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CN105518884A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents

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CN105518884A CN201480048553.2A CN201480048553A CN105518884A CN 105518884 A CN105518884 A CN 105518884A CN 201480048553 A CN201480048553 A CN 201480048553A CN 105518884 A CN105518884 A CN 105518884A
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Abstract

一种发光装置，具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面上，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。

Description

发光装置及其制造方法
技术领域
本发明的实施方式涉及发光装置及其制造方法。
背景技术
使用发光二极管(LED)的发光装置，广泛地应用于室内用、室外用、固定设置用、移动用等的显示装置、显示用灯、各种开关类、信号装置、一般照明等光学装置。在使用LED的发光装置中，作为对于显示各种字符串、几何学图形或纹样等的显示装置和显示用灯等适合的装置，已知在2张透明基板间配置多个LED的透明发光装置。
作为透明基板使用透明树脂制的柔性基板等，从而减少对显示装置或显示用灯等发光装置的安装面的制约，因此透明发光装置的便利性和利用可能性得以提高。
透明发光装置例如具有如下的构造：在具有第1导电电路层的第1透明绝缘基板与具有第2导电电路层的第2透明绝缘基板之间配置多个LED芯片。多个LED芯片分别具有一对电极，这些电极分别与第1及第2导电电路层电连接。在通过将多个LED芯片隔开一定程度的间隔进行配置而形成的第1透明绝缘基板与第2透明绝缘基板之间的空间中，填充着由具有电绝缘性和弯曲性的透明树脂等构成的透明绝缘体。换言之，LED芯片配置在设置于透明绝缘体的贯通孔内。
上述的透明发光装置中的LED芯片的电极与导电电路层的电连接，例如大多通过将第1透明绝缘基板、在贯通孔内配置有LED芯片的透明绝缘树脂片、以及第2透明绝缘基板的层积体进行热压接来进行。这种情况下，有时通过使热压接后的透明绝缘树脂片的厚度(透明绝缘体的厚度)比LED芯片的厚度更薄，将导电电路层压靠到LED芯片的电极而使其接触。LED芯片的电极和导电电路层有时也通过导电性粘接剂来粘接。此外，还提出了将固定着LED芯片的热熔粘接剂片用具有导电电路层的上下绝缘基板夹持而进行热压接，将LED芯片埋入到粘接剂片中，从而同时实施上下的绝缘基板间的粘接、以及LED芯片的电极与导电电路层的电连接。
但是，任一情况下均无法充分地提高导电电路层与电极的电连接性及其可靠性，所以要求进一步改善。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-084855号公报
发明内容
发明所要解决的技术课题
鉴于上述的情况，本发明提供一种能够解决如下课题的发光装置及其制造方法。该课题是：在埋设有发光二极管的柔性透光性发光装置中，在弯曲时，在导电电路层与LED芯片之间产生短路而停止发光。
解决课题所采用的技术手段
实施方式的发光装置具备：第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体的间隙；以及第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。
附图说明
图1是表示第1实施方式的发光装置的概略构成的示意截面图。
图2是将发光装置的一部分放大示出的截面图。
图3是说明实施方式的连接例的平面图。
图4A是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图4B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图4C是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图4D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图5是修整处理前的凸起(球)形状的示意图。
图6A是说明使用夹具进行的修整处理的图。
图6B是说明使用夹具进行的修整处理的图。
图6C是说明使用夹具进行的修整处理的图。
图7A是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。
图7B是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。
图7C是说明通过树脂片的冲压加工来进行的修整处理的图。
图8A是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。
图8B是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。
图9是表示第2实施方式的发光装置的概略构成的示意截面图。
图10是将发光装置的一部分放大示出的截面图。
图11A是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图11B是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图11C是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图11D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。
图12A是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。
图12B是说明冲压前后的LED芯片的配置的图。
图13是表示发光二极管和位于其周边的透光性绝缘体、导电电路层、透光性绝缘基体的图。
图14是将发光二极管的电极上形成的导电性凸起放大示出的图。
具体实施方式
《第1实施方式》
参照附图说明本发明的第1实施方式的发光装置。图1是表示实施方式的发光装置1的概略构成的示意截面图。此外，图2是将图1所示的发光装置1的一部分放大示出的截面图。
如图1所示，发光装置1大体上说，具备透光性支撑基体2、透光性支撑基体3、发光二极管22、透光性绝缘体13。
透光性支撑基体2具备透光性绝缘体4和设置在透光性绝缘体4的表面上的导电电路层5。导电电路层5仅设置在构成透光性支撑基体2的透光性绝缘体4的表面。
透光性支撑基体3具备透光性绝缘体6，以透光性绝缘体6的表面与导电电路层5隔开规定的间隙而对置的方式配置。即，透光性支撑基体3自身不具有导电电路层。
发光二极管22在绝缘基板或半导体基板上形成有半导体层，具备发光二极管主体27、以及设置在发光二极管主体27的一个表面并与导电电路层5电连接的电极28、29，该发光二极管22配置在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间。发光二极管主体27以规定的间隔排列多个。发光二极管主体27间的最小距离d没有特别限定，但是最小距离d为1500μm以下地高密度安装的情况下特别有效。此外，排列的发光二极管主体27的数量可以根据发光装置1的规格(例如外形尺寸、发光面积等)来适当决定。
例如图2所示，发光二极管22具备发光二极管主体27，该发光二极管主体27具有在透明的蓝宝石基板这样的绝缘基板23上依次形成的N型半导体层(例如n-GaN层)24、活性层(例如InGaN层)25及P型半导体层(例如p-GaN层)26。另外，N型半导体层和P型半导体层的配置位置也可以相反。在本实施方式中，采用在发光二极管主体27的发光面侧设置电极28、29的单面电极构造。此外，对于在半导体基板上形成了半导体层的发光二极管，也能够采用单面电极构造。
发光二极管22的电极28、29分别与透光性支撑基体2的导电电路层5电连接。电极28、29是以包含Au(金)的合金作为材料的焊盘电极。
如图2所示，电极28通过经由导电性凸起(bump)30与导电电路层5接触而与导电电路层5电连接。电极29通过经由导电性凸起30与导电电路层5接触而与导电电路层5电连接。
作为导电性凸起30，可以是金、AuSn合金、银、铜、镍、或者与其他金属的合金、混合物、共晶、非晶材料，也可以是焊锡或共晶焊锡、金属微粒子与树脂的混合物、各向异性导电膜等。此外，也可以是使用焊线机而形成的线凸起、通过电解镀、无电解镀、将含有金属微粒子的油墨进行喷墨印刷而烧制的凸起、通过含有金属微粒子的糊剂的印刷、涂覆球安装、弹丸安装、蒸溅等形成的凸起。
导电性凸起30的熔点优选为180℃以上，更优选为200℃以上。作为实用的范围，上限是1100℃以下。如果导电性凸起30的熔点低于180℃，则在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，导电性凸起30较大地变形而无法维持充分的厚度，或者从电极溢出而产生LED的光度下降等问题。
导电性凸起30的熔点例如是使用岛津制作所制DSC-60示差扫描热量计在5℃/分的升温速度下使用约10mg的试件而测定的熔点的值，在固相线温度和液相线温度不同的情况下，是固相线温度的值。
导电性凸起30的动态硬度DHV为3以上150以下，优选为5以上100以下，更优选为5以上50以下。导电性凸起30的动态硬度DHV低于3时，在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，导电性凸起30较大地变形而无法维持充分的厚度。此外，会发生导电性凸起30从电极溢出而LED的光度下降等问题。另一方面，如果导电性凸起30的动态硬度DHV超过150，则在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，导电性凸起30使透光性支撑基体2变形而发生外观不良或连接不良，所以并不合适。
导电性凸起30的动态硬度DHV例如在20℃下使用岛津制作所制的岛津动态超微硬度计DUH-W201S而通过实验求出。在该实验中，将对面角136°的钻石正四方锥压入器(维式压入器)以负荷速度0.0948mN/秒向导电性凸起30压入。然后，将压入器的压入深度(D/μm)达到0.5μm时的实验力(P/mN)代入到下式。
DHV＝3.8584P/D2＝15.4336P
导电性凸起30的高度优选为5μm以上50μm以下，更优选为10μm以上30μm以下。导电性凸起30的高度低于5μm时，防止导电电路层与P型半导体层或者导电电路层与N型半导体层的短路的效果变弱，并不合适。另一方面，如果超过50μm，则在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，导电性凸起30使透光性支撑基体2变形而产生外观不良或连接不良，所以并不合适。
此外，发光二极管主体27的电极与导电性凸起30的接触面积优选为100μm2以上15000μm2以下，更优选为400μm2以上8000μm2以下。这些各尺寸是在室温和被测定物的温度为20℃±2℃的稳定的环境下计测到的值。
在本实施方式的发光装置中，发光二极管主体27的电极28、29与透光性支撑基体2的导电电路层5使用导电性凸起30而通过真空热冲压来连接。因此，在真空热冲压时，导电性凸起30的至少一部分在未熔解的状态下与发光二极管22的电极电连接。因此，发光二极管主体27的电极面与导电性凸起30的接触角例如优选为135度以下。
发光二极管22通过经由电极28、29施加的直流电压而点亮。例如，发光装置1将7个发光二极管主体27排列为2列而构成的情况下，发光装置1的导电电路层5构成7串联2并联电路。通过串联连接，流动的电流在所有发光二极管主体27中成为相同大小。
透光性绝缘体13被埋入到透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间。
为了使透光性支撑基体2及透光性支撑基体3能够弯曲，透光性绝缘体4及透光性绝缘体6例如使用具有绝缘性、透光性、弯曲性的片状的树脂材料。作为树脂材料，可以举出聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚丁二酸乙二醇酯(PES)、环状烯烃树脂(例如JSR社制的ARTON(商品名))、丙烯酸树脂等。
透光性绝缘体4、6的总光透射率优选为90％以上，更优选为95％以上。另外，总光透射率例如由JISK7105规定。
透光性绝缘体4及透光性绝缘体6的厚度例如优选为50～300μm的范围。如果透光性绝缘体4及透光性绝缘体6的厚度高于300μm，则透光性支撑基体2和透光性支撑基体3难以具有良好的弯曲性，透光性也可能会下降。此外，如果透光性绝缘体4及透光性绝缘体6的厚度低于50μm，则在真空热压接时，透光性绝缘体4及透光性绝缘体6在发光二极管22周边变形，并不合适。
导电电路层5例如使用氧化铟锡(ITO)、掺氟氧化锡(FTO)、氧化锌、氧化铟锌(IZO)等透明导电材料。导电电路层5例如是通过溅射法或电子束蒸镀法等而形成薄膜、将得到的薄膜通过激光加工或蚀刻处理等进行图案形成而制作的。
此外，导电电路层5例如也可以是将平均粒径为10～300nm的范围的透明导电材料的微粒子和透明树脂粘合剂的混合物通过丝网印刷等涂覆为电路形状，或者对上述混合物的涂覆膜通过激光加工或光刻加工来实施图案形成处理而形成电路。
导电电路层5不限于由透明导电材料构成，也可以是使金或银等不透明导电材料的微粒子以网状附着。例如，在涂覆了卤化银这样的不透明导电材料的感光性化合物之后，实施曝光/显像处理而形成网状的导电电路层5。此外，也可以是将含有不透明导电材料微粒子的浆液通过丝网印刷等涂覆为网状而形成导电电路层5。
导电电路层5只要是在形成于透光性绝缘体4表面时能够表现出透光性而得到透光性支撑基体2即可。
导电电路层5优选为具有如下那样的透光性：透光性支撑基体2的总光透射率(JISK7105)为10％以上，并且作为发光装置1整体的总光透射率为1％以上。如果作为发光装置1整体的总光透射率低于1％，则发光点不会作为亮点被看到。导电电路层5自身的透光性因其构造而不同，但是优选为总光透射率处于10～85％的范围。
在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的空间、即除了多个发光二极管22的配置部分以外的空间埋入透光性绝缘体13。透光性绝缘体13优选为由以弹性体为主成分的材料构成，也可以根据需要而含有其他树脂成分等。作为弹性体，已知丙烯酸系弹性体、烯烃系弹性体、苯乙烯系弹性体、酯系弹性体、聚氨酯系弹性体等。其中，满足上述特性的丙烯酸系弹性体除了透光性、电绝缘性、弯曲性等之外，在软化时的流动性、固化后的粘接性、耐候性等较为优良，所以适于作为透光性绝缘体13的构成材料。
透光性绝缘体13优选为由满足规定的维卡软化温度、拉伸储能模量、玻璃转移温度、熔解温度等特性的透光性绝缘树脂、特别是弹性体构成。例如，优选为维卡软化温度处于80～160℃的范围内，0℃～100℃之间的拉伸储能模量处于0.01～10GPa的范围。此外，透光性绝缘体13优选为在维卡软化温度下不熔融，维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上。
透光性绝缘体13优选为具有180℃以上的熔解温度、或者比维卡软化温度高40℃以上的熔解温度。此外，透光性绝缘体13优选为具有－20℃以下的玻璃转移温度。另外，维卡软化温度是在实验载荷10N、升温速度50℃/小时的条件下按照JISK7206(ISO306：2004)所记载的A50条件求出的值。
玻璃转移温度和熔解温度是按照依据于JISK7121(ISO3146)的方法使用示差扫描热量计在5℃/分的升温速度下通过热流束示差扫描热量测定而求出的值。拉伸储能模量是依照JISK7244-1(ISO6721)使用动态粘弹性自动测定器以1℃/分从－100℃等速升温到200℃，在频率10Hz下求出的值。
透光性绝缘体13能够配置到电极28、29的周围为止。即，电极28、29分别具有比发光二极管主体27的电极形成面(例如发光面)小的面积和从电极形成面突出的形状的情况下，在使电极28、29与导电电路层5接触的状态下，在电极形成面内的未形成电极28、29的面(电极28、29的非形成面)与导电电路层5之间产生空间。优选为在这样的电极28、29的非形成面与导电电路层5之间的微小空间也填充透光性绝缘体13。
为了提高导电电路层5与电极28、29的接触性，透光性绝缘体13具有比发光二极管22的高度T1更薄的厚度。与透光性绝缘体13紧贴的透光性支撑基体2，具有从发光二极管22所配置的部分朝向相邻的发光二极管22间的中间部分向内侧弯曲的形状。因此，透光性支撑基体2将导电电路层5压靠到电极28、29。由此，能够提高导电电路层5与电极28、29的电连接性及其可靠性。
为了不妨碍来自活性层25的发光放出到外部，在发光二极管主体27的发光面设置的电极29具有比发光面更小的面积。图3示出了本实施方式中的导电电路层5与发光二极管22的连接例。发光二极管22与导电电路层5连接。导电电路层5例如是透明导电材料，但是如前述那样，并不限于此。此外，导电电路层5的图案也不限于此，可以进行各种变更。
根据本实施方式，在埋设有发光二极管的柔性透光性发光装置中，例如即便焊盘电极侧以凹状弯曲，也能够通过导电性凸起30确保充分的高度，所以能够防止短路。
＜制造方法＞
图4A～图4D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。参照图4A～图4D说明本实施方式的发光装置的制造方法。
首先，准备形成有电极28和电极29(阳电极和阴电极或者阴电极和阳电极)的发光二极管22。
接着，在发光二极管22的电极28、29的双方形成导电性凸起30。导电性凸起30的形成方法可以采用如下方法：使用线凸起加工机，从Au线或Au合金线制作金或金合金凸起。所使用的线径优选为15μm以上75μm以下。
在本实施方式中，使用线接合装置，使电线前端放电并使其金属熔融而形成球后，施加超声波而与焊盘电极连接。然后，在球连接到焊盘电极的状态下，将线从球切离。
＜修整处理＞
残留在球顶部的微小突起可以保留，但也可以根据希望而按压球上表面，进行球上表面的修整处理。后者的情况下，夯实处理可以利用冲压机隔着树脂片来进行，也可以用线接合装置的夹具前端冲压球上表面。通过按压来进行修整处理的情况下，球上表面的曲率比球下部稍大。
图5是修整处理前的凸起(球)形状的示意图。如图5所示，在导电性凸起30上残留着在凸起形成时切除的电线。该残留被称为线尾。将与LED焊盘电极相接的面的直径设为A、将凸起的高度设为B的情况下，导电性凸起30的形状优选为满足B/A＝0.2～0.7。在此，对于偏离了该数值范围的线尾实施修整处理。
图6A～图6C是说明使用夹具来进行修整处理的图。在形成凸起后，在凸起接合装置台(未图示)上配置发光二极管(参照图6A)。将安装于凸起接合装置且比凸起更硬的夹具以其下表面平行于电极的状态向凸起上部按压(参照图6B)。这时，压靠夹具，直到凸起的高度成为期望的高度B。结果，在凸起形成时将电线切离时残留在上部的线被夹具压溃(参照图6C)，在凸起形成无突起的连续面。
图7A～图7C是说明通过使用了树脂片的冲压加工来进行修整处理的图。图8A是表示冲压前的发光二极管的配置的图。图8B是说明冲压后的LED芯片的配置的图。在压力机装置的下压板配置树脂片200，该树脂片200比形成的凸起高度B和LED芯片厚相加的高度更厚，在所述树脂片200配置形成有凸起的LED芯片，进而在LED芯片上部配置树脂片100，该树脂片100比形成的凸起高度B和LED芯片厚相加的高度更厚(参照图7A)。在此，树脂片100、200例如可以使用PET、氟树脂、TPX、烯烃等。
如图8A所示，在由压力机装置上压板及下压板夹着上述发光二极管的状态下施加压力而进行冲压时(参照图7B)，如图8B所示，发光二极管的凸起形成面被埋入到树脂片100。此外，LED芯片的凸起形成面的相反面被埋入到树脂片200。
如图8B所示，在冲压后，将树脂片100、200剥离。结果，形成于LED芯片的凸起的、在凸起形成时将线切离时残留在上部的线被树脂片100压溃，在凸起上部形成连续的面(参照图7C)。这时，通过调整树脂硬度和冲压压力，能够调整凸起高度B。另外，在冲压时也可以不配置树脂片200而在下压板直接配置LED芯片。
在利用了树脂片的冲压加工手法的情况下，与通过夹具进行的修整方法相比，形成于凸起上部的连续面成为曲面。并且，虽然通过金属球在焊盘电极上形成导电性凸起，但是除了线凸起以外，也可以通过电解镀、无电解镀、使用了含有金属微粒子的油墨的喷墨涂覆、含有金属微粒子的糊剂的涂覆或印刷、以及球安装和弹丸安装各向异性导电膜的热压接等，来使用金、银、铜、镍等金属、金锡合金等合金、共晶、非晶、焊锡等。
接着，准备透光性支撑基体2和透光性支撑基体3，该透光性支撑基体2具有透光性绝缘体4和形成在其表面上的导电电路层5，该透光性支撑基体3仅由透光性绝缘体6构成。导电电路层5的构成材料和形成方法等如上述那样。
接着，准备具有80～160℃的范围的维卡软化温度的透光性绝缘树脂片13’。透光性绝缘树脂片13’优选为以如下的树脂为主成分，该树脂为，除了上述的维卡软化温度之外，0℃～100℃之间的拉伸储能模量为0.01～10GPa的范围，在维卡软化温度下不熔融，并且维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上，熔解温度为180℃以上或者比维卡软化温度高40℃以上，玻璃转移温度为－20℃以下。透光性绝缘树脂片13’优选为弹性体片，更优选为丙烯酸系弹性体片。
接着，在透光性支撑基体2的导电电路层5上以覆盖导电电路层5整体的方式配置透光性绝缘树脂片13’(参照图4A)。例如，通过粘接剂虚粘接透光性绝缘树脂片13’。
透光性绝缘树脂片13’具有能够将包括导电电路层5上成为发光二极管22的配置位置的部分在内的、导电电路层5整体及透光性绝缘体4整体覆盖的形状。在透光性绝缘树脂片13’上配置多个发光二极管22(参照图4B)。发光二极管22以电极28、29位于透光性绝缘树脂片13’侧、即位于导电电路层5侧的方式配置。在发光二极管22上配置透光性支撑基体3(参照图4C)。
通过实施图4A～图4C所示的工序，发光二极管22以电极28、29位于导电电路层5侧的状态配置在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间。
透光性绝缘树脂片13’具有能够充分填充如下的空间的厚度即可，该空间是在下述的真空热压接工序中透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的空间、即由于配置发光二极管22而产生的透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的间隙的空间。
具体地说，透光性绝缘树脂片13’的厚度只要能够充分填充基于发光二极管22的高度的、透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的间隙即可。透光性绝缘体13的厚度(T)比发光二极管22的高度(H)更薄的情况下，与它们的差(H－T)相对应地设定透光性绝缘树脂片13’的厚度即可。
接着，如图4D所示，将依次层积了透光性支撑基体2、透光性绝缘树脂片13’、发光二极管22、透光性支撑基体3的层积体在真空氛围中加热并加压。
真空氛围中的层积体的加热/加压工序(真空热压接工序)优选为如下那样进行：相对于透光性绝缘树脂片13’的维卡软化温度Mp(℃)，将层积体加热到Mp－10(℃)≤T≤Mp+30(℃)的范围的温度T并进行加压。更优选的加热温度是Mp-10(℃)≤T≤Mp+10(℃)的范围。
通过应用这样的加热条件，能够在使透光性绝缘树脂片13’适当软化的状态下对层积体加压。能够将隔着透光性绝缘树脂片13’配置在导电电路层5上的电极28、29连接到导电电路层5的规定位置，并且在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间埋入软化的透光性绝缘树脂片13’，形成透光性绝缘体13。
层积体的真空热压接时的加热温度T不到比透光性绝缘树脂片13’的维卡软化温度Mp低10(℃)的温度(T＜Mp－10)时，透光性绝缘树脂片13’的软化不充分，透光性绝缘树脂片13’(以及透光性绝缘体13)相对于发光二极管22的紧贴性可能会下降。加热温度T超过比透光性绝缘树脂片13’的维卡软化温度Mp高30(℃)的温度(Mp+30＜T)时，透光性绝缘树脂片13’过度软化，可能会产生形状不良等。
＜热压接工序＞
在层积体的真空氛围下的热压接工序优选为如下那样实施。对上述的层积体进行预备施压而使各构成部件间紧贴。接着，将预备施压后的层积体所配置的作业空间抽为真空后，将层积体加热到上述的温度并施压。像这样，通过将预备施压后的层积体在真空氛围下进行热压接，能够在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的空间中无缝隙地埋入软化的透光性绝缘树脂片13’。
热压接时的真空氛围优选为5kPa以下。虽然也可以省去预备施压工序，但是这种情况下，层积体容易发生位置偏移等，所以优选为实施预备施压工序。
如果在大气氛围下或低真空下实施层积体的热压接工序，则在热压接后的发光装置1内、特别是发光二极管22的周围容易残留气泡。残留在发光装置1内的气泡被施压，所以成为热压接后的发光装置1膨胀、或者发光二极管22从透光性支撑基体2、3剥离的产生原因。此外，如果在发光装置1的内部、特别是发光二极管22的附近存在气泡或膨胀，则光不均匀地散射，或者出现发光装置1的外观上的问题，所以并不合适。
如以上那样，通过在导电电路层5与发光二极管22的电极28、29之间介有透光性绝缘树脂片13’的状态下实施真空热压接工序，能够将电极28、29与导电电路层5电连接，并且在发光二极管22的周围形成紧贴的透光性绝缘体13。进而，能够在发光二极管主体27的发光面内的电极28、29的非形成面与导电电路层5之间的空间良好地填充透光性绝缘体13的一部分。
根据本实施方式的制造方法，能够再现性良好地制造提高了导电电路层5与发光二极管22的电极28、29的电连接性及其可靠性的发光装置1。
图13是表示构成发光装置1的发光二极管22、位于其周边的透光性绝缘体13、导电电路层5、透光性绝缘基体4、6的图。此外，图14是将发光二极管22的电极28、29上形成的导电性凸起30放大示出的图。参照图13、图14可知，在发光装置1中，导电电路层5的与发光二极管22的导电性凸起30相接的接触区域成为沿着导电性凸起30凹陷的状态。由此，能够增大导电性凸起30与导电电路层5的接触面积。结果，能够减小导电性凸起30与导电电路层5之间的电阻。
在本实施方式中，示出了透光性绝缘体13为单层片的情况，但是也可以将透光性绝缘体13设为2张透光性绝缘树脂片，在这2张透光性绝缘树脂片之间夹着发光二极管的状态下对透光性支撑基体2和透光性支撑基体3进行施压，得到图2所示的构造。
此外，这时，也可以将透光性支撑基体3设为临时的基体，对整体施压而得到电极28、29与导电电路层5的电连接之后，将2张中的与电极28、29相反侧的透光性树脂片剥离，然后重新覆盖与剥离的透光性树脂片相同厚度的透光性树脂片和最终的透光性支撑基体3，得到图2所示的构造。
《第2实施方式》
接下来，参照附图说明本发明的第2实施方式的发光装置。另外，对于与第1实施方式的发光装置同等的构造省略说明。
图9是表示实施方式的发光装置1的概略构成的示意截面图。此外，图10是将图9所示的发光装置1的一部分放大示出的截面图。本实施方式的发光装置与第1实施方式的发光装置的不同点在于，构成该发光装置的发光二极管在两面具有电极。
如图9所示，发光装置1大体上说，具备透光性支撑基体2、透光性支撑基体3、发光二极管8、透光性绝缘体13。
透光性支撑基体2具备透光性绝缘体4和形成在其表面上的导电电路层5。透光性支撑基体3具备透光性绝缘体6和形成在其表面上的导电电路层7。
透光性支撑基体2和透光性支撑基体3以导电电路层5与导电电路层7相对置的方式，在彼此之间设置规定的间隙而配置。在透光性绝缘体4与透光性绝缘体6之间的除发光二极管8、导电电路层5及导电电路层7以外的部分存在透光性绝缘体13。
在透光性支撑基体2的具有导电电路层5的表面与透光性支撑基体3的具有导电电路层7的表面之间，配置一个或多个发光二极管8。发光二极管8在发光面侧具有电极9，在相反面侧具有电极10。电极9与导电电路层5电连接，电极10与导电电路层7电连接。
作为发光二极管8，可以使用具有PN结的发光二极管芯片(LED芯片)。另外，发光二极管8不限于LED芯片，也可以是激光二极管(LD)芯片等。作为发光二极管8，例如可以是在N型半导体基板上形成P型半导体层的发光二极管、在P型半导体基板上形成N型半导体层的发光二极管、在半导体基板上形成N型半导体层和P型半导体层的发光二极管、在P型半导体基板上形成P型异质半导体层和N型异质半导体层的发光二极管、在N型半导体基板上形成N型异质半导体层和P型异质半导体层的发光二极管。此外，也可以是将LED接合到CuW等金属支撑基板或Si、Ge、GaAs等半导体支撑基板上，使P-N结从最初的半导体基板移动到支撑基板的类型的LED。
如图10所示，本实施方式中使用的发光二极管8具备：发光二极管主体12，具有夹在P型半导体层16或17与N型半导体层17或16之间的发光层(PN结界面或双异质接合构造的发光部位)11；以及电极9和电极10，设置在发光二极管主体12的上表面及下表面。
如图10所示，电极9通过经由导电性凸起20与导电电路层5接触而与导电电路层5电连接。电极10通过与导电电路层7接触而与导电电路层7电连接。
发光二极管8通过经由电极9、10施加的直流电压而点亮。此外，在发光二极管主体12中，也可以存在光反射层或电流扩散层或透明电极等。这种情况下，发光二极管主体12包含光反射层或电流扩散层或透明电极。
导电性凸起20具有与第1实施方式的导电性凸起同等的构造。导电性凸起20的高度优选为5μm以上50μm以下，更优选为10μm以上30μm以下。如果导电性凸起20的高度低于5μm，则防止导电电路层5与半导体层16短路的效果变弱，并不合适。另一方面，如果导电性凸起20的高度超过50μm，则在发光装置的制造工序中的真空热冲压工序中，导电性凸起20使第1支撑基体变形而产生外观不良或连接不良，所以并不合适。
此外，如后述的实施例和表1所详述的那样，从LED芯片的表面到凸起的前端为止的垂直距离a与从凸起的平面方向上的中心位置到LED芯片的端部为止的最大距离b之比a/b为0.120以上且0.400以下，有利于确保本发明的发光装置的可靠性，比a/b更优选为0.130以上0.380以下。
此外，LED芯片的电极9与导电性凸起20的接触面积优选为100μm2以上15000μm2以下，更优选为400μm2以上8000μm2以下。这些各尺寸是在室温和被测定物的温度为20℃±2℃的稳定环境下计测出的值。
导电电路层5、导电电路层7分别形成在透光性绝缘基体4、6的表面。导电电路层7具有与第1实施方式中说明的导电电路层5同等的构造。
在透光性支撑基体2和透光性支撑基体3之间的除去多个发光二极管8的配置部分之外的部分，埋入透光性绝缘体13。透光性绝缘体13优选为在维卡软化温度下不熔融，维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上。透光性绝缘体13优选为具有180℃以上的熔解温度、或者比维卡软化温度高40℃以上的熔解温度。此外，透光性绝缘体13优选为具有－20℃以下的玻璃转移温度。
作为透光性绝缘体13的构成材料的弹性体更优选为，使用该弹性体形成的透光性绝缘体13相对于导电电路层5、7的剥离强度(基于JISC50618.1.6的方法A)为0.49N/mm以上。
通过使用具有上述的维卡软化温度、拉伸储能模量、熔解温度的弹性体等，能够在与多个发光二极管8紧贴的状态下将透光性绝缘体13埋入到透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间。换言之，导电电路层5与电极9(带凸起的第1电极。以下相同)的接触状态、以及导电电路层7与电极10的接触状态，通过在与发光二极管8的周围以紧贴的状态配置的透光性绝缘体13而被维持。
因此，特别是能够提高对发光装置1实施弯曲实验和热循环实验(TCT)等时的、导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接可靠性。
如果透光性绝缘体13的维卡软化温度超过160℃，则在后述的透光性绝缘体13的形成工序中无法使透光性绝缘树脂片充分地变形，由此，导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接性下降。如果透光性绝缘体13的维卡软化温度低于80℃，则发光二极管8的保持力不足，导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接可靠性下降。透光性绝缘体13的维卡软化温度优选为100℃以上。能够进一步提高导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接可靠性。透光性绝缘体13的维卡软化温度优选为140℃以下。能够更有效地提高导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接性。
在透光性绝缘体13的0℃～100℃之间的拉伸储能模量低于0.01GPa的情况下，导电电路层5与电极9、以及导电电路层7与电极10的电连接性也下降。
发光二极管8及其电极9、电极10非常微细，所以在后述的真空热压接时，为了将多个发光二极管8的电极9、电极10准确地连接到导电电路层5、导电电路层7的规定位置，从室温到真空热压接工序的加热温度附近，透光性绝缘树脂片13’需要维持较高的储能模量。
在真空热压接时，如果树脂的弹性下降，则在加工途中容易发生发光二极管8的倾斜或向横方向的微小移动，无法将电极9、电极10与导电电路层5、导电电路层7电连接，或者连接电阻增大等情况。这成为发光装置1的制造成品率和可靠性下降的原因。为了防止这种情况，应用0℃～100℃之间的拉伸储能模量为0.01GPa以上的透光性绝缘体13。
但是，如果储能模量过高，则发光装置1的耐弯曲性等下降，所以应用0℃～100℃之间的拉伸储能模量为10GPa以下的透光性绝缘体13。透光性绝缘体13的0℃～100℃之间的拉伸储能模量优选为0.1GPa以上且7GPa以下。
如果构成透光性绝缘体13的弹性体等在维卡软化温度下不熔融，并且维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上，则能够进一步提高真空热压接时的电极9、10与导电电路层5、导电电路层7的纵位置精度。
从这一点来说，构成透光性绝缘体13的弹性体优选为具有180℃以上的熔解温度、或者比维卡软化温度高40℃以上的熔解温度。弹性体的维卡软化温度下的拉伸储能模量优选为1MPa以上。此外，弹性体的熔解温度优选为200℃以上、或者比维卡软化温度高60℃以上。
此外，对于透光性绝缘体13来说，除了发光装置1的制造性之外，为了在从低温到高温的宽温度范围内提高发光装置1的耐弯曲性和耐热循环特性，上述的维卡软化温度和拉伸储能模量和玻璃转移温度的特性平衡非常重要。通过使用具有上述的拉伸储能模量的弹性体，能够提高发光装置1的耐弯曲性和耐热循环特性。
但是，对于室外用途或室内的冬季生活环境，要求低温下的耐弯曲性和耐热循环特性。如果弹性体的玻璃转移温度过高，则低温环境下的发光装置1的耐弯曲性和耐热循环特性可能会下降。因此，优选为使用玻璃转移温度为－20℃以下的弹性体。基于这样的玻璃转移温度和拉伸储能模量，能够提高发光装置1的从低温到高温的宽温度范围内的耐弯曲性和耐热循环特性。弹性体的玻璃转移温度优选为－40℃以下。
透光性绝缘体13的厚度可以与基于发光二极管8的高度的、透光性支撑基体2与透光性支撑基体3的间隙同等，但是为了提高导电电路层5、导电电路层7与电极9、10的接触性，优选为比发光二极管8的高度更薄。此外，透光性绝缘体13的厚度(T)优选设定为，与发光二极管8的高度(H)之差(H－T)处于5～200μm的范围。
但是，如果透光性绝缘体13的厚度(T)过薄，则难以维持透光性绝缘体13的形状，或者相对于发光二极管8的紧贴性等可能会下降，所以发光二极管8的高度(H)与透光性绝缘体13的厚度(T)之差(H－T)优选为发光二极管8的高度(H)的1/2以下。
根据本实施方式，在埋设有发光二极管的柔性的透光性发光装置中，即便弯曲，也能够通过导电性凸起20来确保充分的高度，所以能够防止短路。
＜制造方法＞
图11A～图11D是说明本实施方式的发光装置的制造方法的图。参照图11A～图11D说明本实施方式的发光装置1的制造方法。
首先，准备在一侧形成有电极9且在另一侧形成有电极10(阳电极和阴电极或者阴电极和阳电极)的发光二极管8。接着，在LED芯片的电极9(电极焊盘)形成导电性凸起20。导电性凸起20的形成方法可以采用如下的方法：使用线凸起加工机，从Au线或Au合金线制作金或金合金凸起。所使用的线径优选为15μm以上75μm以下。
在本实施方式中，使用线接合装置，使线前端放电并使其金属熔融而形成球后，施加超声波而与焊盘电极连接。然后，在球连接到焊盘电极的状态下将线从球切离。对于凸起20，与第1实施方式的凸起30同样地进行修整处理。该修整处理也可以使用树脂片来进行。这种情况下，
图12A是表示冲压前的发光二极管的配置的图。图12B是表示冲压后的发光二极管的配置的图。如图12A所示，在用压力机装置的上压板、下板夹着上述发光二极管的状态下施加压力并进行冲压时，如图12B所示，发光二极管的凸起形成面被埋入到树脂片100。此外，发光二极管的凸起形成面的相反面被埋入到树脂片200。
如图12B所示那进行冲压后，将树脂片100、200剥离。结果，在LED芯片上形成的凸起的、在凸起形成时将线切离时残留在上部的线被树脂片100压溃，在凸起上部形成连续的面(参照图7C)。这时，通过调整树脂硬度和冲压压力，能够调整凸起高度B。另外，在冲压时，也可以不配置树脂片200，而在下压板直接配置LED芯片。
接着，准备透光性支撑基体2和透光性支撑基体3，该透光性支撑基体2具有透光性绝缘体4和在其表面形成的导电电路层5，该透光性支撑基体3具有透光性绝缘体6和在其表面形成的导电电路层7。导电电路层5、导电电路层7的构成材料和形成方法等与上述相同。
接着，准备具有80～160℃的范围的维卡软化温度的透光性绝缘树脂片14。透光性绝缘树脂片14优选为以如下的树脂为主成分，该树脂为，除了上述的维卡软化温度之外，0℃～100℃之间的拉伸储能模量处于0.01～10GPa的范围，在维卡软化温度下不熔融，并且维卡软化温度下的拉伸储能模量为0.1MPa以上，熔解温度为180℃以上或者比维卡软化温度高40℃以上，玻璃转移温度为－20℃以下。透光性绝缘树脂片14优选为弹性体片，更优选为丙烯酸系弹性体片。
接着，在透光性支撑基体2的导电电路层5上，以覆盖导电电路层5整体的方式配置透光性绝缘树脂片14(参照图11A)。透光性绝缘树脂片14具有覆盖包括导电电路层5上成为发光二极管8的配置位置的部分在内的、导电电路层5整体和透光性绝缘体4整体。
接着，在透光性绝缘树脂片14上配置多个发光二极管8(参照图11B)。发光二极管8以形成有导电性凸起20的电极9位于透光性绝缘树脂片14侧的方式、即位于导电电路层5侧的方式配置。
进而，在发光二极管8上配置在透光性绝缘体表面形成有导电电路层7的透光性支撑基体3(参照图11C)。
通过实施图11A～图11C所示的工序，发光二极管8以电极9位于透光性绝缘树脂片14侧且电极10位于透光性支撑基体3侧的方式配置在透光性绝缘树脂片14与透光性支撑基体3之间。
透光性绝缘树脂片14具有在下述的真空热压接工序中能够充分填充到如下的空间的厚度即可，该空间是透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的空间、即由于配置发光二极管8而产生的透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的间隙的空间。
具体地说，透光性绝缘树脂片14的厚度能够充分填充基于前述的发光二极管8的高度的、透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的间隙即可。此外，透光性绝缘体13的厚度(T)比发光二极管8的高度(H)更薄的情况下，与它们的差(H－T)相对应地设定透光性绝缘树脂片14的厚度即可。
接着，如图11D所示，将依次层积了透光性支撑基体2、透光性绝缘树脂片14、发光二极管8、透光性支撑基体2的层积体在真空氛围下加热并施压。
真空氛围中的层积体的加热/施压工序(真空热压接工序)优选为，相对于透光性绝缘树脂片14的维卡软化温度Mp(℃)，加热到Mp－10(℃)≤T≤Mp+30(℃)的范围的温度T并施压。更优选的加热温度是Mp－10(℃)≤T≤Mp+10(℃)的范围。通过应用这样的加热条件，能够在使透光性绝缘树脂片14适当软化的状态下对层积体进行施压。
因此，能够将隔着透光性绝缘树脂片14配置在导电电路层5上的带凸起的电极9连接到导电电路层5的规定位置，并且将电极10连接到导电电路层7的规定位置，并且在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间埋入软化的透光性绝缘树脂片14而形成透光性绝缘体13。
如果层积体的真空热压接时的加热温度T低于比透光性绝缘树脂片14的维卡软化温度Mp低10(℃)的温度(T＜Mp－10)，则透光性绝缘树脂片14的软化不充分，透光性绝缘树脂片14(以及透光性绝缘体13)相对于发光二极管8的紧贴性可能会下降。
此外，在发光二极管主体12的发光面内的电极9的非形成面与导电电路层5之间的空间，可能无法良好地填充透光性绝缘树脂片14(以及透光性绝缘体13)的一部分。如果加热温度T超过比透光性绝缘树脂片14的维卡软化温度Mp高30(℃)的温度(Mp+30＜T)，则透光性绝缘树脂片14过度软化，可能会产生形状不良等。
电极10与导电电路层7的连接可以是直接接触，也可以经由导电性粘接剂等。
＜热压接工序＞
层积体的真空氛围中的热压接工序优选为如以下那样实施。对上述的层积体进行预备施压而使各构成部件之间紧贴。接着，将配置有预备施压后的层积体的作业空间抽成真空后，将层积体加热到上述那样的温度并施压。像这样，通过将预备施压后的层积体在真空氛围中进行热压接，能够在透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的空间中无间隙地填充软化的透光性绝缘树脂片14。
热压接时的真空氛围优选为5kPa以下。也可以省去预备施压工序，但是该情况下，层积体容易发生位置偏移等，所以优选为实施预备施压工序。
如果在大气氛围下或低真空下实施层积体的热压接工序，则在热压接后的发光装置1内、特别是发光二极管8的周围容易残留气泡。残留在发光装置1内的气泡被施压，所以会导致热压接后的发光装置1膨胀、或者发光二极管8从透光性支撑基体2、3剥离。此外，如果在发光装置1的内部、特别是发光二极管8的附近存在气泡或膨胀，则光不均匀地散射，导致发光装置1的外观上的问题，所以并不合适。
在本实施方式中，基于透光性绝缘体13的各种特性和真空热压接条件等，能够抑制发光装置1内的气泡的发生。优选为在发光装置1内不存在外径为500μm以上或具有发光二极管8的外形尺寸以上的大小的气泡。
在层积体的真空热压接时施加的施压力根据加热温度、透光性绝缘树脂片14的材质、厚度、最终的透光性绝缘体13的厚度等而不同，但是通常为0.5～20MPa的范围，更优选为1～12MPa的范围。通过采用这样的施压力，能够提高软化的透光性绝缘树脂片14对于透光性支撑基体2与透光性支撑基体3之间的间隙的埋入性。此外，能够抑制发光二极管8的特性下降和破损等。
如上述那样，通过在导电电路层5与发光二极管8的电极9之间介有透光性绝缘树脂片14的状态下实施真空热压接工序，能够将带凸起的电极9与导电电路层5、以及电极10与导电电路层7电连接，并且得到与发光二极管8的周围紧贴的透光性绝缘体13。此外，在发光二极管主体12的发光面内的电极9的非形成面与导电电路层5之间的空间，能够良好地填充透光性绝缘体13的一部分，抑制气泡的残留。由此，能够得到提高了导电电路层5、7与电极9、10的电连接可靠性的发光装置1。
根据本实施方式的制造方法，能够再现性良好地制造提高了导电电路层5、导电电路层7与发光二极管8的电极9、10的电连接性及其可靠性的发光装置。
此外，参照图13、图14可知，在发光装置1中，导电电路层5的与发光二极管8的导电性凸起20相接的接触区域成为沿着导电性凸起20凹陷的状态。由此，能够增大导电性凸起20与导电电路层5的接触面积。结果，能够减小导电性凸起20与导电电路层5之间的电阻。
在本实施方式中，示出了透光性绝缘体为单层片的情况，但是也可以将透光性绝缘体设为2张透光性绝缘树脂片，在这2张透光性绝缘树脂片之间夹着发光二极管的状态下对第1透光性支撑基体和第2透光性支撑基体施压，得到图10所示的构造。
【实施例】
接下来说明具体的实施例及其评价结果。
准备表1的实施例1～实施例7及比较例1～比较例7所示的LED芯片。芯片厚度均为150μm。在LED芯片的第1电极上通过焊线机形成凸起并进行修整处理，从而制作了表1所示的高度的凸起。
接着，作为不形成凸起的第1及第2透光性支撑基体，准备厚度为180μm的聚对苯二甲酸乙二醇酯片。通过在该基体表面形成银网电极，制作导电电路层。
作为透光性绝缘树脂片，准备维卡软化温度为110℃、熔解温度为220℃、玻璃转移温度为－40℃、0℃下的拉伸储能模量为1.1GPa、100℃下的拉伸储能模量为0.3GPa、作为维卡软化点的110℃下的拉伸储能模量为0.2GPa、厚度为60μm的丙烯酸系弹性体片，来作为第1及第2透光性绝缘树脂片。
维卡软化温度是使用安田精机制作所社制的No.148-HD-PC热变形试验器在实验载荷10N、升温速度50℃/小时的条件下基于JISK7206(ISO306)记载的A50条件来求出的。
玻璃转移温度和熔解温度按照依据于JISK7121(ISO3146)的方法，使用岛津制作所社制的示差扫描热量计DSC-60以5℃/分的升温速度通过热流束示差扫描热量测定来求出的。
拉伸储能模量是依照JISK7244-4(ISO6721-4)，使用A/D社制的DDV-01GP动态粘弹性自动测定器，以1℃/分的等速升温来从－100℃升温到200℃，在频率10Hz下求出的。
在第2透光性支撑基体的导电电路层上，以覆盖导电电路层及透光性绝缘体的整体的方式载置第2透光性绝缘树脂片，在第2透光性绝缘树脂片上的规定位置配置6个LED芯片。6个LED芯片分别以第2电极位于第2透光性绝缘树脂片侧的方式配置。在6个LED芯片上层积着第1透光性绝缘树脂片和第1透光性支撑基体。第1透光性绝缘树脂片以第1透光性支撑基体的导电电路层位于第1透光性绝缘树脂片侧的方式配置。第1透光性绝缘树脂片具有覆盖第1透光性支撑基体的导电电路层及透光性绝缘体的整体的形状。
接着，将依次层积了第2透光性支撑基体、第2透光性绝缘树脂片、LED芯片、第1透光性绝缘树脂片、第1透光性支撑基体的层积体以0.1MPa的压力进行预备冲压之后，将作业空间抽取真空到0.1kPa。在5kPa的真空氛围中将层积体加热到120℃，并以9.8MPa的压力进行冲压。通过将该加热/施压状态维持10分钟，能够将LED芯片的电极与导电电路层电连接，并且在第1透光性支撑基体与第2透光性支撑基体之间埋入第1及第2透光性绝缘树脂片而形成透光性绝缘体。
然后，将外部布线连接到导电电路层，分别制作将6个LED芯片串联连接、且通过从外部电路供给电流而发光的发光装置。此外，作为比较例8、比较例9，使用未形成凸起的LED芯片，除此以外，通过与上述的实施例1～实施例7同样的工序分别制作12个发光装置。将得到的发光装置用于后述的特性评价。
如下那样评价实施例1～7及比较例1～9的各发光装置的特性。在实施例1～7及比较例1～9中分别准备了6个试件。对于各例的6个试件，在通电状态下进行了JISC5016(IEC249-1及IEC326-2)8.6所记载的耐弯曲实验。弯曲实验对于全部试件在温度35±2℃、相对湿度60～70％、气压86～106kPa的环境下实施。6个试件，以LED芯片列位于弯曲部的中心的方式，在与LED芯片的排列方向正交的方向上第2导电电路层处于内侧地弯曲，调查了在与LED芯片的排列方向正交的方向上弯曲的试件的最小弯曲半径(点亮被维持的弯曲半径的最小值)。
首先，准备半径为100mm～5mm的具有均一直径且截面为正圆状的多种测定用圆柱。接着，将得到的发光装置以LED芯片的发光面的背面与测定用圆柱的表面的曲面抵接的方式设置。使发光装置点亮，在该状态下沿着测定用圆柱的表面的曲面弯曲180°。从半径大的测定用圆柱到半径小的测定用圆柱依次实施该弯曲试验，测定了多大为止的弯曲半径的测定用圆柱能够维持点亮状态。其结果在表1中示出。
从表1可知，实施例1～7及比较例7的发光装置在任一耐弯曲实验中，即便在弯曲半径较小的状态下也维持点亮。即，能够提供提高了导电电路层与LED芯片的电极的电连接性、可靠性的发光装置。但是，确认到了比较例1、2、3、4、5、6、8、9的发光装置在较大地弯曲时容易不点亮。
此外，对于未使其弯曲的试件，按照JISC60068-14在－30℃和60℃之间实施3000次热循环实验3000，然后调查了点亮状态的维持状况。热循环实验在加热时间30分、升温速度3K/min的条件下进行。这些测定/评价结果在表1中示出。确认到了实施例1～实施例8的发光装置在热循环实验后也能够维持点亮状态，但是包括比较例7在内的比较例1～比较例9的发光装置在热循环后容易不点亮。
以上说明了本发明的实施方式，但是本发明不限于上述实施方式。例如，在上述实施方式中，导电性凸起可以是使用焊线机形成的线凸起、通过电解镀、无电解镀、将含有金属微粒子的油墨进行喷墨印刷而烧制的凸起、通过含有金属微粒子的糊剂的印刷、涂覆球安装、弹丸安装、蒸溅等形成的凸起。此外，不限于此，例如也可以使用剥离式凸起等各种形态的导电性凸起。
此外，例如也可以通过金属微粒子和树脂的混合物来形成导电性凸起。这种情况下，例如将银(Ag)或铜(Cu)等金属或者其合金混入到热固化树脂中制成糊剂，通过喷墨法或针分配法将糊剂的小滴吹附到电极上而成为突起状，通过热处理加固而形成导电层凸起。
以上说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式只是作为例子提示，并不意图限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种方式来实施，在不脱离发明的主旨的范围内，能够进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围和主旨内，也包含在权利要求所记载的发明及其均等范围内。
本申请以2013年12月2日提交的日本专利申请2013-249453号及日本专利申请2013-249454号为基础。本说明书中通过参照而包含了日本专利申请2013-249453号及日本专利申请2013-249454号的说明书、权利要求、附图整体。
符号的说明：
1发光装置
2透光性支撑基体
3透光性支撑基体
4透光性绝缘体
5导电电路层
6透光性绝缘体
7导电电路层
8发光二极管
9、10电极
11发光层
12发光二极管主体
13透光性绝缘体
13’、14透光性绝缘树脂片
16、17半导体层
20导电性凸起
22发光二极管
23绝缘基板
25活性层
27发光二极管主体
28、29电极
30导电性凸起
100、200树脂片

Claims (17)

1.一种发光装置，具备：
第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；
第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体，以所述第2透光性绝缘体的表面与所述导电电路层相对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；
发光二极管，具有二极管主体和第1及第2电极，该第1及第2电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及
第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。
2.一种发光装置，具备：
第1透光性支撑基体，具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的第1导电电路层；
第2透光性支撑基体，具备第2透光性绝缘体和设置在所述第2透光性绝缘体的表面上的第2导电电路层，以所述第2导电电路层与所述第1导电电路层相对置的方式，与所述第1透光性支撑基体之间隔开规定的间隙而配置；
发光二极管，具备二极管主体、第1电极及第2电极，该第1电极设置在所述二极管主体的一个面，经由导电性凸起与所述第1导电电路层电连接，该第2电极设置在所述二极管主体的相反面，与所述第2导电电路层电连接，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙；以及
第3透光性绝缘体，被埋入到所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的空间。
3.如权利要求1或2所述的发光装置，
所述导电性凸起的形状为，将与所述发光二极管的电极相接的面的直径设为A、将所述导电性凸起的高度设为B时，满足B/A＝0.2～0.7。
4.如权利要求1～3中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起的高度为5μm以上50μm以下。
5.如权利要求1～4中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起与所述第1电极的接触面积、以及所述导电性凸起与所述第2电极的接触面积分别为100μm2以上15000μm2以下。
6.如权利要求1～5中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起的材质为金、银、铜、镍或它们的合金的某个。
7.如权利要求6所述的发光装置，
所述合金是AuSn合金或镍合金。
8.如权利要求1～5中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起是金属微粒子和树脂的混合物。
9.如权利要求1～8中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起的熔点为180℃以上。
10.如权利要求1～9中任一项所述的发光装置，
所述导电性凸起的动态硬度为3以上150以下。
11.如权利要求3所述的发光装置，
所述导电性凸起的上表面被实施修整处理。
12.如权利要求2所述的发光装置，
从所述发光二极管表面到所述导电性凸起的顶点为止的距离与从所述导电性凸起的中心到所述发光二极管的最远端部为止的距离之比为0.120以上0.400以下。
13.如权利要求1～12中任一项所述的发光装置，
所述导电电路层沿着所述导电性凸起凹陷。
14.如权利要求1～13中任一项所述的发光装置，
所述发光二极管被埋入到所述第3透光性绝缘体内。
15.一种发光装置，具备：
第1透光性支撑基体，具有第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体上的导电电路层；
第2透光性支撑基体，具有第2透光性绝缘体，与所述第1透光性支撑隔开规定的间隙而配置；
发光二极管，具有二极管主体、以及经由导电性部件将所述二极管主体与所述导电电路层电连接的电极，该发光二极管配置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间；以及
第3透光性绝缘体，设置在所述第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间的间隙，
所述电极与所述导电电路层不直接接触，所述导电性部件与所述导电电路层直接接触。
16.一种发光装置的制造方法，该发光装置在第1透光性支撑基体与第2透光性支撑基体之间埋入有发光二极管和透光性绝缘体，包括以下的工序：
准备第1透光性支撑基体的工序，该第1透光性支撑基体具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的导电电路层；
准备具有二极管主体和设置在所述二极管主体的一个面上的第1电极及第2电极的发光二极管，并在所述第1电极及所述第2电极上形成导电性凸起的工序；
在所述导电电路层上配置透光性绝缘树脂片的工序；
在所述透光性绝缘树脂片上，以所述第1电极及第2电极位于所述透光性绝缘树脂片侧的方式配置所述发光二极管的工序；以及
将依次层积了所述第1透光性支撑基体、所述透光性绝缘树脂片、所述发光二极管的层积体，在减压状态下加热并施压，将所述第1电极与所述导电电路层、以及所述第2电极与所述导电电路层经由所述导电性凸起电连接的工序。
17.一种发光装置的制造方法，该发光装置在第1透光性支撑基体与第2透光性支撑基体之间埋入有发光二极管和透光性绝缘体，包括以下的工序：
准备第1透光性支撑基体的工序，该第1透光性支撑基体具备第1透光性绝缘体和设置在所述第1透光性绝缘体的表面上的第1导电电路层；
准备第2透光性支撑基体的工序，该第2透光性支撑基体具备第2透光性绝缘体和设置在所述第2透光性绝缘体的表面上的第2导电电路层；
准备具备二极管主体、设置在所述二极管主体的一个面上的第1电极、以及设置在所述二极管主体的相反面上的第2电极的发光二极管，并在所述第1电极上形成导电性凸起的工序；
在所述第1透光性支撑基体的所述第1导电电路层上配置透光性绝缘树脂片的工序；
在配置了所述透光性绝缘树脂片的第1透光性支撑基体与所述第2透光性支撑基体之间，以所述第1电极位于第1透光性绝缘树脂片侧的方式配置所述发光二极管的工序；以及
将层积了所述第1透光性支撑基体、所述第1透光性绝缘树脂片、所述发光二极管、所述第2透光性支撑基体的层积体，在减压状态下加热并施压，将所述第1电极经由导电性凸起与所述第1导电电路层电连接，并且将所述第2电极与所述第2导电电路层电连接的工序。
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109494234A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 东芝北斗电子株式会社 发光面板
CN109599370A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 财团法人工业技术研究院 可挠性芯片封装
CN110875293A (zh) * 2018-09-03 2020-03-10 东芝北斗电子株式会社 发光装置
CN112151565A (zh) * 2019-06-27 2020-12-29 成都辰显光电有限公司 微发光二极管显示面板的制造方法

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2015146115A1 (ja) 2014-03-25 2017-04-13 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
JP6913460B2 (ja) 2014-09-26 2021-08-04 東芝ホクト電子株式会社 発光モジュール
CN106030839B (zh) 2014-09-26 2018-09-28 东芝北斗电子株式会社 发光模块
US10685943B2 (en) * 2015-05-14 2020-06-16 Mediatek Inc. Semiconductor chip package with resilient conductive paste post and fabrication method thereof
CN107683534B (zh) * 2015-06-01 2020-10-23 东芝北斗电子株式会社 发光模块
CN106848046B (zh) * 2015-12-04 2020-10-20 晶元光电股份有限公司 发光装置
US10822692B2 (en) * 2016-08-12 2020-11-03 University Of North Texas Binary Ag—Cu amorphous thin-films for electronic applications
JP6895123B2 (ja) * 2017-09-19 2021-06-30 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN111542930B (zh) * 2017-12-26 2023-02-28 晶元光电股份有限公司 发光装置、其制造方法及显示模组
US10748831B2 (en) * 2018-05-30 2020-08-18 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor packages having thermal through vias (TTV)
JP2020035910A (ja) * 2018-08-30 2020-03-05 東芝ホクト電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP6806218B2 (ja) * 2018-10-31 2021-01-06 日亜化学工業株式会社 発光装置、発光モジュール、発光装置及び発光モジュールの製造方法
TWI720418B (zh) * 2019-01-31 2021-03-01 致伸科技股份有限公司 半導體發光單元及其封裝方法
JP2020141102A (ja) * 2019-03-01 2020-09-03 東芝ホクト電子株式会社 発光装置及び発光装置の製造方法
JP7368965B2 (ja) * 2019-07-10 2023-10-25 株式会社ジャパンディスプレイ Ｌｅｄモジュール及びｌｅｄモジュールを含む表示装置

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JPH10163258A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Fujitsu Ten Ltd バンプ及びバンプ形成方法及びバンプ形成装置
JP2001176908A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置の製造方法
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
US20090114928A1 (en) * 2005-10-21 2009-05-07 Saint- Gobain Glass France Lighting structure comprising at least one light-emitting diode, method for making same and uses thereof
JP2011134926A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Nichia Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20110193105A1 (en) * 2010-08-27 2011-08-11 Quarkstar, Llc Solid State Light Sheet for General Illumination Having Substrates for Creating Series Connection of Dies

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS60262430A (ja) 1984-06-08 1985-12-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置の製造方法
JPH0727924B2 (ja) 1984-06-20 1995-03-29 松下電器産業株式会社 実装体の製造方法
JPH0638436B2 (ja) 1985-02-22 1994-05-18 カシオ計算機株式会社 半導体ペレツトと基板の接合方法
JPH11145381A (ja) 1997-11-12 1999-05-28 Denso Corp 半導体マルチチップモジュール
JP3841130B2 (ja) 1997-12-16 2006-11-01 ローム株式会社 光半導体モジュール、およびその製造方法
JP3529657B2 (ja) 1999-02-05 2004-05-24 松下電器産業株式会社 熱可塑性樹脂基板に半導体素子を取付ける方法、非接触ｉｃカードの製造方法及び半導体素子を取付けた熱可塑性樹脂基板
JP2000299411A (ja) 1999-02-10 2000-10-24 Hitachi Maxell Ltd チップ実装体及びその製造方法
JP3748779B2 (ja) 2001-02-16 2006-02-22 松下電器産業株式会社 半導体素子の実装方法、及び熱可塑性若しくは熱硬化性のシート
JP3904559B2 (ja) 2001-10-19 2007-04-11 仗祐 中田 発光又は受光用半導体モジュールおよびその製造方法
US7858994B2 (en) * 2006-06-16 2010-12-28 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and bare die semiconductor circuits with series connected bare die circuit elements
US20070090387A1 (en) 2004-03-29 2007-04-26 Articulated Technologies, Llc Solid state light sheet and encapsulated bare die semiconductor circuits
US20050247944A1 (en) * 2004-05-05 2005-11-10 Haque Ashim S Semiconductor light emitting device with flexible substrate
US7838868B2 (en) * 2005-01-20 2010-11-23 Nanosolar, Inc. Optoelectronic architecture having compound conducting substrate
GB0518612D0 (en) 2005-09-13 2005-10-19 Eastman Kodak Co A method of forming conductive tracks
JP2007081159A (ja) 2005-09-14 2007-03-29 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光装置及び表示装置
JP4813162B2 (ja) 2005-12-02 2011-11-09 ローム株式会社 半導体発光素子
JPWO2008041771A1 (ja) * 2006-10-05 2010-02-04 旭硝子株式会社 ガラス被覆発光素子、発光素子付き配線基板、発光素子付き配線基板の製造方法、照明装置およびプロジェクタ装置
WO2008065926A1 (fr) * 2006-11-28 2008-06-05 Panasonic Corporation Structure de montage de composant électronique et procédé de fabrication correspondant
TW200849160A (en) 2007-04-03 2008-12-16 Koninkl Philips Electronics Nv Light output device
JP5370372B2 (ja) * 2009-01-23 2013-12-18 日亜化学工業株式会社 半導体装置及びその製造方法
US8168998B2 (en) 2009-06-09 2012-05-01 Koninklijke Philips Electronics N.V. LED with remote phosphor layer and reflective submount
JP4686643B2 (ja) 2009-07-03 2011-05-25 シャープ株式会社 半導体発光素子搭載用基板、バックライトシャーシ、表示装置、及び、テレビ受信装置
US8384121B2 (en) * 2010-06-29 2013-02-26 Cooledge Lighting Inc. Electronic devices with yielding substrates
JP5533183B2 (ja) * 2010-04-20 2014-06-25 日亜化学工業株式会社 Ｌｅｄ光源装置及びその製造方法
JP6166863B2 (ja) * 2010-09-13 2017-07-19 東芝ホクト電子株式会社 発光装置
JP2013033910A (ja) * 2011-06-29 2013-02-14 Hitachi Cable Ltd 発光素子搭載用基板、ｌｅｄパッケージ、及びｌｅｄパッケージの製造方法
TW201320253A (zh) 2011-11-01 2013-05-16 Walsin Lihwa Corp 封裝結構及其製造方法
JP2013153117A (ja) 2012-01-25 2013-08-08 Thermal Printer Institute Inc インテリアｌｅｄ照明基板
JP6107117B2 (ja) * 2012-03-22 2017-04-05 豊田合成株式会社 固体装置及びその製造方法
JP2013232477A (ja) * 2012-04-27 2013-11-14 Toshiba Corp 発光モジュール
US20150249069A1 (en) * 2012-09-25 2015-09-03 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
TWI626395B (zh) 2013-06-11 2018-06-11 晶元光電股份有限公司 發光裝置

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07122787A (ja) * 1993-09-06 1995-05-12 Sharp Corp チップ部品型ｌｅｄの構造及びその製造方法
JPH10163258A (ja) * 1996-12-03 1998-06-19 Fujitsu Ten Ltd バンプ及びバンプ形成方法及びバンプ形成装置
JP2001176908A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Matsushita Electronics Industry Corp 半導体装置の製造方法
US20090114928A1 (en) * 2005-10-21 2009-05-07 Saint- Gobain Glass France Lighting structure comprising at least one light-emitting diode, method for making same and uses thereof
JP2008034473A (ja) * 2006-07-26 2008-02-14 Toyoda Gosei Co Ltd 面状光源
JP2011134926A (ja) * 2009-12-25 2011-07-07 Nichia Corp 半導体発光装置及びその製造方法
US20110193105A1 (en) * 2010-08-27 2011-08-11 Quarkstar, Llc Solid State Light Sheet for General Illumination Having Substrates for Creating Series Connection of Dies

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109494234A (zh) * 2017-09-11 2019-03-19 东芝北斗电子株式会社 发光面板
CN109599370A (zh) * 2017-09-30 2019-04-09 财团法人工业技术研究院 可挠性芯片封装
CN110875293A (zh) * 2018-09-03 2020-03-10 东芝北斗电子株式会社 发光装置
CN110875293B (zh) * 2018-09-03 2023-11-03 日亚化学工业株式会社 发光装置
CN112151565A (zh) * 2019-06-27 2020-12-29 成都辰显光电有限公司 微发光二极管显示面板的制造方法
CN112151565B (zh) * 2019-06-27 2023-01-24 成都辰显光电有限公司 微发光二极管显示面板的制造方法

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