CN105843001A - 一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法。
背景技术
在集成电路制造工艺中，光刻涂层的去除最常用的方法是高温灰化工艺，一般采用温度高于250℃的氧化处理。但对于基底为含碳多孔材料时，如low-k材料，高温氧化工艺在去除光刻涂层的同时，对基底也会带来较大损伤。
发明内容
本发明目的是提供一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，解决现有技术中存在的上述问题。
本发明解决上述技术问题的技术方案如下：
一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，包括如下步骤：
步骤1，采用有机溶剂去除基底表面和深孔中的光刻涂层；
步骤2，采用低温氧化工艺进一步去除深孔中残留的光刻涂层；
其中，所述光刻涂层包括光刻胶涂层和抗反射涂层。
本发明的有益效果是：将有机溶剂去除和低温氧化工艺去除相结合，并且采用有机溶剂先去除基底表面和深孔中较易溶于有机溶剂中的光刻涂层，对于深孔中残留的光刻涂层再采用低温氧化工艺去除；有效克服了有机溶剂去除不彻底和低温氧化工艺去除速度慢、能力不强的缺陷；在不损伤含碳多孔材料基底的同时，增大光刻涂层的去除能力，将光刻涂层完全去除干净，并且保证了含碳多孔材料基底的孔状结构的结构性能和电学性能，为后续的工艺处理提供方便。
在上述技术方案的基础上，本发明还可以做如下改进。
进一步，所述步骤1的具体实现为，在室温条件下，将有机溶剂喷射到基底表面，通过旋转基底，将有机溶剂均匀覆盖于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂层溶于有机溶剂后，通过高速旋转基底，将有机溶剂甩除。
进一步，所述有机溶剂为PGME与PGMEA按预设比例混合的混合溶剂。
进一步，所述预设比例为3:2、7:3或4:1。
进一步，所述步骤2的具体实现为，在低温条件下，向机台中充入氧气，采用高能电离形成等离子，电离出高浓度的氧离子，所述氧离子与深孔中残留的光刻涂层发生氧化反应生成二氧化碳和水，再通过风泵抽除所述二氧化碳和水。
进一步，所述低温条件所采用的温度不大于100℃。
采用上述进一步方案的有益效果是，避免温度过高，损伤含碳多孔材料基底。
进一步，所述低温条件所采用的温度为50℃。
采用上述进一步方案的有益效果是，温度低，氧化速度慢、能力不强；温度高，高能氧离子又易损伤含碳多孔材料基底，50℃能够有效兼顾氧化速度、氧化能力和对含碳多孔材料基底的损伤。
附图说明
图1为本发明一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法的方法流程图。
具体实施方式
以下结合附图对本发明的原理和特征进行描述，所举实例只用于解释本发明，并非用于限定本发明的范围。
如图1所示，一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，包括如下步骤：
步骤1，采用有机溶剂去除基底表面和深孔中的光刻涂层；所述光刻涂层包括光刻胶涂层和抗反射涂层。
所述步骤1的具体实现为，在室温条件下，将有机溶剂喷射到基底表面，通过旋转基底，将有机溶剂均匀覆盖于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂层溶于有机溶剂后，通过高速旋转基底，将有机溶剂甩除。
所述有机溶剂为PGME与PGMEA按预设比例混合的混合溶剂。所述预设比例为3:2、7:3或4:1。
步骤2，采用低温氧化工艺进一步去除深孔中残留的光刻涂层。
所述步骤2的具体实现为，在低温条件下，向机台中充入氧气，采用高能电离形成等离子，电离出高浓度的氧离子，所述氧离子与深孔中残留的光刻涂层发生氧化反应生成二氧化碳和水，再通过风泵抽除所述二氧化碳和水。
所述低温条件所采用的温度不大于100℃，通常在室温到60℃之间选择，如50℃。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (7)
1.一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，采用有机溶剂去除基底表面和深孔中的光刻涂层；
步骤2，采用低温氧化工艺进一步去除深孔中残留的光刻涂层；
其中，所述光刻涂层包括光刻胶涂层和抗反射涂层。
2.根据权利要求1所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述步骤1的具体实现为，在室温条件下，将有机溶剂喷射到基底表面，通过旋转基底，将有机溶剂均匀覆盖于基底表面，待基底表面和深孔中的光刻涂层溶于有机溶剂后，通过高速旋转基底，将有机溶剂甩除。
3.根据权利要求1所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述有机溶剂为PGME与PGMEA按预设比例混合的混合溶剂。
4.根据权利要求3所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述预设比例为3:2、7:3或4:1。
5.根据权利要求1所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述步骤2的具体实现为，在低温条件下，向机台中充入氧气，采用高能电离形成等离子，电离出高浓度的氧离子，所述氧离子与深孔中残留的光刻涂层发生氧化反应生成二氧化碳和水，再通过风泵抽除所述二氧化碳和水。
6.根据权利要求5所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述低温条件所采用的温度不大于100℃。
7.根据权利要求6所述一种用于含碳多孔材料基底的光刻涂层的去除方法，其特征在于，所述低温条件所采用的温度为50℃。
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