CN104916560B - 晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法，该方法包括：S1，距离传感器自片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号；S2，控制单元接收来自托盘或位于片槽中晶片反射的反射信号，并根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入S3；若不等于，则进入S5；S3，控制单元驱动距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入S4；若不等于，进入S5；S4，确定片槽中的晶片放置准确；S5，确定片槽中的晶片未放置准确。本发明提供晶片检测方法，可提高工艺的均匀性和晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率。

Description

晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法

技术领域

本发明属于半导体设备加工技术领域，具体涉及一种晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，为提高传输晶片的效率和降低人工成本，通常采用机械手传输晶片，但是，在采用机械手装载或者卸载晶片的过程中往往要求机械手和晶片的定位准确，以保证机械手传输晶片的准确性。

为此，申请号为02826636.6的专利文件中公开了一种晶片定位方法，用于实现对晶片进行定位。具体地，借助晶片座驱动装置驱动承载晶片的晶片座移动和旋转，直线传感器检测获得晶片座上晶片外周边缘，计算装置根据该晶片座驱动装置驱动晶片座旋转的旋转角度和直线传感器检测晶片座上晶片外周边缘的检测结果计算当前晶片的中心位置和切口部分方向，并计算在晶片的中心位置位于给定位置以及切口部分方向在给定方向时晶片座的旋转轴位置和旋转角度，借助晶片座驱动装置驱动晶片座移动、旋转和停止，以实现对晶片定位，从而实现机械手和晶片定位准确。

上述晶片定位方法是在晶片座上承载的晶片放置准确的前提下，借助晶片座驱动装置驱动晶片座移动以使晶片相对机械手的位置准确，从而实现对晶片进行定位。但是，在实际应用中，由于机械手在水平或竖直方向上发生偏移，会导致机械手在放片时不能准确地将晶片放置在片槽（即，上述方法中的晶片座）中，因此，在这种情况下，即使采用上述晶片定位方法也不能实现晶片与机械手的准确定位，因而在后续工艺中会造成晶片的工艺均匀性差，从而造成工艺质量差；而且，影响机械手后续取片，从而影响传输晶片的效率，并且多次尝试取片，会对晶片的表面造成损伤。

发明内容

本发明旨在解决现有技术中存在的技术问题，提供了一种晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法，不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

本发明提供一种晶片检测系统，包括托盘，所述托盘的上表面上设置有用于承载所述晶片的片槽，且所述托盘的反射率与所述晶片的反射率不同，所述系统还包括：距离传感器和控制单元，其中：所述距离传感器设置在所述片槽的正上方，且能够在所述片槽的正上方水平移动；所述距离传感器对应所述待检测的片槽位置在移动过程中向所述托盘发送信号，并接收来自所述托盘或位于所述片槽中的晶片反射的反射信号，且将所述反射信号发送至所述控制单元；所述控制单元根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；若等于，则驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与所述标准距离是否相等，若等于，则确定所述片槽中的所述晶片放置准确；若不等于，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；所述标准距离定义为所述晶片准确放置在所述片槽时所述距离传感器与所述晶片上表面之间的垂直距离。

其中，所述预设长度为在所述距离传感器沿所述片槽的径向水平移动的移动轨迹上自所述晶片的边界位置到下一个边界位置的长度。

优选地，所述预设长度为所述晶片的直径长度。

其中，所述晶片检测系统，还包括旋转驱动装置，所述旋转驱动装置用于驱动所述托盘沿其轴向旋转，以使每个所述片槽依次位于所述距离传感器的正下方。

其中，所述距离传感器的数量和位置与所述片槽的数量和位置一一对应设置。

优选地，所述距离传感器自所述片槽的边沿的任意位置的正上方沿该片槽的径向水平移动。

本发明还提供一种反应腔室，包括晶片检测系统，所述晶片检测系统采用本发明提供的上述晶片检测系统，用于检测所述晶片在用于承载该晶片的片槽中是否放置准确。

其中，所述距离传感器安装在位于所述反应腔室的上盖上方的导轨上。

本发明还提供一种晶片检测方法，所述方法包括以下步骤：步骤S1，距离传感器自所述片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向所述托盘发送信号；步骤S2，控制单元接收来自所述托盘或位于所述片槽中所述晶片反射的反射信号，并根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入步骤S3；若不等于，则进入步骤S5；步骤S3，所述控制单元驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入步骤S4；若不等于，进入步骤S5；步骤S4，确定所述片槽中的所述晶片放置准确；步骤S5，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确。

其中，在所述步骤S1之前还包括：步骤S0，驱动所述托盘旋转，以使需要检测的所述片槽位于所述距离传感器的正下方。

本发明具有下述有益效果：

本发明提供的晶片检测系统，其借助距离传感器沿片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号并接收来自托盘或位于片槽中的晶片反射的反射信号，控制单元根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定片槽中的晶片未放置准确；若等于，则驱动距离传感器移动预设长度，并在移动过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则确定片槽中的晶片放置准确；若不等于，确定片槽中的晶片未放置准确。由上可知，可以实现在机械手将晶片放置在片槽之后对片槽中的晶片是否放置准确进行检测，若放置准确则进行下步工作，若放置不准确，则对晶片位置进行调整直至晶片放置准确，因而不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

本发明提供的反应腔室，其采用本发明提供的晶片检测系统，不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

本发明提供的晶片检测方法，其借助距离传感器沿该片槽的径向水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号，控制单元接收来自托盘或位于片槽中晶片反射的反射信号，并根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定片槽中的晶片未放置准确；若等于，控制单元驱动距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则确定片槽中的晶片放置准确；若不等于，则确定片槽中的晶片未放置准确。由上可知，可以实现在机械手将晶片放置在片槽之后对片槽中的晶片是否放置准确进行检测，若放置准确则进行下步工作，若放置不准确，则对晶片位置进行调整直至晶片放置准确，因而不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

附图说明

图1为本发明实施例提供的晶片检测系统的结构示意图；

图2为片槽中的晶片放置准确的结构示意图；

图3为片槽中的晶片未放置准确的结构示意图；

图4为当片槽中的晶片放置准确时应用本发明实施例提供的晶片检测系统的结构示意图；

图5为图4所示的结构的俯视图；

图6为当片槽中的晶片未放置准确时应用本发明实施例提供的晶片检测系统的第一种结构示意图；

图7为图6所示的结构的俯视图；

图8为当片槽中的晶片未放置准确时应用本发明实施例提供的晶片检测系统的第二种结构示意图；

图9为图8所示的结构的俯视图；

图10为当片槽中的晶片未放置准确时应用本发明实施例提供的晶片检测系统的第三种结构示意图；

图11为图10所示的结构的俯视图；

图12为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图；以及

图13为本发明实施例提供的晶片检测方法的工作流程图。

具体实施方式

为使本领域的技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图对本发明提供的晶片检测系统、反应腔室及晶片检测方法进行详细描述。

图1为本发明实施例提供的晶片检测系统的结构示意图。请参阅图1，本发明实施例提供的晶片检测系统，包括距离传感器23和控制单元24。在托盘20的上表面上设置有用于承载晶片10的片槽21，其中，片槽21的直径尺寸略大于晶片10的直径尺寸，托盘20的反射率与晶片10的反射率不同；距离传感器23设置在片槽21的正上方，且能够在片槽21的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号，并接收来自托盘或位于片槽21中的晶片10反射的反射信号，且将其发送至控制单元24，由于托盘20的反射率与晶片10的反射率不同，这使得距离传感器23向托盘发送的信号在托盘和晶片10上反射的反射信号不同，因此，控制单元24可以根据反射信号的不同判断距离传感器23位于托盘20或者晶片10的正上方。另外，距离传感器23包括激光位移传感器。

控制单元24根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离H，若不等于，则确定片槽21中的晶片10未放置准确；若等于，则驱动距离传感器23移动预设长度，在其移动的过程中判断反射距离与标准距离H是否相等，若等于，则确定片槽21中的晶片10放置准确，直接可以进行下步工作，例如，进行工艺过程或取片过程；若不等于，则确定片槽21中的晶片10未放置准确，需要进行调整直至放置准确，之后再进行下步工作。其中，标准距离H定义为晶片10准确放置在片槽21时距离传感器23与晶片10上表面之间的垂直距离；反射距离为根据晶片反射的反射信号得到的距离传感器与晶片10上表面的垂直距离。

在本实施例中，晶片10在片槽21中放置准确是指晶片10的下表面完全叠置在片槽21的底面上，如图2所示；晶片10在片槽21中未放置准确是指晶片10的下表面未完全叠置在片槽21的底面上，例如，如图3所示。

在本实施例中，优选地，距离传感器23自片槽21的边沿22的任意位置的正上方沿该片槽21的径向水平移动（如图1中移动路径S），由于距离传感器23沿片槽21的径向水平移动，在这种情况下，可以准确检测晶片10下表面在片槽21底面上的投影经过片槽21的中心点的多种未放置准确的情况，从而可以提高该晶片检测系统的可靠性。具体地，控制单元24沿移动路径S自左至右移动的过程中，根据反射信号判断距离传感器23是否达晶片10的边界位置101的正上方，若到达，则进行判断晶片是否放置准确；若未到达，则继续根据反射信号判断距离传感器23是否达晶片10的边界位置101的正上方。在实际应用中，距离传感器23也可以在片槽21正上方的任意位置沿任意方向水平移动，只要实现距离传感器23能够到达晶片10正上方即可。

容易理解，预设长度根据实际情况具体设置，只要满足当晶片10未放置准确时控制单元24能够根据在该预设长度内检测出的当前反射距离判断出其不与标准距离H相等，以及当晶片10放置准确时控制单元24能够根据在该预设长度内检测出的当前反射距离判断出其与标准距离H相等即可。

在本实施例中，预设该预设长度为在距离传感器23沿片槽21径向水平移动的移动轨迹S上自晶片10的边界位置101到下一个边界位置102的长度。在这种情况下，在距离传感器23移动的过程向控制单元24发送反射信号；控制单元24根据该反射信号判断是否到达晶片的下一个边界位置102的正上方，若到达，则距离传感器23停止移动；若未到达，则距离传感器23继续移动。容易理解，当晶片10放置准确且晶片10的中心位置和片槽21的中心位置重合时，预设长度为最大值且为晶片10的直径长度；当晶片10未放置准确时，距离传感器23移动的预设长度小于晶片10的直径长度，因此，在实际应用中，预设长度还可以预设为晶片10的直径长度（即，预设长度的最大值），因而不仅可以满足多种实际情况的需要，而且不需要控制单元24判断是否到达晶片10的下一个边界位置102，从而可以简化工作过程。

下面结合图4和图5具体描述当片槽21中的晶片10放置准确时应用本发明实施例提供的晶片10检测系统的工作过程：具体地，定义距离传感器23向托盘20发送的信号在托盘20上反射的反射信号为第一反射信号，定义距离传感器23向托盘20发送的信号在晶片10上反射的反射信号为第二反射信号，第一反射信号和第二反射信号具体可以分别为高电平“1”和低电平“0”中的一个，包括以下步骤：

步骤S100，距离传感器23自位置A沿该片槽21的径向水平移动，在其移动的过程中向托盘20发送信号，并接收来自托盘20反射的第一反射信号，或者，位于片槽21中的晶片10反射的第二反射信号，并将第一反射信号或者第二反射信号发送给控制单元24，具体地，距离传感器23自位置A到位置B接收到托盘20反射的第一反射信号；自位置B到位置D接收到晶片10反射的第二反射信号；

步骤S101，在距离传感器23自位置A到位置B的过程中，控制单元24接收距离传感器23发送的第一反射信号，根据该第一反射信号不与晶片10反射的第二反射信号相同，判断距离传感器23未到达晶片10的边界位置101的正上方；当距离传感器23移动至位置B，控制单元24接收距离传感器23发送的第二反射信号，根据该第二反射信号与晶片10反射的第二反射信号相同，判断距离传感器23到达晶片10的边界位置101的正上方，进入步骤S102；

步骤S102，距离传感器23继续自位置B向位置C移动直至位置D，并在其移动的过程中实时检测其与晶片10上表面之间的垂直距离h（即，反射距离），并将该垂直距离h发送至控制单元24，且在距离传感器23继续移动的过程中继续向控制单元24发送反射信号；

步骤S103，控制单元24根据该反射信号等于第一反射信号，确定到达晶片10的下一个边界位置102的正上方，距离传感器23停止移动。

在步骤S102中，控制单元24在距离传感器23移动的过程中判断当前反射距离始终等于标准距离H，具体地，在位置B、位置C和位置D处的垂直距离h均等于标准距离H，因此，则确定片槽21中的晶片10放置准确。

下面结合图6和图7具体描述当片槽21中的晶片10未放置准确时应用本发明实施例提供的晶片10检测系统的工作过程：具体地，定义距离传感器23向托盘20发送的信号在托盘20上反射的反射信号为第一反射信号，定义距离传感器23向托盘20发送的信号在晶片10上反射的反射信号为第二反射信号，第一反射信号和第二反射信号具体可以分别为高电平“1”和低电平“0”中的一个，包括以下步骤：

步骤S200，距离传感器23自位置A沿该片槽21的径向水平移动，在其移动的过程中向托盘20发送信号，并接收来自托盘20反射的第一反射信号，或者，位于片槽21中晶片10反射的第二反射信号，并将第一反射信号或者第二反射信号发送给控制单元24，具体地，距离传感器23自位置A到位置B接收到托盘反射的第一反射信号；自位置B到位置D接收到晶片10反射的第二反射信号；

步骤S201，在距离传感器23自位置A到位置B的过程中，控制单元24接收距离传感器23发送的第一反射信号，根据该第一反射信号不与晶片10反射的第二反射信号相同，判断距离传感器23未到达晶片10的边界位置101的正上方；当距离传感器23移动至位置B，控制单元24接收距离传感器23发送的第二反射信号，根据该第二反射信号与晶片10反射的第二反射信号相同，判断距离传感器23到达晶片10的边界位置101的正上方，进入步骤S202；

步骤S202，距离传感器23继续自位置B向位置C移动直至位置D，并在其移动的过程中实时检测其与晶片10上表面之间的垂直距离（即，反射距离），并将该垂直距离h发送至控制单元24，且在距离传感器23继续移动的过程中继续向控制单元24发送反射信号；

步骤S203，控制单元24根据该反射信号等于第一反射信号，确定到达晶片10的下一个边界位置102的正上方，距离传感器23停止移动。

在步骤S202中，控制单元23在距离传感器23移动的过程中判断当前反射距离始终小于标准距离H，具体地，在位置B处判断垂直距离h1等于标准距离H，在位置C处判断垂直距离h2小于标准距离H，在位置D处判断垂直距离h3小于标准距离H，因此，则确定片槽21中的晶片10未放置准确。

在上述步骤S100～S103和步骤S200～S203中，预设长度为在距离传感器23沿片槽21径向水平移动的移动轨迹上自晶片10的边界位置101到下一个边界位置102的长度。但是，在实际应用中，预设长度也可以为其他长度，例如，预设长度为晶片10的直径长度的一半，这种情况下，由于位置B和位置C之间沿片槽21径向上的长度等于直径长度的一半，因此，在步骤S102和步骤S202中，距离传感器23继续自位置B移动至位置C，并且，对应地，在步骤S103中，在距离传感器23的移动路径上位置B和位置C的任意位置处检测的垂直距离等于标准距离H，控制单元24判断当前反射距离等于标准距离H，则确定片槽21中的晶片10放置准确；在步骤S203中，例如，当在位置C处检测的垂直距离h小于标准距离H，控制单元24判断反射距离不等于标准距离H，则确定片槽21中的晶片10未放置准确。

在本实施例中，优选地，控制单元24用于判断当前反射距离是否等于标准距离H，若等于，则确定片槽21中的晶片10放置准确；若不等于，判断反射距离与标准距离H之间的偏差是否在安全阈值内，若在安全阈值内，则确定片槽21中的晶片10放置准确；若未在安全阈值内，则确定片槽21中的晶片10未放置准确。所谓安全阈值为最大允许检测的当前反射距离与标准距离H之间的误差距离；并且，安全阈值与距离传感器23的测量误差等因素相关，这可以在一定程度上避免由于距离传感器23的测量误差等因素造成检测片槽21中晶片10是否放置准确的检测结果错误，从而可以提高该晶片10检测系统的实用性和可靠性。

在本实施例中，在托盘20的上表面上沿其周向间隔设置有多个片槽21，在这种情况下，距离传感器23设置在多个片槽21的其中一个片槽21的正上方，晶片检测系统还包括旋转驱动装置，旋转驱动装置用于驱动托盘沿其轴向旋转，以使每个片槽21依次位于距离传感器23的正下方，换言之，可以使距离传感器23分别位于每个片槽21的正上方，因而借助旋转驱动装置和对应一个片槽21设置的距离传感器23，可以实现检测多个片槽21中的晶片10是否放置准确，这与设置距离传感器23的数量和位置与多个片槽21的数量和位置一一对应相比，可以减小距离传感器23的设置数量，从而可以降低生产投入成本。

但是，在实际应用中，也可以距离传感器23的数量和位置与片槽21的数量和位置一一对应设置，借助距离传感器23与多个片槽21一一对应设置，可以实现同时检测多个片槽21中的晶片10是否放置准确，从而可以提高检测效率。

需要说明的是，在实际应用中，距离传感器23可自片槽21的边沿22的任意位置沿片槽21的径向水平移动，例如，图8和图9所示，又如，图10和图11所示，具体工作过程和上述工作过程相类似，在此不再赘述。

综上所述，本实施例提供的晶片检测系统，其借助距离传感器23沿片槽21的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号并接收来自托盘或位于片槽21中的晶片10反射的反射信号，控制单元24根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离H，若不等于，则确定片槽21中的晶片10未放置准确；若等于，则驱动距离传感器23移动预设长度，并在移动过程中判断当前反射距离与标准距离H是否相等，若等于，则确定片槽21中的晶片10放置准确；若不等于，确定片槽21中的晶片10未放置准确。由上可知，可以实现在机械手将晶片10放置在片槽21之后对片槽21中的晶片10是否放置准确进行检测，若放置准确则进行下步工作，若放置不准确，则对晶片10位置进行调整直至晶片10放置准确，因而不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片10与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片10的效率和避免多次取放片对晶片10表面造成损伤。

图12为本发明实施例提供的反应腔室的结构示意图。请参阅图12，本发明实施例提供的反应腔室30包括托盘和晶片检测系统。其中，托盘20设置在反应腔室30内，且在托盘的上表面上设置有用于承载晶片的片槽；晶片检测系统采用上述实施例提供的晶片检测系统，用于检测片槽中的晶片是否放置准确。具体地，晶片检测系统的距离传感器23设置在反应腔室30的外侧，且位于顶壁上，在反应腔室30的顶壁上沿距离传感器的移动路径设置有导轨，以使距离传感器23沿该导轨进行移动。为实现距离传感器23向位于反应腔室30内托盘上发送信号、接收托盘或者片槽中晶片反射的反射信号以及检测其与晶片上表面之间的垂直距离，反应腔室30的顶壁采用透明材料制成。优选地，导轨为直线导轨。

在本实施例中，反应腔室30为化学气相沉积设备的工艺腔室，在反应腔室30的左侧壁上且靠近其上表面的位置处设置进气口31，用于与工艺气源相连通向反应腔室30内输送工艺气体，在反应腔室30的右侧壁上且靠近其下表面的位置处设置有排气口32，用于将反应腔室30内未完成工艺的工艺气体和已完成工艺的废气排出。

本实施例提供的反应腔室，其采用本发明上述实施例提供的晶片检测系统，不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

作为另外一个技术方案，本发明还提供一种晶片检测方法，图13为本发明实施例提供的晶片检测方法的工作流程图。请参阅图13，本实施例提供的晶片检测方法采用上述实施例提供的晶片检测系统，该晶片检测方法包括以下步骤：

步骤S1，距离传感器自片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号；

步骤S2，控制单元接收来自托盘或位于片槽中晶片反射的反射信号，并根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入步骤S3；若不等于，则进入步骤S5；

步骤S3，控制单元驱动距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入步骤S4；若不等于，进入步骤S5；

步骤S4，确定片槽中的晶片放置准确；

步骤S5，确定片槽中的晶片未放置准确。

优选地，在步骤S1中，距离传感器自片槽的边沿的任意位置的正上方沿该片槽的径向水平移动，这可以准确检测晶片10下表面在片槽21底面上的投影经过片槽21的中心点的多种未放置准确的情况，从而可以提高该晶片检测系统的可靠性。

容易理解，预设长度根据实际情况具体设置，只要满足当晶片未放置准确时控制单元能够根据在该预设长度内检测出的当前反射距离判断出其不与标准距离H相等，以及当晶片放置准确时控制单元能够根据在该预设长度内检测出的当前反射距离判断出其等于标准距离H即可。

在本实施例中，预设该预设长度为在所述距离传感器沿片槽的径向水平移动的移动轨迹上自晶片的边界位置到下一个边界位置的长度；这种情况下，在步骤S3中还包括：步骤S31，在距离传感器移动的过程中接收反射信号；步骤S32，根据反射信号判断是否到达晶片的下一个边界位置的正上方，若到达，则距离传感器停止移动；若未到达，则距离传感器继续移动。容易理解，当晶片放置准确且晶片的中心位置和片槽的中心位置重合时，预设长度为最大值且为晶片的直径长度；当晶片未放置准确时，距离传感器23移动的预设长度小于晶片的直径长度，因此，在实际应用中，预设长度还可以预设为晶片的直径长度（即，预设长度的最大值），因而不仅可以满足多种实际情况的需要，而且不需要判断是否到达晶片的下一个边界位置，从而可以简化工作过程。

在本实施例中，当在托盘的上表面上沿其周向间隔设置有多个片槽，且距离传感器设置在多个片槽的其中一个片槽的正上方时，在步骤S1之前，还包括步骤S0，驱动托盘旋转，以使需要检测的片槽位于距离传感器的正下方，换言之，以使距离传感器位于需要检测的片槽的正上方，以实现检测该需要检测的片槽中的晶片是否放置准确。

需要说明的是，本实施例提供的晶片检测方法与上述实施例提供的晶片检测系统的具体工作过程相类似，且上述晶片检测系统的具体工作过程已详细描述，在此不再赘述。

本实施例提供的晶片检测方法，其借助距离传感器沿该片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号，控制单元接收来自托盘或位于片槽中晶片反射的反射信号，根据晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定片槽中的晶片未放置准确；若等于，控制单元驱动距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则确定片槽中的晶片放置准确；若不等于，则确定片槽中的晶片未放置准确。由上可知，可以实现在机械手将晶片放置在片槽之后对片槽中的晶片是否放置准确进行检测，若放置准确则进行下步工作，若放置不准确，则对晶片位置进行调整直至晶片放置准确，因而不仅可以提高工艺的均匀性，而且可以提高晶片与机械手定位的准确性，从而可以提高机械手取放片的效率，进而可以提高传输晶片的效率和避免多次取放片对晶片表面造成损伤。

可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的原理和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种晶片检测系统，包括托盘，所述托盘的上表面上设置有用于承载所述晶片的片槽，且所述托盘的反射率与所述晶片的反射率不同，其特征在于，所述系统还包括：距离传感器和控制单元，其中：

所述距离传感器设置在所述片槽的正上方，且能够在所述片槽的正上方水平移动；

所述距离传感器对应待检测的片槽位置在移动过程中向所述托盘发送信号，并接收来自所述托盘或位于所述片槽中的晶片反射的反射信号，且将所述反射信号发送至所述控制单元；

所述控制单元根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若不等于，则确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；若等于，则驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与所述标准距离是否相等，若等于，则确定所述片槽中的所述晶片放置准确；若不等于，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确；

所述标准距离定义为所述晶片准确放置在所述片槽时所述距离传感器与所述晶片上表面之间的垂直距离。

2.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述预设长度为在所述距离传感器沿所述片槽径向水平移动的移动轨迹上自所述晶片的边界位置到下一个边界位置的长度。

3.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述预设长度为所述晶片的直径长度。

4.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述晶片检测系统，还包括旋转驱动装置，

所述旋转驱动装置用于驱动所述托盘沿其轴向旋转，以使每个所述片槽依次位于所述距离传感器的正下方。

5.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述距离传感器的数量和位置与所述片槽的数量和位置一一对应设置。

6.根据权利要求1所述的晶片检测系统，其特征在于，所述距离传感器自所述片槽的边沿的任意位置的正上方沿该片槽的径向水平移动。

7.一种反应腔室，其特征在于，包括晶片检测系统，所述晶片检测系统采用权利要求1-6任意一项所述的晶片检测系统，用于检测所述晶片在用于承载该晶片的片槽中是否放置准确。

8.根据权利要求7所述的反应腔室，其特征在于，所述距离传感器安装在位于所述反应腔室的上盖上方的导轨上。

9.一种晶片检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

步骤S1，距离传感器自片槽的正上方水平移动，在其移动的过程中向托盘发送信号；

步骤S2，控制单元接收来自所述托盘或位于所述片槽中所述晶片反射的反射信号，并根据所述晶片反射的反射信号判断反射距离是否等于标准距离，若等于，则进入步骤S3；若不等于，则进入步骤S5；

步骤S3，所述控制单元驱动所述距离传感器移动预设长度，并在移动的过程中判断当前反射距离与标准距离是否相等，若等于，则进入步骤S4；若不等于，进入步骤S5；

步骤S4，确定所述片槽中的所述晶片放置准确；

步骤S5，确定所述片槽中的所述晶片未放置准确。

10.根据权利要求9所述的晶片检测方法，其特征在于，在所述步骤S1之前还包括：

步骤S0，驱动所述托盘旋转，以使需要检测的所述片槽位于所述距离传感器的正下方。