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CN106094378A - Coa型液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents

Coa型液晶显示面板及其制作方法 Download PDF

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CN106094378A
CN106094378A CN201610674973.2A CN201610674973A CN106094378A CN 106094378 A CN106094378 A CN 106094378A CN 201610674973 A CN201610674973 A CN 201610674973A CN 106094378 A CN106094378 A CN 106094378A
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CN
China
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light resistance
passivation layer
color light
display panels
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CN201610674973.2A
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邓竹明
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TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明提供一种COA型液晶显示面板及其制作方法。本发明的COA型液晶显示面板，黑色矩阵设于下基板上，且整面覆盖彩色光阻层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，进而改善了液晶显示面板因为在彩色光阻层上设置过孔而出现冒泡的不良现象，产品良率高，且制作方法简单。本发明的COA型液晶显示面板的制作方法，结合BOA技术，将黑色矩阵制作于下基板上，形成于像素电极之后，且使黑色矩阵整面覆盖彩色光阻层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，在不增加制程道次的情况下，能够改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象，提高了产品良率，制作方法简单。

Description

COA型液晶显示面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种COA型液晶显示面板及其制作方法。
背景技术
液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。如：液晶电视、移动电话、个人数字助理(PDA)、数字相机、计算机屏幕或笔记本电脑屏幕等。
通常液晶显示装置包括壳体、设于壳体内的液晶面板及设于壳体内的背光模组(Backlight module)。其中，液晶面板的结构主要是由一薄膜晶体管阵列(Thin FilmTransistor Array，TFT Array)基板、一彩色滤光片(Color Filter，CF)基板、以及配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)所构成，其工作原理是通过在两片玻璃基板上施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，将背光模组的光线折射出来产生画面。
COA(Color-filter on Array)技术是一种将彩色滤光层直接制作在阵列基板上的一种集成技术，能够有效解决液晶显示装置对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提升显示开口率。
请参阅图1，为现有的一种COA型液晶显示面板的结构示意图，其包括下基板1’、与所述下基板1’相对设置的上基板2’、及位于所述下基板1’与上基板2’之间的液晶层(未图示)；其中，该下基板1’为阵列基板，具体包括：第一基板100、设于第一基板100上的TFT层200、设于所述TFT层200上的第一钝化层310、设于第一钝化层310上的彩色光阻层400、设于彩色光阻层400上的第二钝化层320、及设于所述第二钝化层320上的像素电极500；所述TFT层200具体包括设于所述第一基板100上的栅极(GE)210、设于栅极210、及第一基板100上的栅极绝缘层(GI)220、设于所述栅极绝缘层220上的半导体层230、及设于所述半导体层230、及栅极绝缘层220上的源极241与漏极242；所述彩色光阻层400包括数个阵列排布的光阻块单元。该上基板2’包括第二基板600、设于第二基板600上的黑色矩阵700、及设于所述第二基板600、及黑色矩阵700上的公共电极800。为了实现像素电极500与漏极242的电性连接，这样就需要在第一、第二钝化层310、320上增加过孔(Via hole)，在彩色光阻层400上对应增加开口，其中，彩色光阻层400的开口尺寸大于第一、第二钝化层310、320上过孔的尺寸，第一钝化层310和第二钝化层320均紧邻彩色光阻层400，将彩色光阻层400夹住。
然而，COA设计中，彩色光阻层400的开口处常有气泡(bubble)产生，经研究发现，通常产生气泡的区域，第一、第二钝化层310、320上的过孔与彩色光阻层400的开口都偏离较远，使得第一钝化层310和第二钝化层320的重叠区域较短，例如图1中第一、第二钝化层310、320在右侧重叠的长度L2小于左侧重叠的长度L1，从而造成右侧的第一、第二钝化层310、320对彩色光阻层400的保护作用不足，最后导致彩色光阻层400内的气泡渗出。
因此，第一、第二钝化层310、320上的过孔与彩色光阻层400的开口的位置偏差，将影响第一、第二钝化层310、320的重叠量。若偏移量过大，第一、第二钝化层310、320重叠较少的一侧对彩色光阻层400的保护作用不佳，彩色光阻层400内的气泡容易渗出，进而导致液晶面板冒泡的不良发生。目前，COA产品为防止冒泡不良的产生需要做额外的设计，从而增加了生产成本与制程难度。
另外，研究发现，在非COA产品中，以PSVA面板为例，在制作完成彩色光阻层之后会有整面的导电层覆盖其上面，而IPS面板结构中，在制作完成彩色光阻层之后会在其上形成有机覆盖层(Organic Cover，OC)起到平坦和保护的作用，所以在非COA产品中冒泡的不良现象并不常见。
BOA(Black Matrix On Array)技术是将黑色矩阵制作于阵列基板侧的一种集成技术，由于黑色矩阵集成在阵列基板一侧，因此同样能够减少对位偏差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种COA型液晶显示面板，黑色矩阵设于下基板上，且整面覆盖彩色光阻层上的过孔，能够有效改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象。
本发明的目的还在于提供一种COA型液晶显示面板的制作方法，结合BOA技术，将黑色矩阵制作于下基板上，且使黑色矩阵整面覆盖彩色光阻层上的过孔，能够有效改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象。
为实现上述目的，本发明提供一种COA型液晶显示面板，包括下基板、及与所述下基板相对设置的上基板；
所述下基板包括第一衬底基板、设于所述第一衬底基板上的TFT层、设于所述TFT层上的第一钝化层、设于所述第一钝化层上的彩色光阻层、覆盖所述彩色光阻层的第二钝化层、设于所述第二钝化层上的像素电极、及设于所述像素电极、及第二钝化层上的黑色矩阵；
所述TFT层包括设于所述第一衬底基板上的栅极、设于栅极、及第一衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层、及栅极绝缘层上的源极与漏极；
所述彩色光阻层对应于所述漏极上方设有第一过孔，所述第二钝化层经由第一过孔与所述第一钝化层相接触，所述第二钝化层与所述第一钝化层在对应所述第一过孔内的区域设有第二过孔；
所述像素电极经由第二过孔与所述漏极相接触；
所述黑色矩阵的尺寸大于所述第一过孔的尺寸而整面覆盖所述第一过孔与第二过孔。
还包括夹设于所述上基板与下基板之间的液晶层；
所述上基板包括第二衬底基板、及设于所述第二衬底基板面向所述下基板一侧上的公共电极。
还包括分别设于所述上基板与下基板相面对的一侧上的配向膜。
所述彩色光阻层包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元；
所述彩色光阻层的厚度大于所述黑色矩阵的厚度。
所述第一、第二钝化层为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层，所述像素电极为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
本发明还提供一种COA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板，在所述第一衬底基板上形成TFT层；
所述TFT层包括设于所述第一衬底基板上的栅极、设于栅极、及第一衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上的半导体层、及设于所述半导体层、及栅极绝缘层上的源极与漏极；
步骤2、在所述TFT层上沉积形成第一钝化层；
步骤3、在所述第一钝化层上涂布形成彩色光阻层，对所述彩色光阻层进行图案化处理，形成对应于所述漏极上方的第一过孔；
步骤4、沉积形成覆盖所述彩色光阻层的第二钝化层，所述第二钝化层经由第一过孔与所述第一钝化层相接触；
步骤5、对所述第二钝化层与所述第一钝化层进行图案化处理，在对应所述第一过孔内的区域形成第二过孔，从而露出所述漏极的部分上表面；
步骤6、在所述第二钝化层上沉积并图案化形成像素电极，所述像素电极经由第二过孔与所述漏极相接触；
步骤7、在所述像素电极、及第二钝化层上涂布并图案化形成黑色矩阵，得到下基板；
所述黑色矩阵的尺寸大于所述第一过孔的尺寸而整面覆盖所述第一过孔与第二过孔；
步骤8、提供上基板，将所述上基板与下基板进行对组，并在所述上基板和下基板之间灌入液晶，得到COA型液晶显示面板。
所述步骤8提供的上基板包括第二衬底基板、及设于所述第二衬底基板面向所述下基板一侧上的公共电极；
所述步骤8还包括在将所述上基板与下基板进行对组前，在所述上基板与下基板预相面对的一侧上分别形成配向膜的步骤。
所述彩色光阻层包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元；
所述彩色光阻层的厚度大于所述黑色矩阵的厚度。
所述步骤1中形成TFT层的步骤具体包括：
步骤11、在所述第一衬底基板上沉积第一金属层，对所述金属层进行图案化处理，得到栅极，在所述栅极、及所述第一衬底基板上沉积栅极绝缘层；
步骤12、在所述栅极绝缘层上沉积并图案化形成半导体层，在所述半导体层、及栅极绝缘层上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极与漏极。
所述第一、第二钝化层为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层，所述像素电极为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
本发明的有益效果：本发明的COA型液晶显示面板，黑色矩阵设于下基板的像素电极、及第二钝化层上，且整面覆盖彩色光阻层、第一钝化层、及第二钝化层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，进而改善了液晶显示面板因为在彩色光阻层上设置过孔而出现冒泡的不良现象，产品良率高，且制作方法简单。本发明的COA型液晶显示面板的制作方法，结合BOA技术，将黑色矩阵制作于下基板上，形成于像素电极之后，且使黑色矩阵整面覆盖彩色光阻层、第一钝化层、及第二钝化层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，在不增加制程道次的情况下，能够改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象，提高了产品良率，制作方法简单。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其他有益效果显而易见。
附图中，
图1为现有的COA型液晶显示面板的结构示意图；
图2为本发明的COA型液晶显示面板的结构示意图；
图3为本发明的COA型液晶显示面板的制作方法的流程示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种COA型液晶显示面板，包括下基板1、与所述下基板1相对设置的上基板2、及夹设于所述上基板2与下基板1之间的液晶层(未图示)。
所述下基板1包括第一衬底基板10、设于所述第一衬底基板10上的TFT层20、设于所述TFT层20上的第一钝化层30、设于所述第一钝化层30上的彩色光阻层40、覆盖所述彩色光阻层40的第二钝化层50、设于所述第二钝化层50上的像素电极60、及设于所述像素电极60、及第二钝化层50上的黑色矩阵70。
所述TFT层20包括设于所述第一衬底基板10上的栅极21、设于栅极21、及第一衬底基板10上的栅极绝缘层22、设于所述栅极绝缘层22上的半导体层23、及设于所述半导体层23、及栅极绝缘层22上的源极24与漏极25。
所述彩色光阻层40对应于所述漏极25上方设有第一过孔45，所述第二钝化层50经由第一过孔45与所述第一钝化层30相接触，所述第二钝化层50与所述第一钝化层30在对应所述第一过孔45内的区域设有第二过孔55。
具体地，所述第二过孔55的尺寸小于所述第一过孔45的尺寸，并穿过所述第一过孔45，所述第二过孔55的孔壁属于所述第一钝化层30与第二钝化层50。
具体地，所述像素电极60经由第二过孔55与所述漏极25相接触；
具体地，所述黑色矩阵70的尺寸大于所述第一过孔45的尺寸而整面覆盖所述第一过孔45与第二过孔55，从而加强了对彩色光阻层40的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层40中渗出。
具体地，所述上基板2包括第二衬底基板80、及设于所述第二衬底基板80面向所述下基板1一侧上的公共电极90。
具体地，所述COA型液晶显示面板还包括分别设于所述上基板2与下基板1相面对的一侧上的配向膜(未图示)。
具体地，所述彩色光阻层40包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元；所述彩色光阻层40的厚度大于所述黑色矩阵70的厚度。
具体地，所述第一、第二钝化层30、50为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层。
优选地，所述第一、第二钝化层30、50为氮化硅层。
具体地，所述像素电极60为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
优选地，所述像素电极60为铟锡氧化物。
具体地，所述像素电极60同样整面覆盖所述第一过孔45与第二过孔55。
本发明提供的COA型液晶显示面板，黑色矩阵70设于下基板1的像素电极60、及第二钝化层50上，且整面覆盖彩色光阻层40的第一过孔45与第一、第二钝化层30、50的第二过孔55，从而加强了对彩色光阻层40的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层40中渗出，进而改善了液晶显示面板因为在彩色光阻层40上设置过孔而出现冒泡的不良现象，产品良率高，且制作方法简单。
请参阅图3，本发明还提供一种COA型液晶显示面板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板10，在所述第一衬底基板10上形成TFT层20。
具体地，所述TFT层20包括设于所述第一衬底基板10上的栅极21、设于栅极21、及第一衬底基板10上的栅极绝缘层22、设于所述栅极绝缘层22上的半导体层23、及设于所述半导体层23、及栅极绝缘层22上的源极24与漏极25。
具体地，所述步骤1中形成TFT层20的步骤具体包括：
步骤11、在所述第一衬底基板10上沉积第一金属层，对所述金属层进行图案化处理，得到栅极21，在所述栅极21、及所述第一衬底基板10上沉积栅极绝缘层22。
步骤12、在所述栅极绝缘层22上沉积并图案化形成半导体层23，在所述半导体层23、及栅极绝缘层22上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极24与漏极25。
步骤2、在所述TFT层20上沉积形成第一钝化层30。
具体地，所述第一钝化层30为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层。
优选地，所述第一钝化层30为氮化硅层。
步骤3、在所述第一钝化层30上涂布形成彩色光阻层40，对所述彩色光阻层40进行图案化处理，形成对应于所述漏极25上方的第一过孔45。
具体地，所述彩色光阻层40包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元。
步骤4、沉积形成覆盖所述彩色光阻层40的第二钝化层50，所述第二钝化层50经由第一过孔45与所述第一钝化层30相接触。
具体地，所述第二钝化层50为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层。
优选地，所述第二钝化层50为氮化硅层。
步骤5、对所述第二钝化层50与所述第一钝化层30进行图案化处理，在对应所述第一过孔45内的区域形成第二过孔55，从而露出所述漏极25的部分上表面。
具体地，所述第二过孔55穿过所述第一过孔45，所述第二过孔55的尺寸小于所述第一过孔45的尺寸，所述第二过孔55的孔壁属于所述第一钝化层30与第二钝化层50。
步骤6、在所述第二钝化层50上沉积并图案化形成像素电极60，所述像素电极60经由第二过孔55与所述漏极25相接触。
具体地，所述像素电极60整面覆盖所述第一过孔45与第二过孔55。
具体地，所述像素电极60为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
优选地，所述像素电极60为铟锡氧化物。
步骤7、在所述像素电极60、及第二钝化层50上涂布并图案化形成黑色矩阵70，得到下基板1。
具体地，所述黑色矩阵70的尺寸大于所述第一过孔45的尺寸而整面覆盖所述第一过孔45与第二过孔55。
具体地，所述彩色光阻层40的厚度大于所述黑色矩阵70的厚度。
步骤8、提供上基板2，将所述上基板2与下基板1进行对组，并在所述上基板2和下基板1之间灌入液晶，得到COA型液晶显示面板。
具体地，所述步骤8提供的上基板2包括第二衬底基板80、及设于所述第二衬底基板80面向所述下基板1一侧上的公共电极90。
具体地，所述步骤8还包括在将所述上基板2与下基板1进行对组前，在所述上基板2与下基板1预相面对的一侧上分别形成配向膜的步骤。
与现有技术相比，本发明通过调整制程顺序，结合BOA技术，将黑色矩阵70制作于下基板1上，形成于像素电极60之后，且使黑色矩阵70整面覆盖彩色光阻层40的第一过孔45与第一、第二钝化层30、50的第二过孔55，从而加强了对彩色光阻层40的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层40中渗出，在不增加制程道次的情况下，能够改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象，提高了产品良率，制作方法简单。
综上所述，本发明的COA型液晶显示面板，黑色矩阵设于下基板的像素电极、及第二钝化层上，且整面覆盖彩色光阻层、第一钝化层、及第二钝化层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，进而改善了液晶显示面板因为在彩色光阻层上设置过孔而出现冒泡的不良现象，产品良率高，且制作方法简单。本发明的COA型液晶显示面板的制作方法，结合BOA技术，将黑色矩阵制作于下基板上，形成于像素电极之后，且使黑色矩阵整面覆盖彩色光阻层、第一钝化层、及第二钝化层上的过孔，从而加强了对彩色光阻层的保护能力，能够防止气泡从彩色光阻层中渗出，在不增加制程道次的情况下，能够改善液晶显示面板出现冒泡的不良现象，提高了产品良率，制作方法简单。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种COA型液晶显示面板，其特征在于，包括下基板(1)、及与所述下基板(1)相对设置的上基板(2)；
所述下基板(1)包括第一衬底基板(10)、设于所述第一衬底基板(10)上的TFT层(20)、设于所述TFT层(20)上的第一钝化层(30)、设于所述第一钝化层(30)上的彩色光阻层(40)、覆盖所述彩色光阻层(40)的第二钝化层(50)、设于所述第二钝化层(50)上的像素电极(60)、及设于所述像素电极(60)、及第二钝化层(50)上的黑色矩阵(70)；
所述TFT层(20)包括设于所述第一衬底基板(10)上的栅极(21)、设于栅极(21)、及第一衬底基板(10)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)、及栅极绝缘层(22)上的源极(24)与漏极(25)；
所述彩色光阻层(40)对应于所述漏极(25)上方设有第一过孔(45)，所述第二钝化层(50)经由第一过孔(45)与所述第一钝化层(30)相接触，所述第二钝化层(50)与所述第一钝化层(30)在对应所述第一过孔(45)内的区域设有第二过孔(55)；
所述像素电极(60)经由第二过孔(55)与所述漏极(25)相接触；
所述黑色矩阵(70)的尺寸大于所述第一过孔(45)的尺寸而整面覆盖所述第一过孔(45)与第二过孔(55)。
2.如权利要求1所述的COA型液晶显示面板，其特征在于，还包括夹设于所述上基板(2)与下基板(1)之间的液晶层；
所述上基板(2)包括第二衬底基板(80)、及设于所述第二衬底基板(80)面向所述下基板(1)一侧上的公共电极(90)。
3.如权利要求1所述的COA型液晶显示面板，其特征在于，还包括分别设于所述上基板(2)与下基板(1)相面对的一侧上的配向膜。
4.如权利要求1所述的COA型液晶显示面板，其特征在于，所述彩色光阻层(40)包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元；
所述彩色光阻层(40)的厚度大于所述黑色矩阵(70)的厚度。
5.如权利要求1所述的COA型液晶显示面板，其特征在于，所述第一、第二钝化层(30、50)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层，所述像素电极(60)为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
6.一种COA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供第一衬底基板(10)，在所述第一衬底基板(10)上形成TFT层(20)；
所述TFT层(20)包括设于所述第一衬底基板(10)上的栅极(21)、设于栅极(21)、及第一衬底基板(10)上的栅极绝缘层(22)、设于所述栅极绝缘层(22)上的半导体层(23)、及设于所述半导体层(23)、及栅极绝缘层(22)上的源极(24)与漏极(25)；
步骤2、在所述TFT层(20)上沉积形成第一钝化层(30)；
步骤3、在所述第一钝化层(30)上涂布形成彩色光阻层(40)，对所述彩色光阻层(40)进行图案化处理，形成对应于所述漏极(25)上方的第一过孔(45)；
步骤4、沉积形成覆盖所述彩色光阻层(40)的第二钝化层(50)，所述第二钝化层(50)经由第一过孔(45)与所述第一钝化层(30)相接触；
步骤5、对所述第二钝化层(50)与所述第一钝化层(30)进行图案化处理，在对应所述第一过孔(45)内的区域形成第二过孔(55)，从而露出所述漏极(25)的部分上表面；
步骤6、在所述第二钝化层(50)上沉积并图案化形成像素电极(60)，所述像素电极(60)经由第二过孔(55)与所述漏极(25)相接触；
步骤7、在所述像素电极(60)、及第二钝化层(50)上涂布并图案化形成黑色矩阵(70)，得到下基板(1)；
所述黑色矩阵(70)的尺寸大于所述第一过孔(45)的尺寸而整面覆盖所述第一过孔(45)与第二过孔(55)；
步骤8、提供上基板(2)，将所述上基板(2)与下基板(1)进行对组，并在所述上基板(2)和下基板(1)之间灌入液晶，得到COA型液晶显示面板。
7.如权利要求6所述的COA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤8提供的上基板(2)包括第二衬底基板(80)、及设于所述第二衬底基板(80)面向所述下基板(1)一侧上的公共电极(90)；
所述步骤8还包括在将所述上基板(2)与下基板(1)进行对组前，在所述上基板(2)与下基板(1)预相面对的一侧上分别形成配向膜的步骤。
8.如权利要求6所述的COA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述彩色光阻层(40)包括红色色阻单元、绿色色阻单元、及蓝色色阻单元；
所述彩色光阻层(40)的厚度大于所述黑色矩阵(70)的厚度。
9.如权利要求6所述的COA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述步骤1中形成TFT层(20)的步骤具体包括：
步骤11、在所述第一衬底基板(10)上沉积第一金属层，对所述金属层进行图案化处理，得到栅极(21)，在所述栅极(21)、及所述第一衬底基板(10)上沉积栅极绝缘层(22)；
步骤12、在所述栅极绝缘层(22)上沉积并图案化形成半导体层(23)，在所述半导体层(23)、及栅极绝缘层(22)上沉积第二金属层，对所述第二金属层进行图案化处理，得到源极(24)与漏极(25)。
10.如权利要求6所述的COA型液晶显示面板的制作方法，其特征在于，所述第一、第二钝化层(30、50)为氮化硅层、氧化硅层、或者氮化硅层与氧化硅层组成的复合层，所述像素电极(60)为铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物中的一种或多种。
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