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CN105579228A - 阻挡膜及制备该阻挡膜的方法 - Google Patents

阻挡膜及制备该阻挡膜的方法 Download PDF

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CN105579228A
CN105579228A CN201580001838.5A CN201580001838A CN105579228A CN 105579228 A CN105579228 A CN 105579228A CN 201580001838 A CN201580001838 A CN 201580001838A CN 105579228 A CN105579228 A CN 105579228A
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Abstract

本申请涉及一种阻挡膜和制备该阻挡膜的方法,提供了一种用于有机或无机光致发光体、显示设备和太阳能发电元件等的阻挡膜,以有效阻挡化学物质,如湿气和氧,因而保护了内部的电子元件,并保持了优异的光学特性。

Description

阻挡膜及制备该阻挡膜的方法
技术领域
本申请涉及一种阻挡膜和制备该阻挡膜的方法。
背景技术
当在有机或无机荧光体、显示设备和光伏设备等中包括的电子器件和金属连线与外部化学物质,如氧或水相接触时,他们可被改性或氧化,因而不能正常地发挥功能。因此,有必要保护所述电子器件远离这些化学物质。为此,已经提出了利用玻璃板作为基板或覆盖板来保护易受这些化学物质损害的内部电子器件的技术。所述玻璃板具有令人满意的特性,包括透光率、热膨胀系数和耐化学性。然而,由于玻璃是重的、硬的和易于损坏的,故其应当被小心地处理。
因此,存在有积极的尝试,用塑料膜或片(其为与所述玻璃板相比具有较轻的重量、优良的耐冲击性和更高的柔韧性的代表性材料)来替代用作电子器件的基板的玻璃板。然而,与所述玻璃板相比,有必要弥补目前工业生产的塑料膜不足的物理性能。特别地,相比于所述玻璃板的特性,最为迫切地需要改善所述塑料膜的物理性能中的耐水性和气体阻隔性能,且需要展现出优异的气体阻隔性能和透光率的阻挡膜。
[现有技术文献]
1、日本早期公开专利申请第2007-090803号
发明内容
[技术问题]
本申请涉及提供一种阻挡膜及该阻挡膜的制造方法,所述阻挡膜适用于有机或无机荧光体、显示设备和光伏设备以有效阻隔环境中的化学物质,如湿气或氧,保护其中的电子器件,并保持优异的光学特性。
[技术方案]
在一个方面,本申请提供了一种阻挡膜。在一个实施例中,本申请的阻挡膜可被用于有机或无机荧光设备、显示设备和光伏设备。如图1所示,示例性的阻挡膜10可依序包括基底层14、第一电介质层13、无机层12和第二电介质层11,并满足通式1。在这里,所述无机层可具有1.65以上的折射率。另外,所述第一电介质层可具有100nm以上的厚度,且所述第二电介质层的厚度可等于或小于所述第一电介质层的厚度。即所述第二电介质层的厚度可等于或小于所述第一电介质层的厚度。与此同时,所述无机层的折射率可以是至少1.65,例如,1.7以上、1.75以上、1.8以上、1.85以上、1.9以上、1.95以上、1.96以上、1.97以上、1.98以上、1.99以上或2.0以上。所述无机层的折射率的上限可以是,但并不特别地限定于,例如,3.0以下、2.5以下、2.4以下、2.3以下或2.2以下。除具有相对较高的折射率的无机层之外,本申请通过控制所述第一电介质层和所述第二电介质层的厚度和折射率可提供一种具有气体阻隔性能和优异的光学特性的阻挡膜。
[通式1]
n2≤n1<ni
在通式1中,n1代表所述第一电介质层的折射率,n2代表所述第二电介质层的折射率,以及ni代表所述无机层的折射率。
通过调节组件层的折射率和厚度会影响具有层压了若干层的结构的膜的光学特性。特别地,由于光的反射和折射会发生在具有不同的折射率的两个层的交界面处,故层压材料(造成了它们本身之间的折射率的差异)和层压顺序对多层膜的光学特性具有深远的影响。所述第一电介质层、无机层和第二电介质层可由本领域的普通技术人员所知的材料形成而没有限制,只要所述材料满足所述折射率的关系即可,而当满足所述折射率的关系和厚度关系时,可制得具有优异的光学特性的阻挡膜。
此处所用的术语“折射率”可以是,除非有特别的规定,300至1000nm的波长范围内的折射率。在一个实施例中,此处所用的“折射率”可指的是550或633nm波长处的折射率。
另外,可通过满足根据通式4的厚度关系来制造本申请的具有优异的光学特性的阻挡膜。
[通式4]
0.01≤d2/d1≤1
在通式4中,d1为所述第一电介质层的厚度,以及d2为所述第二电介质层的厚度。
如上所述,所述第二电介质层的厚度d2与所述第一电介质层的厚度d1的比例可以是0.01至1,或0.01以上且小于1,例如,0.02至1.0、0.05至1.0、0.1至1.0、0.1至0.9、0.1至0.8或0.1至0.7。如上所述,当所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的厚度的比例被限定为特定的比例时,可制得具有优异的气体阻隔性能和透光率的膜。
在一个实施例中,所述第一电介质层的厚度d1可为100nm以上,例如,大于100nm且为2μm以下。另外,所述第一电介质层的厚度d1可为110nm至1μm、120nm至900nm、130nm至800nm、140nm至700nm、150nm至600nm、150nm至500nm或150nm至480nm。在一个实施例中,所述第二电介质层的厚度d2可为10nm至1μm、10nm至900nm、20nm至800nm、30nm至700nm、35nm至600nm、40nm至500nm或45nm至480nm。
另外,在本申请的示例性实施方式中,所述第一电介质层的折射率n1和所述第二电介质层的折射率n2可满足通式2。
[通式2]
0.5≤(n2-1)/(n1-1)≤1
如通式2所示,所述第二电介质层的折射率n2与所述第一电介质层的折射率n1的比例(n2-1)/(n1-1)可为0.5至1,优选地,0.55至1、0.6至1、0.65至1或0.7至1。
另外,在本申请的示例性实施方式中,所述第一电介质层的折射率n1和所述无机层的折射率ni可满足通式3。
[通式3]
0.3≤(n1-1)/(ni-1)≤0.95
如通式3所示,所述第一电介质层的折射率n1与所述无机层的折射率ni的比例(n1-1)/(ni-1)可为0.3至0.95,优选地,0.35至0.85、0.4至0.8、0.4至0.75、0.4至0.7或0.45至0.7。
根据本申请,可通过限定所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的折射率的比例和/或所述无机层与所述第二电介质层之间的折射率的比例在特定的范围内来制造具有优异的透光率的膜。
在一个实施例中,所述基底层的折射率可以是,但并不特别地限定于,1.45至1.75、1.45至1.7或1.5至1.65。只要满足通式1,所述第一电介质层的折射率n1或所述第二电介质层的折射率n2可以是,但并不特别地限定于,1.35至1.9、1.4至1.9、1.45至1.9或1.45至1.8。
另外,当所述基底层的折射率为ns时,所述基底层的折射率可低于所述无机层的折射率ni。在一个实施例中,所述基底层的折射率ns和所述无机层的折射率ni可满足通式5。
[通式5]
ns<ni
在本申请中,所述基底层的折射率ns和所述第一电介质层的折射率n1也可满足通式6。
[通式6]
0.5≤ns/n1≤1.5
即用于本申请的基底层的材料并不作特别地限定,但可满足通式5或6即可。例如,所述基底层的折射率为ns与所述第一电介质层的折射率n1的比例(ns/n1)可为0.5至1.5,特别地,0.6至1.4或0.7至1.3。
根据本申请的阻挡膜的第一电介质层的厚度与第二电介质层的厚度之间的关系可根据所述各层的材料特性和折射率关系以及所述阻挡膜的无机层的特性而被适当地控制,且满足通式4。例如,当所述厚度关系被满足时,采用下文中描述的基于氧化锌的无机层可实现优异的气体阻隔性能和透光率。
所述阻挡膜在能见区还可具有优异的透光率。在一个示例性的实施方式中,本申请在380nm至780nm的波长范围内可展现出88%以上的透光率。在本申请中,依序包括基底层、第一电介质层、无机层和第二电介质层的阻挡膜可保持优异的透明度。例如,通过满足所述各层之间的折射率的特定关系或厚度比例的关系而形成的阻挡膜在380nm至780nm的波长范围内可具有88%以上、89%以上或90%以上的透光率。
另外,所述阻挡膜可展现出较低的黄度指数和优异的透光率。在一个实施例中,当所述各层之间的折射率的特定关系或厚度比例的关系被满足时,可提供具有较低的黄度指数的阻挡膜。例如,根据ASTME313的黄度指数可为-2.0至2.0、-1.8至1.8、-1.5至1.9、-1.4至1.8或-1.4至1.7。
另外,所述阻挡膜可具有在-1.0至1.5或-0.8至1.2的范围内的CIE坐标系的b*值。所述CIE坐标系为国际照明委员会(CommissionInternationaledel'Eclairage,CIE)所定义的色值,且是作为CIE色度系统或CIE颜色空间被提出的。所述坐标系为均匀颜色空间坐标,且为现今在世界上标准化的坐标系,因为其在人眼的颜色识别上具有非常微小的差异。所述CIE坐标系由表示亮度的L*和表示色度的a*和b*来定义,且所述a*和b*代表了颜色的方向。特别地,当a*值为正数时,其代表了红色方向,当a*值为负数时,其代表了绿色方向,当b*值为正数时,其代表了黄色方向,以及当b*值为负数时,其代表了蓝色方向。可通过已知的方法来评价阻挡膜的b*值。
在本申请的一个示例性实施方式中,所述第一电介质层、无机层和第二电介质层可采用本领域的普通技术人员可知的各种材料而没有限制,只要满足所述折射率的关系和所述厚度关系即可。
在一个实施例中,所述基底层可包含选自基于聚酯的树脂,如聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯或聚芳酯;基于聚醚的树脂,如聚醚砜;基于聚烯烃的树脂,如环烯烃聚合物、聚乙烯树脂或聚丙烯树脂;基于纤维素的树脂,如二乙酰基纤维素、三乙酰基纤维素或乙酰纤维素丁酸酯;基于聚酰亚胺的树脂;以及基于环氧的树脂中的至少一种。在本申请中,所述基底层可包含聚碳酸酯或环烯烃聚合物。在一个实施例中,所述基底层的厚度可以是,但并不特别地限定于,2μm至200μm,优选地,5μm至190μm、10μm至180μm、20μm至180μm或20μm至150μm。另外,所述基底层可包括层压于以上所述的多层层压板的相反表面上的单独的涂覆层。所述涂覆层可被层压为0.01至10μm的厚度以改善光学特性、补充机械性能或赋予功能性以使此后的工艺变得容易。
在一个实施例中,所述无机层可以是选自Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si中的至少一种金属的一种或多种的氧化物或氮化物。所述无机层的厚度可为5至100nm、10nm至90nm或10至80nm。在一个实施例中,本申请的无机层可由基于氧化锌的材料形成。所述基于氧化锌的无机层可以是不含任何掺杂物的基于氧化锌的材料或含掺杂物的基于氧化锌的材料。可掺入所述氧化锌的掺杂物可以是,但并不仅限于,选自Ga、Si、Ge、Al、Sn、Ge、B、In、Tl、Sc、V、Cr、Mn、Fe、Co和Ni中的至少一种元素,以及它们的氧化物。所述掺杂物可以阳离子的形式被掺入氧化锌(ZnO),其取代Zn部分而提高了所述基于氧化锌的无机层电子或空穴的浓度。然而,不降低电子迁移率,所述掺杂物的浓度可为0.1~20wt%。或者,当利用掺杂物来调节机械性能和光学特性时,所述掺杂物的浓度可被提升15至85at%。在本申请的一个示例性实施方式中,所述无机层可没有任何限制地被层压,只要其满足适当的折射率即可,并且,例如,其可采用氧化锌锡。当氧化锌锡作为所述无机层被用于满足以上所述折射率关系和厚度关系的阻挡膜时,所述阻挡膜可展现出优异的气体阻隔性能和光学特性。
在本申请的一个示例性实施方式中,所述第一电介质层或所述第二电介质层可以是有机层或有机-无机复合层。在一个实施例中,所述第一电介质层或所述第二电介质层可包含选自基于丙烯酸的树脂、基于聚氨酯的树脂、蜜胺树脂、醇酸树脂、基于环氧的树脂、基于硅氧烷的聚合物以及式1表示的有机硅烷化合物中的至少一种。
[式1]
式1中,X可以是氢、卤素、烷氧基、酰氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或-N(R2)2,其中R2为氢或烷基,R1为烷基、烯基、炔基、芳基、芳基烷基、烷基芳基、芳基烯基、烯基芳基、芳基炔基、炔基芳基、卤素、氨基、酰胺基、醛基、烷基羰基、羧基、巯基、氰基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、磺酰基、磷酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基或环氧基,Q为单键、氧原子或-N(R2)-,其中R2为氢原子或烷基,m为介于1至3的数值。
所述有机硅烷可以是选自式1表示的化合物中的至少一种,且当采用了一类有机硅烷化合物时,可产生交联。
所述有机硅烷的实例可选自甲基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、苯基三乙氧基硅烷、二甲基二甲氧基硅烷、二甲基二乙氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、二苯基二乙氧基硅烷、苯基二甲氧基硅烷、苯基二乙氧基硅烷、甲基二甲氧基硅烷、甲基二乙氧基硅烷、苯基甲基二甲氧基硅烷基、苯基甲基二乙氧基硅烷、三甲基甲氧基硅烷、三甲基乙氧基硅烷、三苯基甲氧基硅烷、三苯基乙氧基硅烷、苯基二甲基甲氧基硅烷、苯基二甲基乙氧基硅烷、二苯基甲基甲氧基硅烷、二苯基甲基乙氧基硅烷、二甲基甲氧基硅烷、二甲基乙氧基硅烷、二苯基甲氧基硅烷、二苯基乙氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、对-氨基苯基硅烷、烯丙基三甲氧基硅烷、N-(2-氨基乙基)-3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-氨基丙基三乙氧基硅烷、3-氨基丙基三甲氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基二异丙基乙氧基硅烷、(3-缩水甘油氧基丙基)甲基二乙氧基硅烷、3-缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三甲氧基硅烷、3-巯基丙基三乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二乙氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基甲基二甲氧基硅烷、3-甲基丙烯酰氧基丙基三甲氧基硅烷、N-苯基氨基丙基三甲氧基硅烷、乙烯基甲基二乙氧基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷及它们的混合物。
在一个实施例中,所述第一电介质层或所述第二电介质层可进一步包含选自季戊四醇三丙烯酸酯、丙烯酸羟乙酯、丙烯酸羟丙酯、聚乙二醇单丙烯酸酯、乙二醇单丙烯酸酯、丙烯酸羟丁酯、缩水甘油氧基甲基丙烯酸酯、丙二醇单丙烯酸酯、三甲氧基硅烷基乙基环氧环己烷、丙烯酸和甲基丙烯酸中的至少一种。
在一个实施例中,所述基于环氧的树脂可以是选自脂环族环氧树脂和芳香族环氧树脂中的至少一种。
所述脂环族环氧树脂可以是,例如,选自脂环族缩水甘油醚型环氧树脂和脂环族缩水甘油酯型环氧树脂中的至少一种。另外,作为实施例,可采用Celloxide2021P(Daicel公司),即3,4-环氧环己基甲基-3,4-环氧环己烷羧酸酯及其衍生物,其在高温下是稳定的,无色和透明,且具有优异的韧性、粘附力和针对层压板的粘结强度。特别地,当所述脂环族环氧树脂用于涂覆时,展现出了优异的表面硬度。
所述芳香族环氧树脂可以是选自双酚A型环氧树脂、溴代双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚AD型环氧树脂、含芴的环氧树脂和异氰尿酸三缩水甘油酯中的至少一种芳香族环氧树脂。
用于形成所述第一电介质层或所述第二电介质层的无机材料可以是由溶胶-凝胶反应形成的涂覆组合物,例如,选自SiOx(其中x为1至4的整数)、SiOxNy(其中x和y各自为1至3的整数)、Al2O3、TiO2、ZrO和ITO中的至少一种。
另外,所述第一电介质层或所述第二电介质层可进一步包含选自式2代表的金属醇盐化合物中的至少一种。
[式2]
式2中,M为选自铝、锆和钛的任意一种金属,R3为卤素、烷基、烷氧基、酰氧基或羟基,以及z为3或4。
在本申请的示例性实施方式中,所述第一电介质层或所述第二电介质层可进一步包含纳米颗粒的填料以调节折射率。所述填料可以是,但并不限于,金属氧化物或金属氮化物。在一个实施例中,所述填料可包括选自CaO、CaF2、MgO、ZrO2、TiO2、SiO2、In2O3、SnO2、CeO2、BaO、Ga2O3、ZnO、Sb2O3、NiO和Al2O3中的至少一种。另外,在一个实施例中,当在用于电介质层的涂层中采用所述填料时,可根据需要处理所述填料的表面以改善粘结强度。例如,可用环氧硅烷、丙烯酰基硅烷或乙烯基硅烷来处理所述填料的表面。所述填料可具有0.1nm至150nm、0.1nm至100nm、1nm至90nm、1nm至70nm或1nm至50nm的直径。当所述填料的尺寸被控制在上述范围内时,可满足本申请的膜的透明度和所需的折射率。
所述第一电介质层或所述第二电介质层可通过利用热固化、光固化或它们的组合来固化,且需要时可进一步包含热生酸剂或光生酸剂。
当用热来进行固化时,应当考虑所述基底层的耐热性,无定型基底层可在其玻璃化转变温度以下固化,而若具有结晶性,则常在比所述玻璃化转变温度更高的温度下固化。例如,COP(环烯烃共聚物)可在120℃以下固化,PC(聚碳酸酯)可在130℃以下固化,PET(聚(对苯二甲酸乙二醇酯))可在130℃以下固化,以及PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)可在150℃以下固化。
本申请还涉及一种制造以上所述的阻挡膜的方法。示例性的制造方法可包括在基底层上依序层压第一电介质层、具有1.65以上的折射率的无机层和第二电介质层。另外,所述第一电介质层、无机层和第二电介质层可满足通式1,所述第一电介质层的厚度可以是100nm以上,且所述第二电介质层的厚度可等于或小于所述第一电介质层的厚度。
[通式1]
n2≤n1<ni
通式1中,n1为所述第一电介质层的折射率,n2为所述第二电介质层的折射率,以及ni为所述无机层的折射率。
为了在所述基底层上依序形成所述第一电介质层、无机层和第二电介质层,可采用真空蒸发、溅射、原子层沉积、离子镀或涂覆,但本申请并不仅限于此,因而可采用本领域已知的常规方法。
[有益效果]
根据本申请的阻挡膜可被应用于有机或无机荧光设备、显示设备或光伏设备以有效阻挡化学物质,如水或氧,保护内部的电子器件,且保持优异的光学特性。
附图说明
图1为根据本申请的示例性阻挡膜的图示。
[附图标记]
10:阻挡膜
11:第二电介质层
12:无机层
13:第一电介质层
14:基底层
具体实施方式
下文中,将参照根据本申请的实施例和未根据本申请的对比实施例来更详细地描述本申请,但本申请的范围并不仅限于以下实施例。
实施例1
利用重量比为40:60的季戊四醇三丙烯酸酯与甲基乙氧基硅烷制得的涂覆溶液,在PC(聚碳酸酯)膜(厚度:100μm,折射率:1.61)上形成了0.26μm厚度的具有1.48的折射率的第一电介质层。具体地,所述涂覆溶液中所用的季戊四醇三丙烯酸酯的总重的一半为与异氰酸酯基三乙氧基硅烷的反应产物。所述涂覆溶液通过在室温下利用基于硅烷醇的2当量的水和基于固体含量的1.5重量份的0.1N盐酸使季戊四醇三丙烯酸酯和甲氧基硅烷的混合物水合30小时而制得。通过利用迈耶棒(meyerbar)以所述涂覆溶液涂覆所述PC膜,室温下干燥涂覆的膜3分钟,以及在100℃下干燥涂覆产物1分钟而制得了第一电介质层。通过在3mTorr的氩气气氛下的溅射,在涂覆的膜上层压约20nm厚度的具有2.0的折射率的氧化锌锡层以作为所述无机层。利用用来形成所述第一电介质层的涂覆溶液在沉积层上形成0.1μm的厚度的第二电介质层,由此制得了阻挡膜。
对比实施例1
除了将所述第一电介质层形成为0.1μm的厚度,以及将所述第二电介质层形成为0.26μm的厚度之外,通过与实施例1所述的相同的方法制得了阻挡膜。
实施例2
利用在丙烯酸树脂中含有金属氧化物纳米颗粒(二氧化钛)的涂覆溶液(TYT65,东洋油墨有限公司),在PC(聚碳酸酯)膜(厚度:100μm,折射率:1.61)上形成了0.26μm厚度的具有1.65的折射率的第一电介质层。通过利用迈耶棒(meyerbar)以涂覆溶液涂覆所述PC膜,室温下干燥涂覆的膜约2分钟,以及在0.5J/cm2的强度下凭借针对涂层的紫外线的辐照来固化涂覆产物而制得了涂覆层。通过在3mTorr的氩气气氛下的溅射,在涂覆的膜上层压约20nm厚度的具有2.0的折射率的氧化锌锡层以作为所述无机层。利用实施例1中所用的涂覆溶液在沉积层上形成了0.1μm的厚度的具有1.48的折射率的第二电介质层,由此制得了阻挡膜。
对比实施例2
除了利用重量比为40:60的季戊四醇三丙烯酸酯与甲基乙氧基硅烷制得的涂覆溶液来形成作为所述第一电介质层的具有1.48的折射率的电介质层(厚度:260nm),以及利用在丙烯酸树脂中含有金属氧化物纳米颗粒的涂覆溶液(TYT65,东洋油墨有限公司)来形成作为所述第二电介质层的具有1.65的折射率的电介质层(厚度:100nm)之外,通过与实施例2所述的相同的方法制得了阻挡膜。
对比实施例3
除了未形成所述第二电介质层之外,通过与实施例2所述的相同的方法制得了阻挡膜。
实施例3
利用根据实施例1的涂覆溶液,在作为基底层膜的COP(环烯烃共聚物)膜(厚度:50μm,折射率:1.53)上形成了220nm厚度的具有1.48的折射率的第一电介质层。通过在3mTorr的氩气气氛下的溅射,在涂覆的膜上层压约20nm厚度的具有2.0的折射率的氧化锌锡层以作为无机层。利用实施例1中所用的涂覆溶液在沉积层上形成了90nm的厚度的具有1.48的折射率的第二电介质层,由此制得了阻挡膜。
对比实施例4
除了使所述第一电介质层形成为0.1μm的厚度,并使所述第二电介质层形成为0.32μm的厚度之外,通过与实施例3所述的相同的方法制得了阻挡膜。
对比实施例5
利用在丙烯酸树脂中含有金属氧化物纳米颗粒的涂覆溶液(TYT65,东洋油墨有限公司),在PC(聚碳酸酯)膜(厚度:100μm,折射率:1.61)上形成了91nm厚度的具有1.65的折射率的第一电介质层。通过在3mTorr的氩气气氛下的溅射,在涂覆的膜上层压20nm厚度的具有2.0的折射率的氧化锌锡层以作为无机层。利用重量比为40:60的季戊四醇三丙烯酸酯与甲基乙氧基硅烷制得的涂覆溶液在沉积层上形成了40nm的厚度的具有1.48的折射率的第二电介质层,由此制得了阻挡膜。
对比实施例6
利用在丙烯酸树脂中含有金属氧化物纳米颗粒的涂覆溶液(TYT60,东洋油墨有限公司),在COP(环烯烃共聚物)膜(厚度:50μm,折射率:1.53)上形成了0.15μm厚度的具有1.60的折射率的第一电介质层。通过加入体积比为40:3.3:15的氩气、氧气和氮气并向硅靶施加2kW的RF功率,在涂覆的第一电介质层上层压了约50nm厚度的氮氧化硅(所述无机层的折射率=1.6)。利用实施例1中所用的涂覆溶液在沉积层上形成了70nm的厚度的具有1.48的折射率的第二电介质层,由此制得了阻挡膜。
实施例4
除了使所述第一电介质层形成为0.48μm的厚度,并使所述第二电介质层形成为0.43μm的厚度之外,通过与实施例3所述的相同的方法制得了阻挡膜。
1.折射率和厚度的测定
通过以下方法测定了根据本申请的实施例和对比实施例的第一电介质层、第二电介质层和无机层的折射率和厚度。
通过在Si基底上形成电介质层或无机层制得了用于测定折射率的样品。通过利用椭圆偏光仪(M2000U,J.A.WoolamCo.公司)的分析获得了所述样品的折射率。
利用扫描电子显微镜(S4800,日立公司)测定了涂覆于基底层上的层的厚度。
2.平均透光率的测定
利用岛津UV3600评估了根据实施例和对比实施例制得的阻挡膜的光学透射谱(380至780nm下的平均透光率)。
3.水汽透过率的测定
在30℃和100%R.H.下,利用LyssyL80评估了根据实施例和对比实施例制得的阻挡膜的水汽透过率。
4.黄度指数和CIE值的测定
利用岛津提供的程序从光透射谱中获得了根据实施例和对比实施例制得的阻挡膜的黄度指数(根据ASTME313)和在CIE坐标系中的a*和b*值。
[表1]

Claims (17)

1.一种满足通式1的阻挡膜,依序包括:
基底层、第一电介质层、具有1.65以上的折射率的无机层和第二电介质层,
其中所述第一电介质层具有100nm以上的厚度,且所述第二电介质层的厚度等于或小于所述第一电介质层的厚度:
[通式1]
n2≤n1<ni
通式1中,n1代表所述第一电介质层的折射率,n2代表所述第二电介质层的折射率,以及ni代表所述无机层的折射率。
2.根据权利要求1所述的阻挡膜,满足通式4:
[通式4]
0.01≤d2/d1≤1
通式4中,d1代表所述第一电介质层的厚度,以及d2代表所述第二电介质层的厚度。
3.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第二电介质层的厚度d2为10nm至1μm。
4.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层的折射率n1和所述第二电介质层的折射率n2满足通式2:
[通式2]
0.5≤(n2-1)/(n1-1)≤1。
5.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层的折射率n1和所述无机层的折射率ni满足通式3:
[通式3]0.3≤(n1-1)/(ni-1)≤0.95。
6.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述基底层的折射率为1.45至1.75。
7.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述基底层的折射率为ns和所述无机层的折射率ni满足通式5:
[通式5]
ns<ni
8.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述基底层的折射率ns和所述第一电介质层的折射率n1满足通式6:
[通式6]
0.5≤ns/n1≤1.5。
9.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层的折射率n1或所述第二电介质层的折射率n2为1.35至1.9。
10.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,根据ASTME313的黄度指数为-2.0至2.0。
11.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述无机层包括选自Al、Zr、Ti、Hf、Ta、In、Sn、Zn和Si中的至少一种金属的一种或多种的氧化物或氮化物。
12.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述无机层由氧化锌锡形成。
13.根据权利要求1所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层或所述第二电介质层为有机层或有机-无机复合层。
14.根据权利要求13所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层或所述第二电介质层包含选自基于丙烯酸的树脂、基于聚氨酯的树脂、蜜胺树脂、醇酸树脂、基于环氧的树脂、基于硅氧烷的聚合物以及式1表示的有机硅烷化合物中的至少一种:
[式1]
式1中,X为氢、卤素、烷氧基、酰氧基、烷基羰基、烷氧基羰基或-N(R2)2,其中R2为氢或烷基,R1为烷基、烯基、炔基、芳基、芳基烷基、烷基芳基、芳基烯基、烯基芳基、芳基炔基、炔基芳基、卤素、氨基、酰胺基、醛基、烷基羰基、羧基、巯基、氰基、羟基、烷氧基、烷氧基羰基、磺酰基、磷酰基、丙烯酰氧基、甲基丙烯酰氧基或环氧基,Q为单键、氧原子或-N(R2)-,其中R2为氢原子或烷基,m为1至3的数值。
15.根据权利要求13所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层或所述第二电介质层包含选自式2代表的金属醇盐化合物中的至少一种:
[式2]
式2中,M为选自铝、锆和钛中的一种金属,R3为卤素、烷基、烷氧基、酰氧基或羟基,以及z为3或4。
16.根据权利要求13所述的阻挡膜,其中,所述第一电介质层或所述第二电介质层进一步包含填料。
17.一种制备根据权利要求1所述的阻挡膜的方法,该方法包括在基底层上依序层压第一电介质层、具有1.65以上的折射率的无机层和第二电介质层,其满足通式1:
[通式1]
n2≤n1<ni
通式1中,n1代表所述第一电介质层的折射率,n2代表所述第二电介质层的折射率,以及ni代表所述无机层的折射率。
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