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CN105762212A - 一种透光太阳能电池组件 - Google Patents

一种透光太阳能电池组件 Download PDF

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Publication number
CN105762212A
CN105762212A CN201610130729.XA CN201610130729A CN105762212A CN 105762212 A CN105762212 A CN 105762212A CN 201610130729 A CN201610130729 A CN 201610130729A CN 105762212 A CN105762212 A CN 105762212A
Authority
CN
China
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layer
solar cell
light
conductive oxide
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201610130729.XA
Other languages
English (en)
Inventor
陆希悦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Suzhou Tianqing Electronic Communication Co Ltd
Original Assignee
Suzhou Tianqing Electronic Communication Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Suzhou Tianqing Electronic Communication Co Ltd filed Critical Suzhou Tianqing Electronic Communication Co Ltd
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Publication of CN105762212A publication Critical patent/CN105762212A/zh
Pending legal-status Critical Current

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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10FINORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
    • H10F19/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one photovoltaic cell covered by group H10F10/00, e.g. photovoltaic modules
    • H10F19/80Encapsulations or containers for integrated devices, or assemblies of multiple devices, having photovoltaic cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy

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  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

本发明公开了一种透光太阳能电池组件,自上向下依次包括:前板透光衬底层、第一导电氧化物层、热熔胶膜层、第二导电氧化物层、封装层、背板透光衬底层和陶瓷膜片层;所述热熔胶膜层内置有光电转化薄膜和太阳能电池片;所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层内置有导电片;所述太阳能电池片间隔式嵌入在所述光电转化薄膜中,所述导电片穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。本发明一种透光太阳能电池组件,结构简单、轻便、设计合理,使得太阳能电池板具有多色透光性能,提高了太阳能转化率和室内透光性,且保持了电池的完好性,不是一种综合性能优异的透光太阳能电池组件。

Description

一种透光太阳能电池组件
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域,特别是涉及一种透光太阳能电池组件。
背景技术
在当今能源短缺的现状下,光伏产业的兴起给我们带来了新的动力。除了将太阳能电池组件用于发现外,还可用于建筑建设中作为屋顶、窗户、幕墙或者它们的一部分,从而给室内增加透光度和热能。但太阳能组件通常不透光,不能满足室内透光的要求。目前市面上透光薄膜太阳电池组件大多采用绿激光或红外激光进行横向划刻,以去除硅层和背电极层来达到透光目的,但该种制造方法样式单一,且多次划刻破坏电池结构,同时造成短路等影响,导致电池有效面积损失远大于蚀刻面积,从而影响组件的性能表现,存在多种弊端。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种透光太阳能电池组件,能够解决目前制备透光太阳能带来的上述不足之处。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种透光太阳能电池组件,自上向下依次包括:前板透光衬底层、第一导电氧化物层、热熔胶膜层、第二导电氧化物层、封装层、背板透光衬底层和陶瓷膜片层;所述热熔胶膜层内置有光电转化薄膜和太阳能电池片;所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层内置有导电片;所述太阳能电池片间隔式嵌入在所述光电转化薄膜中,所述导电片穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一导电氧化物层、第二导电氧化物层、热熔胶层、封装层和陶瓷膜片层均为透明状。
在本发明一个较佳实施例中,所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层为TCO薄膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述封装层为PVB膜。
在本发明一个较佳实施例中,所述光电转化薄膜为非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种。
本发明的有益效果是:本发明一种透光太阳能电池组件,结构简单、轻便、设计合理,使得太阳能电池板具有多色透光性能,提高了太阳能转化率和室内透光性,且保持了电池的完好性,不是一种综合性能优异的透光太阳能电池组件。
附图说明
图1是本发明一种透光太阳能电池组件一较佳实施例的立体结构示意图;
附图中各部件的标记如下:1.前板透光衬底层,2.第一导电氧化物层,3.热熔胶膜层,4.第二导电氧化物层,5.封装层,6.背板透光衬底层,7.陶瓷膜片层,8.光电转化薄膜,9.太阳能电池片,10.导电片。
具体实施方式
下面结合附图对本发明的较佳实施例进行详细阐述,以使本发明的优点和特征能更易于被本领域技术人员理解,从而对本发明的保护范围做出更为清楚明确的界定。
请参阅图1,本发明实施例包括:
一种透光太阳能电池组件,包括自上向下依次粘结的前板透光衬底层1、第一导电氧化物层2、热熔胶膜层3、第二导电氧化物层4、封装层5、背板透光衬底层6和陶瓷膜片层7。
所述热熔胶膜层3内置有光电转化薄膜8和太阳能电池片9;且太阳能电池片9间隔式嵌入在所述光电转化薄膜8中。
所述第一导电氧化物层2和第二导电氧化物层4均为透明的TCO薄膜,其内置有导电片10,且导电片10部分穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。透明导电氧化物(transparentconductiveoxide,简称TCO)薄膜主要包括In、Sb、Zn和Cd的氧化物及其复合多元氧化物薄膜材料。
所述第一导电氧化物层2、第二导电氧化物层4、热熔胶层3、封装层5和陶瓷膜片7层均为透明状,其中所述封装层为PVB膜。
所述光电转化薄膜8为非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种。
上述太阳能电池组件的透光制备方法为:采用532nm绿激光在5~10μm的范围之内进行重复划刻。
光电转化薄膜和PVB膜赋予太阳能电池组件多色透光性能。
以上所述仅为本发明的实施例,并非因此限制本发明的专利范围,凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换,或直接或间接运用在其他相关的技术领域,均同理包括在本发明的专利保护范围内。

Claims (5)

1.一种透光太阳能电池组件,其特征在于,自上向下依次包括:前板透光衬底层、第一导电氧化物层、热熔胶膜层、第二导电氧化物层、封装层、背板透光衬底层和陶瓷膜片层;所述热熔胶膜层内置有光电转化薄膜和太阳能电池片;所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层内置有导电片;所述太阳能电池片间隔式嵌入在所述光电转化薄膜中,所述导电片穿过所述热熔胶层与所述光电转化薄膜或太阳能电池片相接。
2.根据权利要求1所述的透光太阳能电池组件,其特征在于,所述第一导电氧化物层、第二导电氧化物层、热熔胶层、封装层和陶瓷膜片层均为透明状。
3.根据权利要求1或2所述的透光太阳能电池组件,其特征在于,所述第一导电氧化物层和第二导电氧化物层为TCO薄膜。
4.根据权利要求1或2所述的透光太阳能电池组件,其特征在于,所述封装层为PVB膜。
5.根据权利要求1所述的透光太阳能电池组件,其特征在于,所述光电转化薄膜为非晶硅单结薄膜电池层,非晶硅/非晶硅双结薄膜电池层,非晶硅/非晶锗化硅双结薄膜电池层,非晶硅/微晶硅双结薄膜电池层、非晶硅/非晶锗化硅/微晶硅三结薄膜电池层,铜铟镓硒电池层、碲化镉电池层中的任意一种。
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