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CN105219545A - 一种用于电子材料的清洗剂及其制备方法 - Google Patents

一种用于电子材料的清洗剂及其制备方法 Download PDF

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CN105219545A
CN105219545A CN201510680980.9A CN201510680980A CN105219545A CN 105219545 A CN105219545 A CN 105219545A CN 201510680980 A CN201510680980 A CN 201510680980A CN 105219545 A CN105219545 A CN 105219545A
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CN
China
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acid
clean
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electronic material
apg
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CN201510680980.9A
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Inventor
陈素素
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Nanjing Runqi Electronic Technology Co Ltd
Original Assignee
Nanjing Runqi Electronic Technology Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种用于电子材料的清洗剂,其特征在于:按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3~5%,SAS-仲烷基磺酸钠2~4%,氨基多羧酸0.8~1.2%、羟基羧酸0.8~1.2%、十二碳二元羧酸0.3~0.7%,异构醇聚氧乙烯醚1~2%,氮川三乙酸0.5~0.8%,脂肪酶0.2~0.3%,余量为水。本发明制备的清洗剂不仅对操作者无害,而且其清洗剂不会出现微粒化颗粒附着于清洗对象上,不会造成清洗后其性能下降,而且其对清洗物的防腐蚀性能大大增加。

Description

一种用于电子材料的清洗剂及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种清洗剂,具体涉及用于电子材料的清洗剂及其制备方法。
背景技术
随着科学技术的进步,微电子行业取得了迅速的发展,集成电路是信息产业群的核心和基础。建立在集成电路技术进步基础上的全球信息化、网络化和知识经济浪潮,使集成电路产业的战略地位越来越重要,对国民经济、国防建设和人民生活的影响也越来越大。因此,发展我国集成电路产业是推动国民经济信息化的重要保证,是信息产业发展的重中之重。集成电路市场的巨大发展必然驱动作为集成电路生产过程中必不可少的易耗材料市场的蓬勃发展,作为微电子产品加工过程中重要消耗材料之一的清洗剂,有着巨大的市场。
传统的清洗剂对ULSI衬底、电子玻璃及LCD屏等表面上的金属离子、有机、无机杂质和固体粒子清洗,不仅破坏臭氧层物质,如三氟三氯乙烷(CFC-113)和1,1,1-三氯乙烷等,而且对操作者健康产生一定的危害,其清洗剂中的微粒化的颗粒会附着于清洗对象会影响其使用性能,并且会对清洗对象造成一定程度的腐蚀。
发明内容
发明目的:为了克服现有技术中存在的不足,本发明提供一种用于电子材料的清洗剂及其制备方法。
技术方案:为实现上述目的,本发明提供的一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3~5%,SAS-仲烷基磺酸钠2~4%,氨基多羧酸0.8~1.2%、羟基羧酸0.8~1.2%、十二碳二元羧酸0.3~0.7%,异构醇聚氧乙烯醚1~2%,氮川三乙酸0.5~0.8%,脂肪酶0.2~0.3%,余量为水。
优选的重量百分比计:APG-烷基多苷3.5~5%,SAS-仲烷基磺酸钠3~4%,氨基多羧酸1~1.2%、羟基羧酸1~1.2%、十二碳二元羧酸0.5~0.7%,异构醇聚氧乙烯醚1.5~2%,氮川三乙酸0.6~0.8%,脂肪酶0.2~0.3%,余量为水。
优选的重量百分比计:APG-烷基多苷4%,SAS-仲烷基磺酸钠3%,氨基多羧酸1%、羟基羧酸1%、十二碳二元羧酸0.6%,异构醇聚氧乙烯醚1.7%,氮川三乙酸0.7%,脂肪酶0.2%,余量为水。
上述用于电子材料的清洗剂的制备方法,称取相应原料组分混合后,在超声波的作用下超声10~20min。
有益效果:本发明制备的清洗剂不仅对操作者无害,而且其清洗剂不会出现微粒化颗粒附着于清洗对象上,不会造成清洗后其性能下降,而且其对清洗物的防腐蚀性能大大增加。
具体实施方式
下面结合实施例对本发明作更进一步的说明。
实施例1:
一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3%,SAS-仲烷基磺酸钠4%,氨基多羧酸1.2%、羟基羧酸1.2%、十二碳二元羧酸0.7%,异构醇聚氧乙烯醚2%,氮川三乙酸0.8%,脂肪酶0.2%,余量为水。。
实施例2:
一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷5%,SAS-仲烷基磺酸钠2%,氨基多羧酸0.8%、羟基羧酸0.8%、十二碳二元羧酸0.3%,异构醇聚氧乙烯醚1%,氮川三乙酸0.5%,脂肪酶0.3%,余量为水。
实施例3:
一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3.5%,SAS-仲烷基磺酸钠3%,氨基多羧酸1%、羟基羧酸1%、十二碳二元羧酸0.5%,异构醇聚氧乙烯醚1.5%,氮川三乙酸0.6%,脂肪酶0.2%,余量为水。
实施例4:
一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷4%,SAS-仲烷基磺酸钠3%,氨基多羧酸1%、羟基羧酸1%、十二碳二元羧酸0.6%,异构醇聚氧乙烯醚1.7%,氮川三乙酸0.7%,脂肪酶0.2%,余量为水。
实施例5:
一种用于电子材料的清洗剂,按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷4%,SAS-仲烷基磺酸钠3.5%,氨基多羧酸1.1%、羟基羧酸1.1%、十二碳二元羧酸0.6%,异构醇聚氧乙烯醚1.8%,氮川三乙酸0.7%,脂肪酶0.25%,余量为水。
实施例1~5的性能测试如下表:
以上所述仅是本发明的优选实施方式,应当指出:对于本技术领域的技术人员来说,在不脱离本发明原理的前提下,还可以做出若干改进和润饰,这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种用于电子材料的清洗剂,其特征在于:按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3~5%,SAS-仲烷基磺酸钠2~4%,氨基多羧酸0.8~1.2%、羟基羧酸0.8~1.2%、十二碳二元羧酸0.3~0.7%,异构醇聚氧乙烯醚1~2%,氮川三乙酸0.5~0.8%,脂肪酶0.2~0.3%,余量为水。
2.根据权利要求1所述的一种用于电子材料的清洗剂,其特征在于:按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷3.5~5%,SAS-仲烷基磺酸钠3~4%,氨基多羧酸1~1.2%、羟基羧酸1~1.2%、十二碳二元羧酸0.5~0.7%,异构醇聚氧乙烯醚1.5~2%,氮川三乙酸0.6~0.8%,脂肪酶0.2~0.3%,余量为水。
3.根据权利要求1所述的一种用于电子材料的清洗剂,其特征在于:按重量百分比计由以下原料组成:APG-烷基多苷4%,SAS-仲烷基磺酸钠3%,氨基多羧酸1%、羟基羧酸1%、十二碳二元羧酸0.6%,异构醇聚氧乙烯醚1.7%,氮川三乙酸0.7%,脂肪酶0.2%,余量为水。
4.一种根据权利要求1所述的用于电子材料的清洗剂的制备方法,其特征在于:
称取相应原料组分混合后,在超声波的作用下超声10~20min。
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