CN105932040A - 一种底发射型显示面板及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种底发射型显示面板及其制备方法。所述底发射型显示面板包括TFT基板，设置在所述TFT基板上的光反射结构，设置在所述光反射结构上的平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT基板上未设置光反射结构的区域，设置在所述平坦层上的底发射发光器件，且所述底发射发光器件之间设置有像素bank，其中，所述光反射结构绕设于所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的边缘区域。

Description

一种底发射型显示面板及其制备方法

技术领域

本发明属于平板显示技术领域，尤其涉及一种底发射型显示面板及其制备方法。

背景技术

在信息社会的当代，作为可视信息传输媒介的显示器的重要性在进一步加强，为了在未来占据主导地位，显示器正朝着更轻、更薄、更低能耗、更低成本以及更好图像质量的趋势发展。有机电致发光二极管(OLED)由于其具有自发光、反应快、视角广、亮度高、轻薄等优点，其潜在的市场前景被业界看好。量子点发光二极管(QLED)由于其光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色易调等优点，近年来成了OLED的有力竞争者。因此，这两种显示技术是目前显示领域发展的两个主要方向。

底发射型器件由于通过常用高透光率的ITO作为底电极，其制作工艺简单，技术更为成熟，因此相对顶发射器件更易于量产。目前的商业化的OLED显示面板基本都采用底发射器件结构。但在底发射的显示器件结构中，仍存在一些问题。具体的，由于OLED和QLED均为面光源，因此，其侧面以及正面均有光出射。而目前的发光器件结构中，侧面出射的光基本被损耗掉，这样不仅会降低发光器件的出光效率，甚至会对光敏感的驱动TFT产生影响。因此，现有技术有待进一步改进和发展。

发明内容

本发明的目的在于提供一种底发射型显示面板，旨在解决现有底发射型显示面板侧面出光导致出光效率低、驱动TFT受影响，进而导致稳定性差的问题。

本发明的另一目的在于提供一种底发射型显示面板的制备方法。

本发明是这样实现的，一种底发射型显示面板，包括TFT基板，设置在所述TFT基板上的光反射结构，设置在所述光反射结构上的平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT基板上未设置光反射结构的区域，设置在所述平坦层上的底发射发光器件，且所述底发射发光器件之间设置有像素bank，其中，所述光反射结构绕设于所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的边缘区域。

以及，一种底发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一具有TFT阵列的TFT基板，其中，所述TFT阵列表面覆盖保护层；

在所述TFT基板上、沿着所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的边缘区域制作光反射结构；

在所述光反射结构和未设置光反射结构的所述TFT基板上制作平坦层；

在所述平坦层上挖孔形成连接孔，并制作通过所述连接孔与所述TFT阵列的S/D电极电连接的透明像素电极；

制作像素bank，且所述像素bank露出像素发光区域的所述透明像素电极；

在所述透明像素电极上沉积发光层以及反射顶电极。

本发明提供的底发射型显示面板，通过在底发射发光像素单元的出光侧引入光反射结构，使得从所述底发射发光器件侧面出射的光可以经所述光反射结构反射、从正面出射，从而提高了显示面板的出光效率；同时，所述光反射结构的设置，还能避免出射光的光子对TFT阵列的照射，进而提高面板的稳定性。

本发明提供的底发射型显示面板的制备方法，方法简单，工艺相对成熟易控，易于实现产业化。

附图说明

图1是本发明实施例提供的底发射型显示面板的结构示意图；

图2是本发明实施例提供光反射结构的结构示意图；

图3是本发明实施例提供的底发射型显示面板的制备方法流程示意图；

图4是本发明实施例提供的TFT基板的结构示意图；

图5是本发明实施例提供的在TFT基板上制作光反射结构后的结构示意图；

图6是本发明实施例提供的制作完平坦层后的结构示意图；

图7是本发明实施例提供的制作完透明像素电极后的结构示意图；

图8是本发明实施例提供的制作完像素bank后的结构示意图。

具体实施方式

为了使本发明要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

结合图1-2，本发明实施例提供了一种底发射型显示面板，包括TFT基板1，设置在所述TFT基板1上的光反射结构2，设置在所述光反射结构2上的平坦层3，且所述平坦层3覆盖所述TFT基板1上未设置所述光反射结构2的区域，设置在所述平坦层3上的底发射发光器件4，且所述底发射发光器件4之间设置有像素bank 5，其中，所述光反射结构2绕设于所述底发射发光器件4在所述TFT基板1的投影区的边缘区域。

具体的，本发明实施例中，所述TFT基板1上具有用于驱动所述底发射发光器件4的TFT阵列，且在所述TFT阵列上，覆盖有保护层。其中，所述TFT阵列为本领域常规结构的TFT阵列，可以是硅基TFT，也可以是氧化物TFT；所述保护层为钝化层，可以防止后续工艺对所述TFT阵列的破坏。

本发明实施例中，为了提高出射光的出光效率，在所述底发射发光器件4的出光面设置了所述光反射结构2。由于单独采用反射金属来制作反射结构时，通过刻蚀形成的反射结构侧面较为粗糙，很难形成高光学反射的反射侧面。因此，本发明实施例所述光反射结构2优选为包括设置在所述TFT基板1上的反射结构主体21和设置在所述反射结构主体21表面的反射表面22，即通过先制作所述光反射主体21、然后在所述光反射主体21上制作反射表面22的方式，来实现光滑且高光学反射率的光反射结构2。进一步的，所述光反射主体21优选采用有机材料制成，更优选采用感光树脂材料制成，优选的材料有利于所述光反射结构2的主体结构图案的形成。作为另一个优选实施例，所述光反射主体21的厚度为1-5μm。所述反射表面22优选采用光学反射率高金属或金属合金制成，包括但不限于Ag、Al等高反射性金属或合金。

本发明实施例中，如图2所示，所述反射表面22包括近所述底发射发光器件4在所述TFT基板1的投影区的内壁面221和所述内壁面221在所述反射结构主体21顶部延伸形成的上表面222。所述内壁面221可以对从所述底发射发光器件4发出的出射光进行有效反射，从而提高所述底发射型显示面板的出光效率；所述上表面222可进一步避免所述底发射发光器件4的光子照射到所述驱动TFT影响其性能，从而提高显示面板的稳定性。为了便于所述反射表面22的制备、简化所述底发射型显示面板的制作工艺，可在所述反射结构主体21的整体表面制备所述反射表面22，即所述反射表面22包括所述内壁面221、所述上表面222和与所述内壁面221相对的外壁面223。

进一步的，本发明实施例中，所述反射表面22的所述内壁面221的设置角度对出射光的反射效果有一定的影响。作为优选实施例，所述内壁面221与所述光反射结构2的底面形成60-90°的夹角(图2中所示α)，从而更好地实现出射光的反射，提高出光效率。若角度太小，出射光经反射后会被反射回所述底发射发光器件4，无法从出光侧射出；若角度太大(>90°)，所述上表面会对所述内壁面造成阻挡，从而减少可被反射的光。

作为进一步优选实施例，所述光反射结构2的纵切面呈梯形。该优选的结构，通过常规的曝光显影工艺或刻蚀即可实现，可简化工艺。

本发明实施例所述平坦层3用于平坦化所述光反射结构2以及所述TFT阵列引起的基板表面凹凸结构，从而便于后面像素Bank 5的制作。所述平坦层3的材料和厚度没有严格限制，可参照本领域常规技术进行。

本发明实施例中，所述底发射发光器件4为OLED或QLED平面型主动发光器件。所述底发射发光器件4由依次设置在所述平坦层3上的透明底电极41、发光层42和反射顶电极43组成。其中，所述透明底电极41为本领域常规的导电透明薄膜组成，如ITO、IZO等。所述发光层42包括光发射层，所述光发射层42可以根据发光器件类型的不同，选择有机发光材料或量子点发光材料。优选的，所述发光层42还可以包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层中的至少一层。作为较佳实施例，所述发光层42为包括空穴注入层、空穴传输层、光发射层、电子传输层、电子注入层、空穴阻挡层、电子阻挡层的多层层叠结构。所述反射顶电极43为导电金属薄膜，包括但不限于Al、Ag、Cu、Au或它们的合金。

在所述底发射发光器件4之间设置有像素bank 5，所述像素bank 5用于定义各像素(发光器件)的大小以及位置。所述像素bank 5的材料和厚度可采用本领域的常规设置。

本发明实施例提供的底发射型显示面板，通过在底发射发光像素单元的出光侧引入光反射结构，使得从所述底发射发光器件侧面出射的光可以经所述光反射结构反射、从正面出射，从而提高了显示面板的出光效率；同时，所述光反射结构的设置，还能避免出射光的光子对TFT阵列的照射，进而提高面板的稳定性。

本发明实施例所述底发射型显示面板，可以通过下述方法制备获得。

以及，结合图1、3-8，本发明实施例还提供了一种底发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤，流程示意图如图3所示：

S01.提供一具有TFT阵列的TFT基板1，其中，所述TFT阵列表面覆盖保护层；

S02.在所述TFT基板1上、沿着所述底发射发光器件4在所述TFT基板1的投影区的边缘区域制作光反射结构2；

S03.在所述光反射结构2和未设置光反射结构2的所述TFT基板1上制作平坦层3；

S04.在所述平坦层3上挖孔形成连接孔，并制作通过所述连接孔与所述TFT阵列的S/D电极电连接的透明像素电极41；

S05.制作像素bank 5，且所述像素bank 5露出像素发光区域的所述透明像素电极41；

S06.在所述透明像素电极41上沉积发光层42以及反射顶电极43。

具体的，上述步骤S01中，提供一TFT基板1，如图4所示。所述TFT基板1为包括TFT阵列(图中未标出)的基板，所述TFT阵列表面覆盖有保护层(图中未标出)，所述保护层为钝化层。

上述步骤S02中，本发明实施例沿着所述底发射发光器件4在所述TFT基板1的投影区的边缘区域制作图案化的光反射结构2，具体的，所述光反射结构2包括设置在所述TFT基板1上的反射结构主体21，和设置在所述反射结构主体21表面的反射表面22。在所述TFT基板1上制备所述光反射结构2后的结构如图5所示。

上述步骤S03中，在所述光反射结构2和未设置光反射结构1的所述TFT基板1上制作平坦层3，所述平坦层3用于平坦化所述光反射结构2以及TFT阵列引起的基板表面凹凸结构，从而便于后期的透明像素电极41以及像素bank5的制作。所述平坦层3的制备方法可采用本领域常规方法制备获得，制作完所述平坦层3后的结构如图6所示。

上述步骤S04中，在所述平坦层3上挖孔制作用于实现所述TFT阵列的S/D电极和所述透明像素电极41之间电连接的连接孔(图中未标出)，之后，制作所述透明像素电极41。所述连接孔和所述透明像素电极41的制备方法可采用本领域常规方法制备获得，制作完所述透明像素电极41后的结构如图7所示。

上述步骤S05中，所述像素bank 5用于定义像素(发光器件)的大小和位置，所述bank 5在用于形成像素区域的周边，并露出像素发光区域(发光器件)的所述透明像素电极41。所述像素bank 5的制备方法可采用本领域常规方法制备获得，制作完所述像素bank 5后的结构如图8所示。

上述步骤S06中，在所述透明像素电极41上沉积发光层42和反射顶电极43，所述透明像素电极41、发光层42和反射顶电极43共同形成底发射发光器件4。制作完所述底发射发光器件4后的结构如图1所示。

本发明实施例提供的底发射型显示面板的制备方法，方法简单，工艺相对成熟易控，易于实现产业化。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种底发射型显示面板，其特征在于，包括TFT基板，设置在所述TFT基板上的光反射结构，设置在所述光反射结构上的平坦层，且所述平坦层覆盖所述TFT基板上未设置光反射结构的区域，设置在所述平坦层上的底发射发光器件，且所述底发射发光器件之间设置有像素bank，其中，所述光反射结构绕设于所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的边缘区域。

2.如权利要求1所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述光反射结构包括设置在所述TFT基板上的反射结构主体和设置在所述反射结构主体表面的反射表面。

3.如权利要求2所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的内壁面和所述内壁面在所述反射结构主体顶部延伸形成的上表面。

4.如权利要求2所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述反射表面包括近所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的内壁面、所述内壁面在所述反射结构主体顶部延伸形成的上表面、以及与所述内壁面相对的外壁面。

5.如权利要求3或4所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述内壁面与所述光反射结构的底面形成60-90°的夹角。

6.如权利要求2所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述反射结构主体的材料为感光树脂材料；和/或

所述反射表面的材料为金属或金属合金。

7.如权利要求2所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述反射结构主体的厚度为1-5μm。

8.如权利要求1-4任一所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述光反射结构的纵切面呈梯形。

9.如权利要求1-4任一所述的底发射型显示面板，其特征在于，所述底发射发光器件为OLED器件或QLED器件。

10.一种底发射型显示面板的制备方法，包括以下步骤：

提供一具有TFT阵列的TFT基板，其中，所述TFT阵列表面覆盖保护层；

在所述TFT基板上、沿着所述底发射发光器件在所述TFT基板的投影区的边缘区域制作光反射结构；

在所述光反射结构和未设置光反射结构的所述TFT基板上制作平坦层；

在所述平坦层上挖孔形成连接孔，并制作通过所述连接孔与所述TFT阵列的S/D电极电连接的透明像素电极；

制作像素bank，且所述像素bank露出像素发光区域的所述透明像素电极；

在所述透明像素电极上沉积发光层以及反射顶电极。