CN105448823A - 氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板 - Google Patents
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Abstract
一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，包括：在衬底上制作形成氧化物半导体层，其中氧化物半导体层包括第一区域、第二区域和第三区域；在氧化物半导体层上制作形成氧化物薄膜晶体管的栅极和栅极绝缘层，其中栅极绝缘层覆盖氧化物半导体层的第一区域；在第一区域被栅极绝缘层覆盖的前提下，对氧化物半导体层的第二区域和第三区域进行离子注入，使第二区域和第三区域由半导体分别转变为第一电极和第二电极，其中第二电极作为像素电极，氧化物半导体层的第一区域保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区；在衬底上形成第一钝化层，在第一钝化层上形成数据线，其中数据线填入第一钝化层的通孔中与第一电极电连接。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示的技术领域，特别涉及一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法，以及具有该氧化物薄膜晶体管阵列基板的液晶显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，液晶显示面板(LiquidCrystalDisplay，LCD)因其轻便、低辐射等优点越来越受到人们的欢迎。液晶显示面板包括对置的彩色滤光片基板(colorfilter，CF)和薄膜晶体管阵列基板(TFTarray)以及夹置在两者之间的液晶层(LClayer)。
非晶硅(a-Si)是目前普遍用于制作阵列基板上薄膜晶体管(TFT)的半导体层材料，但非晶硅由于存在因自身缺陷而导致的电子迁移率低、稳定性差等问题，使它在显示领域的运用受到了限制。随着显示面板的分辨率不断提高，非晶硅薄膜晶体管已经无法满足高分辨率显示面板的正常充电需求，为解决此问题，高电子迁移率的氧化物薄膜晶体管替代非晶硅薄膜晶体管诞生。氧化物薄膜晶体管(oxideTFT)是指半导体沟道采用氧化物半导体制备的薄膜晶体管，氧化物半导体层材料的典型代表有IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)、ITZO(IndiumTinZincOxide，铟锡锌氧化物)等。由于氧化物半导体具备电子迁移率高、工艺温度低、光透过性高等特点，因此成为目前薄膜晶体管显示领域的研究热点之一。
在制备薄膜晶体管阵列基板时，如果利用传统的背沟道蚀刻(backchanneletched，BCE)方式制作薄膜晶体管，在沟道处进行湿蚀刻(wetetching)制作源极和漏极时会对沟道处的半导体层造成伤害，所以需要在半导体层上制作一层蚀刻阻挡层(EtchStopper)，通过蚀刻阻挡层对半导体层进行保护，防止在制作源极和漏极时的蚀刻工艺对半导体层造成损伤。
目前薄膜晶体管大多采用底栅结构，底栅结构的薄膜晶体管中，栅极(gate)与上方源极(source)和漏极(drain)的图形要有一定的交叠，导致在栅极与源极的交叠区产生寄生电容Cgs，以及在栅极与漏极的交叠区产生寄生电容Cgd，造成增加扫描线和数据线的负载(loading)。而且，薄膜晶体管采用底栅结构和蚀刻阻挡层结构时，要考虑蚀刻阻挡层与半导体层、源极及漏极之间的交叠区设计，造成薄膜晶体管无法小型化，降低了开口率，也增大了寄生电容。
另外，在液晶显示面板中，像素电极一般由透明的ITO(IndiumTinOxide，氧化铟锡)制成。在制作TFT的半导体层和像素电极时，需要采用两道光罩制程，以分别制作TFT的半导体层和像素电极，导致需要更多的光罩(mask)使用数量以及更复杂的制作工艺，使制作成本上升，降低了生产效率。
发明内容
本发明目的在于提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法，通过采用顶栅结构的氧化物半导体TFT，减少了寄生电容的产生，同时利用离子注入同时形成像素电极，减少制程，降低成本和提高生产效率。
本发明实施例提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，所述制作方法包括：
在衬底上制作形成氧化物半导体层，其中所述氧化物半导体层包括第一区域、第二区域和第三区域；
在所述衬底上连续形成栅极绝缘层薄膜和栅极金属层薄膜，其中所述栅极绝缘层薄膜覆盖所述氧化物半导体层，所述栅极金属层薄膜覆盖所述栅极绝缘层薄膜；
对所述栅极金属层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜进行图形化，使所述栅极金属层薄膜在被图形化之后形成氧化物薄膜晶体管的栅极，使所述栅极绝缘层薄膜在被图形化之后形成栅极绝缘层，其中所述栅极绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的第一区域；
在所述氧化物半导体层的第一区域被所述栅极绝缘层覆盖的前提下，对所述氧化物半导体层的第二区域和第三区域进行离子注入，使所述第二区域和所述第三区域由半导体分别转变为第一电极和第二电极，其中所述第二电极作为像素电极，所述第一区域保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区；
在所述衬底上形成第一钝化层，其中所述第一钝化层覆盖所述第一电极、所述栅极和所述第二电极，并在所述第一钝化层中与所述第一电极相对应的位置形成通孔；
在所述第一钝化层上形成数据线，其中所述数据线填入所述第一钝化层的通孔中与所述第一电极电连接；
在所述第一钝化层上形成第二钝化层，其中所述第二钝化层覆盖所述数据线。
进一步地，对所述栅极金属层薄膜和所述栅极绝缘层薄膜进行图形化的步骤具体包括：
在所述栅极金属层薄膜上涂覆一层光阻层，对所述光阻层进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案作为遮罩对所述栅极金属层薄膜进行一次湿蚀刻，所述栅极金属层薄膜在被湿蚀刻之后形成所述栅极；
再以所述光阻层图案作为遮罩对所述栅极绝缘层薄膜进行一次干蚀刻，所述栅极绝缘层薄膜在被干蚀刻之后形成所述栅极绝缘层。
进一步地，所述制作方法还包括在所述第二钝化层上制作形成公共电极。
进一步地，在所述衬底上制作形成所述氧化物半导体层之前，所述制作方法还包括在所述衬底上先制作一层挡光层，所述挡光层所处的位置对应于所述氧化物半导体层的第一区域。
进一步地，对所述氧化物半导体层进行离子注入的方式为在PECVD设备中，用H离子或者Ar离子对所述氧化物半导体层进行等离子体处理。
本发明实施例还提供一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，包括：
衬底；
形成在所述衬底上的氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括第一区域、第二区域和第三区域；
形成在所述氧化物半导体层上的栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述氧化物半导体层的第一区域；
形成在所述栅极绝缘层上的氧化物薄膜晶体管的栅极，所述栅极与所述栅极绝缘层自对准，所述氧化物半导体层的第二区域和第三区域在进行离子注入之后由半导体分别转变为第一电极和第二电极，所述第二电极作为像素电极，所述第一区域保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区；
形成在所述衬底上的第一钝化层，所述第一钝化层覆盖所述第一电极、所述栅极和所述第二电极，所述第一钝化层在与所述第一电极相对应的位置形成有通孔；
形成在所述第一钝化层上的数据线，所述数据线填入所述第一钝化层的通孔中与所述第一电极电连接；
形成在所述第一钝化层上的第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述数据线。
进一步地，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述衬底上的挡光层，所述氧化物半导体层覆盖在所述挡光层上，所述挡光层所处的位置对应于所述氧化物半导体层的第一区域。
进一步地，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述第二钝化层上的公共电极。
进一步地，所述氧化物半导体层的材料为IGZO。
本发明实施例还提供一种液晶显示面板，包括氧化物薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板以及夹置在所述氧化物薄膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板为上述的氧化物薄膜晶体管阵列基板。
本发明实施例提供的氧化物薄膜晶体管阵列基板及制作方法，采用顶栅结构的氧化物半导体TFT，栅极与源/漏之间没有交叠区，可减少寄生电容，增大开口率。在制作完成栅极绝缘层和栅极之后，利用对氧化物半导体层进行离子注入的方式制作形成像素电极，即在形成半导体沟道区时同时形成像素电极，可省去单独制作像素电极的光罩和蚀刻制程。现有制程中，氧化物半导体层和像素电极需要两次独立的蚀刻制程来分别制作，因此本发明可以省去一道光罩制程，减少了光罩的使用数量，降低了制作成本和提升了生产效率。
附图说明
图1A至图1H为本发明实施例在制备氧化物薄膜晶体管阵列基板时的局部剖面示意图。
图2为本发明另一实施例中氧化物薄膜晶体管阵列基板的局部剖面示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及实施例，对本发明的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如后。
图1A至图1H为本发明实施例在制备氧化物薄膜晶体管阵列基板时的局部剖面示意图，该制作方法包括：
如图1A所示，在衬底11上制作形成氧化物半导体层12。衬底11可以是玻璃、石英、硅片或其它柔性衬底如塑料、不锈钢等。氧化物半导体层12可以是IGZO(IndiumGalliumZincOxide，铟镓锌氧化物)、ITZO(IndiumTinZincOxide，铟锡锌氧化物)或ZnO(Zincoxide，氧化锌)等氧化物半导体材料。在衬底11上制作氧化物半导体层12时，可以通过例如磁控溅射或热蒸发等方法在衬底11上先沉积形成一层氧化物半导体薄膜，然后再通过蚀刻工艺(例如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对该氧化物半导体薄膜进行蚀刻图形化，以在衬底11上制作形成氧化物半导体层12。
如图1B所示，在衬底11上依次连续形成栅极绝缘层薄膜13和栅极金属层薄膜14共两层薄膜。栅极绝缘层薄膜13例如为氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)或氮氧化硅(SiONx)薄膜，栅极金属层薄膜14可以采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，也可以采用由多层金属薄膜构成的复合薄膜。栅极绝缘层薄膜13可通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)等方法沉积形成在衬底11上并覆盖氧化物半导体层12，栅极金属层薄膜14可通过磁控溅射或热蒸发等方法沉积形成并覆盖栅极绝缘层薄膜13。
如图1C所示，在栅极金属层薄膜14上涂覆一层光阻层，对光阻层进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案20作为遮罩对栅极金属层薄膜14进行一次湿蚀刻工艺，栅极金属层薄膜14在被湿蚀刻之后形成氧化物薄膜晶体管的栅极14a。
如图1D所示，在蚀刻完栅极金属层薄膜14之后，接着再以该光阻层图案20作为遮罩对栅极绝缘层薄膜13进行一次干蚀刻工艺，栅极绝缘层薄膜13在被干蚀刻之后形成栅极绝缘层13a。在上述两次蚀刻步骤中，均以该光阻层图案20作为遮罩进行蚀刻，因此栅极14a和栅极绝缘层13a之间具有自对准效果。栅极绝缘层13a局部地覆盖在氧化物半导体层12上，氧化物半导体层12包括被栅极绝缘层13a覆盖的第一区域A和未被栅极绝缘层13a覆盖的第二区域B和第三区域C。
如图1E所示，在氧化物半导体层12的第一区域A被栅极绝缘层13a覆盖的前提下，对氧化物半导体层12进行离子注入，使氧化物半导体层12的第二区域B和第三区域C由半导体分别转变为第一电极122和第二电极123。在对氧化物半导体层12进行离子注入时，可以在PECVD设备中，用H离子或者Ar离子等对氧化物半导体层12进行等离子体处理。例如向PECVD设备的反应腔室内通入H2或Ar气体，其中通入H2或Ar气体的流量控制在2000～8000sccm(标准状况下毫升/分钟)之间，施加的射频功率控制在4400～5360W(瓦)之间，并控制等离子体处理的时间在60～120s(秒)之间。在经过前述等离子体处理之后，H离子或者Ar离子注入至氧化物半导体层12的第二区域B和第三区域C中，使氧化物半导体层12的第二区域B和第三区域C由半导体转变为导体，分别形成第一电极122和第二电极123，其中第一电极122作为与数据线16相连的导通电极，第二电极123作为每个像素区域的像素电极。当氧化物半导体层12选用IGZO时，其透过率在80％左右，基本上与ITO的透过率相当，因此第二电极123可以作为透明像素电极。氧化物半导体层12的第一区域A由于被栅极绝缘层13a覆盖保护而不会受到离子注入的影响，因此仍然保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区121。
对氧化物半导体层12进行离子注入之后，去除该光阻层图案20。在其他实施例中，该光阻层图案20也可以在对栅极绝缘层薄膜13进行干蚀刻之后，在对氧化物半导体层12进行离子注入之前去除。
如图1F所示，在衬底11上形成第一钝化层15，第一钝化层15覆盖第一电极122、栅极14a和第二电极123，并在第一钝化层15中与第一电极122相对应的位置形成通孔150。第一钝化层15例如为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅薄膜，可通过PECVD等方法形成在衬底11上并覆盖栅极14a以及第一电极122和第二电极123，然后再通过蚀刻工艺(例如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对第一钝化层15进行蚀刻图形化，以在第一钝化层15中与第一电极122相对应的位置处形成通孔150。
如图1G所示，在第一钝化层15上形成数据线16，数据线16通过第一钝化层15中的通孔150与第一电极122电连接。数据线16可以采用Cr、W、Ti、Ta、Mo、Al、Cu等金属或合金，也可以采用由多层金属薄膜构成的复合薄膜。在第一钝化层15上形成数据线16时，可以通过例如磁控溅射或热蒸发等方法在第一钝化层15上沉积一层第二金属层，再通过一次蚀刻工艺(例如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对该第二金属层进行蚀刻图形化，以在第一钝化层15上形成数据线16，同时数据线16填入第一钝化层15的通孔150中与第一电极122电连接。
如图1H所示，在第一钝化层15上形成第二钝化层17，第二钝化层17覆盖数据线16。第二钝化层17例如为氧化硅、氮化硅或氮氧化硅薄膜，可通过PECVD等方法形成在第一钝化层15上并覆盖数据线16，并且还可以通过一次干蚀刻工艺(例如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对第二钝化层17进行蚀刻，以在第二钝化层17的外围区域(非显示区域)形成外围线路的过孔(图未示)。
至此，制作完成的氧化物薄膜晶体管阵列基板，可以作为扭曲向列模式(TwistedNematic，TN)的液晶显示面板的阵列基板，该液晶显示面板还包括彩色滤光片基板(图未示)以及夹设在彩色滤光片基板和阵列基板之间的液晶层(图未示)，在彩色滤光片基板上还制作形成有公共电极(图未示)。
或者，如图1H所示，再在第二钝化层17上制作公共电极18。公共电极18可以通过例如磁控溅射或热蒸发等方法先在第二钝化层17上沉积一层透明导电材料层，然后通过一道蚀刻工艺(例如包括上光阻、曝光、显影、蚀刻、去光阻等步骤)对该透明导电材料层进行蚀刻图形化，以在第二钝化层17上形成公共电极18。本实施例中，公共电极18在每个像素区域被蚀刻形成为具有多个条状电极部，例如呈梳子状。公共电极18例如为氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)或氧化铝锌等。如此，用于驱动液晶偏转的像素电极(即第二电极123)与公共电极18同时形成在阵列基板上，使阵列基板可以作为边缘场开关模式(FringeFieldSwitching，FFS)的液晶显示面板的阵列基板。
氧化物半导体在受到短波长小于375nm的光照射时，漏电流会增大，为了进一步改善氧化物薄膜晶体管的特性，请参图2，图2为本发明另一实施例中氧化物薄膜晶体管阵列基板的局部剖面示意图，本实施例中在衬底11上制作形成氧化物半导体层12之前，先在衬底11上先制作一层挡光层19，挡光层19所处的位置对应于氧化物半导体层12的第一区域A。挡光层19可以通过蚀刻或印刷的方式形成，可以采用不透光的非金属材料或者金属材料。若挡光层19采用金属材料时，还包括在挡光层19上覆盖一层绝缘层，使氧化物半导体层12再形成在该绝缘层上，通过该绝缘层将氧化物半导体层12与下面金属的挡光层19隔开并绝缘。另外，在后续蚀刻制作栅极14a和栅极绝缘层13a时，可以采用与制作挡光层19时相同的光罩，使挡光层19、栅极14a、栅极绝缘层13a和氧化物半导体层12的第一区域A(即沟道区121)均相互对准。本实施例中通过在氧化物薄膜晶体管的沟道区121下方设置一层挡光层19，避免了衬底11下方短波长光的照射对氧化物薄膜晶体管的特性造成不利影响。
本发明实施例还提供一种液晶显示面板，包括彩色滤光片基板和氧化物薄膜晶体管阵列基板以及夹置在彩色滤光片基板与氧化物薄膜晶体管阵列基板之间的液晶层，该氧化物薄膜晶体管阵列基板为上述的氧化物薄膜晶体管阵列基板。
本发明实施例提供氧化物薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，采用顶栅结构的氧化物半导体TFT，栅极与源/漏之间没有交叠区，可减少寄生电容，增大开口率。在制作完成栅极绝缘层和栅极之后，利用对氧化物半导体层进行离子注入的方式制作形成像素电极，即在形成半导体沟道区时同时形成像素电极，可省去单独制作像素电极的光罩和蚀刻制程。现有制程中，氧化物半导体层和像素电极需要两次独立的蚀刻制程来分别制作，因此本发明可以省去一道光罩制程，减少了光罩的使用数量，降低了制作成本和提升了生产效率。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但凡是未脱离本发明技术方案内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (10)
1.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
在衬底(11)上制作形成氧化物半导体层(12)，其中所述氧化物半导体层(12)包括第一区域(A)、第二区域(B)和第三区域(C)；
在所述衬底(11)上连续形成栅极绝缘层薄膜(13)和栅极金属层薄膜(14)，其中所述栅极绝缘层薄膜(13)覆盖所述氧化物半导体层(12)，所述栅极金属层薄膜(14)覆盖所述栅极绝缘层薄膜(13)；
对所述栅极金属层薄膜(14)和所述栅极绝缘层薄膜(13)进行图形化，使所述栅极金属层薄膜(14)在被图形化之后形成氧化物薄膜晶体管的栅极(14a)，使所述栅极绝缘层薄膜(13)在被图形化之后形成栅极绝缘层(13a)，其中所述栅极绝缘层(13a)覆盖所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)；
在所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)被所述栅极绝缘层(13a)覆盖的前提下，对所述氧化物半导体层(12)的第二区域(B)和第三区域(C)进行离子注入，使所述第二区域(B)和所述第三区域(C)由半导体分别转变为第一电极(122)和第二电极(123)，其中所述第二电极(123)作为像素电极，所述第一区域(A)保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区(121)；
在所述衬底(11)上形成第一钝化层(15)，其中所述第一钝化层(15)覆盖所述第一电极(122)、所述栅极(14a)和所述第二电极(123)，并在所述第一钝化层(15)中与所述第一电极(122)相对应的位置形成通孔(150)；
在所述第一钝化层(15)上形成数据线(16)，其中所述数据线(16)填入所述第一钝化层(15)的通孔(150)中与所述第一电极(122)电连接；
在所述第一钝化层(15)上形成第二钝化层(17)，其中所述第二钝化层(17)覆盖所述数据线(16)。
2.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述栅极金属层薄膜(14)和所述栅极绝缘层薄膜(13)进行图形化的步骤具体包括：
在所述栅极金属层薄膜(14)上涂覆一层光阻层，对所述光阻层进行曝光和显影，利用显影留下的光阻层图案(20)作为遮罩对所述栅极金属层薄膜(14)进行一次湿蚀刻，所述栅极金属层薄膜(14)在被湿蚀刻之后形成所述栅极(14a)；
再以所述光阻层图案(20)作为遮罩对所述栅极绝缘层薄膜(13)进行一次干蚀刻，所述栅极绝缘层薄膜(13)在被干蚀刻之后形成所述栅极绝缘层(13a)。
3.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括在所述第二钝化层(17)上制作形成公共电极(18)。
4.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，在所述衬底(11)上制作形成所述氧化物半导体层(12)之前，所述制作方法还包括在所述衬底(11)上先制作一层挡光层(19)，所述挡光层(19)所处的位置对应于所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)。
5.如权利要求1所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，对所述氧化物半导体层(12)进行离子注入的方式为在PECVD设备中，用H离子或者Ar离子对所述氧化物半导体层(12)进行等离子体处理。
6.一种氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：
衬底(11)；
形成在所述衬底(11)上的氧化物半导体层(12)，所述氧化物半导体层(12)包括第一区域(A)、第二区域(B)和第三区域(C)；
形成在所述氧化物半导体层(12)上的栅极绝缘层(13a)，所述栅极绝缘层(13a)覆盖所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)；
形成在所述栅极绝缘层(13a)上的氧化物薄膜晶体管的栅极(14a)，所述栅极(14a)与所述栅极绝缘层(13a)自对准，所述氧化物半导体层(12)的第二区域(B)和第三区域(C)在进行离子注入之后由半导体分别转变为第一电极(122)和第二电极(123)，所述第二电极(123)作为像素电极，所述第一区域(A)保持为半导体性质并作为氧化物薄膜晶体管的沟道区(121)；
形成在所述衬底(11)上的第一钝化层(15)，所述第一钝化层(15)覆盖所述第一电极(122)、所述栅极(14a)和所述第二电极(123)，所述第一钝化层(15)在与所述第一电极(122)相对应的位置形成有通孔(150)；
形成在所述第一钝化层(15)上的数据线(16)，所述数据线(16)填入所述第一钝化层(15)的通孔(150)中与所述第一电极(122)电连接；
形成在所述第一钝化层(15)上的第二钝化层(17)，所述第二钝化层(17)覆盖所述数据线(16)。
7.如权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述衬底(11)上的挡光层(19)，所述氧化物半导体层(12)覆盖在所述挡光层(19)上，所述挡光层(19)所处的位置对应于所述氧化物半导体层(12)的第一区域(A)。
8.如权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板还包括形成在所述第二钝化层(17)上的公共电极(18)。
9.如权利要求6所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述氧化物半导体层(12)的材料为IGZO。
10.一种液晶显示面板，包括氧化物薄膜晶体管阵列基板和彩色滤光片基板以及夹置在所述氧化物薄膜晶体管阵列基板与所述彩色滤光片基板之间的液晶层，其特征在于，所述氧化物薄膜晶体管阵列基板为权利要求6至9任一项所述的氧化物薄膜晶体管阵列基板。
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