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CN105683319A - 半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法 - Google Patents

半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法 Download PDF

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CN105683319A
CN105683319A CN201480059393.1A CN201480059393A CN105683319A CN 105683319 A CN105683319 A CN 105683319A CN 201480059393 A CN201480059393 A CN 201480059393A CN 105683319 A CN105683319 A CN 105683319A
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methyl
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acrylate
semiconductor
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根津裕介
加太章生
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Lintec Corp
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Abstract

本发明提供一种半导体接合用粘接片，其可埋藏凸块电极等突起状电极，其结果，背面研削性优异。本发明的半导体接合用粘接片由基材、凹凸吸收层、粘着剂层、及粘接剂层依次层叠而成，粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成，粘接剂层可剥离地形成于粘着剂层上。

Description

半导体接合用粘接片及半导体装置的制造方法
技术领域
本发明涉及一种特别适用于将硅晶圆等晶割、且将所获得的半导体芯片粘接(黏晶)于有机基板或引线框架或其他半导体芯片的工序中使用的半导体接合用粘接片及使用该粘接片的半导体装置的制备方法。
背景技术
硅、镓砷等半导体晶圆以大直径状态制造，该晶圆在被切断分离(晶割)成元件小片(半导体芯片)后，被移往下一工序的粘晶工序。此时，半导体晶圆会因背面研削工序而被薄化，然后，经由晶割、洗净、干燥、扩展、拾取等各项工序后，再被移送往下一工序的焊接工序。
焊接工序中，当将半导体芯片安装于印刷电路板时，有采用在半导体芯片的电路面侧的耦接焊垫部上形成由共晶焊料、高温焊料、金等构成的导通用突起物(凸块电极)，再利用所谓“倒置方式(face-down)”，使这些凸块电极面对面接触于芯片搭载用基板上相对应的端子部，并熔融/扩散接合的覆晶安装方法。此种安装方法若使用近年普及的通称“裸芯片附着膜(DieAttachmentFilm)”，将粘贴于晶圆状态的晶圆实施单片化而获得芯片，在粘晶时使用供将芯片与芯片搭载用基板予以粘接用的粘接膜，相较于使用其他形态的填底胶材的下较为简便。
作为上述用途所使用的层叠片，在专利文献1中所公开的层叠片，其中，具有在基材上形成粘着剂层的构成的背面研磨胶带、以及设置在上述背面研磨胶带的上述粘着剂层上的树脂组合物层，上述粘着剂层为放射线固化型粘着剂层。专利文献1的层叠片中，树脂组合物层具有上述粘接膜的功能。
然而，专利文献1的层叠片，无法将凸块电极充分埋藏于该层叠片中，若实施晶圆的背面研削，便会导致研削面出现凹洞(凹点)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开2013-123002号公报
发明内容
本发明要解决的技术问题
因此，本发明目的在于提供一种半导体接合用粘接片，其可埋藏凸块电极等突起状电极，其结果，背面研削性优异。此外，本发明目的在于提供一种半导体接合用粘接片，其在粘着剂层与粘接膜(粘接剂层)的界面处的剥离性优异。
解决技术问题的技术手段
解决上述技术问题的本发明，包含有以下主旨。
[1]一种半导体接合用粘接片，其由基材、凹凸吸收层、粘着剂层、及粘接剂层依次层叠而成，其中，
粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成，
粘接剂层可剥离地形成于粘着剂层上。
[2]如[1]所述的半导体接合用粘接片，其中，70℃下的凹凸吸收层的tanδ为0.5以上。
[3]如[1]或[2]所述的半导体接合用粘接片，其中，该粘接片粘贴于表面形成有突起状电极的半导体晶圆的表面，
粘接剂层的厚度比突起状电极的高度小。
[4]如[1]～[3]中任一项所述的半导体接合用粘接片，其中，凹凸吸收层由含胺酯聚合物的固化性组合物的固化物、或乙烯-α-烯烃共聚物构成。
[5]一种半导体装置的制造方法，其为使用上述[1]～[4]中任一项所述的半导体接合用粘接片的半导体装置的制造方法，其包括：
在晶圆上粘贴半导体接合用粘接片的粘接剂层的工序，以及对晶圆背面实施研削的工序。
发明效果
本发明的半导体接合用粘接片可适用于覆晶安装方法，能将在半导体晶圆表面上形成的电路的凹凸(例如突起状电极)埋藏于该粘接片中。因此，可良好地实施半导体晶圆的背面研削。此外，本发明的半导体接合用粘接片的粘着剂层与粘接剂层的界面处的剥离性优异。
附图说明
图1为表示本发明第1构成的半导体接合用粘接片的图；
图2为表示本发明第2构成的半导体接合用粘接片的图。
具体实施方式
以下，针对本发明的半导体接合用粘接片更进一步进行具体说明。如图1及图2所示，本发明的半导体接合用粘接片10由基材1、凹凸吸收层2、粘着剂层3、及粘接剂层4依次层叠而成。
(基材)
基材并无特别的限制，可使用例如：聚乙烯膜、聚丙烯膜、聚丁烯膜、聚丁二烯膜、聚甲基戊烯膜、聚氯乙烯膜、氯乙烯共聚物膜、聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、聚萘二甲酸乙二醇酯膜、聚对苯二甲酸丁二醇酯膜、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物膜、离子聚合物树脂膜、乙烯·(甲基)丙烯酸共聚物膜、乙烯-(甲基)丙烯酸酯共聚物膜、聚苯乙烯膜、聚碳酸酯膜、聚酰亚胺膜、氟树脂膜等膜。此外，还可使用它们的交联膜。此外，还可为它们的层叠膜。此外，还可使用对它们着色的膜等。
基材的厚度并无特别的限制，优选为20～300μm、更优选为60～150μm。通过将基材的厚度设定在上述范围内，半导体接合用粘接片便具有充分的可挠性，因而对半导体晶圆等工件呈良好的粘贴性。
此外，在基材邻接凹凸吸收层的面上，为能提高供形成凹凸吸收层用的组合物(凹凸吸收层用组合物)的润湿性，可实施电晕处理、或设置底漆层。底漆层可以是由粘接剂构成的层。底漆层的厚度并无特别的限制。
这类粘接剂并无特别的限制，可使用现有广泛使用的粘接剂，例如：丙烯酸类、橡胶类、硅酮类等粘接剂；聚酯类、聚酰胺类、乙烯共聚物类、环氧类、胺酯类等热可塑性或热固化性粘接剂；丙烯酸类、胺酯类等紫外线固化型粘接剂、电子束固化型粘接剂。
(凹凸吸收层)
本发明的半导体接合用粘接片通过设有凹凸吸收层，可将在半导体晶圆表面上所形成电路的凹凸埋藏于半导体接合用粘接片中。即，当将本发明的半导体接合用粘接片粘贴于表面上设有电路的半导体晶圆(特别是表面有形成突起状电极的半导体晶圆)表面时，对电路凹凸的追随性优异，可将电路的凹凸吸收于该粘接片中。因此，实施晶圆的背面研削时，可确实防止对晶圆的电路面的研削水等侵入，且在研削面上不易形成凹洞(凹点)。若研削面产生凹点，则半导体晶圆、或将该晶圆实施单片化而获得的半导体芯片容易破损，导致组装其的半导体装置可靠度降低。凹凸吸收层只要能追随被粘物表面上所形成的凹凸，则无特别的限定。
在这种凹凸吸收层中，70℃下的凹凸吸收层的tanδ(损失正接)优选为0.5以上、更优选为1以上、进一步优选为1.3以上。上限并无特别的限制，通常为5左右，优选为4以下。
设有凹凸吸收层的本发明半导体接合用粘接片，当在半导体装置的制造工序中粘贴于半导体晶圆时，在50～110℃左右的范围中被加热。通过将70℃下的凹凸吸收层的tanδ设定在上述范围内，则在上述半导体装置的制造工序中凹凸吸收层会流动化，容易按照电路的凹凸而变形，因而即便在半导体晶圆表面上形成的电路凹凸高度(突起状电极的高度)大于后述粘接剂层的厚度的情况下，仍可容易地将电路的凹凸埋藏于半导体接合用粘接片中。
因此，晶圆经研削后的厚度精度高，且即使研削至晶圆厚度在100μm以下，仍可防止晶圆出现龟裂。
另外，70℃下的凹凸吸收层的tanδ可提高组成的选择、以及当使用固化物时的固化程度进行控制。
凹凸吸收层例如通过现有公知的各种粘着剂形成便可获得。这类粘着剂并无任何的限定，可使用例如橡胶类、丙烯酸类、硅酮类、聚乙烯醚等粘着剂。此外，也可使用能量线固化型、加热发泡型、水膨润型粘着剂。
此外，凹凸吸收层可使用含胺酯共聚物的固化性组合物的固化物、或乙烯-α-烯烃共聚物形成。若由含胺酯聚合物的固化性组合物的固化物或乙烯-α-烯烃共聚物构成凹凸吸收层，可容易地将凹凸吸收层的tanδ调整于上述范围内。
作为含胺酯聚合物的固化性组合物，具体可列举：含有胺酯聚合物与乙烯类聚合物的添加物、含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物等。通过固化这些添加物，便可获得本发明的凹凸吸收层。
在含有胺酯聚合物及乙烯类聚合物的添加物、含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物中，优选添加光聚合引发剂。作为氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物，可列举在由具有聚酯骨架、聚醚骨架、聚碳酸酯骨架等的多元醇化合物与聚异氰酸酯化合物进行聚合而获得的氨酯寡聚物的末端羟基或末端异氰酸酯基上，加成具有(甲基)丙烯酰基的化合物的寡聚物。
在含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物中，可添加低分子量的具有反应性双键基的化合物，作为这类化合物所具有的反应性双键基，可列举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基。通过添加这类低分子量的具有反应性双键基的化合物，可使含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物的粘度降低，可提高当利用添加物涂布而获得凹凸吸收层时的添加物的涂布适性。此外，低分子量的具有反应性双键基的化合物在含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物固化后，介于氨酯(甲基)丙烯酸酯的(甲基)丙烯酰基彼此间的聚合之间，具有能扩大三维网眼结构的网眼间隔的效果。
作为低分子量的具有反应性双键基的化合物，例如可列举具有碳原子数1～30的烷基的(甲基)丙烯酸酯；具有羟基、酰胺基、胺基、环氧基等官能团的(甲基)丙烯酸酯；具脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯；具有芳香族结构的(甲基)丙烯酸酯；具杂环式结构的(甲基)丙烯酸酯；苯乙烯、羟乙基乙烯醚、羟丁基乙烯醚、N-乙烯基甲酰胺、N-乙烯基吡咯啶酮、N-乙烯基己内酰胺等乙烯化合物等等。
作为具有碳原子数1～30的烷基的(甲基)丙烯酸酯，除了后述的丙烯酸聚合物(A1)中所例示的之外，还可列举出(甲基)丙烯酸十九烷基酯、(甲基)丙烯酸二十烷基酯、(甲基)丙烯酸二十五烷基酯、(甲基)丙烯酸三十烷基酯等。
作为具有羟基、胺基、环氧基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出后述丙烯酸聚合物(A1)中所例示的物质，作为具有酰胺基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出(甲基)丙烯酸酰胺、乙烯双(甲基)丙烯酸酰胺、二甲基(甲基)丙烯酰胺、二甲胺丙基(甲基)丙烯酰胺、异丙基(甲基)丙烯酰胺、二乙基(甲基)丙烯酰胺、羟乙基(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酰基吗啡啉等。
作为具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸双环戊烯氧酯、(甲基)丙烯酸环己酯、(甲基)丙烯酸金刚烷基酯等。
作为具有芳香族结构的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举(甲基)丙烯酸苯基羟丙酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸-2-羟-3-苯氧基丙酯等。
作为具有杂环式结构的(甲基)丙烯酸酯，例如可列举(甲基)丙烯酸四氢糠酯、(甲基)丙烯酰基吗啡啉等。
此外，可以使含有作为含有氨酯(甲基)丙烯酸酯寡聚物的添加物的、日本专利特开2011-068727号公报公开的氨酯丙烯酸酯类寡聚物、及分子内具有硫醇基的化合物的能量线固化型组合物进行固化，作为凹凸吸收层。通过使用这类添加物，可更容易地将70℃下的凹凸吸收层的tanδ(损失正接)调整于上述范围内。
乙烯-α-烯烃共聚物可通过将乙烯与α-烯烃单体进行聚合而获得。作为α-烯烃单体，可列举乙烯、丙烯、1-丁烯、2-甲基-1-丁烯、2-甲基-1-戊烯、1-己烯、2,2-二甲基-1-丁烯、2-甲基-1-己烯、4-甲基-1-戊烯、1-庚烯、3-甲基-1-己烯、2,2-二甲基-1-戊烯、3,3-二甲基-1-戊烯、2,3-二甲基-1-戊烯、3-乙基-1-戊烯、2,2,3-三甲基-1-丁烯、1-辛烯、2,2,4-三甲基-1-辛烯等。这些α-烯烃单体可单独使用，也可2种以上组合使用。此外，在乙烯-α-烯烃共聚物中，除上述单体以外，可使用其他的聚合性单体。作为其他的聚合性单体，可列举醋酸乙烯酯、苯乙烯、丙烯腈、甲基丙烯腈、乙烯酮等乙烯化合物；丙烯酸、甲基丙烯酸等不饱和羧酸；丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯等不饱和羧酸酯；丙烯酰胺、甲基丙烯酰胺等不饱和羧酸酰胺等。这些聚合性单体可单独使用，也可2种以上组合使用。
凹凸吸收层的厚度并无特别的限制，优选为10～450μm、更优选为30～300μm。
(粘着剂层)
粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成。根据上述粘着剂层，由于在粘着剂层与粘接剂层的界面处的剥离性优异，因而在后述半导体装置的制造方法中可容易地获得带有粘接剂层的芯片。
若在未使用粘着剂层情况下，于上述凹凸吸收层上直接层叠粘接剂层，则凹凸吸收层与粘接剂层的剥离力会变大，会有导致凹凸吸收层与粘接剂层的界面处的剥离(层间剥离)困难的情形。此外，若在凹凸吸收层上直接层叠粘接剂层，则在后述半导体装置的制造工序中，会有无法获得想要的层间剥离的情形。例如会有因晶圆的背面研削所生成的剪切力，导致凹凸吸收层与粘接剂层出现不经意地剥离情形，或发生凹凸吸收层的凝聚破坏，导致在粘接剂层上附着凹凸吸收层的残渣物的情形。在粘接剂层上所附着的凹凸吸收层的残渣物，会有导致半导体装置的可靠度降低的情形。
通过经由由能量线固化型粘着剂组合物的固化物所构成粘着剂层，层叠凹凸吸收层与粘接剂层，可消除上述不良情况。即，因为粘着剂层与粘接剂层的界面处的剥离性优异，因而可容易地获得带有粘接剂层的芯片。
此外，若代替由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成的粘着剂层，改为使用未固化的粘着剂层，则为了降低粘着剂层的粘着性，必须在粘着剂层中添加大量交联剂，导致达到规定粘着力(剥离力)为止的养护时间变长。即，通过使用由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成的粘着剂层，可缩短养护时间，因而可提高半导体接合用粘接片的生产性。
在能量线固化型粘着剂组合物的固化物中，实质不含有未反应的反应性双键基，或者即使含有也为不致对本发明效果构成影响的程度的量。具体而言，具有由能量线固化型粘着剂组合物的固化物所构成的粘着剂层的粘着片(本发明中为基材、凹凸吸收层及粘着剂层的层叠物)的、能量线照射前后的粘着力变化率在90～100％范围内。该粘着力的变化率可依照以下的方法进行测定。首先，将粘着片裁剪为长200mm、宽25mm，而准备粘着力测定用片。然后，将粘着力测定用片的粘着剂层粘贴于半导体晶圆的镜面上，得到由半导体晶圆与粘着力测定用片构成的层叠体。将所获得的层叠体在23℃、相对湿度50％环境下放置20分钟。针对经放置后的层叠体的粘着力测定用片，根据JISZ0237：2000实施180°拉剥试验(使粘着力测定用片为被拉剥侧的部件)，测定能量线照射前的粘着力(单位：mN/25mm)。此外，针对经放置后的层叠体的粘着力测定片，实施能量线照射(220mW/cm2、160mJ/cm2)，依照与上述同样地测定经能量线照射后的粘着力(单位：mN/25mm)。然后，从所测定的能量线照射前后的粘着力计算出变化率。
本发明的反应性双键基为具有聚合性碳-碳双键的官能团，作为具体例可列举乙烯基、烯丙基、(甲基)丙烯酰基等，优选为(甲基)丙烯酰基。由于本发明的反应性双键基在自由基存在下会生成自由基，而容易引发加成聚合反应，因而并非指不具有聚合性的双键。例如构成能量线固化型粘着剂组合物的各成分中可含有芳香环，但芳香环的不饱和结构并非为本发明的反应性双键基。
能量线固化型粘着剂组合物至少含有：聚合物成分(A)(以下亦简称“成分(A)”。相关其他的成分亦同)及能量线固化性化合物(B)，或者含有兼具(A)成分与(B)成分性质的能量线固化型聚合物(AB)。此外，可同时使用能量线固化型聚合物(AB)、与聚合物成分(A)及/或能量线固化性化合物(B)。
以下，对作为聚合物成分(A)的以含丙烯酸聚合物(A1)的丙烯酸类粘着剂组合物为例进行具体说明。
(A1)丙烯酸聚合物
丙烯酸聚合物(A1)为至少在构成其的单体中，含有(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物的聚合物，优选为具有反应性官能团。
另外，本发明的反应性官能团为与后述交联剂(C)或交联剂(J)所具有的交联性官能团产生反应的官能团，具体可列举羧基、胺基、环氧基、羟基等。
丙烯酸聚合物(A1)的反应性官能团会与交联剂(C)的交联性官能团产生反应形成三维网眼结构，而提高粘着剂层的凝聚力。其结果，可容易地从粘着剂层上剥离设置在粘着剂层上的粘接剂层。
作为丙烯酸聚合物(A1)的反应性官能团，从较容易选择性地与作为交联剂(C)优选使用的有机多元异氰酸酯化合物进行反应的观点考虑，优选为羟基。反应性官能团，通过构成丙烯酸聚合物(A1)的单体使用后述具有羟基的(甲基)丙烯酸酯、具有羧基的(甲基)丙烯酸酯、具有胺基的(甲基)丙烯酸酯、具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸或衣康酸等(甲基)丙烯酸酯以外的具有羧基的单体、乙烯醇或N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等(甲基)丙烯酸酯以外具有羟基的单体等具有反应性官能团的单体，可导入于丙烯酸聚合物(A1)中。
该情况下，丙烯酸聚合物(A1)在构成其的总单体中，优选含有1～50质量％具有反应性官能团的单体、更优选含有2～20质量％、进一步优选含有2～15质量％。若丙烯酸聚合物(A1)中具有反应性官能团的单体含量超过50质量％，则通常高极性反应性官能团彼此间的相互作用会变为过大，导致会有丙烯酸聚合物(A1)的操作变困难的顾虑。
丙烯酸聚合物(A1)的重均分子量(Mw)优选为1万～200万、更优选为10万～150万。
本发明中，重均分子量(Mw)、数均分子量(Mn)及分子量分布(Mw/Mn)的值为利用凝胶渗透色谱分析法(GPC)法(聚苯乙烯标准)测定时的值。依照此种方法进行的测定，例如使用在TOSOH公司制高速GPC装置“HLC-8120GPC”上，依照高速管柱“TSKgurdcolumnHXL-H”、“TSKGelGMHXL”、“TSKGelG2000HXL”(以上均为TOSOH公司制)的顺序而连结，在管柱温度：40℃、送液速度：1.0mL/分的条件下，检测器使用差示折射率计实施。
此外，丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-45～0℃、更优选为-35～-15℃范围。通过将丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化转变温度设定在上述范围内，可提高粘着剂层与粘接剂层的界面处的剥离性。
丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化转变温度(Tg)可通过构成丙烯酸聚合物(A1)的单体的组合调整。例如作为提高玻璃化转变温度的方法，当构成丙烯酸聚合物(A1)的单体使用后述烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯时，选择烷基的碳原子数较小的(甲基)丙烯酸烷基酯的方法、或增加烷基碳原子数较小的(甲基)丙烯酸烷基酯含有比例的方法。
另外，丙烯酸聚合物(A1)的玻璃化转变温度(Tg)根据构成丙烯酸聚合物(A1)的单体的单聚物玻璃化转变温度，依照以下计算式(FOX式)求出。将丙烯酸聚合物(A1)的Tg设为Tgcopolymer、构成丙烯酸聚合物(A1)的单体X的单聚物Tg设为Tgx、单体Y的单聚物Tg设为Tgy、单体X的摩尔分率设为Wx(mol％)、单体Y的摩尔分率设为Wy(mol％)，则FOX式便依下式(1)表示：
100/Tgcopolymer＝Wx/Tgx+Wy/Tgy…(1)
进一步，FOX式即使丙烯酸聚合物(A1)为由3个以上单体形成的共聚合组成，仍可视同成立与上式(1)同样的加成性。
作为(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，可列举出烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯、具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯、具有羟基的(甲基)丙烯酸酯、具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯、具有胺基的(甲基)丙烯酸酯、具有羧基的(甲基)丙烯酸酯。
作为烷基的碳原子数为1～18的(甲基)丙烯酸烷基酯，可列举出(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十四烷基酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯等。
作为具有环状骨架的(甲基)丙烯酸酯，可列举出(甲基)丙烯酸环烷基酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸异冰片酯、(甲基)丙烯酸二环戊酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯酯、(甲基)丙烯酸二环戊烯氧基乙酯、酰亚胺(甲基)丙烯酸酯等。
作为具有羟基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丁酯等。
作为具有环氧基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯等。
作为具有胺基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出单乙胺基(甲基)丙烯酸酯、二乙胺基(甲基)丙烯酸酯等。
作为具有羧基的(甲基)丙烯酸酯，可列举出邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基丙酯等。
此外，丙烯酸聚合物(A1)中，可使(甲基)丙烯酸、衣康酸等(甲基)丙烯酸酯以外具有羧基的单体；乙烯醇、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等(甲基)丙烯酸酯以外具有羟基的单体；(甲基)丙烯腈、(甲基)丙烯酰胺、醋酸乙烯酯、苯乙烯等进行共聚。
这些物质可单独使用1种，也可2种以上同时使用。
(B)能量线固化性化合物
能量线固化性化合物(B)含有反应性双键基，若受到紫外线、电子束等能量线的照射便会聚合固化，具有使粘着剂组合物的粘着性降低的功能。
作为该能量线固化性化合物的例子，可列举具有反应性双键基的低分子量化合物(单官能团、多官能团单体及寡聚物)，具体而言，可使用三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、四羟甲基甲烷四丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯；二环戊二烯二甲氧基二丙烯酸酯、丙烯酸异冰片酯等含环状脂肪族骨架的丙烯酸酯；聚乙二醇二丙烯酸酯、寡聚酯丙烯酸酯、氨酯丙烯酸酯寡聚物、环氧改性丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯等丙烯酸酯类化合物。此种化合物通常分子量为100～30000，优选为300～10000左右。
通常相对于成分(A)(包含后述能量线固化型聚合物(AB)在内)100质量份，具有反应性双键基的低分子量化合物优选为以0～200质量份、更优选为1～100质量份、进一步优选为1～30质量份左右的比例使用。
(AB)能量线固化型聚合物
能量线固化型聚合物(AB)具有兼具作为聚合物用功能与能量线固化性的性质。
上述兼具成分(A)及(B)性质的能量线固化型聚合物(AB)在聚合物的主链、侧链或末端，键合有反应性双键基。
在能量线固化型聚合物的主链、侧链或末端所键合的反应性双键基，如上述中所例示。反应性双键基可经由亚烷基、亚烷氧基、聚亚烷氧基，键合于能量线固化型聚合物的主链、侧链或末端。
能量线固化型聚合物(AB)的重均分子量(Mw)优选为1万～200万、更优选为10万～150万。此外，能量线固化型聚合物(AB)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-45～0℃、更优选为-35～-15℃范围。另外，在使具有羟基等反应性官能团的丙烯酸聚合物(A1)、与后述含聚合性基团化合物进行反应，而获得能量线固化型聚合物(AB)的情况下，Tg指在与含聚合性基的化合物进行反应前的丙烯酸聚合物(A1)的Tg。
能量线固化型聚合物(AB)为例如使含有羧基、胺基、环氧基、羟基等反应性官能团的丙烯酸聚合物(A1)、与每1分子中具有1～5个能与该反应性官能团产生反应的取代基和聚合性碳-碳双键的含聚合性基团化合物进行反应而获得。丙烯酸聚合物(A1)优选为由具反应性官能团的(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物构成的聚合物。作为该含有聚合性基团的化合物，可列举出(甲基)丙烯酰氧基乙基异氰酸酯、间-异丙烯基-α,α-二甲基苄基异氰酸酯、(甲基)丙烯酰基异氰酸酯、烯丙基异氰酸酯、缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸等。
当能量线固化型聚合物(AB)为使含反应性官能团的丙烯酸聚合物(A1)、与含聚合性基团化合物进行反应而获得的情况下，能量线固化型聚合物(AB)可被交联。当添加交联剂时，通过交联剂的交联性官能团与反应性官能团进行反应，能量线固化型聚合物(AB)被交联，可调整粘着剂层的凝聚力。
(C)交联剂
本发明中，为能对粘着剂层赋予凝聚性，优选为在能量线固化型粘着剂组合物中添加交联剂(C)。作为交联剂，可列举出有机多元异氰酸酯化合物、有机多元环氧化合物、有机多元亚胺化合物、金属螯合类交联剂等，从反应性高的观点考虑，优选有机多元异氰酸酯化合物。
作为有机多元异氰酸酯化合物，可列举出芳香族多元异氰酸酯化合物、脂肪族多元异氰酸酯化合物、脂环族多元异氰酸酯化合物及它们的有机多元异氰酸酯化合物的三聚体、异氰脲酸酯体、加合物(与乙二醇、丙二醇、新戊二醇、三羟甲基丙烷、蓖麻油等含低分子活性氢的化合物的反应物，例如加合三羟甲基丙烷的苯二亚甲基二异氰酸酯等)、有机多元异氰酸酯化合物与多元醇化合物进行反应而获得的末端异氰酸酯氨酯预聚物等。
作为有机多元异氰酸酯化合物的更具体例，可列举出2,4-甲苯二异氰酸酯、2,6-甲苯二异氰酸酯、1,3-苯二亚甲基二异氰酸酯、1,4-苯二亚甲基二异氰酸酯、二苯甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二苯甲烷-2,4'-二异氰酸酯、3-甲基二苯基甲烷二异氰酸酯、六亚甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、二环己基甲烷-4,4'-二异氰酸酯、二环己基甲烷-2,4'-二异氰酸酯、加合三羟甲基丙烷的甲苯二异氰酸酯及赖氨酸异氰酸酯。
作为有机多元环氧化合物的具体例，可列举出1,3-双(N,N'-二缩水甘油胺甲基)环己烷、N,N,N',N'-四缩水甘油基-间苯二亚甲基二胺、乙二醇二缩水甘油醚、1,6-己二醇二缩水甘油醚、三羟甲基丙烷二缩水甘油醚、二缩水甘油基苯胺、二缩水甘油胺等。
作为有机多元亚胺化合物的具体例，可列举出N,N'-二苯甲烷-4,4'-双(1-氮丙啶羧酰胺)、三羟甲基丙烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、四羟甲基甲烷-三-β-吖丙啶基丙酸酯、及N,N'-甲苯-2,4-双(1-氮丙啶羧酰胺)三亚乙基三聚氰胺等。
作为金属螯合类交联剂的具体例，可列举出三正丁氧基乙基乙酰醋酸锆、二正丁氧基双(乙基乙酰醋酸)锆、正丁氧基三(乙基乙酰醋酸)锆、四(正丙基乙酰醋酸)锆、四(乙酰基乙酰醋酸)锆、四(乙基乙酰醋酸)锆等锆螯合类交联剂；二异丙氧基·双(乙基乙酰醋酸)钛、二异丙氧基·双(乙酰基醋酸)钛、二异丙氧基·双(乙酰基丙酮)钛等钛螯合类交联剂；二异丙氧基乙基乙酰醋酸铝、二异丙氧基乙酰丙酮铝、异丙氧基双(乙基乙酰醋酸)铝、异丙氧基双(乙酰丙酮)铝、三(乙基乙酰醋酸)铝、三(乙酰丙酮)铝、单乙酰丙酮·双(乙基乙酰醋酸)铝等铝螯合类交联剂等。
所述物质可单独使用1种，也可同时使用2种以上。
如上述交联剂(C)所具有的交联性官能团(例如异氰酸酯基)，与丙烯酸聚合物(A1)的反应性官能团(例如羟基)产生反应。
相对于丙烯酸聚合物(A1)100质量份，交联剂(C)优选为以0.01～20质量份、更优选为0.1～10质量份、进一步优选为0.5～5质量份的比例使用。通过将交联剂的添加量设定在上述范围内，便可提高粘着剂层的凝聚力。另外，当使用能量线固化型聚合物(AB)的情况，相对于能量线固化型聚合物(AB)100质量份，交联剂(C)优选为以上述范围的比例使用，在同时使用丙烯酸聚合物(A1)与能量线固化型聚合物(AB)的情况下，相对于二者总量100质量份，优选为以上述范围的比例使用。
含有如上述丙烯酸聚合物(A1)及能量线固化性化合物(B)的丙烯酸类粘着剂组合物、或含有能量线固化型聚合物(AB)的丙烯酸类粘着剂组合物，通过能量线照射而固化。作为能量线，具体可使用紫外线、电子束等。
(D)光聚合引发剂
通过在能量线固化性化合物(B)、或能量线固化型聚合物(AB)中组合光聚合引发剂(D)，便可缩短聚合固化时间，以及减少光线照射量。
作为该光聚合引发剂，可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、1-羟环己基苯基酮、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆(tetramethylthiurammonosulfide)、偶氮双异丁腈、苄、联苄、二乙酰、1,2-二苯甲烷、2-羟基-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦及β-氯化蒽醌等。光聚合引发剂可单独使用1种，也可2种以上组合使用。
光聚合引发剂的添加比例，相对于能量线固化性化合物(B)或能量线固化型聚合物(AB)100质量份，优选为含有0.1～10质量份、更优选为含有1～5质量份。另外，在同时使用能量线固化性化合物(B)与能量线固化型聚合物(AB)的情况下，相对于二者总量100质量份，优选为以上述范围添加光聚合引发剂。
若光聚合引发剂的添加比例不足0.1质量份，则会因光聚合不足导致无法获得满意的固化性，若超过10质量份，则会生成无助于光聚合的残留物，导致成为不良情况的原因。
此外，在能量线固化型粘着剂组合物中，作为其他成分：可添加染料、颜料、抗劣化剂、抗静电剂、阻燃剂、硅酮化合物、链转移剂、增塑剂等。
能量线固化型粘着剂组合物优选为含上述成分，粘着剂层由该能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成。由能量线固化型粘着剂组合物的固化物所构成的粘着剂层，通过在后述半导体接合用粘接片的制造方法中所说明的能量线照射，使含有丙烯酸聚合物(A1)及能量线固化性化合物(B)的丙烯酸类粘着剂组合物、或含有能量线固化型聚合物(AB)的丙烯酸类粘着剂组合物所构成的被膜(未固化的粘着剂层)固化而获得。
粘着剂层的厚度并无特别的限定，通常为1～100μm、优选为1～60μm、更优选为1～30μm。
(粘接剂层)
粘接剂层可剥离地形成于上述粘着剂层上。对粘接剂层至少要求的功能为(1)片形状维持性、(2)初期粘接性、及(3)固化性。
通过在粘接剂层中添加粘结剂成分，便可赋予(1)片形状维持性及(3)固化性，作为粘结剂成分，可使用含有聚合物成分(E)及固化性成分(F)的第1粘结剂成分、或者含有兼具(E)成分与(F)成分性质的固化性聚合物成分(EF)的第2粘结剂成分。
另外，作为用于在粘接剂层固化为止前的期间能暂时性粘着于被粘物上的功能的(2)初期粘接性，可以是压敏粘接性、也可以是利用热而软化并粘接的性质。(2)初期粘接性通常通过粘结剂成分的诸项特性、后述无机填料(G)的添加量调整等进行控制。
(第1粘结剂成分)
第1粘结剂成分通过含有聚合物成分(E)与固化性成分(F)，对粘接剂层赋予片形状维持性与固化性。另外，第1粘结剂成分在便于与第2粘结剂成分区分方面，不含有固化性聚合物成分(EF)。
(E)聚合物成分
聚合物成分(E)为在对粘接剂层赋予片形状维持性的主要目的下而添加于粘接剂层中。为达成上述目的，聚合物成分(E)的重均分子量(Mw)通常为20,000以上、优选为20,000～3,000,000。另外，在便于与后述固化性聚合物成分(EF)区分方面，聚合物成分(E)不具有后述固化功能官能团。
作为聚合物成分(E)，可使用丙烯酸聚合物、聚酯、苯氧基树脂(在便于与后述固化性聚合物(EF)区分方面，仅限于不具有环氧基的物质)、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅酮烷、橡胶类聚合物等。此外，还可以是键合所述2种以上的物质，例如通过使具有羟基的丙烯酸聚合物的丙烯酸多元醇与分子末端具有异氰酸酯基的氨酯预聚物进行反应而获得的丙烯酸氨酯树脂等。此外，含有键合2种以上的聚合物，还可以组合使用这些物质的2种以上。
(E1)丙烯酸聚合物
作为聚合物成分(E)，优选使用丙烯酸聚合物(E1)。丙烯酸聚合物(E1)的玻璃化转变温度(Tg)优选为-60～50℃、更优选为-50～40℃、进一步优选为-40～30℃的范围。若丙烯酸聚合物(E1)的玻璃化转变温度高，则粘接剂层的粘接性降低，经转印后会有发生粘接剂层从半导体晶圆上剥离等不良情况。
丙烯酸聚合物(E1)的重均分子量优选为100,000～1,500,000。若丙烯酸聚合物(E1)的重均分子量高，则粘接剂层的粘接性降低，经转印后会有发生粘接剂层从半导体晶圆上剥离等不良情况。
丙烯酸聚合物(E1)至少在构成其的单体中含有(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物。作为(甲基)丙烯酸酯单体或其衍生物，可列举出在丙烯酸聚合物(A1)中所例示的物质。
作为构成丙烯酸聚合物(E1)的单体，可使用具有羟基的单体。通过使用所述单体，在丙烯酸聚合物(E1)中导入羟基，当粘接剂层另外含有能量线固化性成分(F2)的情况下，可提升其与丙烯酸聚合物(E1)间的相溶性。作为具有羟基的单体，可列举出(甲基)丙烯酸-2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸-2-羟丙酯等具有羟基的(甲基)丙烯酸酯；N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺等。
作为构成丙烯酸聚合物(E1)的单体，可使用具有羧基的单体。通过使用所述单体，在丙烯酸聚合物(E1)中导入羧基，当粘接剂层另外含有能量线固化性成分(F2)的情况下，可提高其与丙烯酸聚合物(E1)间的相溶性。作为具有羧基的单体，可列举出邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基乙酯、邻苯二甲酸2-(甲基)丙烯酰氧基丙酯等具有羧基的(甲基)丙烯酸酯；(甲基)丙烯酸、马来酸、富马酸、衣康酸等。作为后述固化性成分(F)，使用环氧类热固化性成分的情况下，由于羧基会与环氧类热固化性成分中的环氧基产生反应，因而具有羧基的单体使用量越少越好。
作为构成丙烯酸聚合物(E1)的单体，可使用具有胺基的单体。作为这种单体，可列举出单乙胺基(甲基)丙烯酸酯等具有胺基的(甲基)丙烯酸酯等。
作为构成丙烯酸聚合物(E1)的单体，除此以外还可使用醋酸乙烯酯、苯乙烯、乙烯、α-烯烃等。
丙烯酸聚合物(E1)可被交联。当粘接剂层含有后述交联剂(J)的情况下，丙烯酸聚合物(E1)优选具有反应性官能团。丙烯酸聚合物(E1)的反应性官能团与成分(A)中的反应性官能团同义，具有反应性官能团的丙烯酸聚合物可通过在成分(A)中所记载的方法获得。
其中，具有作为反应性官能团的羟基的丙烯酸聚合物(E1)容易制备，由于容易使用交联剂(J)导入交联结构，故而优选。此外，具有羟基的丙烯酸聚合物(E1)与后述热固化性成分(F1)的相溶性优异。
作为构成丙烯酸聚合物(E1)的单体，通过使用具有反应性官能团的单体，而在丙烯酸聚合物(E1)中导入反应性官能团的情况下，具有反应性官能团的单体的、在构成丙烯酸聚合物(E1)的单体总质量中的比例优选为1～20质量％、更优选为3～15质量％。通过将丙烯酸聚合物(E1)中的来自具有反应性官能团的单体的结构单元设定在上述范围内，则反应性官能团与交联剂(J)的交联性官能团产生反应而形成三维网眼结构，可提高丙烯酸聚合物(E1)的交联密度。其结果，粘接剂层的剪切强度优异。此外，由于粘接剂层的吸水性降低，因而可获得封装可靠度优异的半导体装置。
(E2)非丙烯酸类树脂
此外，作为聚合物成分(E)，可使用从聚酯、苯氧基树脂(在便于与后述固化性聚合物(EF)区分方面，仅限于不具有环氧基的物质)、聚碳酸酯、聚醚、聚氨酯、聚硅氧烷、橡胶类聚合物、或它们的2种以上键合的物质中选择的非丙烯酸类树脂(E2)的单独1种、或2种以上的组合。这种树脂的重均分子量优选为20,000～100,000、更优选为20,000～80,000。
非丙烯酸类树脂(E2)的玻璃化转变温度优选为-30～150℃、更优选为-20～120℃范围。
在将非丙烯酸类树脂(E2)与上述丙烯酸聚合物(E1)同时使用的情况下，当使用半导体接合用粘接片将粘接剂层转印于半导体晶圆时，可更容易地进行粘着剂层与粘接剂层的层间剥离，更可在转印面上追随粘接剂层，抑制孔洞等发生。
在将非丙烯酸类树脂(E2)与上述丙烯酸聚合物(E1)同时使用时，非丙烯酸类树脂(E2)的含量，在非丙烯酸类树脂(E2)与丙烯酸聚合物(E1)的质量比(E2：E1)中，通常为1:99～60:40、优选为1:99～30:70的范围。通过将非丙烯酸类树脂(E2)含量设定在该范围内，可获得上述效果。
(F)固化性成分
固化性成分(F)在以对粘接剂层赋予固化性作为主要目的下，添加于粘接剂层中。固化性成分(F)可使用热固化性成分(F1)或能量线固化性成分(F2)。此外，也可以对它们进行组合使用。热固化性成分(F1)至少含有具有通过加热进行反应的官能团的化合物。此外，能量线固化性成分(F2)含有具有反应性双键基的化合物，若受到紫外线、电子束等能量线的照射则会聚合固化。通过这些固化性成分所具有的官能团彼此间进行反应，形成三维网眼结构，由此实现固化。由于固化性成分(F)与聚合物成分(E)组合使用，从抑制用于形成粘接剂层的涂布用组合物(粘接剂组合物)的粘度、提高操作性等观点考虑，通常重均分子量(Mw)为10,000以下、优选为100～10,000。
另外，粘接剂层的“反应性双键基”与在粘着剂层中所说明的“反应性双键基”同义。
(F1)热固化性成分
热固化性成分优选为例如环氧类热固化性成分。
环氧类热固化性成分含有具有环氧基的化合物(F11)，优选为组合使用具有环氧基的化合物(F11)与热固化剂(F12)。
(F11)具有环氧基的化合物
作为具有环氧基的化合物(F11)(以下也称“环氧化合物(F11)”)，可使用现有公知的物质。具体可列举出多官能团类环氧树脂、双酚A二缩水甘油醚或其氢化物、邻甲酚酚醛环氧树脂、二环戊二烯型环氧树脂、联苯型环氧树脂、双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、亚苯基骨架型环氧树脂等分子中具有2官能团以上的环氧化合物。这些物质可单独使用1种、或可2种以上组合使用。
使用环氧化合物(F11)时，在粘接剂层中相对于聚合物成分(E)100质量份，环氧化合物(F11)优选为含有1～1500质量份、更优选为含有3～1200质量份。若环氧化合物(F11)少，则会有粘接剂层经固化后的粘接性降低的倾向。
(F12)热固化剂
热固化剂(F12)作为针对环氧化合物(F11)的固化剂而发挥功能。作为优选的热固化剂，可列举1分子中具有2个以上能与环氧基产生反应的官能团的化合物。作为该官能团，可列举出酚性羟基、醇性羟基、胺基、羧基及酸酐等。其中优选可列举酚性羟基、胺基、酸酐等，更优选可列举酚性羟基、胺基。
作为酚类固化剂的具体例，可列举出多官能团类酚树脂、双酚、酚醛型酚树脂、二环戊二烯类酚树脂、别嘌醇型酚树脂(ザイロック型フェノール樹脂)、芳烷基酚树脂。
作为胺类固化剂的具体例，可列举DICY(双氰胺)。
这些物质可单独使用1种、或可2种以上混合使用。
相对于环氧化合物(F11)100质量份，热固化剂(F12)的含量优选为0.1～500质量份、更优选为1～200质量份。若热固化剂含量少，则会有粘接剂层经固化后的粘接性降低的倾向。
(F13)固化促进剂
为调整粘接剂层的热固化速度，可使用固化促进剂(F13)。固化促进剂(F13)特别优选用于采用作为热固化性成分(F1)的环氧类热固化性成分时。
作为优选的固化促进剂，可列举出三乙烯二胺、苄基二甲胺、三乙醇胺、二甲氨基乙醇、三(二甲胺甲基)酚等叔胺类；2-甲基咪唑、2-苯基咪唑、2-苯基-4-甲基咪唑、2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑、2-苯基-4-甲基-5-羟甲基咪唑等咪唑类；三丁基膦、二苯膦、三苯膦等有机膦类；四苯基硼四苯基膦、四苯基硼三苯基膦等四苯硼酸盐等等。这些物质可单独使用1种、或可2种以上混合使用。
相对于环氧化合物(F11)与热固化剂(F12)的总量100质量份，优选为以0.01～10质量份、更优选为0.1～1质量份的量含有固化促进剂(F13)。通过以上述范围的量含有固化促进剂(F13)，即使暴露于高温度高湿度下仍具有优异粘接性，即使暴露于严苛回焊条件的情况下仍可实现高可靠度。通过固化促进剂(F13)的添加，可提高粘接剂层经固化后的粘接性。固化促进剂(F13)含量越多该作用越强。
(F2)能量线固化性成分
通过粘接剂层含有能量线固化性成分，可不用进行需要大量能量与长时间的热固化工序，而进行粘接剂层的固化。由此，可谋求制造成本降低。
能量线固化性成分可单独使用作为具有反应性双键基的化合物的能量线反应性化合物(F21)，优选组合使用能量线反应性化合物(F21)与光聚合引发剂(F22)。
(F21)能量线反应性化合物
作为能量线反应性化合物(F21)，具体可列举出三羟甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇单羟基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯等丙烯酸酯类化合物，此外，可列举出寡聚酯丙烯酸酯、氨酯丙烯酸酯类寡聚物、环氧丙烯酸酯、聚醚丙烯酸酯及衣康酸寡聚物等具有丙烯酸酯类化合物等的聚合结构的丙烯酸酯化合物，分子量较低的化合物。这种化合物在分子内至少具有1个聚合性碳-碳双键。
当使用能量线反应性化合物(F21)时，在粘接剂层中相对于聚合物成分(E)100质量份，能量线反应性化合物(F21)优选含有1～1500质量份、更优选为含有3～1200质量份。
(F22)光聚合引发剂
通过在能量线反应性化合物(F21)中组合光聚合引发剂(F22)，可缩短聚合固化时间，以及减少光线照射量。
作为这种光聚合引发剂(F22)，具体可列举出二苯甲酮、苯乙酮、苯偶姻、苯偶姻甲醚、苯偶姻乙醚、苯偶姻异丙醚、苯偶姻异丁醚、苯偶姻苯甲酸、苯偶姻苯甲酸甲酯、苯偶姻二甲基缩酮、2,4-二乙基噻吨酮、α-羟环己基苯基酮、苄基二苯硫醚、一硫化四甲基秋兰姆、偶氮双异丁腈、苄、联苄、二乙酰、1,2-二苯甲烷、2-羟-2-甲基-1-[4-(1-甲基乙烯基)苯基]丙酮、2,4,6-三甲基苯甲酰基二苯基氧化膦、及β-氯化蒽醌等。光聚合引发剂(B22)可单独使用1种、也可2种以上组合使用。
光聚合引发剂(F22)的添加比例，相对于能量线反应性化合物(F21)100质量份，优选为含有0.1～10质量份、更优选为含有1～5质量份。
若光聚合引发剂(F22)的添加比例不足0.1质量份，则会因光聚合不足导致无法获得满意的固化性，而若超过10质量份，则会生成无助于光聚合的残留物，成为不良情况的原因。
(第2粘结剂成分)
第2粘结剂成分通过含有固化性聚合物成分(EF)，而对粘接剂层赋予片形状维持性与固化性。
(EF)固化性聚合物成分
固化性聚合物成分为具有固化功能官能团的聚合物。固化功能官能团为相互进行反应而能构成三维网眼结构的官能团，可列举出利用加热进行反应的官能团、以及反应性双键基。
固化功能官能团可加成于作为固化性聚合物成分(EF)骨架的连续结构单元中，也可加成于末端。当固化功能官能团加成于作为固化性聚合物成分(EF)骨架的连续结构单元中时，固化功能官能团可加成于侧链，也可直接加成于主链。固化性聚合物成分(EF)的重均分子量(Mw)从实现对粘接剂层赋予片形状维持性的目的观点来看，通常为20,000以上。
作为利用加热进行反应的官能团，可列举环氧基。作为具有环氧基的固化性聚合物成分(EF)，可列举出高分子量的含环氧基的化合物、具有环氧基的苯氧基树脂。
此外，可为与上述丙烯酸聚合物(E1)同样的聚合物，作为单体，可以是使用具环氧基的单体进行聚合的聚合物(含环氧基的丙烯酸聚合物)。作为具有环氧基的单体，例如可列举缩水甘油基(甲基)丙烯酸酯等具有缩水甘油基的(甲基)丙烯酸酯。
当使用含环氧基的丙烯酸聚合物时，其优选形式除环氧基以外与丙烯酸聚合物(E1)相同。
当使用具环氧基的固化性聚合物成分(EF)时，与使用作为固化性成分(F)的环氧类热固化性成分的情况同样，可同时使用热固化剂(F12)或固化促进剂(F13)。
作为固化性聚合物成分(EF)中的反应性双键基，优选为(甲基)丙烯酰基。作为具有反应性双键基的固化性聚合物成分(EF)，其为聚醚丙烯酸酯等具有聚合结构的丙烯酸酯类化合物等，可使用高分子量者。
此外，可使用例如使侧链具有羟基等官能团X的原料聚合物，与具有能与官能团X产生反应的官能团Y(例如官能团X为羟基的情况下为异氰酸酯基等)及反应性双键基的低分子化合物，进行反应而制备的聚合物。
该情况下，当原料聚合物符合上述丙烯酸聚合物(E1)时，该原料聚合物的优选形式与丙烯酸聚合物(E1)相同。
当使用具有反应性双键基的固化性聚合物成分(EF)时，可与使用能量线固化性成分(F2)的情况相同地同时使用光聚合引发剂(F22)。
第2粘结剂成分可并用固化性聚合物成分(EF)，含有上述聚合物成分(E)、固化性成分(F)。
在粘接剂层中，除粘结剂成分外，还可含有以下成分。
(G)无机填料
粘接剂层可含有无机填料(G)。通过将无机填料(G)添加于粘接剂层中，可调整固化后的粘接剂层的热膨胀系数，通过对半导体晶圆将固化后粘接剂层的热膨胀系数最佳化，可提高半导体装置的可靠度。此外，还可降低经固化后粘接剂层的吸湿性。
作为优选的无机填料，可列举出二氧化硅、氧化铝、滑石、碳酸钙、氧化钛、氧化铁、碳化硅、氮化硼等粉末、将它们进行球形化的球珠、单晶纤维及玻璃纤维等。在这之中，优选为二氧化硅填料及氧化铝填料。上述无机填料(G)可单独使用，也可2种以上混合使用。
相对于构成粘接剂层的总固体成分100质量份，为能更确实获得上述效果的无机填料(G)含量范围优选为1～80质量份，更优选为5～60质量份，进一步优选为10～40质量份。
(H)着色剂
在粘接剂层可添加着色剂(H)。作为着色剂，可使用有机或无机的颜料及染料。在这之中，从电磁波、红外线屏蔽性的观点考虑，优选为黑色颜料。作为黑色颜料，可使用碳黑、氧化铁、二氧化锰、苯胺黑、活性碳等，但并不仅局限于此。
着色剂(H)可单独使用1种，也可2种以上组合使用。
相对于构成粘接剂层的总固体成分100质量份，着色剂(H)的添加量优选为0.1～35质量份，更优选为0.5～25质量份，进一步优选为1～15质量份。
(I)偶联剂
为了提高粘接剂层对半导体晶圆的粘接性及/或粘接剂层的凝聚性，可使用具有与无机物产生反应的官能团及与有机官能团产生反应的官能团的偶联剂(I)。此外，通过使用偶联剂(I)，可不损害固化后粘接剂层的耐热性，提高耐水性。作为这类偶联剂，可列举出钛酸盐类偶联剂、铝酸盐类偶联剂、硅烷偶联剂等。在这之中，优选为硅烷偶联剂。
作为硅烷偶联剂，优选使用其与有机官能团产生反应的官能团为与聚合物成分(E)、固化性成分(F)、固化性聚合物成分(EF)等所具有的官能团进行反应的基团的硅烷偶联剂。
作为这类硅烷偶联剂，可列举出γ-环氧丙氧基丙基三甲氧基硅烷、γ-环氧丙氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、β-(3,4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、γ-(甲基丙烯酰氧基丙基)三甲氧基硅烷、γ-胺丙基三甲氧基硅烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基三甲氧基硅烷、N-6-(胺乙基)-γ-胺丙基甲基二乙氧基硅烷、N-苯基-γ-胺丙基三甲氧基硅烷、γ-脲丙基三乙氧基硅烷、γ-硫醇基丙基三甲氧基硅烷、γ-硫醇基丙基甲基二甲氧基硅烷、双(3-三乙氧基硅烷丙基)四硫化物、甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、乙烯基三乙酰氧基硅烷、咪唑硅烷等。这些物质可单独使用1种，或也可2种以上混合使用。
相对于聚合物成分(E)、固化性成分(F)及固化性聚合物成分(EF)的总量100质量份，硅烷偶联剂通常以0.1～20质量份、优选为0.2～10质量份、更优选为0.3～5质量份的比例含有。若硅烷偶联剂含量不足0.1质量份，会有无法获得上述效果的可能性，而若超过20质量份，会有成为逸气原因的可能性。
(J)交联剂
为调节粘接剂层的初期粘接力及凝聚力，可添加交联剂(J)。另外，当添加交联剂时，上述丙烯酸聚合物(E1)中含有反应性官能团。
作为交联剂(J)，可列举出有机多元异氰酸酯化合物、有机多元亚胺化合物等，可例示与上述粘着剂层中的交联剂(C)所例示相同的物质。
当使用异氰酸酯类交联剂时，优选使用具有作为反应性官能团的羟基的丙烯酸聚合物(E1)。若交联剂具有异氰酸酯基、且丙烯酸聚合物(E1)具有羟基，则会引发交联剂与丙烯酸聚合物(E1)间的反应，可容易地在粘接剂层中导入交联结构。
当使用交联剂(J)时，相对于丙烯酸聚合物(E1)100质量份，交联剂(J)通常以0.01～20质量份、优选为0.1～10质量份、更优选为0.5～5质量份的比例使用。
(K)通用添加剂
在粘接剂层中，除上述之外，视需要可添加各种添加剂。作为各种添加剂，可列举出流平剂、可塑剂、抗静电剂、抗氧化剂、离子捕捉剂、吸气剂(getteringagent)、链转移剂、剥离剂等。
粘接剂层可使用例如由上述各成分以适当比例混合而获得的粘接剂组合物而得到。粘接剂组合物可预先利用溶剂稀释，或可在混合时添加于溶剂中。此外，也可在粘接剂组合物使用时，利用溶剂稀释。
作为该溶剂，可列举出醋酸乙酯、醋酸甲酯、二乙醚、二甲醚、丙酮、甲乙酮、乙腈、己烷、环己烷、甲苯、庚烷等。
粘接剂层具有初期粘接性与固化性，在未固化状态下，于常温或加热下通过挤压于半导体晶圆便可容易地粘接。此外，在挤压时可加热粘接剂层。然后，经固化，即使在严苛的高温度高湿度条件下仍可保持充分的粘接功能。另外，粘接剂层可为单层结构，亦可为多层结构。
粘接剂层的厚度并无特别的限制。本发明的半导体接合用粘接片通过设置凹凸吸收层，即使在半导体接合用粘接片的粘接剂层所粘贴的半导体晶圆表面上形成突起状电极，半导体接合用粘接片对晶圆表面的突起状电极的追随性仍优异，可在该粘接片中埋藏突起状电极，因而可将粘接剂层的厚度设为小于突起状电极的高度。具体而言，粘接剂层的厚度优选为1～100μm，更优选为2～80μm，进一步优选为3～50μm，突起状电极的高度优选为10～150μm，更优选为20～120μm，进一步优选为超过50μm且100μm以下。此外，通过将粘接剂层的厚度设定在上述范围内，粘接剂层可发挥高可靠度粘接剂的功能。
(半导体接合用粘接片)
如上述各层构成的本发明半导体接合用粘接片的结构，如图1及图2所示。如图1及图2所示，半导体接合用粘接片10由基材1、凹凸吸收层2、粘着剂层3、及粘接剂层4依次层叠而成。粘接剂层4可剥离地形成于粘着剂层3上，只要是与半导体晶圆呈大致相同形状、或完全包含半导体晶圆形状的形状即可，其余并无特别的限定。例如图1所示，半导体接合用粘接片10的粘接剂层4调整为与半导体晶圆呈大致相同的形状、或完全包含半导体晶圆形状的形状，再层叠于由比粘接剂层4更大尺寸的粘着剂层3、凹凸吸收层2及基材1所构成层叠体上，可得到事前成形结构。此外，如图2所示，可使粘接剂层4为与由粘着剂层3、凹凸吸收层2及基材1构成的层叠体相同形状。
此外，图1所示形式的半导体接合用粘接片中在粘着剂层的表面外周部，图2所示形式的半导体接合用粘接片中在粘接剂层的表面外周部，可设置用于固定环形框架等其他夹具用的夹具粘接层。
作为夹具粘接层，可采用由粘着剂层单体构成的粘着部件、由基材与粘着剂层构成的粘着部件、以及在芯材双面上设有粘着剂层的双面粘着部件。
夹具粘接层为环状(ring状)，具有空洞部(内部开口)，具有能固定于环形框架等夹具上的大小。
作为形成夹具粘接层的粘着剂层的粘着剂，并无特别的限制，优选为由例如丙烯酸粘着剂、橡胶类粘着剂、或硅酮粘着剂构成。在这之中，若考虑从环形框架的再剥离性，优选为丙烯酸粘着剂。此外，上述粘着剂可单独使用，也可2种以上混合使用。
作为夹具粘接层的基材、芯材，可使用与上述基材相同的物质。
夹具粘接层的粘着剂层厚度优选为2～20μm，更优选为3～15μm，进一步优选为4～10μm，而基材的厚度优选为15～200μm，更优选为30～150μm，进一步优选为40～100μm。
半导体接合用粘接片的形状并不仅局限单片，也可为长条带状、还可将其卷收。
此外，在半导体接合用粘接片上，为能在使用前可保护粘接剂层，可在粘接剂层上面层叠剥离膜。该剥离膜可使用例如聚对苯二甲酸乙二醇酯膜、在聚丙烯膜等塑胶材料上涂布硅酮树脂等剥离剂的膜。
半导体接合用粘接片的制备方法并无特别的限制，以图2所示形式的粘接片为例进行说明。
首先，在剥离膜上涂布构成凹凸吸收层的组合物并使其干燥，形成凹凸吸收层。然后，在凹凸吸收层上层叠基材，并除去剥离膜。
另外，当构成凹凸吸收层的组合物为能量线固化型组合物(例如含胺酯聚合物的固化性组合物)时，在剥离膜上涂布构成凹凸吸收层的组合物并使其干燥，形成涂膜，对涂膜照射能量线，在剥离膜上形成半固化层。
然后，在半固化层上层叠基材，从基材侧照射能量线，使半固化层完全固化，在基材上形成凹凸吸收层。另外，剥离膜在能量线照射工序的前后的任一阶段剥离。
此外，将粘着剂组合物涂布于剥离膜上并使其干燥，形成未固化的粘着剂层。
然后，将未固化的粘着剂层层叠于由上述所获得的凹凸吸收层上。然后，从剥离膜侧照射能量线，使粘着剂层固化，获得由依次层叠有基材、凹凸吸收层、粘着剂层及剥离膜构成的层叠体。
此外，将粘接剂组合物涂布于剥离膜上并使其干燥，形成粘接剂层。
最后，从上述所获得层叠体上除去剥离膜，并在露出的粘着剂层上粘贴粘接剂层，通过转印，获得本发明的半导体接合用粘接片。
然后，对于本发明半导体接合用粘接片的使用方法，以将该粘接片粘贴于晶圆上，并适用于半导体装置的制造的情况为例进行说明。
(半导体装置的制造方法)
本发明的半导体装置的制造方法包括有：在晶圆上粘贴上述半导体接合用粘接片的粘接剂层的工序，以及对晶圆背面实施研削的工序。
以下，针对本发明半导体装置的制造方法其中一部分例进行详述。
在本发明半导体装置的第1制造方法中，首先在表面形成有电路的半导体晶圆的电路面上，粘贴半导体接合用粘接片。粘贴时，将半导体晶圆的电路面载置于半导体接合用粘接片的粘接剂层上，轻轻挤压，依情况在减压条件下加热，一边使粘接剂层软化一边固定半导体晶圆。然后，视需要在利用半导体接合用粘接片保护着半导体晶圆的电路面的状态下，研削晶圆的背面形成规定厚度的晶圆。
半导体晶圆可为硅晶圆，或者也可为镓·砷等化合物半导体晶圆。晶圆表面上的电路形成可利用包括蚀刻法、剥脱法等自现有通用方法在内的各种方法实施。在半导体晶圆的电路形成工序中形成规定的电路。该晶圆研削前的厚度并无特别的限定，通常为500～1000μm左右。此外，半导体晶圆的表面形状并无特别的限定，可形成突起状电极。作为突起状电极，可列举出圆柱型电极、球状电极(凸块)、贯通半导体晶圆的贯穿电极等。
背面研削在粘贴着半导体接合用粘接片的状态下，通过使用研磨机及供晶圆固定用吸附台等的公知手法实施。在背面研削工序后，可实施除去因研削而产生的破碎层的处理。经背面研削后的半导体晶圆厚度并无特别的限定，优选为10～400μm，更优选为25～300μm左右。根据本发明的半导体接合用粘接片，在晶圆的背面研削时能确实地保持晶圆，且可防止切削水侵入于电路面，并可防止发生凹点。
经背面研削工序后，在晶圆的背面上粘贴通称“切割片(dicingsheet)”的粘着片。切割片的粘贴一般利用通称“贴片机(mounter)”的装置实施，并无特别的限定。
然后，实施切割片上所粘贴晶圆的晶割，对晶圆进行单片化，获得芯片。
当本发明半导体接合用粘接片在粘贴于半导体晶圆的状态下实施晶割时，半导体接合用粘接片与晶圆一起被单片化。在该情况下，剥离经单片化的半导体接合用粘接片的基材、凹凸吸收层及粘着剂层，使粘接剂层残留于芯片的电路面上。
此外，可在实施晶割前，剥离半导体接合用粘接片的基材、凹凸吸收层及粘着剂层，在粘接剂层残留于晶圆的电路面上的状态下实施晶割。
另外，剥离半导体接合用粘接片的基材、凹凸吸收层及粘着剂层的方法，并无特别的限定，例如可列举在半导体接合用粘接片的基材侧，以覆盖该粘接片的形态下，粘贴粘着片，再将基材、凹凸吸收层及粘着剂层与粘着片一起除去的方法。
半导体晶圆的切断手段并无特别的限定。作为一例，可列举出在晶圆切断时，利用环形框架固定切割片的周边部后，通过使用切割机等的旋转圆刀等公知手法实施晶圆的芯片化的方法等。此时的切断深度为半导体接合用粘接片厚度或粘接剂层厚度与半导体晶圆厚度的总量加上切割锯刀磨耗份的深度。此外，也可利用激光切断粘接剂层与晶圆。
其次，若根据需要实施切割片扩展，则半导体芯片间隔会扩张，可更容易地实施半导体芯片的拾取。此时，芯片与切割片间发生偏移，而芯片与切割片间的粘接力减小，半导体芯片的拾取性得到提高。若依此实施半导体芯片的拾取，可使被切断的粘接剂层固着残存于半导体芯片电路面上，从切割片上剥离。
然后，实施半导体芯片的焊接工序(粘晶)。焊接工序中，经由粘接剂层将半导体芯片载置于引线框架的芯片焊垫部上或其他半导体芯片(下段芯片)上等(以下将芯片所搭载的芯片焊垫部或下段芯片等，称为“芯片搭载部”)。载置时的压力通常为1kPa～200MPa。
芯片搭载部可在载置半导体芯片前加热，也可在载置后实施加热。加热温度通常为80～200℃、优选为100～180℃，加热时间通常为0.1秒～5分钟、优选为0.5秒～3分钟。
另外，当在芯片表面上形成突起状电极时，即使因焊接工序中的加热或压力，引起芯片搭载部所接合的突起状电极产生变形，即使粘接剂层的厚度小于突起状电极的高度，粘接剂层也可埋藏芯片与芯片搭载部间，因而可将芯片牢固地粘接于芯片搭载部。
将半导体芯片载置于芯片搭载部后，根据需要可在下述树脂密封时利用加热进行的粘接剂层固化外，另外实施为使粘接剂层固化的加热。此时的加热条件为上述加热温度范围内，加热时间通常为1～180分钟、优选为10～120分钟。
此外，也可在未实施载置后的加热处理而呈初步粘着状态，利用封装制造中通常进行的树脂密封下的加热，使粘接剂层固化。通过经由此种工序，粘接剂层便会固化，而将半导体芯片与芯片搭载部予以牢固地粘接，便可固定芯片。因为粘接剂层在粘晶条件下呈流动化，因而芯片搭载部的凹凸亦能充分地被埋藏，可防止孔洞发生，提高封装可靠度。
在本发明半导体装置的第2制造方法中，与上述第1制造方法相同，在半导体晶圆的电路面上粘贴半导体接合用粘接片的粘接剂层，研削晶圆的背面。在背面研削工序后，可实施除去因研削所产生的破碎层的处理。
经背面研削后，从晶圆背面侧朝晶圆内部照射激光。激光通过激光源照射。激光光源为产生波长与相位经整合的光的装置，作为激光的种类，可列举产生脉冲激光的Nd-YAG激光、Nd-YVO激光、Nd-YLF激光、钛蓝宝石激光等引发多光子吸收的激光。激光的波长优选为800～1100nm、更优选为1064nm。
激光照射于晶圆内部，沿预定切断线在晶圆内部形成改质部。针对一个预定切断线扫描激光的次数可为一次，也可为多次。优选为一边监视激光照射位置、与电路间的预定切断线位置，实施激光的对位，一边实施激光照射。另外，预定切断线为区分在晶圆表面上所形成各电路间的假想线。
改质部形成后，在晶圆背面上粘贴切割片。然后，使粘接剂层残留于晶圆的电路面上，剥离半导体接合用粘接片的基材、凹凸吸收层及粘着剂层。
然后，实施在切割片上所粘贴晶圆的晶割，将晶圆单片化，获得芯片。半导体晶圆通过扩展切割片而芯片化。即，在利用激光照射而于晶圆内部形成改质部后，若实施扩展，则切割片会伸长，半导体晶圆会以晶圆内部的改质部为起点被切断分离为各个芯片。此时，粘接剂层会被切断分离为各个芯片尺寸。此外，可在扩展的同时，使用夹具等抓住切割片，伸长切割片，而将粘接剂层与晶圆依每个芯片切断分离。扩展优选为在-20～40℃环境下，依5～600mm/分的速度实施。此外，经扩展工序后，为能消除经扩展切割片的松弛，可实施热收缩。然后，拾取表面上设有粘接剂层的芯片，经由焊接工序制得半导体装置。焊接工序与上述第1制造方法相同。
以上详述的第1制造方法及第2制造方法，只不过例示本发明制造方法其中一部分，本发明的制造方法可为其他的形式。例如，可为在半导体接合用粘接片粘贴于晶圆前的阶段结束晶圆的背面研削，而在半导体接合用粘接片粘贴后不实施晶圆的背面研削的制造方法。
此外，晶圆的单片化方法可以为从晶圆的表面侧形成比晶圆厚度更小深度的沟，通过对晶圆背面实施研削到达沟而实施单片化的所谓“先晶割法”实施，也可以为如日本专利特开2004-111428所记载，在从晶圆表面使激光配合芯片形状入射，在晶圆内部形成改质区域的工序中，追加研削晶圆背面的工序的晶圆分割方法。
由上述半导体装置的制造方法得知，本发明的半导体接合用粘接片可用作能够适用于从晶圆背面研削工序起至芯片焊接工序中的背面研磨/黏芯片。
实施例
以下，针对本发明利用实施例进行说明，本发明并不仅局限于这些实施例。另外，对于以下的实施例及比较例，各项评价如下述进行实施。
＜70℃下的凹凸吸收层的tanδ＞
在实施例的半导体接合用粘接片制作过程中，在剥离膜上所形成的半固化层上，层叠另一剥离膜(材质、厚度均相同)。接着，从所层叠的剥离膜侧实施4次紫外线照射(实施例及比较例所使用紫外线照射装置及紫外线源均相同，照射条件为灯高度150mm、灯功率3kW(换算功率120mW/cm)、光线波长365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm2(使用ORC制作所公司制紫外线光量计“UV-351”测定))，使半固化层完全固化，形成由2片剥离膜挟持的厚度150μm的单层凹凸吸收层。
以厚度为1～2mm范围内的方式，层叠多个凹凸吸收层，获得试样。使用所获得试样，使用粘弹性测定装置(Rheometric公司制产品名“ARES”(扭转剪切方式))，测定在频率1Hz(6.28rad/秒)下的-20～120℃储存弹性模量及损失弹性模量，计算出70℃的损失正接(tanδ＝损失弹性模量/储存弹性模量)。
＜凹凸吸收能力的评价＞
在具有凸块高度80μm的带有凸块的晶圆上，将实施例及比较例所制成的半导体接合用粘接片，使用层叠机装置(Lintec股份有限公司制产品名“RAD3810”)，于0.1MPa减压条件下，一边将晶圆及半导体接合用粘接片加热至90℃一边粘贴，于刚粘贴后，使用定压厚度测定机(TECLOCK公司制产品名“PG-02”)，测定具凸块部分的总厚“A”(晶圆背面距半导体接合用粘接片基材面的距离)、与没有凸块部分的总厚“B”，计算出“A-B”高低差。
高低差越小，意味着因凸块高度造成的凹凸被埋藏于半导体接合用粘接片中而缓和。高低差不足10μm的情况评为“良好”，达10μm以上的情况评为“不良”。
＜粘接剂层的剥离性评价＞
待凹凸吸收能力的评价结束后，从粘接剂层上剥离实施例及比较例的半导体接合用粘接片的基材、凹凸吸收层及粘着剂层。毫无不良情况地可剥离情况评为“良好”，剥离时有发生不良情况的情况(凹凸吸收层有发生凝聚破坏的情况等)评为“不良”。
(实施例1)
粘着剂组合物的制备
相对于将丙烯酸-2-乙基己酯、醋酸乙烯酯及丙烯酸-2-羟乙酯依50：30：20质量比例作为原料进行聚合的丙烯酸聚合物(玻璃化转变温度：-31℃)100质量份，添加甲基丙烯酰氧基乙基异氰酸酯21.4质量份(相对于丙烯酸聚合物所具有羟基数为0.8当量)，于醋酸乙酯溶液下，使用作为催化剂的的月桂酸二丁锡，于25℃、常压下进行24小时反应而合成，获得能量线固化型聚合物(重均分子量：70万)。
相对于该能量线固化型聚合物100质量份，将光聚合引发剂(BASF公司制IRGACURE184(1-羟环己基苯基酮))3.5质量份、及交联剂(东洋油墨制造公司制BHS-8515(甲苯二异氰酸酯类化合物))0.5质量份混合，获得粘着剂组合物。
所获得粘着剂组合物涂布于剥离片(Lintec公司制SP-PET3811、厚度：38μm)的剥离处理面上并使其干燥，形成粘着剂层。粘着剂层的厚度为10μm。另外，干燥处理以100℃、1分钟实施。然后，在23℃、50％相对湿度的环境下保存3天而实施养护。
基材与凹凸吸收层的层叠体制备
将单官能团胺甲酸乙酯甲基丙烯酸酯与双官能团胺甲酸乙酯甲基丙烯酸酯的混合物40质量份(固体成分比)、丙烯酸异冰片酯(IBXA)45质量份(固体成分比)、丙烯酸羟丙酯(HPA)15质量份(固体成分比)、季戊四醇四(3-硫醇基丁酸酯)[昭和电工股份有限公司制KarenzMT(注册商标)PE1(含二级四官能团的硫醇的化合物、固体成分浓度100质量％)]3.5质量份(固体成分比)、以及光聚合引发剂的2-羟基-2-甲基-1-苯基-丙烷-1-酮(BASF公司制1173、固体成分浓度100质量％)1质量份(固体成分比)进行添加，制备用于形成凹凸吸收层的组合物(凹凸吸收层用组合物)。
其次，将凹凸吸收层用组合物在聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜类剥离膜(Lintec公司制SP-PET3811、厚度38μm)上，以喷射模头方式实施涂布，形成涂膜。涂膜厚度为150μm。
然后，从涂膜侧实施紫外线照射，形成半固化层。另外，紫外线照射时，作为紫外线照射装置，使用输送带式紫外线照射装置(EYEGRAPHICS公司制ECS-401GX)，作为紫外线源，使用高压水银灯(EYEGRAPHICS公司制H04-L41)，在照射条件为灯高度150mm、灯功率3kW(换算功率120mW/cm)、光线波长365nm的照度271mW/cm2、照射量177mJ/cm2(利用ORC制作所公司制紫外线光量计「UV-351」测定)条件下实施。
在所形成半固化层上，层叠作为基材的厚度100μm的PET膜。从基材侧更进一步实施4次紫外线照射(使用上述紫外线照射装置、紫外线源，照射条件为灯高度150mm、灯功率3kW(换算功率120mW/cm)、光线波长365nm的照度271mW/cm2、照射量1200mJ/cm2(使用ORC制作所公司制紫外线光量计「UV-351」测定))，使其完全固化，在基材上形成厚度150μm的凹凸吸收层。
凹凸吸收层与粘着剂层的层叠
使上述所获得未固化粘着剂层贴合于凹凸吸收层上。然后，从剥离片侧使用紫外线照射装置(Lintec公司制RAD-2000m/12)，照射紫外线(照度140mW/cm2、光量510mJ/cm2)，而使粘着剂层固化。
粘接剂组合物的制备
粘接剂组合物的各成分如下述。依照下述成分及添加量，添加各成分而制备粘接剂组合物。各成分的数值表示固体成分换算的质量份，本发明中的固体成分指溶剂以外的所有成分。
(EF)由丙烯酸正丁酯55质量份、丙烯酸甲酯10质量份、甲基丙烯酸缩水甘油酯20质量份及丙烯酸-2-羟乙酯15质量份构成的丙烯酸聚合物(重均分子量：90万、玻璃化转变温度：-28℃)/100质量份
(F11-1)双酚A型环氧树脂(JapanEpoxyResins公司制jER828、环氧当量：235g/eq)/90质量份
(F11-2)酚醛型环氧树脂(日本化药公司制EOCN-104S、环氧当量：218g/eq)/90质量份
(F12)热固化剂：酚醛型酚树脂(DIC公司制TD-2131、酚性羟基当量：103g/eq)/80质量份
(F13)固化促进剂：2-苯基-4,5-二羟甲基咪唑(四国化成工业公司制Curezol2PHZ-PW)/1质量份
(G)无机填料：二氧化硅填料(日产化学公司制MEK-ST、平均粒径：10～15nm)/50质量份
(I)偶联剂：硅烷偶联剂(信越化学公司制KBE-403)/3质量份
将粘接剂组合物利用甲乙酮以固体成分浓度成为50质量％的方式稀释，涂布并干燥于经硅酮处理过的剥离膜(Lintec股份有限公司制SP-PET381031)上，形成粘接剂层。粘接剂层的厚度为40μm。另外，干燥处理利用烤箱以100℃实施1分钟。
然后，使经除去在上述粘着剂层上粘贴的剥离片而露出的粘着剂层、与粘接剂层贴合，而将粘接剂层转印于粘着剂层上，便获得半导体接合用粘接片。
(实施例2)
在基材与凹凸吸收层的层叠体制备中，除将季戊四醇四(3-硫醇基丁酸酯)的添加量设为1.5质量份以外，以与实施例1相同的方式获得半导体接合用粘接片。
(比较例1)
除未设置粘着剂层而将粘接剂层贴合于凹凸吸收层上以外，以与实施例1相同的方式获得半导体接合用粘接片。
(比较例2)
除未设置凹凸吸收层而将粘着剂层直接与基材相粘贴以外，以与实施例1相同的方式获得半导体接合用粘接片。
[表1]
70℃下的凹凸吸收层的tanδ 凹凸吸收能力 粘接剂层的剥离性
实施例1 2.3 良好 良好
实施例2 1.67 良好 良好
比较例1 2.3 良好 不良
比较例2 － 不良 良好
附图标记说明
1.基材；2.凹凸吸收层；3.粘着剂层；4.粘接剂层；10.半导体接合用粘接片。

Claims (5)

1.一种半导体接合用粘接片，该粘接片由基材、凹凸吸收层、粘着剂层、及粘接剂层依次层叠而成，
粘着剂层由能量线固化型粘着剂组合物的固化物构成，
粘接剂层可剥离地形成于粘着剂层上。
2.根据权利要求1所述的半导体接合用粘接片，其中，70℃下的凹凸吸收层的tanδ为0.5以上。
3.根据权利要求1或2所述的半导体接合用粘接片，其中，该粘接片粘贴于表面形成有突起状电极的半导体晶圆的表面，
粘接剂层的厚度比突起状电极的高度小。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的半导体接合用粘接片，其中，凹凸吸收层由含胺酯聚合物的固化性组合物的固化物、或乙烯-α-烯烃共聚物构成。
5.一种半导体装置的制造方法，其使用根据权利要求1～4中任一项所述的半导体接合用粘接片，其包括：
在晶圆上粘贴半导体接合用粘接片的粘接剂层的工序，以及对晶圆背面实施研削的工序。
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