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CN106129065B - 一种阵列基板及其制备方法、显示面板 - Google Patents

一种阵列基板及其制备方法、显示面板 Download PDF

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CN106129065B CN201610563174.8A CN201610563174A CN106129065B CN 106129065 B CN106129065 B CN 106129065B CN 201610563174 A CN201610563174 A CN 201610563174A CN 106129065 B CN106129065 B CN 106129065B
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Abstract

本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可提高显示均一性。该阵列基板包括设置在衬底上的相互绝缘的第一电极和第二电极；第一电极包括多个电连接的第一电极条，第二电极包括多个电连接的第二电极条；第一电极和第二电极在衬底上的正投影中，第一电极条和第二电极条交替且平行排列，且针对任一个第一电极条，与沿第一方向相邻的第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的第二电极条在任意位置处的间距S2均相等；第一方向和第二方向为相反方向；在沿第一电极条延伸方向的不同位置处，第一电极条的宽度不同；在沿第二电极条延伸方向的不同位置处，第二电极条的宽度不同。

Description

一种阵列基板及其制备方法、显示面板
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
背景技术
随着液晶显示技术的发展，薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film TransistorLiquid Crystal Display，简称TFT-LCD)广泛地应用与各个领域。
现有的薄膜晶体管液晶显示器中包括显示面板，显示面板包括阵列基板、液晶层和对盒基板。其中，阵列基板上设置有公共电极和像素电极。现有技术中阵列基板上的公共电极或像素电极一般采用沉积工艺或溅射工艺形成透明导电薄膜，然后在其上形成光刻胶，采用掩模板对光刻胶进行图案化，再以图案化的光刻胶为掩模进行刻蚀得到图案化的公共电极或像素电极。
其中，现有技术中的一种公共电极和像素电极的设置方式，如图1所示，是将设置在衬底10上的公共电极200分为多个电连接的公共电极条210，像素电极100分为多个电连接的像素电极条110，每个公共电极条210的宽度相等，每个像素电极条110的宽度相等，且每个公共电极条210和与其相邻的像素电极条110之间的间距S1＝S2。然而，通常现有的工艺在制造过程中会产生关键尺寸偏差(CD bias)，即实际制造出来的电极条的宽度与期望形成的电极条的宽度之间的偏差，导致公共电极条210和像素电极条110实际的间距与期望形成的间距之间出现偏差，而导致公共电极200和像素电极100之间形成的电场不均一，从而导致整个面板显示亮度不均一。
发明内容
本发明的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可提高制作电极过程中对关键尺寸偏差的容忍度，从而提高显示均一性。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
第一方面，提供一种阵列基板，包括多个子像素，所述子像素包括设置在衬底上的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘；所述第一电极包括多个电连接的第一电极条，所述第二电极包括多个电连接的第二电极条；所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的正投影中，所述第一电极条和所述第二电极条交替且平行排列，且针对任一个所述第一电极条，与沿第一方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S2均相等。
其中，所述第一方向和所述第二方向为相反方向；在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度不同；在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度不同。
优选的，所述第一方向和所述第二方向均为垂直于所述第一电极条和所述第二电极条的方向。
优选的，每个子像素均包括第一畴和第二畴；所述第一畴中，S1大于S2，所述第二畴中，S1小于S2。
或者，所述第一畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2；所述第二畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2。
进一步优选的，每个子像素还包括与所述第一畴镜像对称的第三畴、以及与所述第二畴镜像对称的第四畴。
优选的，任意相邻的两个子像素分别包括第一畴和第二畴；所述第一畴中，S1大于S2；所述第二畴中，S1小于S2。
或者，所述第一畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2；所述第二畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2。
优选的，在所述第一畴和所述第二畴中，用于使S1大于S2的第一电极条和第二电极条的个数与用于使S1小于S2的第一电极条和第二电极条的个数相等。
基于上述，优选的，所述第一电极条的宽度基准值M为3.1±1.5μm，在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.5之间范围内变化；所述第二电极条的宽度基准值N为2.1±1.5μm，在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.5之间范围内变化；其中，M＞N。
进一步优选的，所述第一电极条的宽度基准值M为3.1μm，在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.3之间范围内变化；所述第二电极条的宽度基准值N为2.1μm，在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.3之间范围内变化；其中，在每一畴中，所述第一电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第一电极条的宽度为M，第2、4、6、8从M-0.3依次递增0.2变化；在每一畴中，所述第二电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第二电极条的宽度为N，第2、4、6、8从N+0.3依次递减0.2变化。
优选的，所述第一电极和所述第二电极均为透明电极。
进一步优选的，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；所述阵列基板还包括栅线、与所述栅线同层的公共电极线、以及数据线、与所述数据线同层的辅助金属线；所述公共电极与所述公共电极线和所述辅助金属线均电连接。
优选的，所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为U型薄膜晶体管。
第二方面，提供一种显示面板，包括上述第一方面所述的阵列基板。
第三方面，提供一种阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括多个子像素，所述子像素包括形成在衬底上的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘且位于不同层；所述第一电极包括多个电连接的第一电极条，所述第二电极包括多个电连接的第二电极条；所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的正投影中，所述第一电极条和所述第二电极条交替且平行排列，且针对任一个所述第一电极条，与沿第一方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S2均相等。
其中，所述第一方向和所述第二方向为相反方向；在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度不同；在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度不同。
优选的，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；所述制备方法还包括形成栅线、与所述栅线同层的公共电极线、以及数据线、与所述数据线同层的辅助金属线；所述公共电极与所述公共电极线和所述辅助金属线均电连接。
进一步优选的，形成所述栅线、所述公共电极线、所述数据线、所述辅助金属线、所述像素电极和所述公共电极，具体包括：
在衬底上通过一次构图工艺形成所述栅线、与所述栅线平行的公共电极线；在形成所述栅线和所述公共电极线的衬底上，通过一次构图工艺形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括露出所述公共电极线的第一过孔；在形成所述第一绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成所述公共电极，所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极线电连接；在形成所述公共电极的衬底上，通过一次构图工艺形成第二绝缘层，所述第二绝缘层包括露出所述公共电极的第二过孔；在形成所述第二绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成半导体层、漏极、所述数据线、以及与所述数据线平行的所述辅助金属线；所述辅助金属线通过所述第二过孔与所述公共电极电连接；在形成所述漏极、所述数据线的衬底上，通过一次构图工艺形成钝化层，所述钝化层包括位于漏极上方的第三过孔；在形成所述钝化层的衬底上，通过一次构图工艺形成所述像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接。
本发明实施例提供的阵列基板及其制备方法、显示面板，通过将阵列基板上的第一电极设置为多个电连接的第一电极条，将第二电极设置为多个电连接的第二电极条，并使第一电极中的第一电极条在沿第一电极条延伸方向的不同位置处的宽度不同，第二电极中的第二电极条在沿第二电极条延伸方向的不同位置处的宽度不同，但在此过程中仍保证第一电极条与沿第一方向相邻的第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第一方向反向相邻的第二电极条在任意位置处的间距S2均相等。由此一来，虽然制作过程中会由于关键尺寸偏差导致第一电极条和第二电极条之间的实际间距与预期间距不一致，但是由于本发明中第一电极条和第二电极条在不同位置处的宽度不同，相对现有技术中任意位置处第一电极条和第二电极条的宽度相同，本发明提供的电极条结构在出现关键尺寸偏差之后对液晶效率的影响较小，使得显示亮度的均一性较好，因而本发明电极条的设置方式可提高制作过程中对关键尺寸偏差的容忍度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中一种阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图一；
图3为图2中A的局部放大图；
图4为本发明实施例提供的一种阵列基板的关键尺寸偏差与液晶效率的关系示意图；
图5(a)为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图二；
图5(b)为图5(a)中沿B-B向的剖面示意图；
图5(c)为图5(a)中沿C-C向的剖面示意图；
图6为本发明实施例提供的一种子像素中电极条的设置方式示意图；
图7为本发明实施例提供的一种电极条宽度示意图；
图8(a)本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图三；
图8(b)为图8(a)中沿D-D向的剖面示意图；
图8(c)为图8(a)中沿E-E向的剖面示意图；
图9为本发明实施例提供的一种阵列基板制备方法的流程图。
附图标记
100-像素电极；110-像素电极条；200-公共电极；210-公共电极条；01-第一畴；02-第二畴；03-第三畴；04-第四畴；10-衬底；20-第一电极；21-第一电极条；30-第二电极；31-第二电极条；40-栅线；50-公共电极线；60-数据线；70-辅助金属线；80-薄膜晶体管；81-第一绝缘层；811-第一过孔；82-第二绝缘层；821-第二过孔；83-半导体层；84-漏极；90-钝化层；901-第三过孔。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
除非另作定义，此处使用的技术术语或者科学术语应当为本领域技术人员所理解的通常意义。本发明专利申请说明书以及权利要求书中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。
本发明实施例提供一种阵列基板，如图2所示，包括多个子像素(图2以一个子像素进行示意)，所述子像素包括设置在衬底10上的第一电极20和第二电极30，第一电极20和第二电极30相互绝缘；第一电极20包括多个电连接的第一电极条21，第二电极30包括多个电连接的第二电极条31；第一电极20和第二电极30在衬底10上的正投影中，第一电极条21和第二电极条31交替且平行排列，且针对任一个第一电极条21，与沿第一方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S2均相等。
其中，第一方向和第二方向为相反方向；如图3所示，在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处，第一电极条21的宽度不同；在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处，第二电极条31的宽度不同。
所述阵列基板还包括栅线40、数据线60、以及设置在所述子像素中的TFT(ThinFilm Transistor，薄膜晶体管)80，当然还可以包括公共电极线(图2中未示出)。其中，薄膜晶体管80可以是非晶硅TFT、多晶硅TFT、金属氧化物TFT、有机TFT等。可以是底栅型，也可以是顶栅型。
图4为第一电极20和第二电极30的关键尺寸偏差在±0.3μm时，第一电极条21和第二电极条31的关键尺寸偏差和液晶效率的关系图。其中，图4中纵坐标表示液晶的效率(即光的出射率)；横坐标中1代表的是第一电极条21和第二电极条31的关键尺寸偏差均为-0.3μm的点、2代表的是第一电极条21的关键尺寸偏差为-0.3μm，第二电极条31的关键尺寸偏差为+0.3μm的点、3代表的是第一电极条21和第二电极条31的关键尺寸偏差均为0的点、4代表的是第一电极条21的关键尺寸偏差为+0.3μm，第二电极条31的关键尺寸偏差为-0.3μm的点、5代表的是第一电极条21和第二电极条31的关键尺寸偏差均为+0.3μm的点。
图4中的细曲线表示现有技术中的电极条在制造过程中出现±0.3μm的关键尺寸偏差时对应的液晶效率，粗曲线表示本发明中的电极条在制造过程中出现±0.3μm的关键尺寸偏差时对应的液晶效率。从图4中可以看出，在关键尺寸偏差在±0.3μm时，本发明实施例的结构中液晶效率的变化范围小于现有技术的结构中液晶效率的变化范围，并且本发明实施例的结构中液晶效率变化在83％-100％之间。
其中，图4只是以关键尺寸偏差为±0.3μm，对第一电极条21和第二电极条31的关键尺寸偏差与液晶效率的关系进行示意。本发明实施例提供的结构当关键尺寸偏差在±0.2～0.5μm范围内时，均能达到减小液晶效率变化范围的效果。
需要说明的是，第一，第一电极20和第二电极30可以同层设置，也可以不同层设置。其中，本发明实施例附图中均以第一电极20和第二电极30不同层设置进行示例。
此外，第一电极20和第二电极30可以均为透明电极。在此基础上，第一电极20可以是公共电极，也可以是像素电极，本发明实施例附图中均以第一电极20为公共电极进行示例。其中，不对第一电极20和第二电极30的材料进行限定，例如可以为ITO(Indium tinoxide，氧化铟锡)。
第二，不对第一方向和第二方向进行限定，只要针对任一个第一电极条21，沿第一方向，一个第二电极条31位于一个第一电极条21一侧且相邻，沿第二方向，另一个第二电极条31位于该第一电极条21另一侧且相邻即可。
第三，第一电极条21与相邻的第二电极条31在任意位置处的间距，即为在任意位置处，第一电极条21与相邻的第二电极条31的垂直距离。
第四，本领域技术人员应该明白，第一电极20中第一电极条21的形状相同，在沿第一电极条21的任意垂线方向上，第一电极20中各第一电极条21的宽度相同。
第二电极30中第二电极条22的形状相同，在沿第二电极条31的任意垂线方向上，第二电极30中各第二电极条31的宽度相同。
在此基础上，如图3所示，在某些位置处可以使第一电极条21的宽度适当大一些，使第二电极条31的宽度适当小一些，在其他位置处可以使第一电极条21的宽度适当小一些，使第二电极条31的宽度适当大一些，来使第一电极条21和第二电极条31之间的间距在任意位置处均相等。
第五，电极条各位置处的宽度不同，可以是将电极条均分为X小段，每一小段的宽度相同，相邻小段的宽度不同，对于X的值在此不做限定。
本发明实施例通过将阵列基板上的第一电极20设置为多个电连接的第一电极条21，将第二电极30设置为多个电连接的第二电极条31，并使第一电极20中的第一电极条21在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处的宽度不同，第二电极30中的第二电极条31在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处的宽度不同，但在此过程中仍保证第一电极条21与沿第一方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S1均相等，与沿第一方向反向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S2均相等。由此一来，虽然制作过程中会由于关键尺寸偏差导致第一电极条21和第二电极条31之间的实际间距与预期间距不一致，但是由于本发明中第一电极条21和第二电极条31在不同位置处的宽度不同，相对现有技术中任意位置处第一电极条21和第二电极条31的宽度相同，本发明提供的电极条结构在出现关键尺寸偏差之后对液晶效率的影响较小，使得显示亮度的均一性较好，因而本发明电极条的设置方式可提高制作过程中对关键尺寸偏差的容忍度。
优选的，如图2所示，第一方向和第二方向均为垂直于第一电极条21和第二电极条31的方向。
优选的，如图5(a)-5(c)所示，每个子像素均包括第一畴01和第二畴02；第一畴01中，S1大于S2，第二畴02中，S1小于S2。
其中，第一畴01中各电极条的延伸方向相同，第二畴02中各电极条的延伸方向相同。第一畴01中电极条的延伸方向和第二畴02中电极条的延伸方向的夹角可大于等于0°小于等于90°，例如该夹角可以在0°-15°范围内、15°-30°范围内、30°-45°范围内、45°-60°范围内、60°-90°范围内。
本发明实施例通过使子像素中第一畴01的S1大于S2，第二畴02的S1小于S2，即使因关键尺寸偏差和重叠余量(即，第一电极条21和第二电极条31实际产生的间距与期望形成的间距之间的偏差)使得S1和S2发生变化，但是由于在第一畴01和第二畴02中|S1-S2|必然会有一个增加，一个减少，从而表现为第一畴01和第二畴02中会有一个电场增强，另一个电场减弱，进而使得同一子像素中出射的光通过叠加进行相互补偿，以使显示亮度的均一性更好。因而本发明实施例进一步提高了制作过程中对关键尺寸偏差的容忍度，而且也可提高对重叠余量的容忍度。
或者，优选的，第一畴01中，部分第一电极条21和第二电极条31中，S1大于S2，其余部分第一电极条21和第二电极条31中，S1小于S2；第二畴02中，部分第一电极条21和第二电极条31中，S1大于S2，其余部分第一电极条21和第二电极条31中，S1小于S2。
即，第一畴01中，既有S1大于S2的情况，也有S1小于S2的情况；第二畴02中，既有S1大于S2的情况，也有S1小于S2的情况。
其中，第一畴01中各电极条的延伸方向相同，第二畴02中各电极条的延伸方向相同。第一畴01中电极条的延伸方向和第二畴02中电极条的延伸方向的夹角可大于等于0°小于等于90°。
本发明实施例中，当第一畴01和第二畴01中即包括S1大于S2又包括S1小于S2时，在每个子像素中，每个畴的内部会先对从该畴出射的光进行一定的相互补偿，然后在不同畴之间再对从各畴出射的光进一步进行补偿，从而更好的实现显示亮度的均一性。
进一步优选的，如图6所示，每个子像素还包括与第一畴01镜像对称的第三畴03、以及与第二畴02镜像对称的第四畴04。
本发明实施例通过在同一子像素中将畴的结构设置为米字型，即可以达到抑制灰阶反转和色偏的效果，提高产品品质，又可以使同一子像素中出射的光的补偿效果得到增强，更好的实现显示亮度的均一性。
优选的，任意相邻的两个子像素分别包括第一畴01和第二畴02；第一畴01中，S1大于S2；第二畴02中，S1小于S2。
或者，第一畴01中，部分第一电极条21和第二电极条31中，S1大于S2，其余部分第一电极条21和第二电极条31中，S1小于S2；第二畴02中，部分第一电极条21和第二电极条31中，S1大于S2，其余部分第一电极条21和第二电极条31中，S1小于S2。
本发明实施例可达到的效果与上述每个子像素中均包括第一畴01和第二畴02的效果相同，在此不再赘述。
其中，当分别包括第一畴01和第二畴02的两个相邻子像素用于显示同一种颜色且同样灰度时，第一畴01和第二畴02互相补偿的效果较好。
基于上述，优选的，在第一畴01和第二畴02中，用于使S1大于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数与用于使S1小于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数相等。
即，当第一畴01中只包括S1大于S2的情况，第二畴02中只包括S1小于S2的情况时，第一畴01中第一电极条21和第二电极条31的个数分别与第二畴02中第一电极条21和第二电极条31的个数相同。
当第一畴01中包括S1大于S2和S1小于S2的情况，第二畴02中也包括S1大于S2和S1小于S2的情况时，第一畴01中用于使S1大于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数与用于使S1小于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数相等；第二畴02中用于使S1小于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数与用于使S1大于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数相等。
本发明实施例通过使第一畴01和第二畴02中，用于使S1大于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数与用于使S1小于S2的第一电极条21和第二电极条31的个数相等，使得从第一畴01和第二畴02出射的光能够均匀的得到补偿，进一步提高从每个子像素出射的光的均一性，更好的实现显示亮度的均一性。
优选的，第一电极条21的宽度基准值M为3.1±1.5μm，在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处，第一电极条21的宽度在M±0.5之间范围内变化；第二电极条31的宽度基准值N为2.1±1.5μm，在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处，第二电极条31的宽度在N±0.5之间范围内变化；其中，M＞N。
基准值M的取值例如可以为2.0μm、2.6μm、3.1μm、3.5μm、4.0μm等，基准值N的取值例如可以为1.6μm、2.1μm、2.5μm、3.0μm、3.6μm等。
第一电极条21的宽度和第二电极条31的宽度的取值例如可以在基准值上下0.2～0.5μm的范围内变化。
具体的，如图7所示，第一电极条21的宽度基准值M可以为3.1μm，在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处，第一电极条21的宽度在M±0.3之间范围内变化；第二电极条31的宽度基准值N可以为2.1μm，在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处，第二电极条31的宽度在N±0.3之间范围内变化；其中，在每一畴中，第一电极条21等分为9段，第1、3、5、7、9段的第一电极条21的宽度为M，第2、4、6、8从M-0.3依次递增0.2变化；在每一畴中，第二电极条31等分为9段，第1、3、5、7、9段的第二电极条31的宽度为N，第2、4、6、8从N+0.3依次递减0.2变化。
优选的，如图5(a)所示，第一电极20为公共电极200，第二电极30为像素电极100；第一电极20与公共电极线50电连接。其中，公共电极线50可与栅线40平行且同层设置。
进一步的，如图8(a)-8(c)所示，阵列基板还可以包括与数据线60同层的辅助金属线70；辅助金属线70与公共电极或公共电极线50电连接。
此处，优选辅助金属线70与数据线60平行。
示例的，可先在衬底10上形成栅线40、公共电极线50；之后可形成第一绝缘层81，并在第一绝缘层81之上形成第一电极20(即公共电极200)，其中，第一电极20通过设置在第一绝缘层81上的第一过孔811与公共电极线50电连接；之后形成第二绝缘层82，并在第二绝缘层82上形成半导体层83、数据线60、漏极84、辅助金属线70，其中，辅助金属线70通过设置在第二绝缘层82上的第二过孔821与第一电极20电连接；然后形成钝化层90，并在钝化层90上形成第二电极30(即像素电极100)，其中，第二电极30通过设置在第二钝化层90上的第三过孔901与漏极84电连接。
其中，不对公共电极线50的设置位置进行限定，图5(a)、图8(a)只是示例性的给出将公共电极线50设置于子像素的边缘位置。
本发明实施例通过使公共电极线50沿栅线40方向，辅助金属线70沿数据线60方向，此时，所有的公共电极线50和所有的辅助金属线70构成网状结构，该网状结构与公共电极电连接，可使公共电极的电阻均一性更好，从而可减小由于公共电极电阻不均一而引起的画面发绿(Greenish)、闪烁(Flicker)等问题，提高显示质量。其中，将数据线60和辅助金属线70同层设置可以减少构图工艺次数，简化工艺。
优选的，所述阵列基板还包括薄膜晶体管80，如图8(a)所示，薄膜晶体管80为U型薄膜晶体管。
本发明实施例通过设置U型薄膜晶体管，可以在保证像素开口率的同时，使得薄膜晶体管80有足够发的宽长比，从而保证薄膜晶体管80的充电能力，提高显示质量。
本发明实施例提供一种显示面板，包括上述阵列基板，还包括与阵列基板对盒的对盒基板。
在此基础上，本发明实施例还提供一种显示装置，包括所述显示面板。
上述显示装置具体可以是液晶显示装置，可以为液晶显示器、液晶电视、数码相框、手机、平板电脑等具有任何显示功能的产品或者部件。
本发明实施例提供一种阵列基板的制备方法，参考图2所示，阵列基板包括多个子像素，子像素包括形成在衬底10上的第一电极20和第二电极30，第一电极20和第二电极30相互绝缘；第一电极20包括多个电连接的第一电极条21，第二电极30包括多个电连接的第二电极条31；第一电极20和第二电极30在衬底10上的正投影中，第一电极条21和第二电极条31交替且平行排列，且针对任一个第一电极条21，与沿第一方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S2均相等。
其中，第一方向和第二方向为相反方向；在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处，第一电极条21的宽度不同；在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处，第二电极条31的宽度不同。
本发明实施例通过将阵列基板上的第一电极20形成为多个电连接的第一电极条21，将第二电极30形成为多个电连接的第二电极条31，并使第一电极20中的第一电极条21在沿第一电极条21延伸方向的不同位置处的宽度不同，第二电极30中的第二电极条31在沿第二电极条31延伸方向的不同位置处的宽度不同，但在此过程中仍保证第一电极条21与沿第一方向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S1均相等，与沿第一方向反向相邻的第二电极条31在任意位置处的间距S2均相等。由此一来，虽然制作过程中会由于关键尺寸偏差导致第一电极条21和第二电极条31之间的实际间距与预期间距不一致，但是由于本发明中第一电极条21和第二电极条31在不同位置处的宽度不同，相对现有技术中任意位置处第一电极条21和第二电极条31的宽度相同，本发明提供的电极条结构在出现关键尺寸偏差之后对液晶效率的影响较小，使得显示亮度的均一性较好，因而本发明电极条的设置方式可提高制作过程中对关键尺寸偏差的容忍度。
优选的，如图8(a)所示，第一电极20为公共电极，第二电极30为像素电极；所述制备方法还包括形成栅线40、与栅线40同层的公共电极线50、以及数据线60、与数据线60同层的辅助金属线70；公共电极与公共电极线50和辅助金属线70均电连接。
具体的，如图9所示，所述制备方法具体包括步骤：
S10、参考图8(a)-8(c)所示，在衬底10上通过一次构图工艺形成栅线40、与栅线40平行的公共电极线50。
S20、在形成栅线40和公共电极线50的衬底10上，通过一次构图工艺形成第一绝缘层81，第一绝缘层81包括露出公共电极线50的第一过孔811。
S30、在形成第一绝缘层81的衬底10上，通过一次构图工艺形成公共电极200，公共电极200通过第一过孔811与公共电极线50电连接。
S40、在形成公共电极200的衬底10上，通过一次构图工艺形成第二绝缘层82，第二绝缘层82包括露出公共电极200的第二过孔821。
S50、在形成第二绝缘层82的衬底10上，通过一次构图工艺形成半导体层83、漏极84、数据线60、以及与数据线60平行的辅助金属线70；辅助金属线70通过第二过孔821与公共电极200电连接。
S60、在形成漏极84、数据线60的衬底10上，通过一次构图工艺形成钝化层90，钝化层90包括位于漏极84上方的第三过孔901。
S70、在形成钝化层90的衬底10上，通过一次构图工艺形成像素电极100，像素电极100通过第三过孔901与漏极84电连接。
本发明实施例通过使公共电极线50沿栅线40方向，辅助金属线70沿数据线60方向，所有的公共电极线50和所有的辅助金属线70构成网状结构，该网状结构与公共电极电连接，可使公共电极的电阻均一性更好，从而可减小由于公共电极电阻不均一而引起的画面发绿、闪烁等问题，提高显示质量。其中，将数据线60和辅助金属线70同层设置可以减少构图工艺次数，简化工艺。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (14)

1.一种阵列基板，包括多个子像素，所述子像素包括设置在衬底上的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘；所述第一电极包括多个电连接的第一电极条，所述第二电极包括多个电连接的第二电极条；其特征在于，
所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的正投影中，所述第一电极条和所述第二电极条交替且平行排列，且针对任一个所述第一电极条，与沿第一方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S2均相等；
其中，所述第一方向和所述第二方向为相反方向；
在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度不同；在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度不同；
所述第一电极条的宽度基准值M为3.1±1.5μm，在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.5之间范围内变化；
所述第二电极条的宽度基准值N为2.1±1.5μm，在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.5之间范围内变化；M＞N；
在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.3之间范围内变化；
在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.3之间范围内变化；
其中，在每一畴中，所述第一电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第一电极条的宽度为M，第2、4、6、8从M-0.3依次递增0.2变化；
在每一畴中，所述第二电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第二电极条的宽度为N，第2、4、6、8从N+0.3依次递减0.2变化。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一方向和所述第二方向均为垂直于所述第一电极条和所述第二电极条的方向。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，每个子像素均包括第一畴和第二畴；
所述第一畴中，S1大于S2，所述第二畴中，S1小于S2；或者，
所述第一畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2；
所述第二畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，每个子像素还包括与所述第一畴镜像对称的第三畴、以及与所述第二畴镜像对称的第四畴。
5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，任意相邻的两个子像素分别包括第一畴和第二畴；
所述第一畴中，S1大于S2；所述第二畴中，S1小于S2；或者，
所述第一畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2；所述第二畴中，部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1大于S2，其余部分所述第一电极条和所述第二电极条中，S1小于S2。
6.根据权利要求3或5所述的阵列基板，其特征在于，在所述第一畴和所述第二畴中，用于使S1大于S2的第一电极条和第二电极条的个数与用于使S1小于S2的第一电极条和第二电极条的个数相等。
7.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极条的宽度基准值M为3.1μm；
所述第二电极条的宽度基准值N为2.1μm。
8.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极均为透明电极。
9.根据权利要求8所述的阵列基板，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
所述阵列基板还包括栅线、与所述栅线同层的公共电极线、以及数据线、与所述数据线同层的辅助金属线；所述公共电极与所述公共电极线和所述辅助金属线均电连接。
10.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于：所述阵列基板还包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为U型薄膜晶体管。
11.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-10任一项所述的阵列基板。
12.一种如权利要求1-10任一项所述的阵列基板的制备方法，所述阵列基板包括多个子像素，所述子像素包括形成在衬底上的第一电极和第二电极，所述第一电极和所述第二电极相互绝缘且位于不同层；所述第一电极包括多个电连接的第一电极条，所述第二电极包括多个电连接的第二电极条；其特征在于，
所述第一电极和所述第二电极在所述衬底上的正投影中，所述第一电极条和所述第二电极条交替且平行排列，且针对任一个所述第一电极条，与沿第一方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S1均相等，与沿第二方向相邻的所述第二电极条在任意位置处的间距S2均相等；
其中，所述第一方向和所述第二方向为相反方向；
在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度不同；在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度不同；
所述第一电极条的宽度基准值M为3.1±1.5μm，在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.5之间范围内变化；
所述第二电极条的宽度基准值N为2.1±1.5μm，在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.5之间范围内变化；M＞N；
在沿所述第一电极条延伸方向的不同位置处，所述第一电极条的宽度在M±0.3之间范围内变化；
在沿所述第二电极条延伸方向的不同位置处，所述第二电极条的宽度在N±0.3之间范围内变化；
其中，在每一畴中，所述第一电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第一电极条的宽度为M，第2、4、6、8从M-0.3依次递增0.2变化；
在每一畴中，所述第二电极条等分为9段，第1、3、5、7、9段的所述第二电极条的宽度为N，第2、4、6、8从N+0.3依次递减0.2变化。
13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述第一电极为公共电极，所述第二电极为像素电极；
所述制备方法还包括形成栅线、与所述栅线同层的公共电极线、以及数据线、与所述数据线同层的辅助金属线；所述公共电极与所述公共电极线和所述辅助金属线均电连接。
14.根据权利要求13所述的制备方法，其特征在于，形成所述栅线、所述公共电极线、所述数据线、所述辅助金属线、所述像素电极和所述公共电极，具体包括：
在衬底上通过一次构图工艺形成所述栅线、与所述栅线平行的公共电极线；
在形成所述栅线和所述公共电极线的衬底上，通过一次构图工艺形成第一绝缘层，所述第一绝缘层包括露出所述公共电极线的第一过孔；
在形成所述第一绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成所述公共电极，所述公共电极通过所述第一过孔与所述公共电极线电连接；
在形成所述公共电极的衬底上，通过一次构图工艺形成第二绝缘层，所述第二绝缘层包括露出所述公共电极的第二过孔；
在形成所述第二绝缘层的衬底上，通过一次构图工艺形成半导体层、漏极、所述数据线、以及与所述数据线平行的所述辅助金属线；所述辅助金属线通过所述第二过孔与所述公共电极电连接；
在形成所述漏极、所述数据线的衬底上，通过一次构图工艺形成钝化层，所述钝化层包括位于漏极上方的第三过孔；
在形成所述钝化层的衬底上，通过一次构图工艺形成所述像素电极，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接。
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