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CN104781721B - 包括焦距调整结构的光学模块和光学模块的制造 - Google Patents

包括焦距调整结构的光学模块和光学模块的制造 Download PDF

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CN104781721B CN201380058876.5A CN201380058876A CN104781721B CN 104781721 B CN104781721 B CN 104781721B CN 201380058876 A CN201380058876 A CN 201380058876A CN 104781721 B CN104781721 B CN 104781721B
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Abstract

制造光学装置可包括将多个单切透镜系统安装于衬底之上；调整所述衬底在至少一些所述透镜系统下方的厚度，以提供用于所述透镜系统的相应焦距校正；以及随后将所述衬底分成多个光学模块，所述光学模块中的每一个包括被安装于所述衬底的一部分之上的所述透镜系统中的一个。调整所述衬底的厚度可包括例如微机械加工所述衬底以在至少一些所述透镜系统下方形成相应孔洞，或在至少一些所述透镜系统下方添加一或多个层，以便校正所述透镜系统的焦距的变化。

Description

包括焦距调整结构的光学模块和光学模块的制造
技术领域
本公开涉及用于照相机和其它装置的光学模块。本发明也涉及使用晶片级制造步骤来制造这类模块的方法。
背景技术
在装置尤其是光学装置的制造期间，例如由于工艺步骤的一或多个中的或多或少不可避免的变化或不准确度，可能存在制造不规则性或制造偏差。例如，当光学装置包括一或多个透镜元件时，晶片(称为光学晶片)上大量的这类透镜元件尽管具有相同的标称焦距，但仍将典型地具有稍微变化的焦距。在一些情况下，焦距可对应于法兰焦距(FFL)，它指的是装置的最后物理平面(即，装置中最靠近传感器的物理平面)与装置的透镜系统的焦平面之间的距离。更一般来说，焦距可指代任何焦距参数(例如，有效焦距(EFL))。在任何情况下，焦距的变化可造成透镜系统的焦平面偏离图像传感器平面，从而可导致低劣的图像质量。
发明内容
本公开描述光学装置和制造光学装置的方法。描述了各种方法，所述方法提供用于透镜系统的焦距调整，以便校正透镜系统的焦距的变化。
例如，在一个方面中，制造光学装置的方法包括将多个单切透镜系统安装于衬底之上；调整衬底在至少一些透镜系统下方的厚度，以提供用于透镜系统的相应焦距校正；以及随后，将衬底分成多个光学模块，所述光学模块中的每一个包括被安装在衬底的一部分之上的透镜系统中的一个。在一些实施方式中，调整衬底的厚度可包括微机械加工以在至少一些透镜系统下方形成相应孔洞，以便校正透镜系统的焦距的变化。在一些实施方式中，调整衬底的厚度可包括在至少一些透镜系统下方添加一或多个层，以便校正透镜系统的焦距的变化。
在另一个方面中，制造光学装置的方法包括将多个单独透镜堆叠放置在衬底上；在透镜堆叠中的一或多个下方的位置处微机械加工衬底，以便调整透镜堆叠的焦距；以及随后，将衬底切成多个光学模块，所述光学模块中的每一个包括在衬底的相应部分上的透镜堆叠中的一或多个。
所描述的制造技术可在一些实施方式中为有利的，因为所述制造技术允许在单独透镜系统被安装于法兰焦距(flange focal length；FFL)校正衬底上之前测试所述单独透镜系统。这种测试允许只有那些满足指定要求(例如，通过光学或其它测试)的透镜堆叠被选择用于后续制造步骤，并且被安装于FFL校正衬底上。
根据另一方面，制造光学装置的方法包括将多个透镜系统附接到衬底的第一侧(即，透镜堆叠侧)，所述衬底由对预定波长或波长范围的光为实质上透明的材料构成；将通道FFL校正层提供于衬底的第二侧(即，传感器侧)上；以及除去通道FFL校正层的选定部分，以便调整至少一些透镜系统的相应焦距变化。在一些实施方式中，代替除去通道FFL校正层的选定部分以便调整相应焦距变化，在需要校正焦距变化的位置提供一或多个通道FFL校正层。
根据另一态样，设备包括具有厚度的衬底，所述厚度从衬底的一个区域到另一个区域有所变化。多个单切光学系统被安装在衬底之上，其中光学系统中的相应光学系统被设置在衬底的不同区域之上，以便对至少一些光学系统提供焦距校正。可提供衬底的不同区域的厚度，例如以便校正透镜系统的焦距的变化。
在另一个方面中，光学模块包括衬底，所述衬底由对波长范围的特定波长的光为透明的材料构成；以及多个透镜系统，其附接到衬底的第一侧之上，其中每一个透镜系统具有相应光轴，所述光轴与衬底相交，并且对应于模块中的相应光学通道。模块包括设置在衬底的不同区域之上的多个滤色层，其中每一个透镜系统的光轴与滤色层的相应滤色层相交。间隔件被设置在衬底之上、介于相应一对滤色层之间，并且间隔件对波长范围的特定波长的光为实质上不透明的。也可在衬底的底表面上提供不透明(例如，黑色)涂层。模块包括通道FFL校正层，其中透镜系统中的至少一个的光轴与通道FFL校正层相交。也可提供模块FFL校正层。图像传感器被附接到衬底的第二侧之上。
描述包括多个光学通道的模块以及单通道模块。在一些情况下，FFL校正衬底的厚度可按需要调整，以提供用于多通道模块的单独通道的FFL校正，并且可提供间隔件来总体上提供用于模块的FFL校正。在模块仅包括单个光学通道的情形中，可提供间隔件，并且调整它们的高度来提供用于光学通道的所需FFL校正。
在一些情况下，代替将单切透镜系统安装于FFL校正衬底上，将包括多个透镜堆叠的光学器件/间隔件堆叠附接到FFL校正衬底。
其它方面、特征和优点将根据以下详述、附图以及权利要求书而明白。
附图说明
图1是根据本发明的方法的流程图。
图2至图5示出根据第一制造工艺的步骤。
图6是从第一制造工艺得到的光学模块的实例。
图7至图9示出根据第二制造工艺的步骤。
图10和图11示出FFL校正层上的透镜堆叠阵列的实例。
图12和图13示出包括多个FFL校正层的FFL校正衬底的实例。
图14和图15示出FFL多层衬底上的透镜堆叠阵列的实例。
图16和图17示出具有另外特征的FFL校正衬底的实例。
图18-24、图24A-24B、图25、图25A和图26-29示出用于制造传感器模块的制造工艺的实例，所述传感器模块包括安装在FFL校正结构上的透镜堆叠阵列。
图30至图32示出包括具有FFL校正结构的透镜堆叠阵列的模块的其它实例。
图33示出根据本发明的单通道模块的实例。
图34示出用于制造单通道模块的晶片级技术。
图35至图38示出用于形成光学器件/间隔件堆叠的晶片级技术，所述光学器件/间隔件堆叠包括多个透镜堆叠。
具体实施方式
如由图1所示，制造多个光学模块的方法可包括以晶片级执行各种步骤，并且在每一个装置中并入用于校正或以其它方式调整光学元件的焦距变化的特征结构。在本发明的情形中，晶片可例如由以下材料构成：聚合物材料(例如，可硬化材料，如可热固化或可紫外固化的聚合物)、玻璃材料、半导体材料或包含金属和聚合物或聚合物和玻璃材料的复合材料。一般来说，晶片涉及实质上盘状或板状形状物品，以使得其在一个方向(z方向或垂直方向)上的尺寸相对于其在其它两个方向(x方向和y方向或侧向方向)上的延伸范围较小。多个类似的结构或物品可被布置或提供在(非空白)晶片上或所述晶片中，例如，矩形栅格上。晶片可具有开口(即，孔洞)，并且晶片甚至可在其侧向区域的主要部分中不含材料。
如由图1所示，可例如作为晶片级工艺的一部分来制造多个透镜堆叠(方框20)。使用切片或其它技术将透镜堆叠彼此分成单独的透镜堆叠(方框22)。然后将单独透镜堆叠中的一些或所有安装(例如，附接)于FFL校正衬底上(方框24)，如以下所解释的，所述FFL校正衬底可包括一或多个FFL校正层。透镜堆叠可例如使用如胶合剂或环氧树脂的粘结材料安装于FFL校正衬底上。作为焦距变化校正或调整的一部分，每一个透镜堆叠的焦距可被单独地测量。例如通过微机械加工FFL校正衬底来调整或校正透镜堆叠的焦距变化(方框26)。微机械加工步骤可包括例如研磨、钻进、激光烧蚀、蚀刻和/或光刻法以及其它技术。然后可通过切片或一些其他工艺来分离单独透镜堆叠(方框28)。
尽管前述步骤中的一些是以晶片级来执行，但将单独透镜堆叠安装于FFL校正衬底上(即，方框24)优选地通过将单独(即，单切的)透镜堆叠放置在FFL校正衬底上来执行。这种方法可为有利的，因为它允许单独透镜堆叠在被安装于FFL校正衬底上之前进行测试。这种测试允许只有那些满足指定要求(例如，通过光学或其它测试)的透镜堆叠被选择用于后续制造步骤，并且被安装于FFL校正衬底上。然而，可将一个、两个或更多个透镜堆叠同时地放置于FFL校正衬底上。
图2-5示出用于制造多个光学模块的方法的实例。如图2所示，晶片级工艺用于通过将多个晶片附接来形成晶片堆叠而形成多个透镜堆叠40。在这个实例中，每一个透镜堆叠40包括一个垂直于另一个来布置的成对无源光学部件，如塑料透镜42A-42C和44A-44C。复制或其它技术可用于在光学晶片46A、46B的相应表面上形成透镜，所述光学晶片可通过间隔晶片48A、48B彼此附接。透镜可例如通过折射和/或通过衍射将光重新导向。因此，透镜可具有大体上凸面形状，或透镜可为不同形状，例如，大体上或部分地为凹面。透镜42A-42C和44A-44C中的每一个可具有标称焦距；例如，透镜42A-42C可具有相同的第一标称焦距，并且透镜44A-44C可具有相同的第二标称焦距，以便每一个透镜堆叠的总焦距大约相同。然而，在实际应用中，透镜的焦距可偏离其相应标称焦距(例如，由于制造限制而造成)。
在所示的实例中，在每一个透镜堆叠40的顶部处，围绕开口提供挡板50。挡板50可防止不合需要的光以特定角度进入或离开透镜堆叠40。挡板50可例如由实质上衰减或阻挡特定波长下或一定波长范围中的光的材料构成。
图2的晶片堆叠然后被切片成单独透镜堆叠40，图3中示出所述单独透镜堆叠的实例。然后可测试单独透镜堆叠40，并且将满足任何测试要求或其它规范的那些透镜堆叠安装于FFL校正衬底52上，如图4所示。光学通道的光轴由虚线41指示。FFL校正衬底52可例如由具有指定性质(例如，允许特定波长或特定波长范围内的光通过而很少衰减或无衰减)的透明材料(例如，玻璃)构成。
测量安装于FFL校正衬底52上的每一个透镜堆叠40的焦距，并且测定相对于传感器的图像平面的偏移量。基于所得测量值，将FFL校正衬底52微机械加工(如果需要)，以校正每一个透镜堆叠40的焦距变化。微机械加工可包括在特定透镜堆叠40下方的FFL校正衬底52的传感器侧中形成孔洞或其它开口54。孔洞54的深度可有所变化，并且在一些情况下，透镜堆叠40中的一或多个可不需要孔洞(例如，如果不需要校正或调整焦距)。孔洞提供空气空间，其产生对透镜堆叠的相应焦距变化的调整。衬底52的材料的折射率不同于(例如，大于)孔洞54中真空或空气的折射率。因此，通过依赖于相关联光学部件的焦距与相应标称焦距的偏差来调整每一个孔洞54的深度，可至少在某种程度上补偿偏差。可选择孔洞的深度，例如，以便所有透镜堆叠的所得焦距实质上彼此相同。替代地，FFL校正层可通过光刻技术来调整，当使用数个层FFL校正层时(参见图26和图27)，所述光刻技术可为尤其有益的。这例如对包括透镜阵列的光学装置的制造来说可为尤其有用的。
在将透镜堆叠40安装于FFL校正衬底52上之后，相邻透镜堆叠之间的间隙可利用不透明材料56(例如，黑色环氧树脂)来填充(或部分地填充)，以便每一个透镜堆叠由不透明壁围绕，从而有助于防止杂散光在后续使用期间进入透镜堆叠。然后将FFL校正衬底52(和不透明材料56，如果存在的话)切片或以其它方式分离以便形成单独光学模块，所述单独光学模块中的每一个包括具有FFL校正结构的透镜堆叠40。图6中示出这种光学模块60的实例。
在图2-6的实例中，每一个透镜堆叠40包括彼此垂直对准的透镜阵列。在其它实施方式中，透镜堆叠可包括不同数量的透镜、不同类型的透镜或不同布置的透镜。因此，透镜堆叠40是透镜系统的实例，所述透镜系统可被并入光学模块60中。透镜系统可包括一或多个透镜或可为聚焦或非聚焦的其它无源光学元件。
在图2-6的实例中，透镜堆叠40是使用晶片级工艺制造，所述晶片级工艺包括将多个衬底晶片以一个在另一个顶部的方式堆叠以形成晶片堆叠，随后进行切片以提供单独透镜堆叠。在其它实施方式中，透镜堆叠可使用注塑成型技术来制造。例如，如图7和图8所示，通过注塑成型制造的一或多个塑料透镜70、72被引入透镜镜筒或其它透镜支架74中以形成透镜系统，在这种情况下为透镜堆叠80。透镜镜筒74可例如由如热塑性材料(例如，具有填料的聚碳酸酯或具有玻璃纤维的液晶聚合物)的不透明材料形成，并且透镜镜筒74在其顶端处包括开口76以允许光进入或退出。
然后可将透镜堆叠80以类似于以上结合图4所述的方式安装于FFL校正衬底52上(即，将单独单切的透镜堆叠80安装于FFL校正衬底52上)。测量安装于FFL校正衬底52上的每一个透镜堆叠80的焦距，并且基于所得测量值，将FFL校正衬底52微机械加工(如果需要)以调整每一个透镜堆叠80的焦距变化。如以上结合图5所述，微机械加工可包括在特定透镜堆叠80下方的FFL校正衬底52的传感器侧表面中形成孔洞54(参见图9)。孔洞54的深度可有所变化，并且在一些情况下，透镜堆叠80中的一或多个可不需要孔洞(例如，如果不需要校正或调整焦距)。然后将FFL校正衬底52切片或以其它方式分离以便形成单独光学模块，所述单独光学模块中的每一个包括具有FFL校正结构的透镜堆叠80。
在前文说明的实例中，每一个模块包括单个透镜堆叠。然而，在其它实施方式中，每一个模块可包括两个或更多个透镜堆叠。在一些情况下，每一个模块包括透镜堆叠的阵列(例如，2x2阵列、3x3阵列、4x4阵列或MxN阵列，其中M和N是正整数，它们可为相同或彼此不同的)。在这些实施方式中，透镜堆叠的MxN阵列可如例如图10和图11所示附接到FFL校正衬底52。例如，图10示出以晶片级技术制造的透镜堆叠40的MxN阵列，而图11示出通过注塑成型技术形成的透镜堆叠40的MxN阵列。在将FFL校正层52切片之后，每一个模块将包括并排对准的多个透镜堆叠。
FFL校正衬底52可由单层构成，如图5和图9的实例。然而，在其它实施方式中，FFL校正衬底52可包括不同材料的多个层，这取决于所得光学模块的所需光学性质。例如，图12示出FFL校正衬底由底部层52A和顶部层52B构成的实例。在所示的实例中，用于FFL校正的孔洞形成在底部层52A中。图13示出FFL校正层包括底部层52C、中间层52D和顶部层52E的实例。在所示的实例中，用于FFL校正的孔洞54形成在底部层52C中。各种FFL层可例如由玻璃材料和/或聚合物材料构成。透镜堆叠的MxN阵列也可被安装于多层FFL校正衬底上。图14和图15中示出实例，图中分别示出在FFL校正衬底52上的由不同材料的多个层52A、52B构成的透镜堆叠40的MxN阵列。在一些实施方式中，FFL校正衬底可由多于两个的不同层构成。
在一些实施方式中，一或多个滤色片和/或红外线(IR)滤光片可被提供在FFL校正衬底52上，以便获得所得光学模块的所需光学性质。滤色片可包括例如单色红色、绿色和蓝色滤光片或拜耳型滤光片。此外，在一些实施方式中，可提供IR滤光片或中性密度滤光片。图16中示出实例，所示实例包括FFL校正衬底52的透镜堆叠侧上的IR滤光层90和IR滤光层上的滤色片92。滤色片被设置在对应于每一个透镜堆叠(例如，透镜堆叠40或80)的光学通道的位置处。因此，透镜堆叠40(或80)可例如安装在滤色片92中的每一个上或之上。
此外，在一些实施方式中，每一个光学模块包括多个透镜堆叠。例如，第一透镜堆叠可与发光元件(例如，LED)对准，并且第二透镜堆叠可与光检测元件(例如，光电二极管)对准。在这种情况下，FFL校正衬底52上的滤色片92可具有彼此不同的光学性质，并且交叉通道杂散光减少特征结构可被提供在两个通道之间。如图16中所示，交叉通道杂散光减少可通过黑色涂层94顶部上的黑色间隔件96来实现。在一些实施方式中，黑色间隔件96被直接应用于FFL校正衬底52或IR滤光层90(即，无黑色涂层94)。黑色间隔件96和黑色涂层94是对预定波长范围内(例如，光谱的可见光部分，光谱的IR部分，和/或光谱的UV部分中)的光实质上不透明的。适合的涂布技术包括例如旋涂、喷涂和溅镀。这类涂布技术可用于提供黑色涂层94、IR滤光层90和/或滤色涂层92。多个透镜堆叠40(或80)可被安装于单个FFL校正衬底52上，然后可将FFL校正衬底52微机械加工以调整相应焦距变化。FFL校正衬底52然后可在适当位置被切片，以便每一个模块包括一对透镜堆叠而不仅仅是单个透镜堆叠。
在一些实施方式中，黑色(即，不透明)涂层可被添加至FFL校正衬底的底部(即，传感器侧)表面，添加至FFL校正层中一或多个的底表面，和/或添加在相邻FFL校正层之间。图17示出玻璃FFL校正衬底52的实例，所述玻璃FFL校正衬底52具有IR滤光片90、滤色片92和在黑色涂层94的顶部上的黑色间隔件96，以用于FFL校正衬底52的透镜堆叠侧上的交叉通道杂散光减少。衬底52的传感器侧包括通道FFL校正层100和模块FFL校正层102。通道FFL校正层100可提供针对两个通道(即，C1和C2)而言不同的FFL校正或调整。模块FFL校正层102可提供对所有光学通道相等应用的另一FFL校正或其它调整。黑色涂层104可被提供来帮助减少光学模块中的杂散光。涂布技术(例如，旋涂、喷涂和溅镀)可用于提供黑色涂层104和/或通道FFL校正层100。在特定实施方式中，FFL校正层的厚度大致如下：400μm的FFL校正衬底52、25μm的FFL校正层100，和150μm的FFL校正层102。
图18至图29示出用于制造传感器模块的示例性制造工艺，所述传感器模块包括安装于FFL校正结构上的透镜堆叠阵列，所述FFL校正结构具有类似于图17的那些特征的各种特征。如图18所示，玻璃或其它衬底202用作第一FFL校正衬底。虚垂直线204指示光学通道的光轴的位置。IR滤光层206可被涂布在衬底202的透镜堆叠侧(即，将要安装透镜堆叠的侧面)上。如图19所示，FFL衬底202的整个传感器侧(即，将要附接传感器的侧面)由黑色涂层208(即，吸收入射在其表面上的所有或实质量的光的材料，或对特定波长或波长范围为实质上不透明的材料)涂布。涂层208可有助于减少由杂散光引起的光学串扰或干扰。光刻技术可用于除去涂层208的部分，以便在光学通道的附近提供开口210，如图20所示。
如图21中所示，FFL衬底202的透镜堆叠侧由第一滤色层212涂布。接着，第一滤色层212的部分例如通过光刻技术除去，通道开口210的选定开口之上的区域除外(参见图22)。对第二滤色层214重复前述步骤，以使得如图23所示，每一个通道开口210由第一滤色层212或第二滤色层214中的一个覆盖。在所示的实例中，通道开口210上的区域由第一滤色层212或第二滤色层214交替地覆盖。第一滤色层和第二滤色层允许选定波长或波长范围(例如，红色、绿色或蓝色)通过。在一些实施方式中，应用多于两个的不同滤色片。例如，在一些情况下，应用三色滤光片以便获得红色、绿色和蓝色通道。
如图24所示，黑色间隔件216(即，由吸收入射于其表面上的所有或实质量的光的材料或对特定波长或波长范围中的实质上所有光为不透明的材料构成)提供于FFL衬底202的透镜堆叠侧上、介于成对的相邻滤色片212、214之间。可例如由真空注入技术形成的黑色间隔件216可有助于减少交叉通道杂散光。在这种情况下，FFL校正晶片可位于真空吸盘上，并且可使具有间隔件区段的PDMS工具与FFL校正晶片接触。施加真空，并且将不透明、可固化环氧树脂材料注入工具中以在FFL校正晶片上形成间隔件。环氧树脂材料可通过施加UV辐射硬化。替代地，压花技术可用于形成黑色间隔件216。在一些实施方式中，另外的黑色间隔件216A可被提供于滤色片212、214的侧面上，以使得黑色间隔件216A以栅格状方式围绕滤色片，如图24A和图24B所示。黑色间隔件216的大小和位置可取决于将要放置在衬底202上的上覆透镜堆叠的尺寸。
如图25所示，单独透镜堆叠或透镜堆叠的MxN阵列218被附接在FFL衬底202的透镜堆叠侧之上。如果IR滤光层206不存在，那么MxN阵列218可被直接附接到FFL衬底202的透镜堆叠侧。另外，MxN阵列218可被附接到IR滤光层206的上表面。如果黑色间隔件216如图24A围绕滤色片，那么透镜堆叠可被直接安装于黑色间隔件216上，如图25A所示。
接着，测量MxN阵列218中每一个透镜堆叠的FFL。然后将通道FFL校正层220附接或涂覆(例如，通过涂布技术，如旋涂、喷涂或溅镀)到FFL衬底202的传感器侧，如图26中所示。通道FFL层220可例如由玻璃材料和/或聚合物材料构成。基于每一个透镜堆叠的FFL测量值，使用光刻技术来除去通道FFL校正层220在各种透镜堆叠下方的部分，以便实现透镜堆叠的所需FFL值。因为透镜堆叠可具有不同FFL值，所以可需要不同量的通道FFL校正层220来实现各种透镜堆叠的校正FFL值(参见图27)。对一些透镜堆叠来说，可不需要FFL校正，在这种情况下，可整体除去通道FFL校正层220在那些特定透镜堆叠下方的区域。在其它情况下，可除去通道FFL校正层220在特定透镜堆叠下方的区域中的一部分。在其它情况下，可不除去通道FFL校正层220在特定透镜堆叠下方的部分。因此，取决于实施方式，可存在用于所有透镜系统或仅一些透镜系统中的通道FFL校正层220。此外，最终通道FFL校正层220的厚度可在一个透镜系统与下一个透镜系统之间变化，这取决于每一个透镜系统需要的FFL校正量。
接着，如图28所示，可例如在FFL衬底202的传感器侧处附接间隔件222(例如，附接到黑色涂层208的下表面)，从而可增加模块的稳定性。在一些实施方式中，间隔件222通过真空注入技术来提供。间隔件222可用作模块FFL校正层。间隔件222的高度可针对每一个模块(例如，透镜堆叠的每一个2x2阵列)单独调整，以便补偿FFL变化。这些调整可例如使用微机械加工技术来执行。单个模块可例如通过沿切片线224进行切片而分离。
然后可将图像传感器226附接到间隔件222的下侧，如图29所示。图像传感器226可包括例如多个发光元件和/或感光元件，它们分别与模块中的不同光学通道204对准。每一个透镜系统上部是相应的开口228，所述开口228实质上与透镜系统的特定透镜系统的光轴204对准，并且允许光进入或退出模块。前述技术可提供具有一或多个透镜堆叠的模块，所述透镜堆叠具有使用FFL校正结构调整来实现有效期待值的FFL值。
在一些实施方式中，图18-29的各种步骤可以不同次序执行。例如，有可能在涂覆黑色涂层208之前处理滤色片212、214和黑色间隔件216。也可能在透镜堆叠被附接到FFL校正结构之前单独地测量透镜堆叠的FFL，并且在不附接透镜堆叠的情况下继续进行后续处理步骤(例如，如图26、图27、图28、图30或图31)。在一些情况下，一些步骤可省略或可增加另外的步骤。取决于实施方式，涂层206、208、212、214可涂覆于FFL校正衬底202或通道FFL校正层220的透镜侧或传感器侧。
取决于特定透镜堆叠所需的FFL补偿量，可提供多个通道FFL校正层220A、220B。图30中示出实例，图中示出：使用第一通道FFL校正层用于一些透镜堆叠，并且使用第一通道FFL校正层220A和第二通道FFL校正层220B用于其它透镜堆叠。
代替使用光刻技术除去通道FFL校正层220的部分(参见，以上结合图26和图27的描述)，微机械加工技术可用于除去通道FFL校正层220的部分(参见图31)。在这种情况下，用于模块的FFL校正间隔件222可被附接到通道FFL校正层220(参见图31)，代替被附接到黑色涂层208。
在前述实例中，通道FFL校正层220被附接在FFL校正衬底202的传感器侧处(即，图像传感器侧上)。在一些实施方式中，通道FFL校正层220可被附接到FFL校正衬底202的透镜堆叠侧。例如，如图32中所示，通道FFL校正层220可被提供在滤色层212、214之上、处于需要FFL校正的那些透镜堆叠的特定光学通道中。通道FFL校正层220可例如在安装透镜堆叠之前添加。光刻技术可用于形成通道FFL校正层220。这类技术可例如在透镜堆叠显示相对均匀和可再现的FFL变化的情况下尤其有用。
如以上结合图28对包括多个光学通道的模块所述，可按需要添加FFL校正层202来提供用于单独通道的FFL校正，并且可添加间隔件222来总体上提供用于模块的FFL校正。在模块仅包括单个光学通道(而不是多个通道)的情形中，可将间隔件附接到透明衬底202，并且调整它们的高度来提供用于光学通道的所需FFL校正。因为模块仅包括单个光学通道，所以不需要包括独立的FFL校正层220。图33中示出这种模块的实例，图中示出经由第一间隔件216A附接到透明盖件202的透镜堆叠40。经由第二间隔件222将透明盖件202的传感器侧附接到包括光检测元件(例如，光电二极管)240的图像传感器238。在以上所述的这个和其他实施方式中，间隔件216A、222可例如为环状，并且可例如通过真空注入来形成。图像传感器238被安装在衬底242上。
图33的单通道模块可例如使用晶片级技术来制造。如图34所示，第一间隔件352被附接到透明晶片354的一侧，并且第二间隔件356被附接到透明晶片404的第二侧。间隔件晶片可用于提供第一间隔件352和第二间隔件356。在一些实施方式中，间隔件352、356通过真空注入技术形成于透明晶片354上。透明晶片354可例如由玻璃或聚合物材料构成，而间隔件352、356可例如由不透明材料构成。单切注塑成型透镜堆叠40被附接到第一间隔件352。然后测量每一个透镜堆叠40的FFL，并且在需要时，附接透镜堆叠40的间隔件356的高度可被调整来提供用于光学通道的FFL校正。间隔件356的高度可例如通过微机械加工或其它技术来调整。然后将传感器侧间隔件晶片356附接到安装于衬底晶片(例如，印刷电路板晶片)358上的相应图像传感器238。所得堆叠可被分离(例如，通过切片分离)以获得单通道模块。
在前述实例中，将透镜堆叠安装于FFL校正衬底上优选地通过将单独(即，单切的)透镜堆叠放置在FFL校正衬底上来执行。然而，在一些实施方式中，代替将单切透镜堆叠放置在FFL校正衬底上，可将透明光学晶片304的堆叠302(每一个光学晶片具有多个透镜306)放置在FFL校正衬底308上(参见图35)。光学晶片304的堆叠302可包括不透明的间隔件310A、310B，所述间隔件将光学晶片304彼此分离并且与FFL校正衬底308分离。
间隔件/光学器件堆叠302可使用例如热稳定粘着剂附接到FFL校正衬底308。为防止杂散光，如沟槽312的开口形成在透镜堆叠之间，并且随后由不透明材料填充(参见图36)。沟槽312应全部延伸穿过两个晶片304的厚度，并且优选地，沟槽312应至少部分地延伸到下间隔件310B中。在一些情况下，沟槽312可延伸至FFL校正衬底308的上表面。沟槽312可例如通过切片、微机械加工或激光切割技术来形成。如以下所解释，沟槽312随后可由不透明材料填充，以便在透明晶片304的各种部分的侧壁上提供不透明层。
如图37所示，真空注入PDMS工具314被放置在间隔件/光学器件堆叠302之上，以便促进由不透明材料(例如，具有炭黑的环氧树脂)填充沟槽312。真空吸盘316被提供在间隔件/光学器件堆叠302下方并且围绕所述间隔件/光学器件堆叠，以便在真空注入工具314与FFL校正衬底308之间施加真空。可将不透明材料注入真空吸盘316中的入口318中。接近真空吸盘316的出口的真空泵320促进所注入不透明材料的流动。不透明材料的实例包括含有炭黑(或另一暗色颜料)或无机填料或染料的UV固化环氧树脂或热固化环氧树脂(或其它聚合物)。在一些实施方式中，将添加剂嵌入环氧树脂(或其它聚合物)中。
在由不透明材料、在真空下填充沟槽312之后，使材料硬化(例如，通过UV或热固化来硬化)，并且从间隔件/光学器件堆叠302移去工具314。如图38所示，结果是：不透明区域322(例如，具有炭黑的环氧树脂)形成在透明光学晶片304的相邻部分之间。不透明区域322的顶部部分可实质上与透明光学晶片304的各种部分的外表面齐平，并且不透明区域322的顶部部分可由与间隔件310A、310B相同的不透明材料或不同的不透明材料构成。在一些实施方式中，由不透明材料构成的挡板晶片被附接到光学器件/间隔件堆叠302之上。在其它实施方式中，可省略挡板晶片。
在形成不透明区域322并且除去真空注入工具314之后，可如上所述处理FFL校正衬底308。因此，例如，制造光学装置的方法可包括将包括多个透镜系统的光学器件/间隔件堆叠附接到透明FFL校正衬底之上。在一些情况下，穿过光学器件/间隔件堆叠的部分形成如沟槽的开口，所述开口将透镜系统彼此分离，并且然后用不透明材料填充开口。可调整衬底在至少一些透镜系统下方的厚度，以提供用于透镜系统的相应焦距校正。调整衬底的厚度可包括在至少一些透镜系统下方除去FFL校正衬底的选定部分，或添加一或多个层，以便校正透镜系统的焦距的变化。随后，FFL校正衬底可被分成多个光学模块，所述光学模块中的每一个包括被安装在FFL校正衬底的一部分之上的透镜系统中的一或多个。由不透明材料覆盖所得模块的侧面，包括透明衬底上形成有透镜的侧面，所述不透明材料可有助于减少杂散光进入模块。
其它实施方式在权利要求书的范围内。

Claims (10)

1.一种包括焦距调整的光学模块的装置，其包括：
衬底(202)，其由对特定波长或波长范围的光为透明的材料构成；
一个或多个第一间隔件(216；216A)，其被设置在所述衬底的第一侧上，其中所述一个或多个第一间隔件对所述特定波长或波长范围的光为实质上不透明的；
安装在所述衬底的所述第一侧之上的多个单切光学系统，每个单切光学系统包括多个透镜系统，其中每一个所述透镜系统具有相应光轴，所述光轴与所述衬底(202)相交并且对应于所述光学模块之一中的相应光学通道；
多个光学滤光片(90；92；206；212；214)，其中每一个透镜系统的所述光轴与相应光学滤光片(90；92；206；212；214)相交；
通道FFL校正层(220)，
其中所述通道FFL校正层(220)附接或涂覆到所述衬底(202)，
其中多个所述透镜系统的所述光轴与所述通道FFL校正层(220)相交；以及
其中所述通道FFL校正层(220)的与所述光轴相交的相应部分彼此具有不同的厚度；以及
多个第二间隔件(222)，所述多个第二间隔件附接到所述衬底的第二侧以附接图像传感器，其中与所述单切光学系统中的不同单切光学系统相关联的所述多个第二间隔件中的至少两个第二间隔件的高度不同，以用作对于相关单切光学系统的模块FFL校正层。
2.如权利要求1所述的装置，其中所述通道FFL校正层(220)由玻璃或聚合物材料构成。
3.如权利要求1所述的装置，其中不到全部的所述透镜系统的所述光轴与所述通道FFL校正层(220)相交。
4.如权利要求1所述的装置，其中所述通道FFL校正层(220)被设置在所述衬底(202)的所述第二侧之上。
5.如权利要求1所述的装置，其中所述通道FFL校正层(220)被设置在所述衬底(202)的所述第一侧之上。
6.如权利要求1所述的装置，其进一步包括在所述衬底(202)的所述第一侧之上的IR滤光层(90；206)。
7.如权利要求6所述的装置，其中所述多个光学滤波片包括设置在所述IR滤光层(90；206)上的多个滤色层(212；214)。
8.如权利要求1所述的装置，其中所述多个光学滤波片包括第一滤色层(212)和第二滤色层(214)，所述第一滤色层和第二滤色层中的每一个允许不同波长或波长范围通过，其中所述透镜系统中的第一个的所述光轴与所述第一滤色层(212)相交，并且所述透镜系统中的第二个的所述光轴与所述第二滤色层(214)相交。
9.如权利要求1所述的装置，其进一步包括在所述衬底(202)的所述第二侧上的涂层(208)，其中所述涂层对所述特定波长或波长范围的所述光为实质上不透明的，并且被设置在一对所述光学通道之间。
10.如权利要求1所述的装置，其中所述通道FFL校正层(220)包括多个层(220A，220B)。
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Families Citing this family (52)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10298834B2 (en) 2006-12-01 2019-05-21 Google Llc Video refocusing
KR102107575B1 (ko) 2012-05-17 2020-05-08 헵타곤 마이크로 옵틱스 피티이. 리미티드 웨이퍼 스택 조립
US9858649B2 (en) 2015-09-30 2018-01-02 Lytro, Inc. Depth-based image blurring
US10334151B2 (en) 2013-04-22 2019-06-25 Google Llc Phase detection autofocus using subaperture images
US9543354B2 (en) 2013-07-30 2017-01-10 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules that have shielding to reduce light leakage or stray light, and fabrication methods for such modules
WO2015126328A1 (en) 2014-02-18 2015-08-27 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US20150244904A1 (en) * 2014-02-27 2015-08-27 Genius Electronic Optical Co., Ltd. Lens with combined barrel and holder
US20150281601A1 (en) * 2014-03-25 2015-10-01 INVIS Technologies Corporation Modular Packaging and Optical System for Multi-Aperture and Multi-Spectral Camera Core
SG11201700008WA (en) 2014-07-23 2017-02-27 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Light emitter and light detector modules including vertical alignment features
US9711552B2 (en) * 2014-08-19 2017-07-18 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic modules having a silicon substrate, and fabrication methods for such modules
WO2016140855A1 (en) 2015-03-05 2016-09-09 Corning Optical Communications LLC A connector device for connecting at least one optical fiber end piece to an electric terminal
US9627559B2 (en) 2015-03-16 2017-04-18 Omnivision Technologies, Inc. Optical assemblies including dry adhesive layers and associated methods
US10341632B2 (en) 2015-04-15 2019-07-02 Google Llc. Spatial random access enabled video system with a three-dimensional viewing volume
US10412373B2 (en) 2015-04-15 2019-09-10 Google Llc Image capture for virtual reality displays
US10567464B2 (en) 2015-04-15 2020-02-18 Google Llc Video compression with adaptive view-dependent lighting removal
US10440407B2 (en) 2017-05-09 2019-10-08 Google Llc Adaptive control for immersive experience delivery
US10444931B2 (en) 2017-05-09 2019-10-15 Google Llc Vantage generation and interactive playback
US11328446B2 (en) 2015-04-15 2022-05-10 Google Llc Combining light-field data with active depth data for depth map generation
US10085005B2 (en) 2015-04-15 2018-09-25 Lytro, Inc. Capturing light-field volume image and video data using tiled light-field cameras
US10275898B1 (en) 2015-04-15 2019-04-30 Google Llc Wedge-based light-field video capture
US10419737B2 (en) 2015-04-15 2019-09-17 Google Llc Data structures and delivery methods for expediting virtual reality playback
WO2016168415A1 (en) * 2015-04-15 2016-10-20 Lytro, Inc. Light guided image plane tiled arrays with dense fiber optic bundles for light-field and high resolution image acquisition
US10565734B2 (en) 2015-04-15 2020-02-18 Google Llc Video capture, processing, calibration, computational fiber artifact removal, and light-field pipeline
US10546424B2 (en) 2015-04-15 2020-01-28 Google Llc Layered content delivery for virtual and augmented reality experiences
US10540818B2 (en) 2015-04-15 2020-01-21 Google Llc Stereo image generation and interactive playback
US10469873B2 (en) 2015-04-15 2019-11-05 Google Llc Encoding and decoding virtual reality video
US9979909B2 (en) 2015-07-24 2018-05-22 Lytro, Inc. Automatic lens flare detection and correction for light-field images
JP6670565B2 (ja) * 2015-07-31 2020-03-25 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 積層レンズ構造体の製造方法及び型
WO2017023211A1 (en) * 2015-08-06 2017-02-09 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical modules including customizable spacers for focal length adjustment and/or reduction of tilt, and fabrication of the optical modules
US20170047362A1 (en) * 2015-08-13 2017-02-16 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optoelectronic module with customizable spacers
WO2017034483A1 (en) * 2015-08-27 2017-03-02 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical assemblies including a spacer adhering directly to a substrate
CN105223756B (zh) * 2015-10-06 2018-03-09 瑞声光电科技(常州)有限公司 阵列式镜头模组
EP3374815B1 (en) * 2015-11-12 2022-09-28 Heptagon Micro Optics Pte. Ltd. Optical element stack assemblies
CN105445889B (zh) 2015-12-02 2019-01-01 宁波舜宇光电信息有限公司 采用分体式镜头的摄像模组及其组装方法
US10732376B2 (en) 2015-12-02 2020-08-04 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera lens module and manufacturing method thereof
US10651624B2 (en) 2016-01-11 2020-05-12 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules having features for improved alignment and reduced tilt
US10353167B2 (en) * 2016-02-29 2019-07-16 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera lens module with one or more optical lens modules and manufacturing method thereof
US10466501B2 (en) 2016-05-26 2019-11-05 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules including an optical system tilted with respect to a focal plane
US10275892B2 (en) 2016-06-09 2019-04-30 Google Llc Multi-view scene segmentation and propagation
US10679361B2 (en) 2016-12-05 2020-06-09 Google Llc Multi-view rotoscope contour propagation
JP6976688B2 (ja) * 2017-01-26 2021-12-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 カメラモジュールおよびその製造方法、並びに電子機器
US10594945B2 (en) 2017-04-03 2020-03-17 Google Llc Generating dolly zoom effect using light field image data
US10474227B2 (en) 2017-05-09 2019-11-12 Google Llc Generation of virtual reality with 6 degrees of freedom from limited viewer data
US10354399B2 (en) 2017-05-25 2019-07-16 Google Llc Multi-view back-projection to a light-field
US10545215B2 (en) 2017-09-13 2020-01-28 Google Llc 4D camera tracking and optical stabilization
US10965862B2 (en) 2018-01-18 2021-03-30 Google Llc Multi-camera navigation interface
KR102680471B1 (ko) 2018-10-23 2024-07-03 삼성전자주식회사 소형 분광 유닛 및 생체 신호 측정 장치
DE112019006685T5 (de) * 2019-01-17 2021-10-07 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur herstellung von elektronischen vorrichtungen und elektronische vorrichtungen
TWI722528B (zh) * 2019-08-08 2021-03-21 巴奇尼資本私人有限公司 光學模組及其製造方法與焊接光學模組於電路板的方法
CN112394426A (zh) * 2019-08-13 2021-02-23 巴奇尼资本私人有限公司 光学模组及其制造方法与焊接光学模组于电路板的方法
US11586099B2 (en) * 2020-09-21 2023-02-21 Aptiv Technologies Limited Automotive camera with integrated induction heater
TWI846530B (zh) * 2023-06-30 2024-06-21 晉弘科技股份有限公司 影像感測模組製作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6934460B2 (en) * 2001-02-09 2005-08-23 Digital Optics Corp Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
WO2007030226A2 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Cypress Semiconductor Corporation Backside thinned image sensor with integrated lens stack

Family Cites Families (38)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040012698A1 (en) * 2001-03-05 2004-01-22 Yasuo Suda Image pickup model and image pickup device
JP2004096079A (ja) * 2002-07-11 2004-03-25 Sharp Corp 光電変換装置、画像読取装置および光電変換装置の製造方法
US7388714B2 (en) 2002-09-18 2008-06-17 Dmetrix, Inc. Independent focus compensation for a multi-axis imaging system
KR101227544B1 (ko) * 2004-01-26 2013-01-31 디지털옵틱스 코포레이션 이스트 서브 픽셀 해상도를 가진 박형 카메라
US8953087B2 (en) 2004-04-08 2015-02-10 Flir Systems Trading Belgium Bvba Camera system and associated methods
US8049806B2 (en) 2004-09-27 2011-11-01 Digitaloptics Corporation East Thin camera and associated methods
JP2006259657A (ja) * 2004-06-11 2006-09-28 Seiko Epson Corp 電気光学装置、及びその製造方法、並びに電気光学装置を用いた電子機器
US20070001094A1 (en) * 2005-06-29 2007-01-04 Micron Technology, Inc. Infrared filter for imagers
US8045280B2 (en) 2006-10-11 2011-10-25 Polight As Compact adjustable lens
US7446385B2 (en) * 2007-03-02 2008-11-04 Micron Technology, Inc. Methods of fabricating optical packages, systems comprising the same, and their uses
US7692256B2 (en) 2007-03-23 2010-04-06 Heptagon Oy Method of producing a wafer scale package
TWI484237B (zh) 2007-12-19 2015-05-11 Heptagon Micro Optics Pte Ltd 用於攝影裝置的光學模組、擋板基板、晶圓級封裝、及其製造方法
WO2009104669A1 (ja) * 2008-02-20 2009-08-27 コニカミノルタオプト株式会社 撮像レンズ、撮像装置、携帯端末、および撮像レンズの製造方法
JP5009209B2 (ja) * 2008-03-21 2012-08-22 シャープ株式会社 ウエハ状光学装置およびその製造方法、電子素子ウエハモジュール、センサウエハモジュール、電子素子モジュール、センサモジュール、電子情報機器
WO2009122934A1 (ja) * 2008-03-31 2009-10-08 コニカミノルタオプト株式会社 光学素子集合体及び光学ユニットの製造方法
WO2009125654A1 (ja) * 2008-04-08 2009-10-15 コニカミノルタオプト株式会社 レンズブロックの製造方法、レンズブロック、撮像レンズ、撮像装置及び携帯端末
EP2109143B1 (en) * 2008-04-09 2013-05-29 Sony Corporation Solid-state imaging device, production method thereof, and electronic device
US8237832B2 (en) * 2008-05-30 2012-08-07 Omnivision Technologies, Inc. Image sensor with focusing interconnections
WO2010002784A2 (en) * 2008-07-01 2010-01-07 The University Of Utah Research Foundation Lens actuator
US7813043B2 (en) * 2008-08-15 2010-10-12 Ether Precision, Inc. Lens assembly and method of manufacture
JP4966931B2 (ja) * 2008-08-26 2012-07-04 シャープ株式会社 電子素子ウエハモジュールおよびその製造方法、電子素子モジュールおよびその製造方法、電子情報機器
WO2010074743A1 (en) 2008-12-22 2010-07-01 Tessera North America, Inc. Focus compensation for thin cameras
US8450821B2 (en) * 2009-03-26 2013-05-28 Micron Technology, Inc. Method and apparatus providing combined spacer and optical lens element
US8184195B2 (en) * 2009-04-01 2012-05-22 Aptina Imaging Corporation Lens shielding structures for digital image sensors
CN102668082B (zh) * 2009-10-20 2015-09-30 Flir系统贸易比利时有限公司 用于光学元件的聚焦补偿及其应用
WO2011063347A2 (en) 2009-11-20 2011-05-26 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
TWI404406B (zh) 2009-12-15 2013-08-01 Lite On Technology Corp 影像擷取裝置
TWI425597B (zh) 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 具有黑色膠體之影像感測器封裝結構
JP2011180292A (ja) * 2010-02-26 2011-09-15 Fujifilm Corp レンズアレイ
JP2013531812A (ja) 2010-06-14 2013-08-08 ヘプタゴン・オサケ・ユキチュア 複数の光学装置の製造方法
SG187643A1 (en) 2010-08-17 2013-03-28 Heptagon Micro Optics Pte Ltd Method of manufacturing a plurality of optical devices for cameras
US9075182B2 (en) 2011-06-03 2015-07-07 VisEra Technology Company Limited Camera module and spacer of a lens structure in the camera module
US9184199B2 (en) * 2011-08-01 2015-11-10 Lytro, Inc. Optical assembly including plenoptic microlens array
CN103890948B (zh) 2011-08-25 2017-12-01 新加坡恒立私人有限公司 具有前焦距校正的光学器件的晶片级制造
US20130160832A1 (en) * 2011-12-22 2013-06-27 Andreas Krause Marking of a substrate of a solar cell
US8804032B2 (en) * 2012-03-30 2014-08-12 Omnivision Technologies, Inc. Wafer level camera module with snap-in latch
US20130286282A1 (en) * 2012-04-27 2013-10-31 Toppan Printing Co., Ltd. Camera Module and Manufacturing Method Thereof
US20130314583A1 (en) * 2012-05-22 2013-11-28 Himax Technologies Limited Wafer level camera module array

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6934460B2 (en) * 2001-02-09 2005-08-23 Digital Optics Corp Compensation and/or variation of wafer level produced lenses and resultant structures
WO2007030226A2 (en) * 2005-09-07 2007-03-15 Cypress Semiconductor Corporation Backside thinned image sensor with integrated lens stack

Also Published As

Publication number Publication date
EP2914997A1 (en) 2015-09-09
KR102161763B1 (ko) 2020-10-06
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KR20150082416A (ko) 2015-07-15

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