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CN105493172A - 具有根据温度控制的电源电压的有源矩阵显示器 - Google Patents

具有根据温度控制的电源电压的有源矩阵显示器 Download PDF

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CN105493172A CN201480047998.9A CN201480047998A CN105493172A CN 105493172 A CN105493172 A CN 105493172A CN 201480047998 A CN201480047998 A CN 201480047998A CN 105493172 A CN105493172 A CN 105493172A
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Abstract

在有源矩阵液晶或者OLED显示器中，驱动像素控制晶体管的显示控制电路的电源电压VGON和VGOFF基于工作温度T的测量来优化，以在高温和低温下保持显示器的显示质量，并且降低平均电力消耗。这使得能够利用标准尺寸的晶体管来对严酷环境中的应用进行显示。本发明包括提供电路30，其用于根据与温度测量相关的代码所提供的、由可编程电路100存储或计算的数值提供这些模拟电压。本发明的改进之处还包括基于由显示控制电路的晶体管Te所接收的光L的水平的测量来调节这些电压。该优化有利地扩展至控制像素所需的电源和参考电压，并且具体地扩展至伽马参考电压。

Description

具有根据温度控制的电源电压的有源矩阵显示器
技术领域
本发明涉及采用薄膜场效应晶体管的有源矩阵屏幕。其尤其应用于液晶屏幕(LCD屏幕)和有机发光二极管屏幕(OLED或AMOLED屏幕)。
背景技术
有源矩阵屏幕应当被理解为如下的屏幕：其中具有晶体管和存储电容器(多个存储电容器)的电路与矩阵的每个像素相关，使得显示控制电路(同样基于晶体管)能够单独地驱动每个像素。该显示控制电路实际上包括多个用于对矩阵的行、列和公共电极进行寻址的电路，该显示控制电路是通常在有源矩阵区域的外围处集成在同一基板上的电路。
在这些屏幕中所利用的晶体管为基于非晶硅的，采用所谓的薄膜技术的场效应晶体管。这些晶体管的导电特性可以根据工作操作条件而显著地变化。
具体地，非晶硅中的电荷载流子的迁移率随着温度而变化：利用当前的技术，迁移率则从-40℃时的0.1cm2/V/s变化至70℃时的0.75cm2/V/s。此外，晶体管的泄漏电流随着由这些晶体管所接收的光而趋于增加。这在根据由液晶背光照射源所提供的照射水平的液晶屏幕中尤其明显：该强度确实根据周围环境的亮度状况(白天或者夜晚的周围环境)而变化。
对于某些应用，尤其是在运输领域(航空电子技术、机动车辆、海事)中，需要屏幕幕能够在高度可变条件下工作，而且不能明显降低显示质量。具体地，屏幕必须在宽温度范围内可工作，例如对于航空电子技术领域的应用，该温度范围可以从负40摄氏度延伸至正70摄氏度。
这些变化和严格的工作条件体现在晶体管的导电参数的变化。例如，在高温下长时间工作(数百小时)之后，晶体管的阈值电压会暂时增大。如果假设之后温度下降，则载流子的迁移率也会降低，但是由于之前的高温情况此时晶体管的阈值电压仍是高的。
此外，为了不管晶体管的即时导电状况如何都能够将这些晶体管可靠地控制在导通状态和关断状态，利用大于正常所需的几何结构(晶体管沟道的宽与长之比)来限定晶体管。这些晶体管被称为超尺寸的。
晶体管的这种超尺寸需要使用同样高的值以用于相关的耦合和补偿电容器，以及需要使用同样高的电源电压以用于控制这些元件。因而，在航空电子技术领域，电源电压大约为+33伏，并且用于控制像素电容器的最大电压幅值为相同的数量级。
部件的这种超尺寸呈现出若干缺点。
对于影响制造的方面，超尺寸体现在增加的表面面积；因而在板的外围更大体积的驱动器电路；此外，会存在与这种增加的表面面积相当的较大风险的制造缺陷。
对于工作操作，在整个温度范围内稳定这些驱动器电路的输出状态方面确实存在困难。实际上，这些输出在温度升高时会振荡。这可通过如下进行解释：更高的泄漏电流；在足够短的时间内充电更大电容器必须要求的高电流；由于施加的高电压而导致的阈值电压的快速漂移。
这些振荡可能会导致所显示图像的可感知的闪烁，这破坏显示的“外观”质量。
已知的实践是通过在制造中有意地降低晶体管的阈值电压来减小这些振荡。然而，如何采用完美的控制方式来这样做是未知的。此外，这些降低技术减少了晶体管的寿命，从而减少了屏幕的寿命。
最终，这些屏幕会消耗更多的电源和所使用的控制电压电平。
发明内容
本发明的主题是一种替选的技术，其能够提供一种在宽温度范围内、以较低的成本并且以较低的电力消耗执行的有源矩阵屏幕。
本发明所基于的一个构思是保持晶体管的标准尺寸，但是根据温度来调节控制这些晶体管的电源电压，更具体地是晶体管的像素行选择电路。
通过针对低温增加这些电压，最不利的晶体管导电状况得到了补偿；通过针对高温降低这些电压，相反比较有利的导电状况可以得到利用，并且很大程度上取决于晶体管的栅极电压值的阈值电压漂移得以降低。在全部情况下，泄漏电流都被最小化，因此得到了优化。总之，通过根据温度测量来调节电压，屏幕所消耗的电力也会有利地降低。
因此，本发明涉及一种显示屏幕，其包括布置为行和列的像素的有源矩阵，所述有源矩阵包括与每个像素相关的控制晶体管，所述屏幕包括显示控制电路，所述显示控制电路提供驱动像素的控制晶体管的信号，其特征在于所述屏幕包括：
-用于提供温度测量的装置，
-可编程电路，其用于提供与温度测量相关的数字代码作为输出，以及
-提供对显示控制电路供电的第一电压和第二电压的电路，使得能够分别施加导通电压和关断电压至像素的控制晶体管、接收数字代码并且根据所述代码的数值来提供第一电压和第二电压的电路。
当温度下降时，所定义的数字代码使得第一模拟电压和第二模拟电压增加，并且也使得它们的差值增加。
当温度升高时，所定义的数字代码使得第一模拟电压和第二模拟电压减小，并且也使得它们的差值减小。该数字代码可以包括设置伽马参考电压的数值，所述伽马参考电压定义了至少一个灰度级。
在提供的各种实施中，可编程电路能够通过包括多个代码的存储器电路来实施，每个代码针对给定的温度带进行定义。
还能够提供由可编程电路针对测量的温度，根据预定的计算函数来计算的代码。
在一个变体中，有利地对于代码制定了规定，其不仅根据温度进行定义或者计算，还根据由控制晶体管所接收的照射水平进行定义或者计算。
附图说明
在以下具体描述和所附附图中呈现了本发明的其它特征和优点，在所附附图中：
-图1为根据现有技术的液晶像素的有源矩阵及其外围显示控制电路的框图；
-图2为表示在利用行扫描的寻址模式和帧反相模式下的选择和数据信号的时序图；
-图3图示了根据对要显示的灰度级进行编码的数据提供施加至列的模拟电压的电路的示例性响应；
-图4图示了本发明的原理，根据本发明的原理，可工作温度范围的每个温度带被分配了定义有源矩阵屏幕的显示控制电路的一个或多个电源电压的代码；
-图5为图示了根据本发明的显示控制电路的晶体管的电源电源的调节的框图；
-图6为根据应用至液晶屏幕的本发明的细化对进行寻址和显示所需的不同电压进行调节的框图。
具体实施方式
将在有源矩阵、液晶(LCD)显示屏幕的示例性应用中解释本发明。
图1示意性地图示了这种LCD显示屏幕的主要元件，并且图2和图3回顾了像素寻址和灰度级显示控制的原理。
该屏幕包括像素px的有源矩阵1。每个像素与控制晶体管Tp相关，并且每个像素包括在特定于该像素的电极Ep与为像素(一组像素或者全部像素)公共的反电极CE之间的液晶。该屏幕还包括显示控制电路2和灯箱BAL，显示控制电路2驱动像素的晶体管Tp和反电极，使得能够控制在每个显示帧的像素电容器的端子Ep与CE之间所施加的像素电压Vpx；灯箱BAL提供用于液晶的背光照射光。
像素的矩阵包括n行L1至Ln和m列C1至Cm，每行包括m个像素，每列包括n个像素。在同一行的像素中晶体管Tp的栅电极共同地连接至行导体L1、…、Lm，并且同一列的像素中晶体管Tp的源或漏导电电极共同地连接至列导体C1、…、Cm，其它的电极连接至相关像素px的像素电极Ep。像素的反电极接收偏置电压VCE。
基于像素矩阵的灰度级的显示包括：像素行Li选择时间，其中施加电压至控制行的每个像素的晶体管Tp的导通的行Li导体，施加列电压VGj至对应于像素所要显示的灰度级的列导体Cj；在像素电容器的端子处建立像素电压的时间；显示时间，在该显示时间期间，灯箱照射液晶，使得根据在其端子处的像素电压电平(VGj减去VCE的差的绝对值)而允许更多或更少的光通过。
该显示由显示控制电路2来控制，显示控制电路2尤其包括时序电路20，其确保用于对控制列C1-Cm上的电压的电路22以及控制反电极CE的电路23进行行L1-Ln寻址的电路21的同步操作。时序电路使得能够根据存储在缓冲存储器24中的数字数据控制以帧频率进行的图像显示。
存在若干种像素寻址和时序模式。结合图1至图3进行选择以提出比较标准的寻址和时序模式，以便之后解释在充分假设的环境下根据本发明的电源电压的调节。本领域技术人员将能够根据需要来调节或者推断在下文所给出的信息，以应用本发明至其它模式。
行寻址电路21通常是移位寄存器，其具有与存在的要控制的矩阵的行L1-Ln一样多的输出级。输出级包括电压切换晶体管Tc。这些电路是周知的并且在技术文献中进行了描述。
列控制电路22主要包括转换器，其用于对选中的每个新行Li，根据数据数据、数据_I(图3)来提供列电压VG1-VGm以施加至列C1-Cm，数据数据、数据_I对由缓冲存储器24所提供的灰度级进行编码。电路22包括需要利用这些数据以行频率对转换器的输入IN-DAC进行供电的电路(未呈现)，并且将在转换器的输出OUT-DAC处的电压VG1-VGm传送至列。
如图1中所示，如所知的，转换合并了称作为伽马(gamma)校正的校正，其校正了像素的电光响应的非线性度。应当注意的是，这种校正并非特定于液晶屏幕。其对于OLED屏幕也是有效的。常规的校正方法利用了电阻网络和适当地应用至该网络的节点的伽马参考模拟电压Vγ1-Vγz。在这种情况下，转换器被称作为R-DAC转换器。根据屏幕的特定特征，针对每个屏幕来定义伽马参考电压，且因而定义了从白色到黑色变化的z灰度级的范围。如果屏幕是利用彩色滤波器，或者不利用滤波器而利用能够采用不同颜色相继照射屏幕的灯箱的彩色屏幕，则通常针对每种颜色施加不同的伽马校正。此外，伽马参考电压Vγ1-Vγz本身通常由具有数模转换器的电路22-γ，基于这样的数值提供：该数值针对屏幕进行定义，并且对于每种颜色视情况而定地定义一个或多个灰度级，存储在可编程存储器电路25中(图1)。
如图2所示意性图示的，寻址电路21能够对每个新帧逐个地选择行(行的顺序扫描)。在整个行选择时间内，列控制电路将相应的电压VG1-VGm提供给列，以控制要施加至从缓冲存储器数据中选中的行的像素的灰度级。
对于液晶屏幕，还必须指出有必要周期性地将施加至液晶的端子的电压偏置反相，以防止屏幕的斑纹。存在周知的各种反相模式实施方式和技术：帧反相、行反相、列反相或者点反相。在参照图2所呈现的示例中，示出了帧反相模式：对于偶数帧施加正偏置，而对于奇数帧施加负偏置。这种偏置反相可以根据周知的不同技术来获得。在参照图1至图3所图示的示例中，其通过如下来获得：施加分别为正表示的数据和负表示的数据_I的数字数据，使用额外的编码位，并且RDAC转换器提供具有合并的伽马校正的相应列电压，针对奇数帧的VG1至VG8和针对偶数帧的VG9至VG16。典型地，VG1和VG16分别为-6伏和+6伏。在本实施方式中，反电极电压电平VCE是连续的，并且基本上对应于如图2和3中所示的两个范围VG1至VG8与VG9至VG16的中间点。
在这种寻址模式中，对于每个新显示帧，行导体从行寻址电路22中接收称作为行选择时间的时间的选择脉冲，使得：
-在该行选择时间期间，行导体接收用于行的晶体管Tp的导通电压VH，以及
-该行选择时间之外，行导体接收使得能够关断行的晶体管Tp的电压VL。
用于像素晶体管Tp的导通电压VH对应于控制晶体管Tc的阈值电压之内、电路22的第一电源电压VGON，其对应于正电压。
用于像素晶体管Tp的关断电压VL基本上对应于电路22的第二电源电压VGOFF，其为负的或零。
对于每个帧，行寻址电路21(具有n级的移位寄存器)以行频率顺序地对矩阵的行进行寻址。在行的寻址(选择)期间，列控制电路22接收信息数据或者数据_I，以在转换器R-DAC的输入IN-DAC处所选中的行的像素上显示，所述转换器R-DAC针对提供的伽马参考电压Vγ1-Vγz，在输出OUTDAC处建立要施加至列导体C1、…、Cm的模拟电压VG1-VGm。在本示例性实施中，可以看出反电极偏置电压VCE是连续的。其电平是考虑了电压偏移而进行设置的。该偏移是由电容性耦合引起的，该电容性耦合实际上存在于在该行未选中时每个像素与其相关的行之间。对于同一灰度级，为了使在像素电容器的端子处的绝对电压值在偶数帧和奇数帧上相等，反电极电压被移位偏移的值，这样确保了对全部像素的整体补偿。由于偏移的值可根据灰度级(也就是说根据在未选中时施加至列的电压)改变，所以第二偏移补偿电平被合并在伽马电压参考电压(其建立了灰度级范围)的定义中。
利用关于有源矩阵LCD屏幕的控制给出的这些扼要重述，本发明主要在于：根据温度测量来设置电源电压VGON和VGOFF以及它们的差值VGON-VGOFF，用于在电路21中的高阻抗开关所使用的晶体管Tc的优化控制，以在选择时间期间如图2中所示地对行选择信号(对于矩阵的各个行)提供高电压电平VH＝VGON-Vtp，否则提供低电压电平VL＝VGOFF；以及用于像素控制晶体管Tp的优化控制，以使得能够在行选择时间期间对像素电容器进行优化充电至对应于要显示的灰度级的列电压电平，并保持它而没有损耗(最小化的泄漏电流)。
这种调节被更具体地如下执行：
在最低温度处，为了抵抗晶体管的导电的降低，施加较高的VGON和VGOFF电压以及也较高的差值VGON-VGOFF(施加在晶体管Tc的栅电极与漏或源电极之间，从而切换VGON电平)：比较不利的晶体管导电状况(降低的迁移率，从而具有等偏置的较少电流)因而得到了补偿。利用晶体管的泄漏电流的减少来提高相对于列电压的电压VGOFF：在低温处，不需要很负地偏置像素晶体管(Tp)的栅极来获得低泄漏电流。这种补偿在低温下反而工作更好，因为晶体管的性能水平(阈值电压)的漂移较低，从而很好地支持较高的电源电压。
在最高温度处，为了有益于导电状况(相反是更有利的)，施加较低的电源电压VGON和VGOFF以及也较低的差值VGON-VGOFF，而不需要以任何方式促进性能降低处理：利用这些较低的电平，阈值电压漂移地较慢。此外，如果电压VGOFF降低，则泄漏电流也变得较低，从而使得光对于这些泄漏电流的影响变得微不足道。最终，由于较低的电压，控制电路的不稳定性的影响也被限制或者不存在。
在全部的情况下，泄漏电流都被最小化。总之，通过根据温度测量来调节电压，由屏幕所消耗的电力也会有利地降低，尤其是在高温下。
以一个实际示例为例。假设施加至列的电压在0与±6伏之间变化(图3)，并且屏幕的DC电源电压为VDD＝33伏。
根据现有技术，VGON和VGOFF电平以及它们的电平差值VGON-VGOFF被设置为：
-以最小可能的损耗切换选中行的VGON电平，而与温度无关；
-优化VGON，以有利于在低温下选中的像素的控制晶体管Tp的导电；
-优化VGOFF，以确保在高温下通过最小化晶体管Tp的泄漏电流来进行关断。
实际上，对于幅值VGON-VGOFF＝33伏(VDD)，选择VGOFF＝-11伏以及VGON＝22伏。
根据本发明，仅考虑两个相对的温度带：
在低温下，对于幅值VGON-VGOFF＝33伏(VDD)，施加VGOFF＝-9伏以及VGON＝24伏。这样做有利于导电，晶体管的泄漏电流自然也低。
在高温下，对于幅值VGON-VGOFF＝22伏(VDD)，施加VGOFF＝-11伏以及VGON＝11伏。这里，利用良好的导电来降低正电压幅值和电平，并且通过更负的电压VGOFF来最小化泄漏电流。损耗也被降低。
利用这种调节，因而能够使用具有标准几何结构的晶体管，也就是说目的在于在更多常规环境下应用的屏幕所使用的晶体管并没有不同。
如图4所示意性表示的，本发明的实际实施因而包括将屏幕的工作温度范围[Tmin-Tmax]划分为k个温度带。针对每个带，确定定义电源电压或者多个电压的数字代码C1、C2、…、Ck。在优选的实施方案中，这些带具有相等的区间(d’étendue)。例如，-40℃+70℃范围可以被划分为5°区间的k＝22个带，并且针对这些带中的每一个，可以确定出定义电源电压VGON和VGOFF的相关数字代码，其适合于在该带中的晶体管的导电特性。对于给定的屏幕(技术/拓扑)，这些特性可以在残余产品上进行测量或者可以通过计算函数来确定。
在实际的实施方案(图4)中，这些代码被确定并且被存储在可编程存储器电路中，可编程存储器电路典型为EEPROM(电可擦除且可编程)类型的存储器。温度测量用作对这种存储器的指示符，使得能够选择提供数值的相应代码以施加至提供电源电压的电路30。更具体地，温度测量被转换为数值，并且阈值比较器提供对应于相应温度带的值作为输出。该值用作对于包括在存储器中的相应代码的地址指示符。
在另一个实施方案中，通过可编程电路，根据针对相关屏幕所定义的计算函数计算出用于温度测量的代码。
温度测量T通过温度传感器101进行测量，并且由相关的转换器101-N以数字形式提供。实际上，传感器为基于金属或半导体的电子传感器，并入显示控制电路2的附近以用于提供可靠地表示晶体管所承受的温度的测量。该测量具有由可编程电路100所提供的相应代码：相应代码或者存储在该电路100中，并且该测量能够指示存储器地址(例如，通过阈值比较器，能够确定图4的k个温度带之外的相应温度带的排序)；或者由电路100根据温度测量进行计算。
实际上，可以看出，在每个温度带中，优选定义VGON的值和VGOFF的值：例如，代码将能够包括一系列两个编码数值，一种是针对施加至各自模拟电压产生电路(具有数模转换器和放大器)的每个电压，所述模拟电压产生电路提供电压VGON和VGOFF。例如，这些值在10个位上进行编码。
在考虑了有助于显示的外观质量的伽马校正方面的细化时，对于k个温度带中的每一个制定了规定，不仅定义了电源电压VGON和VGOFF，还定义了伽马参考电压，该伽马参考电压定义了灰度级。如果例如根据要在像素上显示的颜色而针对屏幕的控制提供若干灰度级，则该代码定义了不同灰度级的伽马电压参考。
更一般地，对于代码制定了规定以定义用于控制显示的不同电源或参考电压。
返回至结合图1至图3所述的液晶屏幕和寻址模式的示例，针对每个温度带，对于数字代码制定了规定以定义电压VGON和VGOFF、伽马参考电压以及反电极偏置电压。以这种方式，根据温度优化了显示的控制和质量。
具体地，可以看出在行未选中时由电容性耦合所引起的偏移是差值VGON-VGOFF的函数。如果VGON-VGOFF被修改，为了保持良好的补偿且因此保持显示的质量，则其优选修改反电极偏置电压VCE的设置。由于可以看出偏移根据灰度级而变化，所以还需要调节伽马参考电压的设置。
例如，如果灰度级范围由z＝19伽马参考电压来定义，则代码因而可以由一系列22电压值形成，这一系列22电压值分别施加至相应的模拟电压产生电路。
可以看出，存在其它的寻址和控制模式。例如，可以通过改变较正的高电平与较负的低电平之间的反电极偏置电压来不同地进行反相模式。本发明的应用还体现在通过温度来设置反电极偏置电压偏移上。
更一般地，本领域技术人员针对不同的温度带通过确定屏幕控制所需的电源电压值或参考电压值，根据像素的类型(液晶、OLED)、寻址模式、彩色或非彩色显示、…，依据相关屏幕中所使用的控制电压来应用本发明。
在细化时，制定了规定以将由屏幕的晶体管所接收的光也纳入考虑。实际上，可以看出晶体管的泄漏电流随着由晶体管所接收的光的强度增加。该强度可能变化。尤其在液晶的情况下，灯箱的背光照射的光强度根据周围环境是白天环境(最大强度)或者夜晚环境(最小强度)而变化。这种晶体管对于光的敏感性问题同样地涉及直接在照射区域的像素的控制晶体管Tp，以及显示控制电路的控制晶体管Tc(其通过引导效果和多重反射接收光)。
因此有利的是调节电压电平(更具体地，VGOFF电平)，以有利于关断且因此最小化在强的光强度(强的照射电平)的情况下电流泄漏的可能性。
返回至代码定义并且存储在可编程电路100中的示例性实施，针对温度建立亮度带。电路100可以采取具有两个输入的表结构的形式：亮度带和温度带(对于每对带)提供相应的数字代码，如图6所示意性图示的。
例如，光传感器102使用植入在背面LCD的照射系统中的光电二极管。由相关的转换器102-N来提供数字形式的测量。对于温度，阈值比较器能够将亮度带离散化。所选中的温度带和亮度带能够指示在电路100中的相应数字代码。
在图6中，已经图示了本发明的实施，由此不但定义了电压VGON和VGOFF的电平，还定义了反电极电压VCE和伽马参考电压Vγ1-Vγz的电平。基于定义温度带的温度测量T和定义亮度带的照射水平测量L，来选择存储在电路100中的相应代码。或者，该代码借助于针对相关屏幕所建立的计算函数，根据测量T和L计算出来。该代码包括需要的各种数值，作为用于提供相应模拟电压的电路30、31、32的输入施加。
如上所述，仅以屏幕的特定示例进行描述的本发明更一般地根据温度，并且优选也根据由晶体管所接收的亮度，来应用控制像素所需的电源电压和参考电压的定义。该原理适用于其它的寻址模式或变体，适用于彩色或非彩色屏幕，和液晶屏幕以及OLED屏幕。典型地，对于利用对温度和光敏感的亚稳材料的后者屏幕，会产生根据温度和光的导电性/泄漏电流和伽马校正的类似问题。

Claims (8)

1.一种显示屏幕，其包括布置为行和列的像素的有源矩阵(1)，所述有源矩阵(1)包括与每个像素相关的控制晶体管(Tp)，所述屏幕包括显示控制电路(2)，所述显示控制电路(2)提供驱动像素的控制晶体管的信号，其特征在于，所述屏幕包括：
-用于提供温度测量(T)的装置(101)，
-可编程电路(100)，其用于提供与温度测量相关的数字代码作为输出，以及
-提供对显示控制电路供电的第一电压(VGON)和第二电压(VGOFF)的电路，使得能够分别施加导通电压和关断电压至像素的控制晶体管(Tp)、接收数字代码并且根据所述代码的数值来提供第一电压和第二电压的电路，由可编程电路提供的数字代码使得当温度下降时，所定义的数字代码使得第一模拟电压和第二模拟电压增加，并且也使得它们的差值(VGON-VGOFF)增加。
2.根据权利要求1所述的显示屏幕，其特征在于，当温度升高时，所定义的数字代码使得第一模拟电压和第二模拟电压减小，并且也使得它们的差值(VGON-VGOFF)减小。
3.根据权利要求1所述的显示屏幕，包括提供定义至少一个灰度级范围的伽马参考电压(Vγ1,Vγz)的电路(32)，其特征在于，数字代码(代码)包括设置伽马参考电压的数值。
4.根据权利要求1或2所述的显示屏幕，其为液晶或发光二极管屏幕。
5.根据权利要求1或2所述的显示屏幕，其为液晶类型的显示屏幕，其特征在于，所述数字代码包括设置像素的反电极(CE)的偏置电压的数值。
6.根据权利要求1至4中的任意一项所述的显示屏幕，其特征在于，其包括用于测量由显示电路的晶体管所接收到的亮度(L)的装置(102)，以及在于针对分别对应于温度测量(T)和亮度测量(L)的温度带和亮度带来定义数字代码。
7.根据权利要求1至5中的任意一项所述的显示屏幕，其中，可编程电路(100)为包括多个数字代码的存储器电路，每个代码与给定的温度带相关，所述屏幕包括用于选择对应于温度测量的数字代码的装置。
8.根据权利要求1至6中的任意一项所述的显示屏幕，其中，可编程电路(100)为包括多个数字代码的存储器电路，每个代码与确定的温度带和亮度带相关，所述屏幕包括用于选择对应于温度(T)和亮度(L)测量的数字代码的装置。
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