CN105355798A - 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 - Google Patents
有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105355798A CN105355798A CN201510828776.7A CN201510828776A CN105355798A CN 105355798 A CN105355798 A CN 105355798A CN 201510828776 A CN201510828776 A CN 201510828776A CN 105355798 A CN105355798 A CN 105355798A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- layer
- organic electroluminescence
- electroluminescence device
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 8
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 126
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims abstract description 62
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 138
- 230000004048 modification Effects 0.000 claims description 52
- 238000012986 modification Methods 0.000 claims description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims description 38
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 claims description 34
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 23
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 17
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 14
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 11
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims description 5
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 246
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 37
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 37
- 239000010408 film Substances 0.000 description 13
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 9
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 9
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 4
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 4
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000006193 liquid solution Substances 0.000 description 2
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 2
- 238000012876 topography Methods 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000144 PEDOT:PSS Polymers 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000000313 electron-beam-induced deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000007773 negative electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/15—Hole transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/824—Cathodes combined with auxiliary electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/879—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
- H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
- H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/321—Inverted OLED, i.e. having cathode between substrate and anode
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
- H10K2102/301—Details of OLEDs
- H10K2102/351—Thickness
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/165—Electron transporting layers comprising dopants
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
- H10K50/166—Electron transporting layers comprising a multilayered structure
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/81—Anodes
- H10K50/818—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
- H10K50/82—Cathodes
- H10K50/828—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8051—Anodes
- H10K59/80518—Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
- H10K59/8052—Cathodes
- H10K59/80524—Transparent cathodes, e.g. comprising thin metal layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明涉及显示技术领域,并公开一种有机电致发光器件及其制作方法以及显示装置。有机电致发光器件包括第一电极、第一载流子传输层、有机发光层、第二载流子传输层和第二电极,以及布置在有机电致发光器件的出光侧并且位于第一电极和有机发光层之间的光提取层,其中光提取层由第一载流子传输材料形成。通过在有机电致发光器件的出光侧在第一电极和有机发光层之间利用第一载流子传输材料形成光提取层,提高了有机电致发光器件的出光效率。光提取层兼具第一载流子传输层的作用,因此可以简化有机电致发光器件的结构,从而便于制作并且有效地控制成本。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,并且具体而言涉及一种有机电致发光器件(organiclightemittingdevice,OLED)及其制作方法、以及包含该有机电致发光器件的显示装置。
背景技术
有机电致发光器件是一种利用有机固态半导体作为发光材料的发光器件,由于其具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度适应范围广等优点,使其具有广阔的应用前景。提高有机电致发光器件的发光效率是目前亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于减轻或解决前文所提到的问题的一个或多个。具体而言,本发明提供一种有机电致发光器件及其制作方法、以及包含该有机电致发光器件的显示装置,其能够有效地提高有机电致发光器件的出光效率。
在第一方面,提供了一种有机电致发光器件,包括第一电极、有机发光层、第二载流子传输层和第二电极,以及布置在所述有机电致发光器件的出光侧并且位于所述第一电极和所述有机发光层之间的光提取层,其中所述光提取层由第一载流子传输材料形成。
根据此实施例,通过在所述有机电致发光器件的出光侧在第一电极和有机发光层之间形成光提取层,提高了有机电致发光器件的出光效率。所述光提取层兼具第一载流子传输层的作用,因此可以简化有机电致发光器件的结构,从而便于制作并且有效地控制成本。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述光提取层的表面可以具有周期性结构,并且所述周期性结构可以为截面呈三角形或弧形的一维棱柱,或者为矩阵方式排布的周期性图案。
根据此实施例,所述光提取层的表面具有周期性结构,由此有利于提高有机电致发光器件的出光效率。此外,一维棱柱和矩阵方式排布的周期性图案便于制作。矩阵方式排布的周期性图案可以包括按矩阵方式排布的微透镜等。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述光提取层可以由聚合物载流子传输材料形成。
根据此实施例,光提取层由聚合物载流子传输材料形成。聚合物材料可以通过旋涂而应用在第一电极上,并且便于利用纳米压印进行图案化以形成周期性结构。此外,聚合物材料较为致密,由此形成的光提取层将有机层发光层与外界隔开,避免水气等外界因素破坏有机发光层中的有机材料,从而提高有机电致发光器件的寿命。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述有机电致发光器件还可以包括:位于所述有机发光层和所述光提取层之间的第一载流子传输层。
根据此实施例,与现有技术相比,通过在第一载流子传输层和第一电极之间增加由第一载流子传输材料形成的光提取结构。由第一载流子传输材料形成的光提取层对有机电致发光器件中载流子的注入和传输没有任何负面影响。由于所述光提取层由第一载流子传输材料形成,该所述光提取层的形成工艺可以与现有有机电致发光器件的制作工艺,特别是第一载流子传输层的形成工艺相兼容,从而便于制作并且可有效地控制成本。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述有机电致发光器件还可以包括位于所述第一电极和所述光提取层之间的电极改性层。
根据此实施例,位于所述第一电极和所述光提取层之间的电极改性层降低第一电极与有机发光层的有机材料之间的界面势垒,可以实现载流子的高效注入,从而提高有机电致发光器件的性能。此外,由于第一电极与有机材料之间的界面势垒降低,有机电致发光器件在工作时产生的焦耳热减少,这有利于提高有机电致发光器件的寿命。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述电极改性层可以由Al2O3或ZnO形成,并且厚度可以为1-3nm。
根据此实施例,电极改性材料可以是Al2O3或ZnO,从而降低阴极与有机材料之间的界面势垒,提高电子注入效率。电极改性层的厚度通常为1-3nm,优选地为1.5nm或2nm。电极改性层在太厚时将成为绝缘层,降低有机电致发光器件的电学性能。此外,所述电极改性层可以是通过旋涂并退火形成的Al2O3或ZnO膜。致密的电极改性层将有机层发光层与外界隔开,避免水气等外界因素破坏有机发光层中的有机材料,从而提高有机电致发光器件的寿命。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述第一电极可以为阴极,所述第一载流子传输层可以为电子传输层,所述第二载流子传输层可以为空穴传输层,以及所述第二电极可以为反射性阳极。
根据此实施例,该有机电致发光器件为倒置构造,并且光从阴极侧输出。所述光提取层布置在出光侧,有利于提高有机电致发光器件的出光效率。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述第一电极的材料可以包括功函数降低的氧化铟锡。
根据此实施例,该有机电致发光器件为倒置有机电致发光器件。该有机电致发光器件的底部为由氧化铟锡形成的阴极,因而可以直接与n型TFT的漏极相连,便于二者集成以提高显示器件稳定性。氧化铟锡阴极的功函数较高,与电子传输材料间存在较大电子注入势垒,这使得电子注入困难。上述电极改性层有助于降低电子的注入势垒,从而解决了该问题。
在该有机电致发光器件的优选实施例中,所述有机电致发光器件还可以包括布置在所述电子传输层与所述阴极之间的n掺杂电子传输层。
根据此实施例,n掺杂电子传输层可以布置在所述电子传输层的面向所述阴极一侧。例如,所述n掺杂电子注入材料的掺杂剂可以为Ce或Li。该n掺杂电子传输层可以降低该有机电致发光器件的电子注入势垒,有助于电子载流子的注入。
在第二方面,本发明提供了一种显示装置,其包括如上文所述的有机电致发光器件。
根据本发明的显示装置具有与上文所述的有机电致发光器件相同或相似的益处,此处不再赘述。
在第三方面,本发明提供了一种制作有机电致发光器件的方法,包括步骤:在衬底上形成第一电极;在所述第一电极上应用第一载流子传输材料,图案化所述第一载流子传输材料以形成具有周期性结构的光提取层;以及在所述光提取层上依次形成有机发光层、第二载流子传输层和第二电极。
根据此实施例,通过在第一电极和有机发光层之间形成光提取层,提高了有机电致发光器件的出光效率。与现有技术中布置在有机电致发光器件外侧的光提取层相比,根据此实施例,通过对第一载流子传输层进行图案化形成布置在有机电致发光器件内部的光提取层。这不仅兼容现有的有机电致发光器件,而且简化了有机电致发光器件的制作工艺。
在该方法的优选实施例中,图案化所述第一载流子传输材料可以包括:使用纳米压印母体对所述第一载流子传输材料纳米压印。
根据此实施例,利用纳米压印可以容易地在第一载流子传输材料上形成光提取图案。
在该方法的优选实施例中,在所述第一电极上应用所述第一载流子传输材料可以包括:在所述第一电极上旋涂厚度为50-60nm的聚合物载流子传输材料。
根据此实施例,光提取层由聚合物载流子传输材料形成。聚合物材料可以通过旋涂而应用在第一电极上,并且便于利用纳米压印进行图案化以形成周期性结构。聚合物载流子传输材料的厚度优选地为50-60nm,例如为55nm。
在该方法的优选实施例中,在形成所述第一电极之后并且在形成所述光提取层之前,所述方法还可以包括:在所述第一电极上旋涂电极改性材料的溶液;以及对所述溶液退火以形成电极改性层。
根据此实施例,电极改性层降低第一电极与有机发光层的有机材料之间的界面势垒,可以实现载流子的高效注入,从而提高有机电致发光器件的性能。
在该方法的优选实施例中,所述电极改性层的材料可以包括Al2O3或ZnO。
根据此实施例,当电极改性材料是Al2O3或ZnO时,可以通过形成Al2O3或ZnO的溶液,从而可以通过旋涂的方式将所述溶液应用在所述第一电极上。
在该方法的优选实施例中,所述第一电极可以为阴极,所述第一载流子传输层可以为电子传输层,所述第二载流子传输层可以为空穴传输层,以及所述第二电极可以为阳极;并且所述方法可以包括利用反射性材料形成所述第二电极。
根据此实施例,该有机电致发光器件为倒置构造,并且光从阴极侧输出。所述光提取层布置在出光侧,有利于提高有机电致发光器件的出光效率。
在该方法的优选实施例中,在衬底上形成所述第一电极可以包括:在所述衬底上沉积氧化铟锡;以及对氧化铟锡进行紫外臭氧处理以形成所述第一电极。
根据此实施例,该有机电致发光器件为倒置有机电致发光器件。该有机电致发光器件的底部为由氧化铟锡形成的阴极,因而可以直接与n型TFT的漏极相连,便于二者集成以提高显示器件稳定性。氧化铟锡阴极的功函数较高,与电子传输材料间存在较大电子注入势垒,这使得电子注入困难。上述电极改性层有助于降低电子的注入势垒,从而解决了该问题。
根据本发明,通过在有机电致发光器件的出光侧在第一电极和有机发光层之间利用第一载流子传输材料形成光提取层,提高了有机电致发光器件的出光效率。所述光提取层兼具第一载流子传输层的作用,因此可以简化有机电致发光器件的结构,从而便于制作并且有效地控制成本。
附图说明
图1A为根据本发明一实施例的有机电致发光器件的示意性剖面图;
图1B为根据本发明一实施例的有机电致发光器件的示意性剖面图;
图2A、2B和2C为根据本发明实施例的倒置有机电致发光器件的示意性剖面图;
图3A为根据本发明一实施例的光提取层的示意性剖面图;
图3B为根据本发明一实施例的光提取层的示意性剖面图;以及
图4为根据本发明一实施例的有机电致发光器件的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面结合附图,对本发明的有机电致发光器件及其制作方法和显示装置的具体实施方式进行详细地说明。本发明的附图示意性地绘示出与发明点有关的结构、部分和/或步骤,而没有绘示或者仅仅部分地绘示与发明点无关的结构、部分和/或步骤。
附图中示出的部件标注如下:
100、200衬底;
102第一电极;
104第一载流子传输层;
106有机发光层;
108第二载流子传输层;
110第二载流子注入层;
112第二电极;
120、122、220、222、224、320、322光提取层;
130、132、230电极改性层;
202阴极;
204电子传输层;
206有机发光层;
208空穴传输层;
210空穴注入层;
212阳极;
240、242、244n掺杂电子传输层;
350、352压印母体。
根据本发明的第一方面,提供了一种有机电致发光器件。在如图1A所示的实施例中,该有机电致发光器件包括位于衬底100上的第一电极102、第一载流子传输层104、有机发光层106、第二载流子传输层108第二电极112。所述有机电致发光器件还包括位于所述第一电极102和所述第一载流子传输层104之间的光提取层120。所述光提取层120由第一载流子传输材料形成。
在图1A所示的实施例中,该有机电致发光器件为底部发光类型。相应地,衬底100由透明材料形成,从而输出由有机发光层106产生的光。该光提取层120设置在该有机电致发光器件的出光侧,从而提高出光效率。
可选地,该有机电致发光器件包括位于第二载流子传输层108和第二电极112之间的第二载流子注入层110。
该有机电致发光器件也可以为顶部发光类型。例如,在如图1B所示的实施例中,该有机电致发光器件包括位于衬底100上的第一电极102、第一载流子传输层104、有机发光层106、第二载流子传输层108和第二电极112。所述有机电致发光器件还包括位于所述第二电极112和所述第二载流子传输层108之间的光提取层122。当所述有机电致发光器件包括布置在第二载流子传输层108的远离衬底100一侧的第二载流子注入层110时,所述光提取层122设置在所述第二电极112和所述第二载流子注入层110之间。所述光提取层122由第二载流子传输材料形成。
在图1B所示的实施例中,该有机电致发光器件为顶部发光类型。该光提取层122设置在该有机电致发光器件的出光侧,从而提高出光效率。
如图1A和图1B所示,通过在有机电致发光器件的出光侧形成由相应载流子传输材料制成的光提取层,可以对有机电致发光器件中载流子的注入和传输没有任何负面影响的情况下,有效地提高有机电致发光器件的出光效率。由于光提取层由相应载流子传输材料形成,该所述光提取层的形成工艺可以与现有有机电致发光器件的制作工艺,特别是相应的载流子传输层的形成工艺相兼容,从而便于制作并且可有效地控制制作成本。
优选地,光提取层120、122可以由聚合物载流子传输材料形成。这种情况下,聚合物材料可以通过旋涂而应用在电极上,并且可以利用纳米压印进行图案化以形成周期性结构。由聚合物材料形成的光提取层较为致密,将有机层发光层与外界隔开,避免水气等外界因素破坏有机发光层中的有机材料,从而提高有机电致发光器件的寿命。
光提取层120、122的表面可以具有周期性结构,并且所述周期性结构可以为截面呈三角形或弧形的一维棱柱,或者为矩阵方式排布的周期性图案。表面具有该周期性结构的光提取层有利于提高有机电致发光器件的出光效率。此外,一维棱柱和矩阵方式排布的周期性图案便于制作。然而,本发明不以此为限,例如,光提取层的表面也可以具有准周期性结构或者非周期性结构,只要能够有利于提高有机电致发光器件的出光效率即可。
光提取层120、122可以采用任何已知的载流子传输材料。在图1A所示实施例中,光提取层120的材料与第一载流子传输层104的材料相同。在图1B所示实施例中,光提取层122的材料与第二载流子传输层108或第二载流子注入层110的材料相同。例如,当第一电极102为氧化铟锡形成的阴极时,光提取层120可以采用任何已知的电子传输材料,例如聚(3,4-二氧乙基噻吩)/聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)。
如图1A所示,有机电致发光器件还可以包括位于第一电极102和光提取层120之间的电极改性层130。该电极改性层130可以降低第一电极102与有机发光层106的有机材料之间的界面势垒,可以实现第一载流子的高效注入,从而提高有机电致发光器件的性能。当该第一电极102为阴极时,电极改性层120可以由Al2O3或ZnO形成。该电极改性层120的厚度可以为1-3nm。
类似地,在图1B所示实施例中,有机电致发光器件包括位于光提取层122和第二电极112之间的电极改性层132。该电极改性层132有利于第二载流子从第二电极112的注入。
在图1A和图1B所示的实施例中,第一载流子可以为电子,并且第二载流子可以为空穴。相应地,第一电极102为阴极,第一载流子传输层104为电子传输层,第二载流子传输层108为空穴传输层,第二载流子注入层110为空穴注入层,以及第二电极112为阳极。
在图1A所示的实施例中,该有机电致发光器件为倒置构造,衬底100为透明衬底,光从第一电极102侧(即,衬底100侧)输出。优选地,该第二电极112由反射材料形成,例如由反射金属层形成,从而进一步提高有机电致发光器件的出光效率。优选地,当第一电极102为阴极时,该第一电极102可以由氧化铟锡形成。
以下结合图2A、2B和2C描述根据本发明的有机电致发光器件。具体而言,该有机电致发光器件为一种倒置有机电致发光器件(InvertedOLED,IOLED)。
图2A示出了根据本发明一实施例的倒置有机电致发光器件。如所示,该有机电致发光器件包括依次布置在衬底200上的阴极202、电子传输层204、有机发光层206、空穴传输层208和阳极212。可选地,该有机电致发光器件还包括位于空穴传输层208和阳极212之间的空穴注入层210。电子传输层204通常由未掺杂的电子传输材料形成,但本发明不限于此。该有机电致发光器件还包括布置在出光侧的光提取层220以及布置在阴极202上的电极改性层230。图2A所示的光提取层220和电极改性层230与图1A所示的光提取层120和电极改性层130类似,在此不再赘述。
如图2A所示,该有机电致发光器件优选地还包括n掺杂电子传输层240,其布置在电子传输层204的面向阴极202一侧。该n掺杂电子传输层由掺杂有n型掺杂剂的电子传输材料形成。例如,该n型掺杂剂可以为Ce或Li。n掺杂电子传输层240可以降低电子注入势垒,提高电子注入效率,进而提高有机电致发光器件的性能。
应指出,有机电致发光器件还可以包括诸如电子阻挡层、空穴阻挡层的其它功能层。这些功能层为所述技术领域的技术人员所知晓,因此在此不做详细描述。
与传统正置有机电致发光器件相比,倒置有机电致发光器件更容易与n型薄膜晶体管(TFT)集成。当前以氧化铟镓锌(indiumgalliumzincoxide,IGZO)为有源层的薄膜晶体管与倒置有机电致发光器件更加匹配。在倒置有机电致发光器件中,以氧化铟锡作为透明阴极时,有机电致发光器件可以直接与n型TFT的漏极相连,便于二者集成以提高显示器件稳定性。这种情况下,图2A中的衬底200可以为n型薄膜晶体管。然而,由于氧化铟锡的功函数较高,使得电子的注入势垒较高,电子注入效率低,从而导致有机电致发光器件性能受影响。根据此实施例,通过在阴极202上形成电极改性层230,可以有效地降低电子的注入势垒,从而解决了倒置有机电致发光器件与n型薄膜晶体管集成时存在的上述问题。
该电极改性层230可以包括Al2O3或ZnO,从而有效地降低阴极202的表面功函数以提高电子注入能力。该电极改性层230的厚度通常为1-3nm,优选地为1.5nm或2nm。电极改性层230太厚时将成为绝缘层,这对于倒置有机电致发光器件的电学性能是不利的。当该电极改性层230可以包括Al2O3或ZnO时,该电极改性层230可以这样形成:旋涂包括Al2O3或ZnO的溶液,以及随后通过退火以形成致密Al2O3或ZnO膜。致密的电极改性层230将有机层发光层206与外界隔开,避免水气等外界因素破坏有机发光层中的有机材料,这对于倒置有机电致发光器件的寿命是有利的。
与图1A所示实施例类似,该倒置有机电致发光器件优选地还可以包括布置在阴极202和电子传输层204之间的光提取层220。可选地,如图2A所示,光提取层220布置在电极改性层230和n掺杂电子传输层240之间。
该光提取层220设置在该倒置有机电致发光器件的出光侧,从而提高出光效率。该光提取层220可以由电子传输材料形成,因而可以有效地提高该倒置有机电致发光器件的出光效率,而对电子的注入和传输没有任何负面影响。优选地,光提取层220可以由聚合物载流子传输材料形成,使得可以通过旋涂方式应用在阴极202上,并且可以通过纳米压印以形成周期性结构。优选地,光提取层220表面上的周期性结构可以为截面呈三角形或弧形的一维棱柱,或者为矩阵方式排布的周期性图案,从而有利于提高该倒置有机电致发光器件的出光效率。
图2B示出了根据本发明另一实施例的倒置有机电致发光器件。如所示,该倒置有机电致发光器件包括依次布置在衬底200上的阴极202、电极改性层230、n掺杂电子传输层242、光提取层222、电子传输层204、有机发光层206、空穴传输层208、空穴注入层210和阳极212。与图2A所示实施例相比,在图2B所示实施例中,光提取层222布置在n掺杂电子传输层242和电子传输层204之间。
图2C示出了根据本发明再一实施例的倒置有机电致发光器件。如所示,该倒置有机电致发光器件包括依次布置在衬底200上的阴极202、电极改性层230、n掺杂电子传输层244、光提取层224、有机发光层206、空穴传输层208、空穴注入层210和阳极212。与图2B所示实施例相比,图2C所示的倒置有机电致发光器件不包括单独的电子传输层。光提取层224布置在n掺杂电子传输层244和有机发光层206之间。优选地,光提取层224由未掺杂的电子传输材料形成。在此实施例中,光提取层224不仅增加出光效率的作用,而且在倒置有机电致发光器件中同时充当电子传输层的作用。
图3A和图3B示出了根据本发明的光提取层的不同实施例。
如图3A的剖面图所示,在阴极202上形成电极改性层230之后,通过旋涂在电极改性层230上形成聚合物载流子传输材料的膜。优选地,该膜的厚度为50-60nm,更优选地为55nm。随后,使用压印母体350对聚合物载流子传输材料的膜进行纳米压印,压印母体350上的图案被转移到聚合物载流子传输材料的膜,由此形成光提取层320。如图3A所示,该光提取层320具有截面呈三角形的一维棱柱。
如图3B的剖面图所示,在阴极202上形成电极改性层230之后,通过旋涂在电极改性层230上形成聚合物载流子传输材料的膜。随后,使用压印母体352对聚合物载流子传输材料的膜进行纳米压印,压印母体352上的图案被转移到聚合物载流子传输材料的膜,由此形成光提取层322。如图3B所示,该光提取层320具有截面呈弧形(波浪形)的一维棱柱。
在图3A和图3B所示的实施例中,光提取层320、322表面上的周期性结构为截面呈三角形或弧形的一维棱柱。然而,本发明不限于此。光提取层还可以具有矩阵方式排布的周期性图案。此外,表面具有准周期性结构或者非周期性结构的光提取层也是可行的,只要能够有利于提高有机电致发光器件的出光效率即可。
上述压印母体350、352可以通过电子束沉积、激光直写、化学合成、自组装法等方法,在压印基板(未示出)上产生特定图案来形成。该特定图案与期望在光提取层表面上形成的图案是互补的。
应指出,图3A和3B所示的光提取层320、322可以应用于图1A-1B、2A-2C所示的有机电致发光器件中的光提取层120、122、220、222、224。为了简化图示,图1A-1B、2A-2C中未示出光提取层120、122、220、222、224表面形貌的细节。
另外,当在有机电致发光器件中形成如上所述的光提取层时,有机电致发光器件中的各功能层,例如电子传输层、有机发光层、空穴传输层、空穴注入层和阳极,依次形成于光提取层上并且适形(conform)到光提取层的表面形貌。也就是说,形成于光提取层上的各功能层也具有与光提取层相同的周期性结构,这有利于进一步提高有机电致发光器件的出光效率。根据本发明的第二方面,提供了一种显示装置,其包括如上所述的有机电致发光器件。该显示装置可以是任何具有显示功能的产品或部件,例如手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框和导航仪。如本领域技术人员所知晓,除了该有机电致发光器件之外,该显示装置还包括驱动电路等其它部件。这些部件在所属技术领域中是已知的,因此在此不做详细描述。
根据本发明的第三方面,提供了一种制作有机电致发光器件的方法。如图4所示,该方法可以包括下述步骤:
步骤S100,在衬底上形成第一电极;
步骤S200,在所述第一电极上应用第一载流子传输材料,图案化所述第一载流子传输材料以形成具有周期性结构的光提取层;以及
步骤S300,在所述光提取层上依次形成有机发光层、第二载流子传输层和第二电极。
优选地,图案化所述第一载流子传输材料可以包括:使用纳米压印母体对所述第一载流子传输材料纳米压印。
优选地,在所述第一电极上应用所述第一载流子传输材料可以包括:在所述第一电极上旋涂厚度为50-60nm的聚合物载流子传输材料。
优选地,在形成所述第一电极之后并且在形成所述光提取层之前,所述方法还可以包括:在所述第一电极上旋涂电极改性材料的溶液;以及对所述溶液退火以形成电极改性层。
优选地,所述电极改性层的材料可以包括Al2O3或ZnO。
优选地,所述第一电极可以为阴极,所述第一载流子传输层可以为电子传输层,所述第二载流子传输层可以为空穴传输层,以及所述第二电极可以为阳极;并且所述方法可以包括利用反射性材料形成所述第二电极。
优选地,在衬底上形成所述第一电极可以包括:在所述衬底上沉积氧化铟锡;以及对氧化铟锡进行紫外臭氧处理以形成所述第一电极。
在一示例性实施例中,该方法可以包括下述步骤。
在衬底200上形成由氧化铟锡形成的阴极202,并且对阴极202的表面进行紫外臭氧处理。在正置有机电致发光器件中,通常无需对氧化铟锡阴极进行紫外臭氧处理。然而,在倒置有机电致发光器件中,通常在沉积氧化铟锡之后对其进行紫外臭氧处理以降低阴极的功函数。
在阴极202上旋涂一层可以对氧化铟锡表面进行改性的氧化物前驱体溶液。该氧化物例如为Al2O3或ZnO,从而降低氧化铟锡的功函数以提高电子注入能力。随后对该氧化物前驱体溶液进行退火,以形成致密的氧化物膜,即电极改性层230。该电极改性层230的厚度优选地为1-3nm,更优选地为1.5nm或2nm。
在该电极改性层230上旋涂聚合物电子传输材料的膜。该膜的厚度优选地为50-60nm,更优选地为55nm。使用提前准备的压印母体对该膜进行纳米压印,形成周期性结构,由此形成光提取层220。
将先前步骤得到的结构转移到真空蒸镀腔室内,在具有周期性结构的光提取层220上依次蒸镀n掺杂电子传输层240、(未掺杂)电子传输层204、有机发光层206、空穴传输层208、空穴注入层210以及反射阳极212。
通过上述步骤,得到如图2A所示的出光效率提升的倒置有机电致发光器件。
以上具体描述了图2A所示倒置有机电致发光器件的制作流程。基于本发明的公开内容,本领域技术人员可以想到图2B-2C以及图1A-1B所示有机电致发光器件的制作流程,因此在此不再赘述。
仅仅是出于图示和说明的目的而给出对本发明实施例的前述描述。它们不是旨在穷举或者限制本发明内容。因此,本领域技术人员将容易想到许多调整和变型,而这些调整和变形都落在本发明的保护范围之内。简而言之,本发明的保护范围由所附权利要求定义。
Claims (17)
1.一种有机电致发光器件,包括第一电极、有机发光层、第二载流子传输层和第二电极,其特征在于,所述有机电致发光器件还包括:布置在所述有机电致发光器件的出光侧并且位于所述第一电极和所述有机发光层之间的光提取层,其中所述光提取层由第一载流子传输材料形成。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述光提取层的表面具有周期性结构,并且所述周期性结构为截面呈三角形或弧形的一维棱柱,或者为矩阵方式排布的周期性图案。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述光提取层由聚合物载流子传输材料形成。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括:位于所述有机发光层和所述光提取层之间的第一载流子传输层。
5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,还包括:位于所述第一电极和所述光提取层之间的电极改性层。
6.根据权利要求5所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述电极改性层由Al2O3或ZnO形成,并且厚度为1-3nm。
7.根据权利要求4所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述第一电极为阴极,所述第一载流子传输层为电子传输层,所述第二载流子传输层为空穴传输层,以及所述第二电极为反射性阳极。
8.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,所述第一电极的材料包括功函数降低的氧化铟锡。
9.根据权利要求7所述的方法,其特征在于,还包括:布置在所述电子传输层与所述阴极之间的n掺杂电子传输层。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-9中任意一项所述的有机电致发光器件。
11.一种制作有机电致发光器件的方法,其特征在于,包括步骤:
在衬底上形成第一电极;
在所述第一电极上应用第一载流子传输材料,图案化所述第一载流子传输材料以形成具有周期性结构的光提取层;以及
在所述光提取层上依次形成有机发光层、第二载流子传输层和第二电极。
12.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,图案化所述第一载流子传输材料包括:
使用纳米压印母体对所述第一载流子传输材料纳米压印。
13.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述第一电极上应用所述第一载流子传输材料包括:
在所述第一电极上旋涂厚度为50-60nm的聚合物载流子传输材料。
14.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,在形成所述第一电极之后并且在形成所述光提取层之前,所述方法还包括:
在所述第一电极上旋涂电极改性材料的溶液;以及
对所述溶液退火以形成电极改性层。
15.根据权利要求14所述的方法,其特征在于,所述电极改性层的材料包括Al2O3或ZnO。
16.根据权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一电极为阴极,所述第一载流子传输层为电子传输层,所述第二载流子传输层为空穴传输层,以及所述第二电极为阳极;并且所述方法包括利用反射性材料形成所述第二电极。
17.根据权利要求16所述的方法,其特征在于,在衬底上形成所述第一电极包括:
在所述衬底上沉积氧化铟锡;以及
对氧化铟锡进行紫外臭氧处理以形成所述第一电极。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510828776.7A CN105355798A (zh) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
US15/539,742 US11139457B2 (en) | 2015-11-25 | 2016-11-25 | OLED, method for fabricating the same, display device |
PCT/CN2016/107189 WO2017088807A1 (zh) | 2015-11-25 | 2016-11-25 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
JP2017534263A JP2018536961A (ja) | 2015-11-25 | 2016-11-25 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその作製方法、表示装置 |
KR1020177017854A KR20170093169A (ko) | 2015-11-25 | 2016-11-25 | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법, 및 디스플레이 장치 |
EP16868030.4A EP3382769A4 (en) | 2015-11-25 | 2016-11-25 | ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE, MANUFACTURING METHOD THEREFOR, AND DISPLAY APPARATUS |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510828776.7A CN105355798A (zh) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105355798A true CN105355798A (zh) | 2016-02-24 |
Family
ID=55331721
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510828776.7A Pending CN105355798A (zh) | 2015-11-25 | 2015-11-25 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11139457B2 (zh) |
EP (1) | EP3382769A4 (zh) |
JP (1) | JP2018536961A (zh) |
KR (1) | KR20170093169A (zh) |
CN (1) | CN105355798A (zh) |
WO (1) | WO2017088807A1 (zh) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017088807A1 (zh) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
CN108321312A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
CN108735905A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及制备方法 |
WO2019205268A1 (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示装置及其制备方法 |
WO2022056792A1 (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管和制备有机发光二极管的方法、显示装置及照明装置 |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN109546005B (zh) * | 2018-12-07 | 2022-01-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示模组及其制备方法 |
CN111192973A (zh) * | 2020-01-07 | 2020-05-22 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101882666A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-11-10 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
CN102074660A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-05-25 | 郑州大学 | 一种顶发射有机电致发光器件 |
CN102738414A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法 |
CN102870249A (zh) * | 2010-04-28 | 2013-01-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机发光器件 |
CN204361101U (zh) * | 2014-12-29 | 2015-05-27 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种保持屏体镜面效果的光取出结构 |
CN205264760U (zh) * | 2015-11-25 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件和显示装置 |
Family Cites Families (85)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2344688A (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-14 | Secr Defence | Organic light emitting diode device |
US6406750B1 (en) | 1999-05-28 | 2002-06-18 | Osaka Municipal Government | Process of forming catalyst nuclei on substrate, process of electroless-plating substrate, and modified zinc oxide film |
JP2001039712A (ja) | 1999-07-29 | 2001-02-13 | Osaka City | 酸化亜鉛皮膜用改質剤並びに改質酸化亜鉛皮膜及びその作製方法 |
US6278236B1 (en) * | 1999-09-02 | 2001-08-21 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent devices with electron-injecting layer having aluminum and alkali halide |
US6965197B2 (en) * | 2002-10-01 | 2005-11-15 | Eastman Kodak Company | Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency |
US6885025B2 (en) * | 2003-07-10 | 2005-04-26 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device structures for obtaining chromaticity stability |
US8119254B2 (en) * | 2003-09-05 | 2012-02-21 | City University Of Hong Kong | Organic electroluminescent devices formed with rare-earth metal containing cathode |
EP1668718B1 (de) * | 2003-09-19 | 2009-03-25 | MERCK PATENT GmbH | Organisches elektrolumineszenzelement |
US7273663B2 (en) * | 2004-08-20 | 2007-09-25 | Eastman Kodak Company | White OLED having multiple white electroluminescence units |
SG155233A1 (en) * | 2004-08-27 | 2009-09-30 | Showa Denko Kk | Organic electroluminescent device and production method thereof |
US20090072717A1 (en) * | 2005-04-21 | 2009-03-19 | The Regents Of The University Of California | Highly efficient polymer light-emitting diodes |
US20060240280A1 (en) * | 2005-04-21 | 2006-10-26 | Eastman Kodak Company | OLED anode modification layer |
WO2006129265A2 (en) * | 2005-06-03 | 2006-12-07 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Organic electroluminescent light source |
US7563518B2 (en) * | 2005-07-28 | 2009-07-21 | Eastman Kodak Company | Low voltage organic electroluminescent element |
JP2007265659A (ja) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機el素子の製造方法 |
US7825587B2 (en) * | 2006-08-31 | 2010-11-02 | Universal Display Corporation | Charge transporting layer for organic electroluminescent device |
US7728512B2 (en) * | 2007-03-02 | 2010-06-01 | Universal Display Corporation | Organic light emitting device having an external microcavity |
CN101558509B (zh) * | 2007-03-07 | 2011-11-16 | 三菱化学株式会社 | 有机器件用组合物、高分子膜和有机电致发光元件 |
US20090015142A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display devices |
US8179034B2 (en) * | 2007-07-13 | 2012-05-15 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices |
EP2179460A1 (en) * | 2007-08-23 | 2010-04-28 | Sri International | Electroluminescent devices employing organic cathodes |
JP5603254B2 (ja) * | 2008-01-23 | 2014-10-08 | エルジー・ケム・リミテッド | 有機発光素子およびその製作方法 |
US20090191427A1 (en) * | 2008-01-30 | 2009-07-30 | Liang-Sheng Liao | Phosphorescent oled having double hole-blocking layers |
US9525148B2 (en) * | 2008-04-03 | 2016-12-20 | Qd Vision, Inc. | Device including quantum dots |
CN101262045B (zh) * | 2008-04-24 | 2010-11-10 | 清华大学 | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
WO2010011858A2 (en) * | 2008-07-24 | 2010-01-28 | The Regents Of The University Of California | Micro- and nano-structured led and oled devices |
EP2253988A1 (en) * | 2008-09-19 | 2010-11-24 | Christie Digital Systems USA, Inc. | A light integrator for more than one lamp |
CN102172103B (zh) * | 2008-10-01 | 2015-09-02 | Lg化学株式会社 | 有机发光二极管及其制备方法 |
US7957621B2 (en) * | 2008-12-17 | 2011-06-07 | 3M Innovative Properties Company | Light extraction film with nanoparticle coatings |
KR101084188B1 (ko) * | 2010-01-21 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 양면 발광형 유기 발광 디스플레이 장치 |
KR20110118277A (ko) * | 2010-04-23 | 2011-10-31 | 한국전자통신연구원 | 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치 |
WO2011153262A2 (en) * | 2010-06-01 | 2011-12-08 | Regents Of The University Of Minnesota | Organic light emitting devices having graded emission regions |
KR20120041460A (ko) * | 2010-10-21 | 2012-05-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
KR101365824B1 (ko) * | 2010-10-22 | 2014-02-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광소자 |
EP2452946B1 (en) * | 2010-11-16 | 2014-05-07 | Novaled AG | Pyridylphosphinoxides for organic electronic device and organic electronic device |
EP2675524B1 (en) * | 2011-02-14 | 2017-05-10 | Merck Patent GmbH | Device and method for treatment of cells and cell tissue |
US8692446B2 (en) * | 2011-03-17 | 2014-04-08 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction films having nanoparticles and periodic structures |
WO2012141875A1 (en) * | 2011-04-12 | 2012-10-18 | Arkema Inc. | Internal optical extraction layer for oled devices |
US8659221B2 (en) * | 2011-08-26 | 2014-02-25 | 3M Innovative Properties Company | OLED light extraction film with multi-periodic zones of nanostructures |
FR2985091B1 (fr) * | 2011-12-27 | 2014-01-10 | Saint Gobain | Anode transparente pour oled |
KR101419809B1 (ko) | 2012-02-22 | 2014-07-15 | 서울대학교산학협력단 | 인버티드 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
US9818983B2 (en) * | 2012-02-28 | 2017-11-14 | 3M Innovative Properties | Composition comprising surface modified high index nanoparticles suitable for optical coupling layer |
CN102651455B (zh) * | 2012-02-28 | 2015-11-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件、amoled器件及其制造方法 |
DE102013208844A1 (de) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lichtemittierendes Element, lichtemittierende Vorrichtung, Anzeigevorrichtung, elektronisches Gerät und Beleuchtungsvorrichtung |
US8476624B1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-07-02 | Au Optronics Corporation | Organic light emitting diode (OLED) device |
KR101421026B1 (ko) * | 2012-06-12 | 2014-07-22 | 코닝정밀소재 주식회사 | 유기발광소자용 광추출층 기판 및 그 제조방법 |
US9537116B2 (en) * | 2012-08-22 | 2017-01-03 | 3M Innovative Properties Company | Transparent OLED light extraction |
WO2014031360A1 (en) * | 2012-08-22 | 2014-02-27 | 3M Innovative Properties Company | Microcavity oled light extraction |
US9515283B2 (en) * | 2012-08-29 | 2016-12-06 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED devices with internal outcoupling |
CN103664748B (zh) * | 2012-09-03 | 2016-05-11 | 乐金显示有限公司 | 芘化合物以及包含该化合物的有机发光二极管设备 |
US9577221B2 (en) * | 2012-09-26 | 2017-02-21 | Universal Display Corporation | Three stack hybrid white OLED for enhanced efficiency and lifetime |
US8907365B2 (en) * | 2012-10-01 | 2014-12-09 | Corning Incorporated | OLEDs comprising light extraction substructures and display devices incorporating the same |
GB2508289B (en) * | 2012-10-31 | 2015-09-30 | Lg Display Co Ltd | Organic light emitting display device |
CN103219476B (zh) * | 2013-04-25 | 2016-08-03 | 苏州大学 | 一种有机电致发光二极管及其制作方法 |
JP2014220159A (ja) | 2013-05-09 | 2014-11-20 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
KR20150138315A (ko) * | 2013-05-17 | 2015-12-09 | 파나소닉 아이피 매니지먼트 가부시키가이샤 | 유기 전계 발광 소자 |
CN103337594B (zh) * | 2013-05-30 | 2016-02-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled基板和显示装置 |
EP2811000B1 (en) * | 2013-06-06 | 2017-12-13 | Novaled GmbH | Organic electronic device |
US20160268553A1 (en) * | 2013-11-11 | 2016-09-15 | 3M Innovative Properties Company | Nanostructures for oled devices |
US9130195B2 (en) * | 2013-11-22 | 2015-09-08 | Universal Display Corporation | Structure to enhance light extraction and lifetime of OLED devices |
KR102126027B1 (ko) | 2013-12-31 | 2020-06-24 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
CN103746079B (zh) | 2014-01-24 | 2016-08-17 | 吉林大学 | 一种单层结构的倒置顶发射有机电致发光器件 |
CN103996694B (zh) * | 2014-04-25 | 2015-06-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示器及其制备方法 |
CN103972415B (zh) * | 2014-05-08 | 2015-09-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled发光器件及其制备方法、显示装置 |
EP3156402B1 (en) * | 2014-06-11 | 2021-11-10 | Hodogaya Chemical Co., Ltd. | Pyrimidine derivative and organic electroluminescent element |
KR102178863B1 (ko) * | 2014-06-27 | 2020-11-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기 발광 표시 장치 |
EP2963696A1 (en) * | 2014-07-04 | 2016-01-06 | Novaled GmbH | Organic light-emitting diode (OLED) including an electron transport layer stack comprising different lithium compounds |
KR101516960B1 (ko) * | 2014-07-21 | 2015-05-04 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물을 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
KR102212972B1 (ko) * | 2014-07-21 | 2021-02-05 | 덕산네오룩스 주식회사 | 유기전기 소자용 화합물, 이를 이용한 유기전기소자 및 그 전자 장치 |
EP3002801B1 (en) * | 2014-09-30 | 2018-07-18 | Novaled GmbH | Organic electronic device |
KR102460417B1 (ko) * | 2014-10-24 | 2022-10-31 | 코닝 인코포레이티드 | 향상된 도파 모드 커플링을 사용하는, 광 추출이 개선된 oled |
US11145837B2 (en) * | 2014-12-17 | 2021-10-12 | Universal Display Corporation | Color stable organic light emitting diode stack |
CN104466023B (zh) * | 2014-12-24 | 2017-10-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 层叠式有机发光二极体及其制备方法和显示装置 |
KR101759294B1 (ko) * | 2015-01-05 | 2017-07-18 | 코닝정밀소재 주식회사 | 탠덤형 유기발광소자 |
CN104617223B (zh) * | 2015-02-03 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管器件及其制作方法和蒸镀设备 |
CN104701351B (zh) * | 2015-03-20 | 2018-04-10 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled基板及其制作方法、oled显示面板和电子设备 |
CN104795430A (zh) * | 2015-04-14 | 2015-07-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种有机发光显示器件及其制作方法 |
JPWO2016175292A1 (ja) * | 2015-04-28 | 2018-02-22 | 出光興産株式会社 | 化合物、有機エレクトロルミネッセンス素子用材料、有機エレクトロルミネッセンス素子、および電子機器 |
CN104766927B (zh) * | 2015-04-30 | 2018-01-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管器件及其制备方法 |
KR102399953B1 (ko) * | 2015-08-25 | 2022-05-18 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 |
US20170084873A1 (en) * | 2015-09-22 | 2017-03-23 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Organic light-emitting display device |
CN105206653A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-30 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光显示面板及显示装置 |
CN105355798A (zh) * | 2015-11-25 | 2016-02-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
CN105633293A (zh) * | 2016-03-25 | 2016-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled器件及显示装置 |
CN106450015B (zh) * | 2016-10-11 | 2018-07-10 | 武汉华星光电技术有限公司 | 透明oled显示器及其制作方法 |
-
2015
- 2015-11-25 CN CN201510828776.7A patent/CN105355798A/zh active Pending
-
2016
- 2016-11-25 JP JP2017534263A patent/JP2018536961A/ja active Pending
- 2016-11-25 EP EP16868030.4A patent/EP3382769A4/en active Pending
- 2016-11-25 WO PCT/CN2016/107189 patent/WO2017088807A1/zh active Application Filing
- 2016-11-25 US US15/539,742 patent/US11139457B2/en active Active
- 2016-11-25 KR KR1020177017854A patent/KR20170093169A/ko not_active Application Discontinuation
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102870249A (zh) * | 2010-04-28 | 2013-01-09 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 有机发光器件 |
CN101882666A (zh) * | 2010-06-01 | 2010-11-10 | 昆山维信诺显示技术有限公司 | 一种有机电致发光器件 |
CN102074660A (zh) * | 2010-12-01 | 2011-05-25 | 郑州大学 | 一种顶发射有机电致发光器件 |
CN102738414A (zh) * | 2012-06-29 | 2012-10-17 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 一种蓝光荧光有机发光二极管及其制备方法 |
CN204361101U (zh) * | 2014-12-29 | 2015-05-27 | 北京维信诺科技有限公司 | 一种保持屏体镜面效果的光取出结构 |
CN205264760U (zh) * | 2015-11-25 | 2016-05-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件和显示装置 |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2017088807A1 (zh) * | 2015-11-25 | 2017-06-01 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 |
US11139457B2 (en) | 2015-11-25 | 2021-10-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | OLED, method for fabricating the same, display device |
CN108735905A (zh) * | 2017-04-20 | 2018-11-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种qled器件及制备方法 |
CN108321312A (zh) * | 2018-03-19 | 2018-07-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法、显示装置 |
WO2019179395A1 (zh) * | 2018-03-19 | 2019-09-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法 |
US11205762B2 (en) | 2018-03-19 | 2021-12-21 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate with microprism structure and manufacturing method therefor |
WO2019205268A1 (zh) * | 2018-04-23 | 2019-10-31 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种oled显示装置及其制备方法 |
WO2022056792A1 (zh) * | 2020-09-17 | 2022-03-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管和制备有机发光二极管的方法、显示装置及照明装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11139457B2 (en) | 2021-10-05 |
US20170365817A1 (en) | 2017-12-21 |
EP3382769A1 (en) | 2018-10-03 |
KR20170093169A (ko) | 2017-08-14 |
WO2017088807A1 (zh) | 2017-06-01 |
EP3382769A4 (en) | 2019-06-26 |
JP2018536961A (ja) | 2018-12-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN105355798A (zh) | 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置 | |
CN106129263B (zh) | Oled显示器件及其制作方法 | |
CN103081159B (zh) | 有机发光器件及其制备方法 | |
CN108963087A (zh) | 量子点电致发光器件及显示器 | |
WO2015077629A1 (en) | Devices, structures, materials and methods for vertical light emitting transistors and light emitting displays | |
US9740073B2 (en) | Complex display device | |
CN105206718A (zh) | 一种溶液法制备的CsPbX3无机钙钛矿量子点发光二极管 | |
CN105097868A (zh) | 有机发光器件 | |
JP2011510471A (ja) | 高効率エレクトロルミネセント素子およびそれを生産するための方法 | |
CN103733373A (zh) | 有机发光元件 | |
CN105895820B (zh) | 有机发光器件及其显示器 | |
CN105206641A (zh) | Qled与tft集成器件及其制备方法 | |
CN102244204B (zh) | 一种oled 器件及其制备方法 | |
CN104617235A (zh) | 一种有机电致发光显示器件、其制作方法及显示装置 | |
CN105474427B (zh) | 有机发光器件 | |
CN106711177A (zh) | 一种增强光提取率的qled场效应晶体管及其制备方法 | |
CN102157659A (zh) | 一种全湿法制备的聚合物pled器件及其制备方法 | |
CN103956433A (zh) | 一种单极型有机发光场效应晶体管 | |
CN205264760U (zh) | 有机电致发光器件和显示装置 | |
CN100433402C (zh) | 有机发光二极管 | |
CN105474426B (zh) | 制备有机发光器件的方法 | |
CN104992961A (zh) | 有机电致发光晶体管阵列基板及其制作方法、显示装置 | |
US8791487B2 (en) | Zinc oxide-containing transparent conductive electrode | |
CN113921738A (zh) | 一种阳极电极、有机电致发光器件和照明面板 | |
CN104183734A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
CB02 | Change of applicant information |
Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No. Applicant after: BOE Technology Group Co., Ltd. Address before: Beijing economic and Technological Development Zone 100176 Beijing Zelu 9 Applicant before: BOE Technology Group Co., Ltd. |
|
COR | Change of bibliographic data | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160224 |