱模板即GaN纳米柱阵列，高度为500nm，直径为100nm，相邻间距为150nm；
(6)沉积隔离层：利用化学气相沉积、原子层沉积或磁控溅射技术在GaN纳米柱模板的侧壁和未被纳米柱覆盖的AlN成核层上沉积隔离层，所述隔离层的材料为SiO2，厚度为50nm；
(7)AlN/GaN超晶格层的外延生长：将制备好的GaN纳米柱阵列转移至MOCVD中，将反应室温度保持在750℃，在反应室的压力为200Torr条件下，在未被隔离层沉积的GaN纳米柱模板的顶部即纳米柱上生长20个周期AlN/GaN超晶格层，AlN层的厚度为1nm和GaN层的厚度为1nm，总厚度为40nm；铝源：150～300sccm、镓源：125～175sccm、氮源：25～35slm；
(8)InGaN/GaN纳米柱多量子阱的外延生长：反应室温度保持在780℃，在反应室的压力为200Torr条件下，通入氨气、氮气、三甲基镓和三甲基铟，在步骤(7)得到的AlN/GaN超晶格层上生长InGaN/GaN纳米柱多量子阱，InGaN/GaN量子阱为13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为5nm，GaN垒层的厚度为15nm；各源的流量为铟源450～550sccm、镓源100～150sccm、氮源25～35slm。
上述实施例为本发明较佳的实施方式，但本发明的实施方式并不受上述实施例的限制，其他的任何未背离本发明的精神实质与原理下所作的改变、修饰、替代、组合、简化，均应为等效的置换方式，都包含在本发明的保护范围之内。
Claims (8)
1.生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：包括La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，生长在La0.3Sr1.7AlTaO6衬底上的AlN成核层，生长在AlN成核层上的GaN纳米柱模板，生长在纳米柱模板上的AlN/GaN超晶格层,生长在AlN/GaN超晶格层上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱；
所述La0.3Sr1.7AlTaO6衬底以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
所述GaN纳米柱模板的GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为450～550℃。
2.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述GaN纳米柱模板为GaN纳米柱阵列；所述GaN纳米柱模板的高度和GaN缓冲层相同。
3.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN成核层的厚度为100～200nm；所述GaN纳米柱模板的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm。
4.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述AlN/GaN超晶格层为15～25个周期的AlN层/GaN层，总厚度为20～100nm，其中AlN层的厚度为1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm。
5.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述InGaN/GaN纳米柱多量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。
6.根据权利要求1所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，还包括隔离层，所述隔离层沉积在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板的AlN成核层上。
7.根据权利要求6所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱，其特征在于：所述隔离层厚度为10～50nm；所述隔离层的材料为SiNx、SiO2或者Al2O3。
8.根据权利要求1～7任一项所述生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)衬底以及其晶向的选取：采用La0.3Sr1.7AlTaO6衬底，以(111)面偏(100)方向0.5～1°为外延面，晶体外延取向关系为：GaN的(0001)面平行于La0.3Sr1.7AlTaO6的(111)面；
(2)衬底表面抛光、清洗以及退火处理，所述退火的具体过程为：将衬底放入退火室内，在800～900℃下空气氛围中对La0.3Sr1.7AlTaO6衬底进行退火处理3～5小时然后空冷至室温；
(3)AlN成核层外延生长：采用PLD技术，衬底温度调为450～550℃，在反应室的压力为5.0×10-3～7.0×10-3Torr、生长速度为0.2～0.3ML/s的条件下生长100～200nm厚的AlN成核层；
(4)GaN缓冲层外延生长：采用PLD技术，衬底温度为650～850℃，在反应室的压力为5.0×10-3～7.0×10-3Torr、生长速度为0.4～0.6ML/s的条件下在AlN成核层上生长GaN缓冲层，缓冲层厚度为500～1000nm；
(5)GaN纳米柱模板的制备：采用TracePro软件优化纳米柱排布，采用纳米压印技术和干法刻蚀工艺对GaN缓冲层进行向下刻蚀，得到GaN纳米柱模板即GaN纳米柱阵列，纳米柱阵列的高度为500～1000nm，直径为100～200nm，相邻间距为150～250nm；
(6)隔离层的制备：利用化学气相沉积、原子层沉积或磁控溅射技术在GaN纳米柱模板的侧壁和未被GaN纳米柱模板覆盖的AlN成核层沉积隔离层；所述隔离层的材料为SiNx、SiO2或者Al2O3，隔离层的厚度为10～50nm；
(7)AlN/GaN超晶格层的外延生长：在MOCVD中，反应室温度保持在720～780℃，反应室的压力为150～200Torr，在GaN纳米柱模板的顶部生长16～20个周期AlN/GaN超晶格层，其中AlN层厚度1～2nm，GaN层的厚度为1～2nm，总厚度为20～40nm；
(8)InGaN/GaN纳米柱多量子阱的外延生长：在MOCVD中，反应室温度保持在700～780℃，反应室的压力为150～200Torr，通入氨气、氮气、三甲基镓和三甲基铟，在步骤(7)得到的AlN/GaN超晶格层上生长InGaN/GaN纳米柱多量子阱，InGaN/GaN量子阱为8～13个周期的InGaN阱层/GaN垒层，其中InGaN阱层的厚度为3～5nm，GaN垒层的厚度为10～15nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610931940.1A CN106384761B (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| CN201610931940.1A CN106384761B (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106384761A CN106384761A (zh) | 2017-02-08 |
| CN106384761B true CN106384761B (zh) | 2019-05-14 |
Family
ID=57957018
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610931940.1A Active CN106384761B (zh) | 2016-10-31 | 2016-10-31 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106384761B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108193230B (zh) * | 2017-12-29 | 2019-07-30 | 厦门理工学院 | 一种钽衬底上生长InxGa1-xN纳米线的光电极及其制备方法 |
| CN113594342B (zh) * | 2021-05-19 | 2022-09-02 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 嵌套金刚石散热层的纳米柱led结构及制备方法 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20070062686A (ko) * | 2005-12-13 | 2007-06-18 | 엘지이노텍 주식회사 | 질화물 반도체 발광 소자 및 제조 방법 |
| KR20090058952A (ko) * | 2007-12-05 | 2009-06-10 | 삼성전자주식회사 | 나노로드를 이용한 발광소자 및 그 제조 방법 |
| CN102456786B (zh) * | 2010-10-29 | 2016-03-09 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 发光二极管及其制作方法 |
| CN102610715B (zh) * | 2012-03-31 | 2014-04-09 | 中国科学院半导体研究所 | 纳米无荧光粉氮化镓白光发光二极管的制作方法 |
| CN103296158B (zh) * | 2013-05-31 | 2015-10-28 | 华南理工大学 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的掺杂GaN薄膜及其制备方法 |
| CN103383980B (zh) * | 2013-06-25 | 2016-01-13 | 南京大学 | 一种利用紫外软压印制备有序氮化镓纳米柱阵列的方法 |
| CN206225392U (zh) * | 2016-10-31 | 2017-06-06 | 华南理工大学 | 生长在铝酸锶钽镧衬底上的InGaN/GaN纳米柱多量子阱 |
-
2016
- 2016-10-31 CN CN201610931940.1A patent/CN106384761B/zh active Active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106384761A (zh) | 2017-02-08 |
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |