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CN104842075A - 激光加工槽的检测方法 - Google Patents

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CN104842075A
CN104842075A CN201510082171.8A CN201510082171A CN104842075A CN 104842075 A CN104842075 A CN 104842075A CN 201510082171 A CN201510082171 A CN 201510082171A CN 104842075 A CN104842075 A CN 104842075A
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Abstract

本发明提供一种激光加工槽的检测方法，其能够抑制粗槽的位置偏移对器件的影响。激光加工槽的检测方法包括第1切口检查步骤(ST1)和第2切口检查步骤(ST3)。在第1切口检查步骤(ST1)中，利用第1激光光线在分割预定线处形成第1槽，并在形成第2槽之前，利用摄像构件对第1槽进行摄像，检测出第1槽的位置。在第2切口检查步骤(ST3)中，利用第2激光光线在晶片的没有形成第1槽的外周剩余区域的分割预定线处形成第2槽，并利用摄像构件对第2槽进行摄像，检测出第2槽的位置。在激光加工槽的检测方法中，检测出第1槽和第2槽的偏移，将第1槽和第2槽定位在规定的位置。

Description

激光加工槽的检测方法
技术领域
本发明涉及激光加工槽的检测方法。
背景技术
在对通过Low-k膜(低介电常数膜)形成器件的晶片进行的分割中，已知下述这样的加工方法：为了应对Low-k膜的脆弱性和剥离性，通过基于照射激光光线而实现的烧蚀加工，在分割预定线的两侧形成2条对Low-k膜进行分割的加工槽，然后，利用切削刀具对加工槽之间进行分割(例如，参照专利文献1)。
专利文献1：日本特开2005-64231号公报
在前述的专利文献1所示的加工方法中，为了防止沿着加工槽进行切削的切削刀具的偏磨损，多数情况是使在两侧形成有2条的加工槽的外缘之间的间隔形成为超过切削刀具的宽度的间隔。在前述的专利文献1所示的加工方法中，首先，利用能量密度高的小光斑的激光光线在分割预定线的两侧形成2条加工槽，然后，以将加工槽之间填埋的方式通过切削刀具形成粗槽。可是，在该加工方法中，即使从上方观察也无法判別覆盖着细槽的粗槽的边缘，因此，在加工中无法发挥进行粗槽的切口检查(位置偏移修正)的功能，特别是，粗槽的位置偏移可能会对器件产生影响。
发明内容
本发明是鉴于上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制粗槽的位置偏移对器件的影响的激光加工槽的检测方法。
为了解决上述技术问题并实现目的，本发明的激光加工槽的检测方法是在晶片的加工方法中为了将第1槽和第2槽定位于规定的位置而检测该第1槽和该第2槽的位置的检测方法，在所述晶片的加工方法中，使用激光加工装置向晶片照射第1激光光线，至少在分割预定线的两侧形成第1槽，然后利用第2激光光线形成槽的边缘部与该第1槽重叠的第2槽，所述晶片具备：器件区域，在该器件区域中，利用层叠在晶片的正面的层叠体在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有器件；和外周剩余区域，该外周剩余区域围绕该器件区域，所述激光加工装置包括：卡盘工作台，其保持晶片；激光光线照射构件，其对保持在该卡盘工作台上的晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的正面形成激光加工槽；和摄像构件，其对晶片的正面进行摄像，该激光光线照射构件具备：激光振荡器；1/2波长板，从该激光振荡器振荡出的激光光线入射至该1/2波长板；分支构件，其将通过该1/2波长板后的激光光线分支为第1激光光线和第2激光光线；光束调整构件，其调整该第2激光光线的光束直径；和聚光透镜，其使该第1激光光线和通过该光束调整构件后的该第2激光光线会聚，该激光光线照射构件通过该1/2波长板选择性地照射该第1激光光线和该第2激光光线，所述激光加工槽的检测方法的特征在于，在检测该第1槽的位置时，通过第1激光光线在该分割预定线处形成该第1槽，在形成该第2槽之前，利用该摄像构件对该第1槽进行摄像，检测出该第1槽的位置，在检测该第2槽的位置时，通过该第2激光光线在晶片的没有形成该第1槽的该外周剩余区域的分割预定线处形成该第2槽，并利用该摄像构件对该第2槽进行摄像，检测出该第2槽的位置，将该第1槽和该第2槽定位于规定的位置。
另外，在所述激光加工槽的检测方法中，优选的是，所述激光加工装置的所述聚光透镜由使所述第1激光光线会聚的第1聚光透镜和使所述第2激光光线会聚的第2聚光透镜构成。
因此，在本申请发明的激光加工槽的检测方法中，通过特别地在晶片的没有形成器件的外周剩余区域中形成第2槽，从而能够进行作为粗槽的第2槽的切口检查。由于在外周剩余区域中没有形成器件，因此，即使发生了第2槽的位置偏移，也能够尽可能抑制第2槽的位置偏移对器件产生的影响。另外，由于在外周剩余区域中形成第2槽，因此无需遍及分割预定线的全长形成第2槽，由此能够抑制为了实施切口检查而形成的第2槽的全长。因此，能够减少切口检查所花费的时间。
附图说明
图1是示出实施实施方式的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的结构例的立体图。
图2是示出图1所示的激光加工装置的摄像构件的图像的图。
图3是示出图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。
图4是示出作为图1所示的激光加工装置的加工对象的晶片等的立体图。
图5是示出包括实施方式的激光加工槽的检测方法在内的、使用了激光加工装置的晶片的加工方法的流程图。
图6是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第1切口检查步骤的概要的图，图6的(a)是在分割预定线的两侧形成有第1槽的状态的晶片的剖视图，图6的(b)是示出拍摄图6的(a)所示的第1槽等所得到的图像的图。
图7是示出图5所示的晶片的加工方法的第1槽形成步骤的概要的图，图7的(a)是在分割预定线的两侧形成有第1槽的状态的晶片的剖视图，图7的(b)是示出拍摄图7的(a)所示的第1槽等所得到的图像的图。
图8是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第2切口检查步骤的一部分的概要的图，图8的(a)是在外周剩余区域的分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图8的(b)是示出拍摄图8的(a)所示的第2槽等所得到的图像的图。
图9是在图8所示的第2切口检查步骤中在外周剩余区域形成有第2槽的晶片的立体图。
图10是示出图8所示的第2切口检查步骤的剩余部分的概要的图，图10的(a)是在外周剩余区域的分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图10(b)是示出拍摄图10的(a)所示的第2槽等所得到的图像的图。
图11是示出图5所示的晶片的加工方法的第2槽形成步骤的概要的剖视图，图11的(a)是在分割预定线处形成有第2槽的状态的晶片的剖视图，图11的(b)是示出拍摄图11的(a)所示的第1槽等所得到的图像的图。
图12是示出实施实施方式的变形例的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。
标号说明
1：激光加工装置；
10：卡盘工作台；
20：激光光线照射构件；
22：激光振荡器；
23：1/2波长板；
24：分束镜(分支构件)；
25：光束调整构件；
26：聚光透镜；
26-1：第1聚光透镜；
26-2：第2聚光透镜；
30：摄像构件；
W：晶片；
M：Low-k膜(层叠体)；
B：分割预定线；
D：器件；
DR：器件区域；
GR：外周剩余区域；
L：激光光线；
L1：第1激光光线；
L2：第2激光光线；
R：激光加工槽；
R1：第1槽；
R2：第2槽。
具体实施方式
参照附图详细说明用于实施本发明的方式(实施方式)。本发明并不受以下实施方式所述的内容限定。另外，在以下所述的构成部件中包括本领域人员能够容易地想到的构成部件和实质上相同的构成部件。此外，能够将以下所述的结构适当组合。另外，能够在不脱离本发明的主旨的范围内对其结构进行各种省略、替换和变更。
(实施方式)
基于附图对本发明的实施方式的激光加工槽的检测方法进行说明。图1是示出实施实施方式的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的结构例的立体图。图2是示出图1所示的激光加工装置的摄像构件的图像的图。图3是示出图1所示的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。图4是示出作为图1所示的激光加工装置的加工对象的晶片等的立体图。
实施方式的激光加工槽的检测方法(以下，仅记作检测方法)是利用图1所示的激光加工装置1实施的方法(即，使用激光加工装置1的方法)。激光加工装置1通过使保持板状的晶片W的卡盘工作台10和激光光线照射构件20相对移动，由此对晶片W实施烧蚀加工，从而在晶片W上形成激光加工槽。
在实施方式中，晶片W是被激光加工装置1加工的加工对象，在实施方式中，是以硅、蓝宝石、镓等作为基本材料的圆板状的半导体晶片或光器件晶片。如图4所示，晶片W具备：器件区域DR，在该器件区域DR中，利用层叠在正面的Low-k膜M(在图6等中示出，相当于层叠体)，在由形成为格子状的多个分割预定线B划分出的区域中形成器件D；和外周剩余区域GR，该外周剩余区域GR围绕器件区域DR。并且，图4中的比点划线靠内侧的区域是器件区域DR，比点划线靠外侧的区域是外周剩余区域GR。在图4中，为了便于说明，以点划线示出了器件区域DR和外周剩余区域GR的边界。
Low-k膜M是在晶片W的正面上层叠SiOF、BSG(SiOB)等无机物类的膜或聚先亚胺系、聚对亚苯基二甲基系等聚合物膜即有机物类的膜而构成的。另外，如图6所示，分割预定线B上的Low-k膜M的表面形成得比器件D上的Low-k膜M的表面稍低。在晶片W的与形成有多个器件D的正面相反的一侧的背面粘贴粘接带T，通过将粘接带T的外缘粘贴在环状框架F上，由此借助粘接带T将晶片W支承在环状框架F的开口中。
如图1所示，激光加工装置1构成为包括：卡盘工作台10，其保持板状的晶片W；激光光线照射构件20，其在保持于卡盘工作台10的晶片W的正面形成激光加工槽R(在图11中示出)；摄像构件30，其对晶片W的正面进行摄像；X轴移动构件40；Y轴移动构件50；和未图示的控制单元。
卡盘工作台10将加工前的晶片W载置于保持面10a上，对经由粘接带T粘贴于环状框架F的开口中的晶片W进行保持。卡盘工作台10是构成保持面10a的部分由多孔质陶瓷等形成的圆盘形状，该卡盘工作台10经由未图示的真空抽吸路径与未图示的真空抽吸源连接，通过抽吸载置于保持面10a上的晶片W来保持该晶片W。并且，卡盘工作台10借助X轴移动构件40沿X轴方向进行加工进给，并且借助旋转驱动源(未图示)绕中心轴线(与Z轴平行)旋转，并且，借助Y轴移动构件50沿Y轴方向进行分度进给。另外，在卡盘工作台10的周围设有多个夹紧部11，所述多个夹紧部11由空气致动器驱动来夹持晶片W的周围的环状框架F。
激光光线照射构件20对由卡盘工作台10保持的晶片W照射对于晶片W具有吸收性的波长(例如355nm)的激光光线L1、L2(如图3所示)，从而在晶片W的正面形成激光加工槽R。即，激光光线照射构件20通过对晶片W的正面照射具有吸收性的波长(例如355nm)的激光光线L1、L2，来对晶片W实施烧蚀加工。
如图3所示，激光光线照射构件20具备：被装置主体2的柱部3支承的壳体21；激光振荡器22；1/2波长板23；分束镜24(相当于分支构件)；光束调整构件25；和聚光透镜26等。
激光振荡器22向晶片W的正面振荡出对于晶片W具有吸收性的波长(例如355nm)的激光光线L。从激光振荡器22振荡出的激光光线L入射到1/2波长板23。分束镜24将通过1/2波长板23的激光光线L分支为第1激光光线L1和第2激光光线L2。在本实施方式中，分束镜24为棱镜型，通过使第1激光光线L1透过并使第2激光光线L2反射，由此将激光光线L分支为能量密度高的较小光束直径的第1激光光线L1和第2激光光线L2。光束调整构件25将第2激光光线L2的光束直径调整为比第1激光光线L1的光束直径大且能够形成第2槽R2(相当于粗槽，如图8等所示)的光束直径。
聚光透镜26与卡盘工作台10的保持面10a对置地设置在壳体21的末端部。聚光透镜26使第1激光光线L1和通过光束调整构件25的第2激光光线L2聚光于被卡盘工作台10保持的晶片W的正面上。通过光束调整构件25的第2激光光线L2经由反射镜27和棱镜28入射至聚光透镜26，并且，通过分束镜24后的第1激光光线L1经由反射镜29和棱镜28入射至聚光透镜26。并且，棱镜28的结构形成为与分束镜24的结构大致相同。并且，1/2波长板23、光束调整构件25、反射镜27、29、棱镜28设置在壳体21内等。
另外，在激光光线照射构件20中，通过使1/2波长板23绕激光光线L的光轴旋转等，由此将第1激光光线L1和第2激光光线L2中的任意一方选择性地照射至由卡盘工作台10保持的晶片W的正面上。
摄像构件30安装于激光光线照射构件20的壳体21上，并对利用激光光线照射构件20应该进行激光加工的加工区域进行摄像。摄像构件30将拍摄到的图像G(如图2所示)输出至控制单元。在通过摄像构件30拍摄得到的图像G中形成有在图2中以虚线所示的基准线S。基准线S被调整为与激光光线照射构件20照射至晶片W的正面的激光光线L1、L2一致。
控制单元分别控制构成激光加工装置1的上述构成部件。控制单元使激光加工装置1对晶片W进行烧蚀加工动作。并且，控制单元是以例如具备由CPU等构成的运算处理装置和ROM、RAM等的未图示的微处理器为主体而构成的，并且与显示加工动作的状态的显示构件、或在操作员录入加工内容信息等时使用的操作构件连接。
接下来，参照附图对使用了本实施方式的激光加工装置1的晶片的加工方法(包括检测方法)进行说明。晶片的加工方法是下述这样的加工方法：照射第1激光光线L1，至少在分割预定线B的两侧形成第1槽R1，然后，利用第2激光光线L2形成槽的边缘部与第1槽R1重复的第2槽R2。检测方法是在加工方法中为了将第1槽R1和第2槽R2定位在规定的位置而对第1槽R1和第2槽R2的位置进行检测的检测方法，该检测方法具备第1切口检查步骤ST1和第2切口检查步骤ST3。
图5是示出包括实施方式的激光加工槽的检测方法在内的、使用了激光加工装置的晶片的加工方法的流程图，图6是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第1切口检查步骤的概要的图，图7是示出图5所示的晶片的加工方法的第1槽形成步骤的概要的图，图8是示出实施方式的激光加工槽的检测方法的第2切口检查步骤的一部分的概要的图，图9是在图8所示的第2切口检查步骤中在外周剩余区域形成有第2槽的晶片的立体图，图10是示出图8所示的第2切口检查步骤的剩余部分的概要的图，图11是示出图5所示的晶片的加工方法的第2槽形成步骤的概要的图。
首先，在晶片的加工方法中，操作员将加工内容信息录入控制单元，操作员将晶片W载置于与激光光线照射构件20分离的卡盘工作台10的保持面10a上，在存在加工动作的开始指示的情况下，激光加工装置1开始加工动作。在加工动作中，控制单元将晶片W抽吸保持在卡盘工作台10的保持面10a上，并利用夹紧部11夹持环状框架F。控制单元借助X轴移动构件40和Y轴移动构件50使卡盘工作台10朝向激光光线照射构件20的下方移动，将保持在卡盘工作台10上的晶片W定位于摄像构件30的下方，使摄像构件30进行摄像。摄像构件30将拍摄到的图像的信息输出至控制单元。并且，控制单元实施用于进行被保持在卡盘工作台10上的晶片W的分割预定线B与激光光线照射构件20的位置对准的图案匹配等图像处理，来对保持在卡盘工作台10上的晶片W与激光光线照射构件20的相对位置进行调整。
然后，控制单元实施第1切口检查步骤ST1。在第1切口检查步骤ST1时，即在检测第1槽R1的位置时，控制单元将多个分割预定线B中的一个分割预定线B的端部定位于激光光线照射构件20的下方，然后一边使卡盘工作台10借助X轴移动构件40沿X轴方向移动，一边从激光光线照射构件20照射第1激光光线L1。并且，如图6的(a)所示，通过从激光光线照射构件20照射第1激光光线L1，由此在器件区域DR内利用第1激光光线L1在一条分割预定线B的两侧形成第1槽R1。
并且，在第1切口检查步骤ST1时，即在检测第1槽R1的位置时，控制单元在形成第2槽R2之前利用摄像构件30对形成在一条分割预定线B的两侧的第1槽R1进行摄像。并且，如图6的(b)中示出的一个例子那样，在拍摄第1槽R1得到的图像G1中，控制单元使表示第1槽R1的部分成为黑色(在图6的(b)中由平行斜线所示)，使其他部分成为白色。然后，控制单元对基准线S和通过两个第1槽R1之间的中央的中心线P1(在图6的(b)中由点划线示出)在Y轴方向的偏移Z1进行检测，由此来检测第1槽R1的位置。
然后，控制单元进入第1槽形成步骤ST2。在第1槽形成步骤ST2中，控制单元在Y轴方向上以在第1切口检查步骤ST1中检测出的偏移Z1的量对激光光线照射构件20与卡盘工作台10的相对位置进行修正，以使通过第1槽R1之间的中央的中心线P1与基准线S重叠。然后，控制单元一边借助X轴移动构件40、旋转驱动源、Y轴移动构件50使卡盘工作台10和激光光线照射构件20相对移动，一边如图7的(a)所示这样在器件区域DR内且在所有的分割预定线B的两侧形成第1槽R1。并且，在第1槽形成步骤ST2中，在摄像构件30拍摄到的图像G2中，由于在Y轴方向上以前述的偏移Z1的量对激光光线照射构件20与卡盘工作台10的相对位置进行了修正，因此，如图7的(b)所示，通过第1槽R1之间的中央的中心线P1与基准线S重叠。并且，在第1切口检查步骤ST1和第1槽形成步骤ST2中，优选的是，在器件区域DR内的分割预定线B处形成第1槽R1，在外周剩余区域GR的分割预定线B处不形成第1槽R1。
然后，控制单元进入第2切口检查步骤ST3。在第2切口检查步骤ST3，即在检测第2槽R2的位置时，控制单元将没有形成第1槽R1的晶片W的外周剩余区域GR的分割预定线B定位于激光光线照射构件20的下方，然后一边使卡盘工作台10借助X轴移动构件40沿X轴方向移动，一边从激光光线照射构件20照射第2激光光线L2。并且，如图8的(a)和图9所示，利用第2激光光线L2在晶片W的外周剩余区域GR的分割预定线B处形成第2槽R2(在图9中由标号R2-1表示)。
并且，在第2切口检查步骤ST3，即在检测第2槽R2的位置时，控制单元利用摄像构件30对形成在外周剩余区域GR的分割预定线B处的第2槽R2-1进行摄像。并且，如图8的(b)中示出的一个例子那样，在拍摄第2槽R2所得到的图像G3中，控制单元使表示第2槽R2的部分为黑色(在图8的(b)中由平行斜线所示)，使其他部分为白色。然后，控制单元对基准线S和通过第2槽R2的中央的中心线P2(在图8的(b)中由点划线示出)在Y轴方向的偏移Z2进行检测，由此检测出第2槽R2的位置。
然后，在第2切口检查步骤ST3中，控制单元在Y轴方向上以前述的偏移Z2的量对激光光线照射构件20与卡盘工作台10的相对位置进行修正，以使通过第2槽R2的中央的中心线P2与基准线S重叠，之后，如图10的(a)和图9所示，利用第2激光光线L2在晶片W的外周剩余区域GR的分割预定线B处形成第2槽R2(在图9中由符号R2-2表示)。然后，控制单元在确认到下述情况后进入第2槽形成步骤ST4：在利用摄像构件30拍摄第2槽R2-2得到的图像G4(如图10(b)所示)中，基准线S与通过第2槽R2的中央的中心线P2重叠(偏移Z2为允许值以下)。这样，在第2切口检查步骤ST3中，优选的是，在外周剩余区域GR形成第2槽R2，并在Y轴方向上以偏移Z2的量对激光光线照射构件20和卡盘工作台10的相对位置进行修正，直至基准线S与通过第2槽R2的中央的中心线P2重叠为止(直至偏移Z2成为允许值以下为止)。
在第2槽形成步骤ST4中，控制单元一边借助X轴移动构件40、旋转驱动源、Y轴移动构件50使卡盘工作台10和激光光线照射构件20相对移动，一边如11(a)所示这样在器件区域DR内且在所有的分割预定线B处形成槽的边缘部与第1槽R1重复的第2槽R2，从而形成激光加工槽R。并且，在第2槽形成步骤ST4中，在摄像构件30拍摄到的图像G5中(如图11的(b)所示)，由于在Y轴方向上以前述的偏移Z2的量对激光光线照射构件20与卡盘工作台10的相对位置进行了修正，因此，通过激光加工槽R的中央的中心线P与基准线S重叠。并且，在第2槽形成步骤ST4中，优选的是，在器件区域DR内的分割预定线B处形成第2槽R2，在外周剩余区域GR的分割预定线B处不形成第2槽R2。
这样，控制单元通过检测出偏移Z1、Z2并以偏移Z1、Z2的量对激光光线照射构件20与卡盘工作台10的相对位置进行修正，从而将第1槽R1和第2槽R2定位于规定的位置。
在所有的分割预定线B处形成激光加工槽R之后，控制单元使卡盘工作台10移动至与激光光线照射构件20分离的位置，然后，解除卡盘工作台10的抽吸保持和夹紧部11的挟持。然后，操作员将在所有的分割预定线B处形成有激光加工槽R的晶片W从卡盘工作台10上去掉，并且再次将激光加工前的晶片W载置于卡盘工作台10上，重复所述工序，在晶片W上形成激光加工槽R。对于在所有的分割预定线B处形成有激光加工槽R的晶片W，在激光加工槽R处实施基于切削刀具的切削加工等，从而将晶片W分割为一个个器件D。
如以上那样，根据实施方式的检测方法，在外周剩余区域GR的分割预定线B处形成第2槽R2，来实施第2切口检查步骤ST3。这样，为了将比第1槽R1粗的第2槽R2定位在规定的位置而在没有形成器件D的外周剩余区域GR中形成第2槽R2，因此，能够尽可能抑制偏移Z2即第2槽R2的位置偏移对器件D的影响。
另外，根据实施方式的检测方法，由于在没有形成器件D的外周剩余区域GR中形成第2槽R2，因此，无需为了将第2槽R2定位在规定的位置而遍及分割预定线B的全长形成第2槽R2。因此，能够进一步抑制对器件D的影响，并且，能够抑制第2切口检查步骤ST3所需要的时间。
[变形例]
基于附图对本发明的实施方式的变形例涉及的激光加工槽的检测方法进行说明。图12是示出实施实施方式的变形例涉及的激光加工槽的检测方法的激光加工装置的激光光线照射构件的结构的图。并且，在图12中，对与实施方式相同的部分标记相同的标号并省略说明。
如图12所示，在实施实施方式的变形例涉及的检测方法的激光加工装置1的激光光线照射构件20中，聚光透镜26由互相分体的第1聚光透镜26-1和第2聚光透镜26-2构成。第1聚光透镜26-1和第2聚光透镜26-2与卡盘工作台10的保持面10a对置地设置在壳体21的末端部。第1聚光透镜26-1使第1激光光线L1聚光于晶片W的正面，通过分束镜24后的第1激光光线L1经由反射镜29入射至第1聚光透镜26-1。第2聚光透镜26-2使第2激光光线L2聚光于晶片W的正面，通过光束调整构件25后的第2激光光线L2入射至第2聚光透镜26-2。
根据实施方式的变形例的检测方法，与实施方式相同地，能够尽可能抑制第2槽R2的位置偏移对器件D的影响。另外，根据实施方式的变形例的检测方法，由于由使第1激光光线L1聚光的第1聚光透镜26-1和使第2激光光线L2聚光的第2聚光透镜26-2构成，因此，能够抑制激光光线L1、L2分别对聚光透镜26-1、26-2的影响，从而能够抑制偏移Z1、Z2，并且，能够抑制第1和第2切口检查步骤ST1、ST2的频率。
并且，在前述的实施方式中，在形成第1槽R1之前实施了第1切口检查步骤ST1，并在形成第2槽R2之前实施了第2切口检查步骤ST3。可是，在本发明中，也可以在任意的时刻实施第1切口检查步骤ST1和第2切口检查步骤ST3。例如，也可以对完全没有进行加工的晶片W实施第2切口检查步骤ST3，也可以预先将外周剩余区域GR留下而不进行加工，并在任意的时刻实施第2切口检查步骤ST3。另外，在本发明中，也可以在外周剩余区域GR的分割预定线B的两侧形成第1槽R1，来实施第1切口检查步骤ST1。另外，关于外周剩余区域GR，也可以是：不是在晶片W的整个外周(360度)上都不形成第1槽R1和第2槽R2，而是仅在晶片W的外周的一部分(例如180度)上不形成第1槽R1和第2槽R2，预先将为了切口检查而不形成槽R1、R2的部分留下来。
并且，本发明并不限定于上述实施方式和变形例。即，能够在不脱离本发明的主旨的范围内进行各种变形来实施。

Claims (2)

1.一种激光加工槽的检测方法，其是在晶片的加工方法中为了将第1槽和第2槽定位于规定的位置而检测该第1槽和该第2槽的位置的检测方法，
在所述晶片的加工方法中，使用激光加工装置向晶片照射第1激光光线，至少在分割预定线的两侧形成第1槽，然后利用第2激光光线形成槽的边缘部与该第1槽重叠的第2槽，
所述晶片具备：器件区域，在该器件区域中，利用层叠在晶片的正面的层叠体在由形成为格子状的分割预定线划分出的区域中形成有器件；和外周剩余区域，该外周剩余区域围绕该器件区域，
所述激光加工装置包括：卡盘工作台，其保持晶片；激光光线照射构件，其对保持在该卡盘工作台上的晶片照射对于该晶片具有吸收性的波长的激光光线，在晶片的正面形成激光加工槽；和摄像构件，其对晶片的正面进行摄像，
该激光光线照射构件具备：激光振荡器；1/2波长板，从该激光振荡器振荡出的激光光线入射至该1/2波长板；分支构件，其将通过该1/2波长板后的激光光线分支为第1激光光线和第2激光光线；光束调整构件，其调整该第2激光光线的光束直径；和聚光透镜，其使该第1激光光线和通过该光束调整构件后的该第2激光光线会聚，该激光光线照射构件通过该1/2波长板选择性地照射该第1激光光线和该第2激光光线，
所述激光加工槽的检测方法的特征在于，
在检测该第1槽的位置时，通过第1激光光线在该分割预定线处形成该第1槽，在形成该第2槽之前，利用该摄像构件对该第1槽进行摄像，检测出该第1槽的位置，
在检测该第2槽的位置时，通过该第2激光光线在晶片的没有形成该第1槽的该外周剩余区域的分割预定线处形成该第2槽，并利用该摄像构件对该第2槽进行摄像，检测出该第2槽的位置，将该第1槽和该第2槽定位于规定的位置。
2.根据权利要求1所述的激光加工槽的检测方法，其特征在于，
所述激光加工装置的所述聚光透镜由使所述第1激光光线会聚的第1聚光透镜和使所述第2激光光线会聚的第2聚光透镜构成。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114882032A (zh) * 2022-07-11 2022-08-09 苏州镭明激光科技有限公司 半导体的刻槽检测与智能感知加工方法和系统

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017177194A (ja) * 2016-03-31 2017-10-05 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP6788182B2 (ja) * 2016-08-22 2020-11-25 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2020098831A (ja) * 2018-12-17 2020-06-25 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP7356630B2 (ja) * 2019-12-11 2023-10-05 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工装置の制御方法
JP7486379B2 (ja) 2020-08-13 2024-05-17 株式会社ディスコ レーザー加工方法およびチップの製造方法
JP7153851B2 (ja) * 2020-10-27 2022-10-17 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2022071402A (ja) * 2020-10-28 2022-05-16 株式会社東京精密 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP2023146872A (ja) * 2022-03-29 2023-10-12 株式会社東京精密 レーザ光補正方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466908A (en) * 1992-02-18 1995-11-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards
JP2001201863A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp 露光装置
US20060124615A1 (en) * 2003-05-22 2006-06-15 Masayuki Azuma Laser dicing device
CN102773611A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103579064A (zh) * 2012-08-02 2014-02-12 株式会社迪思科 板状工件中心检测方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005064231A (ja) * 2003-08-12 2005-03-10 Disco Abrasive Syst Ltd 板状物の分割方法
JP4338536B2 (ja) * 2004-01-23 2009-10-07 住友重機械工業株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP5101073B2 (ja) * 2006-10-02 2012-12-19 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工装置
JP5473415B2 (ja) * 2009-06-10 2014-04-16 株式会社ディスコ レーザ加工装置
JP2012030268A (ja) * 2010-08-02 2012-02-16 Pioneer Electronic Corp レーザ加工装置及び方法
JP5762005B2 (ja) * 2011-01-13 2015-08-12 株式会社ディスコ 加工位置調製方法及び加工装置
JP2013197108A (ja) * 2012-03-15 2013-09-30 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハのレーザー加工方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5466908A (en) * 1992-02-18 1995-11-14 Fujitsu Limited Method and apparatus for cutting patterns of printed wiring boards and method and apparatus for cleaning printed wiring boards
JP2001201863A (ja) * 2000-01-21 2001-07-27 Nikon Corp 露光装置
US20060124615A1 (en) * 2003-05-22 2006-06-15 Masayuki Azuma Laser dicing device
CN102773611A (zh) * 2011-05-12 2012-11-14 株式会社迪思科 晶片分割方法
CN103579064A (zh) * 2012-08-02 2014-02-12 株式会社迪思科 板状工件中心检测方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114882032A (zh) * 2022-07-11 2022-08-09 苏州镭明激光科技有限公司 半导体的刻槽检测与智能感知加工方法和系统
CN114882032B (zh) * 2022-07-11 2022-10-18 苏州镭明激光科技有限公司 半导体的刻槽检测与智能感知加工方法和系统

Also Published As

Publication number Publication date
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JP2015154009A (ja) 2015-08-24
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KR102148917B1 (ko) 2020-08-28

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