CN105015216A - 一种光学防伪元件及制备光学防伪元件的方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种制备光学防伪元件的方法，其制备误差小、可靠性高、工艺可控性强，该方法包括：在基材的同一表面上形成第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构；在所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构上形成镀层；在所述镀层上形成保护层，其中所述第一表面浮雕结构的起伏高度大于所述保护层的厚度，而所述第二表面浮雕结构的起伏高度不大于所述保护层的厚度，从而使得所述保护层仅能遮盖形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层的一部分并能够遮盖形成在所述第二表面浮雕结构上的全部镀层；以及将形成所述保护层的所述光学防伪元件置于能够与所述镀层反应的环境中进行反应，直到形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层部分或全部反应而形成在所述第二表面浮雕结构上的镀层尚未反应为止。

Description

一种光学防伪元件及制备光学防伪元件的方法

技术领域

本发明涉及光学防伪领域，尤其涉及一种光学防伪元件及制备光学防伪元件的方法。

背景技术

为了防止利用扫描和复印等手段产生的伪造，钞票、证卡和产品包装等各类高安全或高附加值印刷品中广泛采用了光学防伪技术，并且取得了非常好的效果。

表面微米级或纳米级的浮雕结构是长期以来光学防伪技术开发的重点。在利用表面浮雕结构形成光学防伪元件时，为了增加图像的亮度，常常在表面浮雕上蒸镀金属反射层。对该金属反射层进行镂空从而形成对反射层的图案化能够大幅度提高光学防伪元件的视觉效果和抗伪造能力。一般来说，对该金属反射层进行镂空的方法有如下几种。

印刷脱金属，即通过印刷方式在金属反射层上形成图案化的保护层，然后通过化学溶剂对保护区域以外的金属进行腐蚀。或者在形成金属反射层之前印刷剥离层，并在形成金属反射层后通过某种液体的浸泡使剥离层以上的金属反射层脱落从而形成镂空图案。在这一方法中，如果光学防伪元件本身即为图案化的，那么印刷的镂空图案通常与光学防伪元件的图案之间存在对位误差，这一误差通常不低于百微米量级，并且在大生产过程中这一误差可能会更大。

另外一种方法是在表面浮雕结构形成时，即制作原版的过程中在光学防伪元件的金属反射层的镂空区域制作大深宽比的微纳结构，例如正弦光栅结构。在形成金属反射层过程中，由于大深宽比微纳结构的区域具有相对其它区域而言单位表观面积上更大的表面积，因此将在大深宽比微结构区域形成相对薄的金属反射层。对于特定波长的光，薄金属反射层具有更强的透射率。当在金属反射层上涂覆特定的感光胶后，从反射层的背面投射的特定波长的光将透过薄金属反射层区域对正面的感光胶感光从而使得薄金属区域的感光胶变性而容易溶解于特定溶剂，使得感光胶失去对薄金属区域的金属层的保护作用。最后通过特定溶剂对裸露的薄金属层进行腐蚀从而形成镂空图案。在这一方法中，镂空图案和光学防伪元件自身的图案的对位误差由光学制版过程来决定，通常这一误差可以控制在微米量级，甚至百纳米量级。但是，该方法的缺陷是，薄金属区域的透光率较低，对感光胶的对比度要求较高，工艺复杂而可靠性低，不利于大生产的实施。

还有一种方法是在形成上述薄金属反射层后继续形成第二层材料，该第二层材料具有疏松结构或孔洞，且在大深宽比微结构区域厚度相对较薄，因而对大深宽比微结构区域的薄金属反射层的遮盖保护能力较差，使得薄金属反射层区域容易渗入腐蚀性气体或液体从而形成镂空图案。这一方法的镂空图案与光学防伪元件的图案对位误差与前一种方法相同，但第二层材料的疏松结构或孔洞质量难以控制，因此工艺稳定性较低，不利于工程化生产。

另外，以上方法中要求的大深宽比的微结构在母板制作过程中有较大的制作难度，且公知地，大深宽比微结构在批量生产复制过程中复制比率难以保证，因此较难控制产品质量。对工艺条件和复制材料要求较苛刻，不利于工程化生产。

发明内容

本发明针对现有技术中制备光学防伪元件时误差大、可靠性低、工艺可控性差等缺陷，提供一种能够克服这些缺陷的制备光学防伪元件的方法以及采用该方法制备的光学防伪元件，该方法的实施涉及该领域的通用设备，批量生产可行性强。

本发明提供一种制备光学防伪元件的方法，该方法包括：

在基材的同一表面上形成第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构；

在所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构上形成镀层；

在所述镀层上形成保护层，其中所述第一表面浮雕结构的起伏高度大于所述保护层的厚度，而所述第二表面浮雕结构的起伏高度不大于所述保护层的厚度，从而使得所述保护层仅能遮盖形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层的一部分并能够遮盖形成在所述第二表面浮雕结构上的全部镀层；以及

将形成所述保护层的所述光学防伪元件置于能够与所述镀层反应的环境中进行反应，直到形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层部分或全部反应而形成在所述第二表面浮雕结构上的镀层尚未反应为止。

本发明还提供一种采用上述方法制备的光学防伪元件。

由于在该技术方案中，保护层不能完全遮盖第一表面浮雕结构上的镀层但能完全遮盖第二表面浮雕结构上的镀层，从而能够精确定位需要镂空的部位(也即第一表面浮雕结构上的镀层区域)，因此具有更强的工艺可行性和工艺稳定性，并且能够实现所得光学防伪产品的更强的防伪能力。

附图说明

图1是根据本发明的制备光学防伪元件的方法的流程图；以及

图2是将光学防伪元件置于反应环境中之前光学防伪元件的一个实施例的示意性剖面图；

图3是将光学防伪元件置于反应环境中之前光学防伪元件的另一个实施例的示意性剖面图；以及

图4是将光学防伪元件置于反应环境中之前光学防伪元件的又一个实施例的示意性剖面图。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的具体实施方式进行详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本发明，并不用于限制本发明。

如图1所示，根据本发明的制备光学防伪元件的方法包括以下步骤：

S11、在基材的同一表面上形成第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构。

具体而言，第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构是由位于所述基材的同一表面上的、在二维平面上的高度随位置分布起伏变化的表面起伏结构所组成。

以图2所示的将光学防伪元件置于反应环境之前的光学防伪元件的示意剖面图为例，基材2的表面21上形成有第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32，第一表面浮雕结构31为一维排列的柱面镜阵列，其周期为32微米、间隙为2微米、高度为8微米，第二表面浮雕结构32为一维正弦型光栅结构，其周期为1微米、高度为120纳米，第一表面浮雕结构31比第二表面浮雕结构32的起伏程度大。应当理解，图2仅是示例，根据实际需要，可以在基材2的表面21上形成任意形状、任意数量的表面浮雕结构。

优选地，第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32均可以是包括但不限于以下特征的任意表面浮雕结构：一个或多个连续曲面型结构、一个或多个矩形结构、一个或多个锯齿型棱镜或它们的拼接或组合。其中，所述连续曲面型结构可以为微透镜结构、正弦型结构、椭圆型结构、双曲面型结构、抛物面型结构等中的一种或多种结构的拼接或组合。所述微透镜结构可以是折射型微透镜、衍射型微透镜或它们的拼接或组合，其中折射型微透镜可以包括球面微透镜、椭球面微透镜、柱面微透镜或其它任意几何形状的基于几何光学的微透镜，衍射型微透镜包括谐衍射微透镜、平面衍射微透镜、菲涅耳波带片等。另外，以上结构的具体排列方式可以是周期性的、局部周期性的、非周期性、随机性的或它们的组合等。通过不同的具体结构的选择，特别是对于具体结构的结构参数(例如结构的周期(结构开口宽度)、结构的深度、形状等)的定义，来确保基材表面上各个表面浮雕结构的起伏程度互不相同。另外，第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32可以图案化地形成在基材2的表面21上，即可以通过第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32形成肉眼可看到的宏观图案。

应当指出，第一表面浮雕结构31上未被保护层5遮盖的镀层4(也即由标号51’指示的裸露区域)的面积之和与第一表面浮雕结构31上镀层4的总面积的比值愈接近于1则对形成所需光学防伪元件愈加有利，优选地该比值为大于10％，更优选地，该比值为大于40％，进一步优选地，该比值为大于70％。而且裸露区域51’的分布优选为均匀分布。

优选地，第一表面浮雕结构31上被保护层5所遮盖的镀层4的各部分的尺度优选均小于80微米，更优选均小于30微米，进一步优选地均小于10微米，以有利于第一表面浮雕结构31上镀层4的镂空。

优选地，第一表面浮雕结构31的起伏高度不低于500纳米，更优选地，不低于3微米，进一步优选地，不低于6微米，以便于实现后续步骤中保护层5不完全遮盖第一表面浮雕结构31上的镀层4。

优选地，第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32均可以通过光学曝光、电子束曝光等微纳加工方式获得，还可以结合热熔回流等工艺来实现，通过紫外浇铸、模压、纳米压印等加工方式进行批量复制。

S12、在所述第一表面浮雕结构31和所述第二表面浮雕结构32上形成镀层4。

镀层4可以包括下述各种镀层中的任意一种或其组合：单层金属镀层；多层金属镀层；由吸收层、低折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层(下文中简述为“吸收层/低折射率介质层/反射层”结构)，其中该反射层或吸收层与第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32相接触；高折射率介质层镀层；由高折射率介质层、低折射率介质层和高折射率介质层依次堆叠形成的多介质层镀层；以及由吸收层、高折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层(下文中简述为“吸收层/高折射率介质层/反射层”结构)，其中，该反射层或吸收层与第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32相接触。在根据本发明的实施方式中，高折射率介质层指的是折射率大于等于1.7的介质层，其材料可以是ZnS、TiN、TiO₂、TiO、Ti₂O₃、Ti₃O₅、Ta₂O₅、Nb₂O₅、CeO₂、Bi₂O₃、Cr₂O₃、Fe₂O₃、HfO₂、ZnO等，低折射率介质层指的是折射率小于1.7的介质层，其材料可以是MgF₂、SiO₂等。金属镀层或反射层的材料可以是Al、Cu、Ni、Cr、Ag、Fe、Sn、Au、Pt等金属或其混合物和合金；吸收层材料可以是Cr、Ni、Cu、Co、Ti、V、W、Sn、Si、Ge等金属或其混合物和合金。

另外，可以通过物理和/或化学沉积的方法在第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32上形成镀层4，例如包括但不限于热蒸发、磁控溅射、MOCVD、分子束外延等。优选地，镀层4可以同形覆盖地形成在第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32上。以图2为例，在第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32上同时形成了60纳米厚的Al层4，但应当理解的是，在实际应用中，可以在第一表面浮雕结构31的一部分上和第二表面浮雕结构32的一部分上形成镀层4。

S13、在所述镀层4上形成保护层5，其中所述第一表面浮雕结构31的起伏高度大于所述保护层5的厚度，而所述第二表面浮雕结构32的起伏高度不大于所述保护层5的厚度，从而使得所述保护层5仅能遮盖形成在所述第一表面浮雕结构31上的镀层4的一部分并能够遮盖形成在所述第二表面浮雕结构32上的全部镀层4。

也即，第一表面浮雕结构31更难以被厚度较薄的保护层5完全遮盖，从而更容易在第一表面浮雕结构上形成镀层4的裸露区域51’，该裸露区域51’的面积与第一表面浮雕结构31的起伏程度呈正相关且与第一表面浮雕结构31的具体结构形式有关，裸露区域51’的分布取决于第一表面浮雕结构31在其所在的二维平面上的位置分布。而第二表面浮雕结构31的起伏程度比第一表面浮雕结构31的小，所以其上形成的镀层4容易被保护层5完全遮盖。

优选地，可以通过涂布和/或印刷的方法在镀层4上形成保护层5。保护层5的厚度小于第一表面浮雕结构31的起伏高度，以保证保护层4无法完全遮盖第一表面浮雕结构31上的全部镀层4。以图2为例，分别在第一表面浮雕结构31及第二表面浮雕结构32上同形覆盖地形成60纳米厚的Al镀层4，保护层5为聚酯材料并通过涂布方式形成在镀层4上，保护层5的厚度(相对于平坦表面而言)为1微米。该1微米厚的保护层5无法完全遮盖第一表面浮雕结构31上的整个镀层4，因而在柱面镜间隙的部位出现了裸露区域51’。

裸露区域51’的位置分布不仅与第一表面浮雕结构31的形状和结构分布有关，还与保护层5的黏度、流平性和印刷适性等参数有关。例如，提高保护层5的流平性，将使保护层5在涂布过程中进入为例如柱面镜的第一表面浮雕结构31的间隙中，从而使裸露区域51’出现在柱面镜的顶端。对于周期为1微米、高度为120纳米的一维正弦型光栅结构的第二表面浮雕结构32，保护层5将完全遮盖第二表面浮雕结构32上的镀层4。

保护层5可以为不透明、半透明或全透明的涂层。优选地，保护层5优选为聚合物，尤其是包含纤维素的聚合物。例如，形成保护层5的聚合物可以包括硝基纤维素(优选为硝基醇)与所加入的用以提高保护层5的耐后续处理性的树脂(如阿拉伯树胶和松香)等的混合物。在一种优选方案中，主树脂为聚酯的树脂材料，所述树脂材料包含以下组分：(1)约20wt％-约30wt％的主树脂，所述树脂为羟值大于120的聚酯，所述聚酯为支链化羟基聚酯，黏度为25000±5000mPa.s；(2)约10wt％-约25wt％的硝基纤维素，所述硝基纤维素为含氮量<12.4％的低氮硝化纤维；(3)约5wt％-约25wt％的交联剂，所述交联剂为异氰酸酯低聚体；以及(4)约20wt％-约60wt％的溶剂。

优选地，保护层5可以为液晶光变层，典型地，例如可采用胆甾型液晶材料实现，从而可将采样合成图像附加随观察角度变化产生的绿变蓝、红变绿等光变颜色的特征。

优选地，保护层5可以为油墨、颜料、染料中的一种或几种的组合，可以通过涂布、印刷等方式批量生产。优选地，油墨可以采用光变油墨(OVI,optical variable ink)。

S14、将形成保护层5的所述光学防伪元件置于能够与所述镀层4反应的环境中进行反应，直到形成在所述第一表面浮雕结构31上的镀层4部分或全部反应而形成在所述第二表面浮雕结构32上的镀层4尚未反应为止。

其中，所述反应为物理反应或化学反应。在这一过程中，保护层5不参与所述反应，或参与反应但使保护层5消失所需的反应时间大于使镀层4消失的反应时间，从而确保了第二表面浮雕结构32上的镀层4因保护层5的保护而不参与反应。第一表面浮雕结构31上的镀层4在参与反应后分散在所述环境中。

优选地，所述环境可以为由无机酸、无机碱、有机酸、有机碱、氧化剂、有机溶剂、无机溶剂中的一种或多种形成的液体或气体环境。更优选地，所述环境可以为由NaOH、NH₄OH、H₂SO₄、HF、HBr、H₂S、O₃、Cl₂、HNO₃、HCL、H₂O₂、CH₃COOH、H₃PO₄中的一种或多者形成的液体或气体环境。

当将形成保护层5后的光学防伪元件置于上述的环境中时，由于保护层5未完全遮盖第一表面浮雕结构上的镀层4，因此使所述环境与第一表面浮雕结构31上裸露的镀层4进行反应，以实现该区域的镂空。同时，这一反应过程的下一阶段为，所述环境以第一表面浮雕结构31上裸露的镀层4为中心向由两侧的保护层5所遮盖的镀层4中渗透，从而进一步与第一表面浮雕结构31上被保护层5遮盖的镀层4反应至半透明，甚至随着反应过程的持续进行而与第一表面浮雕结构上被保护层5遮盖的镀层4完全反应从而达到全透明。在整个反应过程中，第二表面浮雕结构32上的镀层4被保护层5完全遮盖，因而不参与反应得以保留。如此，即完成光学防伪元件的制作。

以图2为例，将形成保护层5后的光学防伪元件置于NaOH溶液中(温度50℃，浓度5％)浸泡10秒，为柱面镜结构的第一表面浮雕结构31上的Al层4完全消失，而为正弦光栅的第二表面浮雕结构32上的Al层4仍然存在，从而形成了所需的镂空图案。

图3示出了根据本发明的另一个实施例。基材2为23微米厚的透明PET薄膜，第一表面浮雕结构31为柱面镜，其宽度为30微米、柱面镜之间的空隙宽2微米、柱面镜高度为10微米，第二表面浮雕结构32为正弦型光栅，其排列周期为350纳米、深300纳米。在第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32的表面上依次沉积40纳米厚(平坦区域的厚度)的Al层、250纳米厚的SiO₂层及5纳米厚的Cr层，以及通过涂布工艺形成的保护层5为聚酯材料，其厚度(相对于平坦表面而言)为1微米。将光学防伪元件置于40℃10％浓度的NaOH溶液中浸泡，直至第一表面浮雕结构31上的Al/SiO₂/Cr镀层恰好完全消失为止，此时第二表面浮雕结构32上仍覆盖有Al/SiO₂/Cr镀层。即完成光学防伪元件的制备。此时，规定观察方向为从基材2的表面21一侧观察光学防伪元件，在第二表面浮雕结构32上依次堆叠的Al/SiO₂/Cr提供了干涉型多层膜结构。

图4示出了根据本发明的又一个实施例。基材2为19微米厚的透明PET薄膜，第一表面浮雕结构31为矩形光栅结构，其宽度为25微米、矩形光栅条纹之间的空隙宽2.5微米、光栅条纹高度为10微米，第二表面浮雕结构32为锯齿型光栅，其排列周期为3微米、深1微米。在第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32上依次沉积40纳米厚(平坦区域的厚度)的Al层、420纳米厚的SiO₂层及5纳米厚的Cr层，以及通过印刷工艺形成的保护层5为聚酯材料，其厚度(相对于平坦表面)为1.5微米。在光学防伪元件置于45℃10％浓度的NaOH溶液中浸泡，直至第一表面浮雕结构31上的Al/SiO₂/Cr镀层恰好完全消失为止，此时第二表面浮雕结构32上仍覆盖有Al/SiO₂/Cr镀层。即完成光学防伪元件的制备。此时，规定观察方向为从基材2的表面21一侧观察光学防伪元件，在第二表面浮雕结构32上依次堆叠的Al/SiO₂/Cr提供了干涉型多层膜结构。

另外，基材2可以是至少局部透明的，也可以是有色的介质层。在一种优选方案中，所述基材2可以是一层单一的透明介质薄膜，例如PET膜、PVC膜等，当然也可以是表面带有功能涂层(比如压印层)的透明介质薄膜，还可以是经过复合而成的多层膜。

在根据本发明的优选实施方式中，用于制备光学防伪元件的方法还可以包括：在在基材2的同一表面上形成第一表面浮雕结构31和第二表面浮雕结构32之前，在所述基材2的所述同一表面上形成微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征；和/或在在所述第一表面浮雕结构31和所述第二表面浮雕结构32上形成镀层4之前，在所述第一表面浮雕结构31和所述第二表面浮雕结构32的表面上形成微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征。

根据本发明的制备光学防伪元件的方法适合于制作开窗安全线、标签、标识、宽条、透明窗口、覆膜等。所述安全线的厚度不大于50μm。带有所述开窗安全线的防伪纸用于钞票、护照、有价证券等各类高安全产品的防伪。

以上仅示例性地描述了本发明的优选实施方案。但是本领域技术人员可以理解，在不偏离本发明构思和精神的前提下，可以对本发明做出各种等同变换或修改，从而得到的技术方案也应属于本发明的保护范围。

此外，本发明的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本发明的思想，其同样应当视为本发明所公开的内容。

Claims (19)

1.一种制备光学防伪元件的方法，该方法包括：

在基材的同一表面上形成第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构；

在所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构上形成镀层；

在所述镀层上形成保护层，其中所述第一表面浮雕结构的起伏高度大于所述保护层的厚度，而所述第二表面浮雕结构的起伏高度不大于所述保护层的厚度，从而使得所述保护层仅能遮盖形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层的一部分并能够遮盖形成在所述第二表面浮雕结构上的全部镀层；以及

将形成所述保护层的所述光学防伪元件置于能够与所述镀层反应的环境中进行反应，直到形成在所述第一表面浮雕结构上的镀层部分或全部反应而形成在所述第二表面浮雕结构上的镀层尚未反应为止。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构图案化地形成在所述基材的同一表面上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面浮雕结构上未被所述保护层遮盖的镀层的面积之和与所述第一表面浮雕结构上的镀层总面积的比值大于10％。

4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述比值大于40％。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述比值大于70％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面浮雕结构的起伏高度不低于500纳米。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述起伏高度不低于3微米。

8.根据权利要求6所述的方法，其中，所述起伏高度不低于6微米。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镀层通过物理和/或化学沉积的方法形成。

10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层通过涂布和/或印刷的方法形成。

11.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层的黏度、流平性和印刷适性决定了所述第一表面浮雕结构上未被所述保护层遮盖的镀层区域的分布。

12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层为不透明、半透明或全透明的涂层。

13.根据权利要求1所述的方法，其中，所述保护层为聚合物、液晶光变层、油墨、颜料、染料中的至少一者。

14.根据权利要求1所述的方法，其中，所述环境为由无机酸、无机碱、有机酸、有机碱、氧化剂、有机溶剂、无机溶剂中的一种或多种形成的液体或气体环境。

15.根据权利要求14所述的方法，其中，所述环境为由NaOH、NH₄OH、H₂SO₄、HF、HBr、H₂S、O₃、Cl₂、HNO₃、HCL、H₂O₂、CH₃COOH、H₃PO₄中的一种或多者多种形成的液体或气体环境。

16.根据权利要求1所述的方法，该方法还包括：

在在基材的同一表面上形成第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构之前，在所述基材的所述同一表面上形成微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征；和/或

在在所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构上形成镀层之前，在所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构的表面上形成微纳结构特征、印刷特征、部分金属化特征、荧光特征以及用于机读的磁、光、电、放射性特征中的一种或多种特征。

17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构为连续曲面型结构、矩形结构、锯齿型棱镜结构和/或它们的拼接或组合。

18.根据权利要求1所述的方法，其中，所述镀层包括下述各种镀层中的任意一种或其组合：单层金属镀层；多层金属镀层；由吸收层、低折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层，其中该反射层或吸收层与所述第一表面浮雕结构和所述第二表面浮雕结构相接触；高折射率介质层镀层；由高折射率介质层、低折射率介质层和高折射率介质层依次堆叠形成的多介质层镀层；以及由吸收层、高折射率介质层和反射层依次堆叠形成的镀层，其中，该反射层或吸收层与所述第一表面浮雕结构和第二表面浮雕结构相接触。

19.一种采用根据权利要求1至18中任一权利要求所述的方法制备的光学防伪元件。