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CN106170262B - 等离子体处置系统 - Google Patents

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Abstract

在等离子体处置系统中，对导电性溶液的灌注层的温度进行探测的温度探测部固定于处置部且位于在第一电极部和第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置。在所述等离子体处置系统中，控制部基于所述温度探测部的探测结果来对由温度调整单元进行的温度的调整和所述导电性溶液的供给量及吸引量进行控制，从而调整所述灌注层中的所述导电性溶液的温度，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态。

Description

等离子体处置系统
技术领域
本发明涉及一种等离子体处置系统，该等离子体处置系统使高频电流在设置于处置部的第一电极部与第二电极部之间经过导电性溶液的灌注层地流动，由此使灌注层中产生等离子体，并使用所产生的等离子体来对处置对象进行处置。
背景技术
在专利文献1中公开了一种具备在探头的处置部设置有第一电极部(有源电极)和第二电极部(回流电极)的处置器具的等离子体处置系统。在该等离子体处置系统中，第一电极部以相对于第二电极部的相对位置不发生变化的状态设置。另外，在处置器具中设置有套管，探头以处置部朝向前端方向突出的状态穿过该套管。在套管与探头之间形成有供给路径，在套管的前端形成有供给路径的喷出口。另外，在探头的内部形成有吸引路径，在处置部的前端面形成有吸引路径的吸引口。在处置中，经过供给路径供给导电性溶液(生理盐水)，经过吸引路径吸引所供给的导电性溶液。由此，在处置中，在处置对象与处置部之间形成从供给路径的喷出口朝向吸引路径的吸引口的导电性溶液的灌注层。
通过在第一电极部和第二电极部浸在了灌注层中的状态下向第一电极部和第二电极部传递高频能量(高频电力)，从而高频电流在第一电极部与第二电极部之间的灌注层中流过。当使第一电极部与第二电极部之间的电压变大时，高频电流在导电性溶液的灌注层中流过，由此在第一电极部与第二电极部之间的灌注层中形成蒸汽层。然后，在蒸汽层中发生分解，在导电性溶液的灌注层中产生等离子体。在处置中，生物体组织等处置对象通过所产生的等离子体而消融(ablated)。将这种处置称为低温消融处置(low-temperatureablation treatment)，例如在扁桃体(tonsil)的切除中使用。此外，向第一电极部和第二电极部传递的高频能量的控制等由等离子体处置控制单元来进行。
专利文献1：日本特开2011-45756号公报
发明内容
发明要解决的问题
如所述专利文献1那样，在通过使高频电流在导电性溶液的灌注层中流过来使灌注层中产生等离子体并使用等离子体使处置对象消融的处置中，等离子体的产生状态根据灌注层中的导电性溶液的温度而发生变化。在所述专利文献1中，由于高频电流而灌注层中的导电性溶液的温度上升，但在从喷出口喷出之前，不调整导电性溶液的温度。因此，存在灌注层中导电性溶液没有成为适于处置的温度的情况。在该情况下，在灌注层中没有适当地产生等离子体，导致等离子体处置(低温消融处置)的处置性能下降。
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种在两个电极部(第一电极部和第二电极部)所浸泡的灌注层中将导电性溶液调整为适于处置的温度的等离子体处置系统。
用于解决问题的方案
为了达成所述目的，本发明的某一方式的等离子体处置系统具备：供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；以及控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制。
发明的效果
根据本发明，能够提供一种在两个电极部所浸泡的灌注层中将导电性溶液调整为适于处置的温度的等离子体处置系统。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的等离子体处置系统的概要图。
图2是概要性地表示第一实施方式所涉及的套管的前端部和探头的处置部的结构的立体图。
图3是表示第一实施方式所涉及的处置部附近的处置时的状态的概要图。
图4是表示第一实施方式所涉及的等离子体处置控制单元的处置中的处理的流程图。
图5是表示对图4的灌注层的灌注液体量进行调整的处理的流程图。
图6是表示对图4的灌注层的温度进行调整的处理的流程图。
图7是表示某一变形例所涉及的等离子体处置系统的概要图。
具体实施方式
(第一实施方式)
参照图1至图6来说明本发明的第一实施方式。
图1是表示本实施方式所涉及的等离子体处置系统1的图。关于该等离子体处置系统1，在产生等离子体并通过该等离子体使作为处置对象的生物体组织消融的处置中被使用。通过利用等离子体将生物体组织切除，使得对切除组织周边造成的热损伤变得较小，能够实现侵入性低的处置。例如，在耳鼻喉科领域中，在扁桃体组织的切除手术等中使用等离子体处置系统1。另外，例如既可以在整形外科领域中在切除滑膜、切除软骨等时使用该等离子体处置系统1，也可以在所有的剖腹手术中切除脏器(特别是肝脏)等时使用该等离子体处置系统1。
如图1所示，等离子体处置系统1具备处置器具(等离子体处置器具)2。该处置器具2具有长轴C。在此，将与长轴C平行的两个方向中的一个方向作为前端方向(图1的箭头C1的方向)，将与前端方向相反的方向作为基端方向(图1的箭头C2的方向)。等离子体处置系统1具备能量生成器等能量源单元3、脚踏开关等能量操作输入部5。另外，在等离子体处置系统1中设置有供给源(送液源)6和吸引源7。而且，在等离子体处置系统1中设置有调温加热器等温度调整单元8。
供给源6具备生理盐水袋等液体袋11和供给泵(送液泵)12。在液体袋11中填充有生理盐水等导电性溶液。在供给源6上连接有供给路径(送液路径)13的一端。在处置器具2的外部，例如通过外置的供给管(未图示)等形成供给路径13。通过使供给泵12工作，液体袋11中填充的导电性溶液(液体)经过供给路径13被供给(送液)。
吸引源7具备排液罐16和吸引泵17。在吸引源7上连接有吸引路径18的一端。在处置器具2的外部，例如通过外置的吸引管(未图示)等形成吸引路径18。通过使吸引泵17工作，排液等吸引物经过吸引路径18被吸引，并被回收到排液罐16中。
处置器具(等离子体处置器具)2具备供手术操作者保持的保持壳体(保持部)21、与保持壳体21的前端方向侧连结的套管22、以及穿过套管22的探头23。探头23和套管22从前端方向侧插入到保持壳体21的内部。在探头23的前端部形成有处置部25。处置部25从套管22的前端朝向前端方向突出。在保持壳体21上可装卸地连接有线缆26的一端。线缆26的另一端与能量源单元3连接。
图2是表示套管22的前端部和探头23的处置部25的结构的图。如图2所示，处置部25从套管22朝向前端方向突出，暴露到外部。处置部25具备形成探头23的前端的前端面27和形成处置部25的外周的外周面28。
如图1所示，在保持壳体21上形成有供给端口(送液端口)31。供给路径13从供给端口31插入到保持壳体21的内部。而且，在本实施方式中，供给路径13以经过探头23与套管22之间的空间的方式延伸设置。在处置器具2中，例如通过在探头23与套管22之间延伸设置的供给管(未图示)形成供给路径13。供给路径13能够在供给端口31处分离。如图2所示，在处置部25上形成有供给路径13的喷出口32。在本实施方式中，喷出口32位于套管22与探头23之间的空间的前端，朝向前端方向开口。经过供给路径13被供给的导电性溶液以从喷出口32朝向前端方向的方式被喷出到处置器具2的外部(套管22的外部)。
如图1所示，在保持壳体21上形成有吸引端口33。吸引路径18从吸引端口33插入到保持壳体21的内部。而且，在本实施方式中，吸引路径18以经过探头23的内部的方式延伸设置。在处置器具2中，例如通过在探头23的内部延伸设置的吸引管(未图示)形成吸引路径18。吸引路径18能够在吸引端口33处分离。如图2所示，在处置部25上形成有吸引路径18的吸引口35。在本实施方式中，吸引口35位于处置部25的前端面27，朝向前端方向开口。从喷出口32喷出的导电性溶液等作为吸引物从吸引口35被吸引。然后，吸引物从处置器具2的外部经过吸引口35和吸引路径18被吸引，并被回收到排液罐16中。
在本实施方式中，线缆26能够相对于处置器具2的保持壳体21装卸。另外，供给路径13能够在保持壳体21的供给端口31处分离，吸引路径18能够在保持壳体21的吸引端口33处分离。因此，在使用处置器具2之后，能够将处置器具2从能量源单元3(线缆26)、能量操作输入部5、供给源6以及吸引源7分离。由此，能够仅将处置器具2废弃而重复利用处置器具2以外的设备(能量源单元3、能量操作输入部5等)。
能量源单元3具备能够输出高频能量(高频电力)的高频能量源41。高频能量源41例如是设置于能量生成器的电源(交流电源)，输出高频电流(Radio Frequency current：射频电流)的波形例如是正弦波、三角波的高频电力。在高频能量源41上连接有第一外部高频路径42A的一端和第二外部高频路径42B的一端。第一外部高频路径42A和第二外部高频路径42B以经过线缆26的内部的方式延伸设置。第一外部高频路径42A和第二外部高频路径42B例如通过在线缆26的内部延伸设置的电布线(未图示)形成。第一外部高频路径42A和第二外部高频路径42B彼此电绝缘。
在处置器具2的保持壳体21上设置有第一连接端子43A和第二连接端子43B。第一连接端子43A和第二连接端子43B彼此电绝缘。在第一连接端子43A上连接有第一内部高频路径45A的一端(基端)，在第二连接端子43B上连接有第二内部高频路径45B的一端(基端)。第一内部高频路径45A和第二内部高频路径45B以经过处置器具2的方式延伸设置，彼此电绝缘。第一内部高频路径45A例如通过在探头23的内部延伸设置的电布线(未图示)、探头23的导电部(未图示)等形成。另外，第二内部高频路径45B例如通过在探头23与套管22之间的空间延伸设置的电布线(未图示)、套管22的导电部(未图示)等形成。线缆26与保持壳体21连接，由此第一外部高频路径42A与第一内部高频路径45A在第一连接端子43A处电连接，第二外部高频路径42B与第二内部高频路径45B在第二连接端子43B处电连接。
如图2所示，在本实施方式中，在处置部25的前端面27上固定有两个第一电极部(有源电极)46A、46B。第一电极部46A、46B由导电材料形成，在本实施方式中，第一电极部46A、46B位于吸引路径18的吸引口35的外周侧。第一电极部46A、46B以彼此分离的方式绕长轴配置。如图1所示，在第一电极部46A、46B上连接有第一内部高频路径45A的另一端(前端)。高频能量从高频能量源41经过第一外部高频路径42A和第一内部高频路径45A传递，由此第一电极部46A、46B作为电极而发挥功能。
如图2所示，在本实施方式中，在处置部25的外周面28上固定有一个第二电极部(回流电极)47。第二电极部47由导电材料形成，在本实施方式中，第二电极部47以遍及外周面28的整周的方式绕长轴延伸设置。另外，第二电极部47位于比套管22的前端(喷出口32)更靠前端方向侧的位置。在此，第一电极部46A、46B和第二电极部47固定于处置部25。因此，第一电极部46A、46B和第二电极部47以彼此的相对位置不发生变化的状态设置于处置部25。另外，第一电极部46A、46B以及第二电极部47位于供给路径13的喷出口32与吸引路径18的吸引口35之间。如图1所示，在第二电极部47上连接有第二内部高频路径45B的另一端(前端)。高频能量从高频能量源41经过第二外部高频路径42B和第二内部高频路径45B传递，由此第二电极部47作为与第一电极部46A、46B不同的电极发挥功能。即，第二电极部47作为电位与第一电极部46A、46B的电位不同的电极发挥功能。
能量源单元3具备包括CPU(Central Processing Unit：中央处理器)、ASIC(Application Specific Integrated Circuit：专用集成电路)等的处理单元(处理器)50和存储器等存储部51。处理单元50与高频能量源41及存储部51电连接，处理单元50能够向高频能量源41传递控制信号等。处理单元50具备控制部52、目标设定部53以及运算处理部55。控制部52、目标设定部53以及运算处理部55例如是形成CPU或者ASIC的电子电路的一部分(控制电路、运算电路等)。另外，控制部52、目标设定部53和运算处理部55相互能够电连接，相互能够传递电信号等。此外，在本实施方式中，处理单元50及存储部51与高频能量源41一体地设置，但在某一变形例中，处理单元50及存储部51也可以与高频能量源41分开地设置。另外，关于由存储部51、控制部52、目标设定部53以及运算处理部55进行的处理在后面详细地记述。
在脚踏开关等能量操作输入部5中输入用于使高频能量从高频能量源41输出的能量操作。基于能量操作的输入，以有线或者无线的方式从能量操作输入部5向控制部52传递操作信号。控制部52基于操作信号(能量操作的输入)来对从高频能量源41输出高频能量的输出状态进行控制。另外，对从高频能量源41输出高频能量的电流值、电压值等的输出状态进行探测，将探测出的电流值等信息传递到处理单元50的控制部52。在能量操作输入部5中，例如设置有第一输入开关56A和第二输入开关56B。通过关闭第一输入开关56A，来使高频能量源41以在使生物体组织等处置对象消融的处置中使用的消融(ablation)输出模式输出高频能量。另外，通过关闭第二输入开关56B，来使高频能量源41以在使处置对象凝固的处置中使用的凝固(coagulation)输出模式输出高频能量。一般来说，消融输出模式下的第一电极部46A、46B与第二电极部57之间的电压比凝固输出模式下的该电压大。
此外，在某一实施例中，也可以是，在能量操作输入部5中设置能量水平调整部(未图示)，手术操作者能够调整使高频能量源41以消融输出模式和凝固输出模式中的各模式输出的高频能量的能量水平。另外，也可以设为如下结构：在处置器具2中设置用于保存ID(个体识别序号)的存储器(未图示)，线缆26与保持壳体21连接，由此处理单元50的控制部52读取所连接的处置器具2的ID。在该结构中，在存储部51中存储有规格(有源电极和回流电极的尺寸、位置以及形状、供给路径的尺寸等)互不相同的多个种类的处置器具2的ID信息、以及与各个ID对应的高频能量的能量水平的信息。然后，基于读取出的ID和存储部51中存储的信息，来自动设定使高频能量源4以消融输出模式和凝固输出模式中的各模式输出的高频能量的能量水平。
另外，处理单元50的控制部52能够以有线或者无线的方式向供给源6的供给泵12和吸引源7的吸引泵17传递控制信号，能够控制供给泵12的工作状态和吸引泵17的工作状态。从供给源6供给的导电性溶液的供给量(送液量)与供给泵12的工作状态的变化相对应地发生变化。另外，由吸引源7吸引的吸引物(导电性溶液)的吸引量与吸引泵17的工作状态的变化相对应地发生变化。在供给路径13上配置有供给量探测部(送液量探测部)57。在本实施方式中，供给量探测部57位于处置器具2的外部。供给量探测部57例如是一个公知的流量传感器，探测从供给源6供给的导电性溶液(生理盐水)的供给量。而且，能够将表示供给量的探测结果的探测信号以有线或者无线的方式传递到控制部52。控制部52基于供给量检测部57的探测结果来控制供给泵12的工作状态。此外，供给量探测部57也可以设置于供给源6，如果是小型的，则也可以设置在供给路径13中且处置器具2的内部。即，只要在从喷出口32喷出之前探测供给量即可。
在吸引源7的排液罐16中安装有吸引量探测部58。吸引量探测部58例如是一个公知的液面传感器、水位传感器，探测由吸引源7吸引的导电性溶液(吸引物)的吸引量。而且，能够将表示吸引量的探测结果的探测信号以有线或者无线的方式传递到控制部52。控制部52基于吸引量探测部58的探测结果来控制吸引泵17的工作状态。此外，作为吸引量探测部58，也可以使用公知的流量传感器，在该情况下，吸引量探测部58设置于吸引路径18。另外，关于吸引量探测部58，如果是小型的，则也可以设置在吸引路径18上且处置器具2的内部。即，只要在从吸引口35进行了吸引之后探测导电性溶液的吸引量即可。
如上所述，也可以设为处理单元50的控制部52读取所连接的处置器具2的ID的结构。在该情况下，在存储部51中存储有供给泵12的工作特性的信息、吸引泵17的工作特性的信息、规格互不相同的多个种类的处置器具2的ID信息、从与各个ID对应的供给源6供给的供给量的信息以及由与各个ID对应的吸引源7吸引的吸引量的信息。而且，在消融输出模式和凝固输出模式中的各模式下，由控制部52基于读取出的ID和存储部51中存储的信息来对供给泵12的工作状态和吸引泵17的工作状态进行控制，从而对从供给源6供给的供给量和由吸引源7吸引的吸引量进行调整。
如图2所示，在处置部25的前端面27上固定有温度探测部61。温度探测部61例如是热电偶等温度传感器。在本实施方式中，温度探测部61位于第一电极部(有源电极)46A、46B与第二电极部(回流电极)47之间。另外，在本实施方式中，从温度探测部61至第一电极部(46A和46B中离温度探测部61较近的一方)为止的第一距离L1比从温度探测部61至第二电极部47为止的第二距离L2小。因而，温度探测部61位于第一电极部46A、46B的附近。此外，在本实施方式中，在等离子体处置(低温消融处置)中对等离子体处置系统1进行控制的等离子体处置控制单元由能量源单元3(包括处理单元50)、供给量探测部57、吸引量探测部58和温度探测部61构成。
如图1所示，在温度探测部61上连接有信号路径62的一端。信号路径62以经过处置器具2的内部(探头23的内部)和线缆26的内部的方式延伸设置，信号路径62的另一端与处理单元50的控制部52连接。信号路径62例如由在探头23的内部延伸设置的信号线和在线缆26的内部延伸设置的信号线形成。信号路径62能够在线缆26与保持壳体21连接的位置处分离。表示温度探测部61的探测结果的探测信号经由信号路径62被传递到控制部52。
处理单元50的控制部52能够以有线或者无线的方式向温度调整单元8传递控制信号，能够对温度调整单元8的发热状态等工作状态进行控制。在本实施方式中，通过使温度调整单元8工作来在供给源6中对导电性溶液进行加热或者冷却，从而对导电性溶液进行温度调整。控制部52基于温度探测部61的探测结果来对温度调整单元8的工作状态进行控制，从而在供给源6中调整导电性溶液的温度。温度调整单元8的附近的导电性溶液的温度与温度调整单元8的工作状态的变化相对应地发生变化。即，控制部52基于温度探测部62的探测结果来控制由温度调整单元8对导电性溶液的温度进行的调整。此外，温度调整单元8也可以在供给路径13中对导电性溶液的温度进行调整，如果是小型的，则也可在处置器具2的内部对供给路径13的导电性溶液的温度进行调整。即，只要在从喷出口32喷出之前利用温度调整单元8对导电性溶液的温度进行调整即可。关于在处置中由温度探测部61进行的温度的探测和控制部52对温度调整单元8的工作状态进行的控制在后面详细地记述。
图3是表示处置(例如使处置对象T消融的处置)中的处置部25的附近的状态的图。此外，图3所示的处置称为低温消融处置(law-temperature ablation treatment)，例如在扁桃体(tonsil)的切除中使用。如图3所示，在使生物体组织等处置对象T消融的处置中，使处置部25的前端面27与处置对象T的表面T1对置。处置部25(前端面27)不与处置对象T直接接触，而从处置对象T离开。前端面27与处置对象T的表面T1对置，因此第一电极部46A、46B位于比第二电极部47更靠近处置对象T的位置处。因此，在处置中，第一电极部46A、46B成为对处置对象T发挥主要作用的电极。
在处置中，通过使供给泵12和吸引泵17工作来从供给源6经过供给路径13供给导电性溶液。然后，从处置部25的喷出口32朝向处置对象T的表面T1喷出所供给的导电性溶液。另外，利用吸引源7来吸引已从喷出口32喷出的导电性溶液。处置部25的外部的导电性溶液从吸引口35经过吸引路径18被吸引，并被回收到排液罐16中。通过如上述那样利用供给源6进行导电性溶液的供给以及利用吸引源7进行导电性溶液的吸引，从而在处置部25与处置对象T的表面T1之间形成导电性溶液的灌注层H。在灌注层H中形成导电性溶液的从喷出口32朝向吸引口35的流动(图3的箭头B1)。
在处置中，第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在灌注层H中。第一电极部46A、46B和第二电极部47位于喷出口32与吸引口35之间，因此容易位于浸在灌注层H中的位置。通过在第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在了灌注层H中的状态下向第一电极部46A、46B和第二电极部47传递高频能量(高频电力)，来使高频电流第一电极部46A与第二电极部46B之间的灌注层H中流过。在以消融输出模式输出高频能量的情况下，第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的电压(电位差)变大。通过使第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的电压变大，来使高频电流在导电性溶液的灌注层H中流过，在第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的灌注层H中形成蒸汽层。而且，在蒸汽层中发生分解，在导电性溶液的灌注层H中产生等离子体。即，在高频电流在第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的灌注层H中流过的区域中形成等离子体层Q。通过所产生的等离子体进行使生物体组织等处置对象消融的(ablated)低温消融处置。
此外，处置部25中的喷出口32、吸引口35、第一电极部46A、46B以及第二电极部47各自的位置、个数、尺寸、形状并不限于图2和图3的结构。例如，在某一实施例中，供给路径13以经过探头23的内部的方式延伸设置，在处置部25的前端面27上设置喷出口32，吸引路径18以经过探头23与套管22之间的方式延伸设置，在套管22与探头23之间的空间的前端处设置吸引口。另外，在某一其它的实施例中，供给路径13和吸引路径18这两者均以经过探头23的内部的方式延伸设置，喷出口32位于处置部25的外周面28，吸引口35位于处置部25的前端面27。并且，在某一其它的变形例中，第一电极部(46A、46B)和第二电极部(47)这两者均固定于处置部25的前端面27。根据以上的说明，第一电极部(46A、46B)和第二电极部(47)以被夹在喷出口32与吸引口35之间的状态配置于处置部25，只要第一电极部(46A、46B)和第二电极部(47)位于能够浸在形成从喷出口32朝向吸引口35的流动的导电性溶液的灌注层H中的位置即可。
另外，在本实施方式中，供给路径13和吸引路径18经过处置器具2的内部，但并不限于此。例如，也可以是，供给路径13和吸引路径18中的至少一方与处置器具2分开地设置。但是，在该情况下，第一电极部(46A、46B)、第二电极部(47)以及温度探测部61也固定于处置部25，且位于浸在灌注层H中的位置。
另外，灌注层H的灌注液体量(液体量)只要为使第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在灌注层H中的程度的多少(大小)即可，优选的是，灌注液体量不会过大。由此能够有效地防止已从喷出口32喷出的导电性溶液未从吸引口35被吸引而流入到体内的处置对象T以外的部位(例如支气管)。由此能够有效地防止由于处置中使用的导电性溶液和处置中产生的血液向处置对象T以外的部位流入而引起并发症的发生。在此，即使在灌注层H的灌注液体量最大的情况下，例如套管22也没有浸在灌注层H中。
另外，优选的是，第二电极部47的浸在灌注层H中的表面积比第一电极部46A、46B的浸在灌注层H中的表面积大。由此，在灌注层H中，第二电极部47的附近的高频电流的电流密度比第一电极部46A、46B的附近的高频电流的电流密度低，第二电极部47的附近的灌注层H的温度比第一电极部46A、46B的附近的灌注层H的温度低。因而，在第一电极部46A、46B的附近容易产生等离子体，靠近处置对象T的第一电极部46A、46B作为对处置对象T的影响大的有源电极而适当地发挥作用。即，能够有效地防止远离处置对象T的第二电极部47作为有源电极发挥功能，从而在灌注层H中形成适于处置的等离子体层Q。
通过等离子体而消融了的处置对象T与灌注层H的导电性溶液一起从吸引口35经过吸引路径18被吸引。此外，关于通过等离子体使处置对象T消融的机理在现阶段尚未明确。在现阶段，认为在等离子体层Q生成的OH自由基是使处置对象T消融的一个主要原因。另外，使灌注层H中产生等离子体所需的高频能量的能量水平(第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的电压、灌注层中流动的高频电流的电流值)根据第一电极部46A、46B和第二电极部47的构造(形状、位置、电极间距离等)不同而发生变化。因而，也可以是，在存储部51中存储关于第一电极部46A、46B和第二电极部47的构造的信息以及产生等离子体所需的高频能量的能量水平的信息，控制部52基于所存储的信息来控制高频能量的输出状态。
图4是表示处置(主要是使处置对象T消融的处置)中的由等离子体处置控制单元(包括能量源单元3和温度探测部61)进行的处理的流程图。在处置中，在处置部25的前端面27与处置对象T对置的状态下，在能量操作输入部5中输入能量操作。通过输入能量操作，例如使第一输入开关56A关闭。由此，如图4所示，向控制部52输入操作信号，通过控制部52检测出能量操作的输入(步骤S101-“是(YES)”)。然后，控制部52基于能量操作的输入来设定从高频能量源41输出的高频能量(高频电力)的能量水平(步骤S102)。在此，设定的能量水平是基于处置中使用的处置器具2的规格(第一电极部46A、46B和第二电极部47的位置、尺寸、形状等)决定的。另外，消融输出模式下的能量水平设定得比凝固输出模式下的能量水平高。设定的能量水平的信息也可以存储于存储部51。
然后，基于来自控制部52的控制信号，使供给泵12工作并使引泵17工作。由此，开始从供给源6供给导电性溶液以及利用吸引源7吸引导电性溶液(步骤S103)。控制部52例如基于存储部51中存储的供给泵12的工作特性和吸引泵17的工作特性来对供给泵12的工作状态和吸引泵17的工作状态进行控制。利用供给源6进行的供给以及利用吸引源7进行的吸引开始，由此如上述那样在处置部25的前端面27与处置对象T之间形成导电性溶液的灌注层H。
然后，进行灌注层H的液体量即灌注液体量的调整处理(步骤S104)。另外，还进行灌注层H的温度的调整处理(步骤105)。在低温消融处置中，等离子体的产生状态根据灌注层H的灌注液体量和灌注层H中的导电性溶液的温度而发生变化。即，即使在高频能量的输出状态不变化的情况下，等离子体的产生也与灌注层H的灌注液体量或者温度的变化相对应地发生变化。因此，通过将灌注层H的灌注液体量和温度调整为适当的范围(值)来使灌注层H中适当地产生等离子体是重要的。
图5是表示对灌注层H的灌注液体量进行调整的处理的流程图。如图5所示，在对灌注液体量进行调整的处理中，首先由目标设定部53设定成为灌注液体量的目标的液体量范围(液体量值)(步骤S121)。成为目标的液体量范围例如是使处置中产生适当的等离子体的液体量范围。成为目标的液体量范围例如是基于处置器具2的规格(第一电极部46A、46B和第二电极部47的形状、大小等)设定的。另外，也可以基于有无高频能量的输出来设定成为目标的液体量范围，在输出高频能量的情况下，也可以基于高频能量的输出状态(例如步骤S102中设定的能量水平)来设定成为目标的液体量范围。在该情况下，在存储部51中预先存储有表示处置器具2的规格与成为目标的液体量范围之间的关系、高频能量的输出状态与成为目标的液体量范围之间的关系的表等。另外，成为目标的液体量范围是适于处置的液体量范围，因此以即使在液体量范围内最小的灌注液体量的情况下也成为第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在灌注层H中的状态的方式设定液体量范围。另外，是即使在液体量范围内最大的灌注液体量的情况下也能够防止导电性溶液向体内的处置对象T以外的部位的流入的灌注液体量，例如套管22没有浸在灌注层H中。
然后，由供给量探测部57对从供给源6供给的导电性溶液的供给量进行探测，并且由吸引量探测部58对由吸引源7吸引的导电性溶液(也包括消融了的处置对象T)的吸引量进行探测(步骤S122)。然后，将表示供给量的探测信号和表示吸引量的探测信号传递到控制部52。然后，运算处理部55基于供给量的探测结果和吸引量的探测结果来计算灌注层H中的灌注液体量(步骤S123)。关于灌注液体量的计算，例如使用存储部51中存储的计算程序来进行。
然后，由控制部52判定灌注层H的灌注液体量是否在步骤S121中设定的目标的液体量范围(步骤S124)。在步骤S123中计算出的灌注层H的灌注液体量在目标的液体量范围的情况下(步骤S124-“是”)，由控制部52控制供给泵12和吸引泵17使得成为维持灌注液体量的状态。另一方面，在灌注层H的灌注液体量不在目标的液体量范围的情况下(步骤S124-“否(NO)”)，对通过供给泵12从供给源6供给的供给量进行调整(步骤S125)，并且对通过吸引泵17向吸引源7吸引的吸引量进行调整(步骤S126)。此时，控制部52基于供给量的探测结果、吸引量的探测结果以及灌注液体量的计算结果来控制供给泵12的工作状态和吸引泵17的工作状态。进行供给量的调整和吸引量的调整，使得成为灌注液体量在步骤S121中设定的目标的液体量范围的状态。例如，在灌注液体量小于目标的液体量范围的情况下，控制部52通过控制供给泵12的工作状态来増加供给量，控制部52通过控制吸引泵17的工作状态来减少吸引量。
图6是表示对灌注层H的温度进行调整的处理的流程图。如图6所示，在调整灌注层的温度的处理中，首先由目标设定部53设定灌注层的成为目标的温度范围(温度)(步骤S131)。成为目标的温度范围例如是使处置中产生适当的等离子体的温度范围。成为目标的温度范围例如是基于处置器具2的规格、有无高频能量的输出等设定的。另外，在输出高频能量的情况下，也可以基于高频能量的输出状态(例如步骤S102中设定的能量水平)来设定成为目标的温度范围。在该情况下，在存储部51中存储有表示处置器具2的规格与成为目标的温度范围之间的关系、高频能量的输出状态与成为目标的温度范围之间的关系的表等。另外，也可以基于步骤S123中计算出的灌注层H的灌注液体量来设定成为目标的温度范围。此外，一般来说，在低温消融处置中，灌注层H的温度为45℃～90℃，优选为60℃～70℃。因而，成为目标的温度范围中的最小值为45℃以上，优选为60℃以上。另外，成为目标的温度范围中的最大值为90℃以下，优选为70℃以下。
然后，通过温度探测部61来探测灌注层H的温度(步骤S132)。如图3所示，温度探测部61配置在喷出口32与吸引口35之间，且位于在第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在了灌注层H中的状态下浸在灌注层H中的位置。因此，在低温消融处置中能够适当地对形成在处置对象T与处置部25之间的灌注层H的温度进行探测。此外，在本实施方式中，温度探测部61固定于处置部25的前端面27，但不限于此。例如，也可以以位于在第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在了灌注层H中的状态下浸在灌注层H中的位置为条件，配置于处置部25的外周面28。即，温度探测部61的位置只要是在第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在了灌注层H中的状态下浸在灌注层H中的位置即可，不进行限定。
另外，在本实施方式中，温度探测部61位于第一电极部(有源电极)46A、46B与第二电极部(回流电极)47之间。即，位于在第一电极部46A、46B和第二电极部47浸在了灌注层H中的状态下高频电流在第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的灌注层H流过的区域。因此，在低温消融处置中，由温度探测部61探测产生作用于处置对象T的等离子体层Q的区域的温度。另外，在本实施方式中，从温度探测部61至第一电极部(46A和46B中离温度探测部61较近的一方)为止的第一距离L1比从温度探测部61至第二电极部47为止的第二距离L2小。因此，温度探测部61位于在低温消融处置中对处置对象T的影响大的第一电极部(有源电极)46A、46B的附近。因而，由温度探测部61探测对处置对象T的影响大的灌注层H中的区域的温度。
当探测灌注层H的温度时(步骤S132)，由运算处理部55计算温度调整单元8的工作状态(即由温度调整单元8调整的导电性溶液的温度的调整状态)与灌注层H的温度之间的关系(步骤S133)。例如，对相对于通过温度调整单元8产生的发热状态或者冷却状态的变化的、灌注层H的温度的变化进行计算。温度调整单元8的工作状态与灌注层H的温度之间的关系同从供给源6进行供给的供给量、供给速度(送液速度)、供给路径13的长度(尺寸)、温度调整单元8的位置等相对应地发生变化。因此，例如也可以基于在步骤S122中探测出的供给量来计算从供给源6进行供给的供给速度，基于探测出的供给量和计算出的供给速度来计算温度调整单元8的工作状态与灌注层H的温度之间的关系。另外，例如也可以将供给路径13的长度的信息和供给泵12的规格等存储于存储部51，基于所存储的信息来对温度调整单元8的工作状态与灌注层H的温度之间的关系进行计算。
然后，由控制部52判定灌注层H的温度是否在步骤S131中设定的目标的温度范围(步骤S134)。在步骤S132中探测出的灌注层H的温度在目标的温度范围的情况下(步骤S134-“是”)，由控制部52对温度调整单元8进行控制，使得成为维持灌注层H的温度的状态。另一方面，在灌注层H的温度不在目标的温度范围的情况下(步骤S134-“否”)，由控制部52基于灌注层H的温度的探测结果来控制温度调整单元8的工作状态(发热状态等)(步骤S135)。温度调整单元8的工作状态的控制是使用步骤S133中计算出的温度调整单元8的工作状态与灌注层H的温度之间的关系进行的。由此，对温度调整单元8的发热量等进行调整。此外，在温度调整单元8除了对导电性溶液进行加热之外还进行冷却的情况下，通过对温度调整单元8的工作状态进行控制，除了能够调整温度调整单元8的发热量以外还能够调整温度调整单元8的冷却量。进行温度调整单元8的工作状态的控制(即在从喷出口32之前进行的导电性溶液的温度的调整)使得成为灌注层H的温度在步骤S131中设定的目标的温度范围的状态。例如，在灌注层H的温度低于目标的温度范围的情况下，通过控制温度调整单元8的工作状态来使温度调整单元8的发热量增加。
另外，如图6所示，控制部52基于灌注层H的温度的探测结果，除了控制温度调整单元8的工作状态以外，还控制供给泵12的工作状态，并控制吸引泵17的工作状态。由此，对经过供给路径13被供给的导电性溶液的供给量(供给速度)进行调整(步骤S136)，并对经过吸引路径18被吸引的导电性溶液(也包括消融了的处置对象)的吸引量(吸引速度)进行调整(步骤S137)。通过控制供给量和吸引量来调整灌注层H的温度。此时，通过调整供给量和吸引量，既可以使灌注层H的灌注液体量发生变化也可以使之不发生变化。此外，在本实施方式中，在步骤S104中将灌注层H的灌注液体量调整为目标的液体量范围，因此优选在步骤S136、S137中灌注层H的灌注液体量不发生变化。进行供给量和吸引量的调整使得成为灌注层H的温度在步骤S131中设定的目标的温度范围的状态。例如，在灌注层H的温度高于目标的温度范围且温度调整单元8的附近的导电性溶液的温度比灌注层H中的导电性溶液的温度低的情况下，増加从供给源6供给的供给量(供给速度)和向吸引源7吸引的吸引量(吸引速度)。由此，温度低的导电性溶液被迅速地供给到灌注层H中，灌注层H的温度下降。此时，通过使供给量和吸引量这两者增加，能够以不使灌注层H的灌注液体量变化的方式改变灌注层H的温度。
当进行灌注液体量的调整处理(步骤S104)和灌注层H的温度的调整处理(步骤105)时，开始以步骤S102中设定的能量水平从高频能量源41输出高频能量(步骤S106)。灌注层H的灌注液体量和温度通过步骤S104、S105被设定为在低温消融处置中适当的范围。因此，通过向第一电极部46A、46B和第二电极部47传递所输出的高频能量，从而如上述那样在灌注层H中适当地产生等离子体。
另外，在能量源单元3中成为比目标的温度范围高的值的阈值由控制部52来设定或者存储于存储部51。当输出高频能量时，由温度探测部61探测灌注层H的温度，由控制部52判定探测出的灌注层H的温度是否为阈值以上(步骤S107)。在灌注层H的温度为阈值以上的情况下(步骤S107-“是”)，停止从高频能量源41输出高频能量(步骤S111)。此外，当在灌注层H的温度为阈值以上的情况下以消融输出模式的能量水平输出高频能量时，例如存在处置对象和处置对象以外的生物体组织发生热损伤的可能性。
在继续进行处置的情况下(步骤S108-“否”)，进行灌注液体量的调整处理(步骤S104)和灌注层H的温度的调整处理(步骤105)，在步骤S106中维持高频能量的输出。然后，进行步骤S107的判定。即，在以消融输出模式下的能量水平输出高频能量的状态下，也进行灌注液体量的调整处理(步骤S104)和灌注层H的温度的调整处理(步骤105)，进行步骤S107的判定。在灌注层H的温度为阈值以上的情况下(步骤S107-“是”)，如上所述，停止高频能量的输出(步骤S111)。即，在步骤S111中，由控制部52基于灌注液体量的计算结果和灌注层H的温度的探测结果来对有无从高频能量源41输出高频能量和高频能量的输出状态进行控制。
此外，在步骤S111中，也可以代替停止高频能量的输出而以比设定的能量水平低的能量水平输出高频能量。在该情况下，由于以低的能量水平输出高频能量，因此第一电极部46A、46B与第二电极部47之间的电压也变低，无论灌注层H的灌注液体量和温度如何，在灌注层H中都不产生等离子体。另外，步骤S107的灌注层H的温度是否为阈值以上的判定也可以在停止了高频能量的输出的状态下进行。在该情况下，当灌注层H的温度为阈值以上时，维持高频能量的输出停止。另外，在某一实施例中，也可以只进行灌注层H的温度的调整处理(步骤S105)，不进行灌注层H的灌注液体量的调整处理(步骤S104)。另外，也可以将进行图4至图6所示的处理的程序存储于存储部51。
在上述的本实施方式中，根据探测出的供给量和吸引量来计算灌注层H的灌注液体量，调整供给量和吸引量使得灌注层H的灌注液体量在目标的液体量范围。因此，通过将目标的液体量范围设定为适于处置的液体量范围，来在低温消融处置中使灌注层H中适当地产生等离子体，从而能够确保处置性能。
另外，在本实施方式中，由温度探测部61探测灌注层H的温度，基于灌注层H的温度的探测结果来控制温度调整单元8的工作状态(发热状态、冷却状态等)，使得灌注层H的温度在目标的温度范围。因此，通过将目标的温度范围设定为适于处置的温度范围，来在低温消融处置中使灌注层H中适当地产生等离子体，从而能够确保处置性能。
(变形例)
如图7所示，在某一变形例中，在吸引路径18上设置有pH探测部65。在本变形例中，pH探测部位于处置器具2的外部。pH探测部65例如是通过使电流在吸引路径18中且导电性溶液(包括消融了的处置对象)中流过来对导电性溶液的pH进行探测的pH传感器。基于导电性溶液的pH的探测结果的探测信号以有线或者无线的方式被传递到控制部52。另外，在本变形例中，在等离子体处置(低温消融处置)中控制等离子体处置系统1的等离子体处置控制单元除了包括能量源单元3(包括处理单元50)、供给量探测部57、吸引量探测部58以及温度探测部61以外，还包括pH探测部65。
此外，pH探测部65也可以设置于吸引源7，如果是小型的，则也可以设置于吸引路径18上且处置器具2的内部。即，只要在从吸引口35进行了吸引之后通过pH探测部65来探测导电性溶液的pH即可。
在从供给路径13的喷出口32喷出之前，导电性溶液的pH在规定的范围内。例如，在导电性溶液为生理盐水的情况下，pH在4.5～7.0的范围内。由于低温消融处置而导电性溶液中包含消融了的处置对象，由此导电性溶液的pH发生变化，pH不在规定的范围内。因而，在从吸引口35进行了吸引之后探测导电性溶液的pH，由此能够判断处置对象T是否适当地消融了、即在灌注层H中是否适当地产生了等离子体。此外，所探测的导电性溶液的pH根据是否含有处置对象、处置对象的种类、处置对象的含有量等而发生变化。
在本变形例中，控制部52除了基于温度探测部61探测灌注层H的温度的探测结果以外，还基于pH探测部65探测pH的探测结果来对温度调整单元8的工作状态进行控制，调整灌注层H的温度。另外，也可以是，除了基于温度探测部61的探测结果以外，还基于pH探测部65的探测结果来调整从供给源6供给的供给量和向吸引源7吸引的吸引量，从而调整灌注层H的灌注液体量。此外，灌注液体量的调整和灌注层H的温度的调整与第一实施方式同样地进行。
在上述的实施方式等的等离子体处置控制单元和等离子体处置系统(1)中，对灌注层(H)的温度进行探测的温度探测部(61)固定于处置部(25)，且位于在第一电极部(46A、46B)和第二电极部(47)浸在了灌注层(H)中的状态下浸在灌注层(H)中的位置。而且，控制部(52)基于温度探测部(61)的探测结果来对由温度调整单元(8)进行的温度的调整进行控制，对导电性溶液的供给量和吸引量进行控制，使得成为灌注层(H)的温度在目标的温度范围的状态。
以上说明了本发明的实施方式等，但本发明不限定于上述的实施方式等，不脱离本发明的主旨的范围内能够进行各种变形，这是不言而喻的。
以下，附记特征性事项。
附记
(附记项1)
一种等离子体处置控制单元，其设置于等离子体处置系统，在该等离子体处置系统中设置有处置部，该处置部具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过从吸引路径的吸引口吸引已从供给路径的喷出口喷出的导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层，在从所述喷出口喷出之前由温度调整单元调整所述导电性溶液的温度，在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下向所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量，由此使所述灌注层中产生等离子体，使用所述等离子体对处置对象进行处置，
该等离子体处置控制单元具备：
温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，探测所述灌注层的温度；以及
控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对所述温度调整单元的工作状态进行控制，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态。
(附记项2)
一种等离子体处置系统，具备：
权利要求1的等离子体处置控制单元；
处置器具，其具备所述处置部，所述温度探测部固定于所述处置部；以及
温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度。

Claims (9)

1.一种等离子体处置系统，具备：
供给路径，该供给路径上形成有用于喷出导电性溶液的喷出口，该供给路径向所述喷出口供给所述导电性溶液；
吸引路径，该吸引路径上形成有用于吸引所述导电性溶液的吸引口，该吸引路径通过吸引所述导电性溶液来形成从所述喷出口朝向所述吸引口的所述导电性溶液的灌注层；
处置部，其具备第一电极部和以相对于所述第一电极部的相对位置不发生变化的状态设置的第二电极部，通过向浸在了所述灌注层中的状态下的所述第一电极部和所述第二电极部传递高频能量来使所述灌注层中产生等离子体，从而对处置对象进行处置；
高频能量源，其能够输出向所述第一电极部和所述第二电极部传递的所述高频能量；
温度调整单元，其在从所述喷出口喷出之前调整所述导电性溶液的温度；
温度探测部，其固定于所述处置部且位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下浸在所述灌注层中的位置，在浸在了所述灌注层中的状态下探测所述灌注层的温度；
控制部，其基于所述温度探测部的探测结果来对由所述温度调整单元进行的所述导电性溶液的所述温度的调整进行控制，使得成为所述灌注层的所述温度在目标的温度范围的状态，并且对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的供给量和经过所述吸引路径被吸引的所述导电性溶液的吸引量进行控制；
目标设定部，其设定成为所述灌注层的目标的所述温度范围；
供给量探测部，其对经过所述供给路径被供给的所述导电性溶液的所述供给量进行探测；
吸引量探测部，其对已从所述喷出口喷出的所述导电性溶液的经过所述吸引路径的所述吸引量进行探测；以及
运算处理部，其基于所述供给量探测部的探测结果和所述吸引量探测部的探测结果，来计算所述灌注层中的所述导电性溶液的灌注液体量，
其中，所述控制部在检测出使所述高频能量源输出所述高频能量的能量操作的输入时，基于所述灌注层的温度的所述探测结果，来对有无从所述高频能量源输出所述高频能量或者所述高频能量的输出状态进行控制，
所述目标设定部基于计算出的所述灌注液体量来设定成为所述目标的所述温度范围。
2.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述控制部基于计算出的所述灌注液体量来调整经过所述供给路径的所述供给量或者经过所述吸引路径的所述吸引量。
3.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述控制部设定值比成为所述目标的所述温度范围高的阈值，在探测出的所述灌注层的所述温度为所述阈值以上的情况下，停止从所述高频能量源输出所述高频能量。
4.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述控制部控制所述导电性溶液的所述供给量和所述吸引量，由此以不使所述灌注层的灌注液体量发生变化的方式调整所述灌注层中的所述导电性溶液的所述温度。
5.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
该运算处理部还计算所述温度调整单元的工作状态与所述灌注层的所述温度之间的关系，
所述控制部基于由所述运算处理部计算出的所述工作状态与所述温度之间的所述关系，来控制由所述温度调整单元进行的所述温度的所述调整。
6.根据权利要求5所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述运算处理部基于所述供给量探测部的探测结果，来计算所述温度调整单元的所述工作状态与所述灌注层的所述温度之间的所述关系。
7.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述温度探测部固定于所述处置部的以下区域：在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下高频电流在所述第一电极部与所述第二电极部之间的所述灌注层中流过的区域。
8.根据权利要求7所述的等离子体处置系统，其特征在于，
所述第一电极部位于在所述第一电极部和所述第二电极部浸在了所述灌注层中的状态下与所述第二电极部相比更靠近所述处置对象的位置处，
从所述温度探测部至所述第一电极部为止的第一距离比从所述温度探测部至所述第二电极部为止的第二距离小。
9.根据权利要求1所述的等离子体处置系统，其特征在于，
还具备PH探测部，该PH探测部在从所述吸引口进行了吸引之后探测所述导电性溶液的PH，
所述控制部除了基于所述温度探测部的所述探测结果以外还基于所述PH探测部的探测结果来控制由所述温度调整单元进行的所述温度的所述调整，并且控制所述导电性溶液的所述供给量和所述吸引量。
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