CN104576969A - 一种柔性光电器件的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种柔性光电器件的制备方法，在玻璃载板制作有粗糙区域的一面上设置柔性聚合物基板，再置于腔室内进行高温、高压处理使得聚合物分子逐渐与玻璃表面的—OH形成氢键，使得柔性聚合物基板贴合于玻璃载板表面。低粗糙区域增强柔性聚合物基板在玻璃载板上的附着力；高粗糙区域与柔性聚合物基板在玻璃载板上的附着力小，在器件的裁切工艺后可轻易将该区域的柔性聚合物基板与之所承载的光电器件从玻璃载板上剥离出来。在柔性聚合物基板的固定过程中未使用粘合剂、也未设置牺牲层，工艺步骤更加简单；而且，基板表面平整度高，有利于后续光电器件的制备过程。
Description
技术领域
本发明涉及柔性电子器件领域，具体涉及一种柔性光电器件的制备方法。
背景技术
有机电致发光二极管（英文全称为Organic Light-Emitting Diodes，简称为OLED）、有机太阳能电池（英文全称为Organic Photovoltaic，简称为OPV）、有机薄膜场效应晶体管（英文全称为Organic Thin Film Transistor，简称为OTFT）、有机光泵浦激光器（英文全称为Organic Semiconductor Lasers，简称为OSL）等光电器件最具魅力的所在就是可以实现柔性化，具体是将有电器件制作在柔性聚合物基板上，如聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、聚矾醚（PES）、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等，这些聚合物基板可以使得光电器件弯曲，并且可以卷成任意形状。
因为聚合物基板存在硬度低、热膨胀系数高、耐高温性能差等特点，在受热或受力的情况下易出现卷曲或剥落分离的现象，在器件的制备过程中会导致严重的缺陷；因此，不能简单地将常规的以玻璃等刚性材料为基板的光电器件的制备方法简单移植到聚合物柔性基板上。现有技术中一般通过先将聚合物基板固定在刚性基板上，如玻璃基板，以完成基板的传送和各段工艺的制备，器件封装完毕后再将柔性基板连同器件从刚性基板上剥离，最终形成柔性光电器件。
中国专利CN102651331A公开了一种柔性电子器件的制备方法，具体为：先采用光刻工艺制备基板托盘，即在刚性基板（如玻璃基板）上刻蚀出多个凹槽，形成凹槽区，凹槽区的外围是平面状的边缘区；将柔性基板放置在基板托盘的上方，将附带柔性基板的基板托盘放入腔室内做抽真空处理，并通过化学气相沉积或物理气相沉积在柔性基板上方沉积固定层，固定层为导电层或绝缘层，固定层的外边缘覆盖延伸到柔性基板的外边界以外，由此将柔性基板固定在基板托盘上；在柔性基板上进行电子器件的加工工艺；通过在固定层上涂布光刻胶、进行预固化、曝光、显影，对显影区域进行刻蚀，刻蚀掉该区域上的固定层，将柔性基板与基板托盘上其他区域的光刻胶剥离掉，柔性基板与基板托盘之间的真空被释放，柔性基板与基板托盘分离。与现有技术中常用的在刚性基板与柔性基板之间设置牺牲层，器件制备完成后再将牺牲层除去以达到柔性基板与刚性基板剥离的技术相比，上述制备方法工艺更加简单。但是上述制备方法多次采用光刻技术，还存在工艺成本高的问题，而且在器件与刚性基板剥离的过程中，易出现胶体污染等问题；承载基板上设置有凹槽，在真空状态下就会破坏柔性基板表面的平整度，影响到后续器件制备过程以及器件的性能。
发明内容
为此，本发明所要解决的现有技术中柔性光电器件的制备工艺中工艺成本高，基板表面平整度低的问题，提供工艺简单、基板表面平整度高的柔性光电器件的制备方法。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明所述的一种柔性光电器件的制备方法，包括如下步骤：
S1、在玻璃载板上制备若干高粗糙区域和若干围绕所述高粗糙区域的低粗糙区域，每一高粗糙区域和围绕所述高粗糙区域的低粗糙区域形成一器件制备单元区域；
S2、在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板，再置于腔室内进行高温、高压处理；
S3、在所述高粗糙区域所对应的所述柔性聚合物基板表面进行光电器件的制备与封装；
S4、将所述高粗糙区域中所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件进行裁切，并将所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件从所述玻璃载板上剥离。
步骤S4之后还包括如下步骤：
S5、在所述器件制备单元区域中存留的所述柔性聚合物基板上制备掩膜层，并通过掩膜层对所述柔性聚合物基板进行灰化处理，在柔性聚合物基板上形成贯通通道；
S6、将步骤S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板的所述玻璃载板置于含有H2O气体的腔室内进行加热处理，再将剩余所述柔性聚合物基板从所述玻璃载板上剥离。
步骤S1中所述低粗糙区域的粗糙度为Ra<0.1，所述高粗糙区域的粗糙度为0.3<Ra<0.5。
步骤S2中所述高温、高压步骤中温度为200～250℃，压力为0.3～0.5MPa。
步骤S2中所述高温、高压步骤的处理时间为30～90分钟。
步骤S5中所述掩膜层为设置有微孔的金属遮蔽层。
所述金属遮蔽层的厚度为0.1～0.5mm，所述微孔的孔径为40～100μm。
步骤S6中所述加热步骤的加热温度为180～220℃。
步骤S6中所述加热步骤的处理时间为20～60分钟。
步骤S2中所述柔性聚合物基板直接放置或通过旋转涂布、化学气相沉积、真空蒸镀的方法设置在所述玻璃载板上。
步骤S2中优选将所述柔性聚合物基板直接放置在所述玻璃载板上。
步骤S2中所述高温、高压步骤前还包括抽真空处理，真空度为10-4～10-2Pa。
步骤S1中所述高粗糙区域和所述低粗糙区域通过酸法刻蚀工艺制备。
步骤S3中所述光电器件的制备步骤之前，还包括在所述柔性聚合物基板上制备包括至少2层阻隔单元层和至少1层平坦化单元层交替设置的水氧阻隔层，所述阻隔单元层包括呈阵列分布的若干阻隔单元，所述平坦化单元层包括呈阵列分布的若干平坦化单元，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所述阻隔单元上。
所述阻隔单元的材料相同或者不同，选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅、非晶碳中的一种或多种的组合。
所述平坦化单元的材料选自聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、本发明提供一种柔性光电器件的制备方法，其中，在玻璃载板中器件制备单元区域上设置柔性聚合物基板，再置于腔室内进行高温、高压处理；高温、高压条件下，柔性聚合物基板中聚合物分子能量加大，运动速度加快，逐渐挣脱聚合物分子间氢键的束缚，使得氢键断开；而玻璃载板的表面具有大量的—Si—OH，根据勒沙特列原理，高温、高压下，聚合物分子逐渐与玻璃表面的—OH形成氢键，使得柔性聚合物基板贴合于玻璃载板表面。在所述器件制备单元区域上制备用于器件制备的高粗糙区域和用于柔性基板粘附的低粗糙区域，所述低粗糙区域环绕所述高粗糙区域；低粗糙区域表面的—OH数量相对较多，柔性聚合物基板和玻璃载板的附着性较好。而用于器件制备的区域设置成高粗糙区域，使得该区域的玻璃载板与柔性聚合物基板的接触面积减少，从而降低了该区域柔性聚合物基板与玻璃载板间氢键的数量，在不影响光电器件制备的情况下尽量减少柔性聚合物基板的附着性，在器件的裁切工艺后可轻易将该区域的柔性聚合物基板与之所承载的光电器件从玻璃载板上剥离出来，制备工艺简单。
2、本发明提供一种柔性光电器件的制备方法，在柔性聚合物基板的固定过程中未使用粘合剂、也未设置牺牲层，工艺步骤更加简单；基板裁切时未采用光刻工艺，无须进行光刻胶的清除等步骤，步骤简单也不会出现胶体污染等问题，工艺成本低；而且，基板表面平整度高，所述高粗糙区域的粗糙度Ra仅为0.3～0.5，有利于后续光电器件的制备过程。
3、本发明提供一种柔性光电器件的制备方法，其中，在所述器件制备单元区域存留的柔性聚合物基板上制备掩膜层，并通过掩膜层对所述柔性聚合物基板进行灰化处理，在柔性聚合物基板上形成贯通通道；再置于含有H2O气体的腔室内进行加热处理，在此条件下，所述贯通通道边缘的聚合物分子容易与H2O分子形成氢键而逐渐取代与玻璃载板表面的—OH间的氢键，使得剩余所述柔性聚合物基板可轻易从所述玻璃载板上剥离，玻璃载板可以重复利用，而且工艺简单，易于实施。
4、本发明提供一种柔性光电器件的制备方法，在柔性聚合物基板上还设置包括至少2层阻隔单元层和至少1层平坦化单元层交替设置的水氧阻隔层，所述阻隔单元和所述平坦化单元均呈周期排布，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所述阻隔单元上，这样能够保证相邻阻隔单元层能相互覆盖组成单元之间的缝隙位置，有效阻挡水氧的横向穿透，有效保障了器件的性能和使用寿命。而且所述柔性聚合物基板能在大于所述平坦化单元的尺度范围内任意尺寸裁切，简化了柔性光电器件的工艺步骤，降低了生产成本。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是本发明中玻璃载板分区示意图；
图2A是本发明玻璃载板中所述高粗糙区域微观示意图；
图2B是本发明玻璃载板中所述高粗糙区域与所述柔性聚合物基板贴合后的截面图；
图3A是本发明玻璃载板中所述低粗糙区域微观示意图；
图3B是本发明玻璃载板中所述低粗糙区域与所述柔性聚合物基板贴合后的截面图；
图4是实施例1中所述光电器件的截面图；
图5A是本发明中所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件从所述高粗糙区域剥离后所述玻璃基板的示意图；
图5B是图5A中沿A-A’线的截面图；
图6是本发明中在光电器件剥离后在残留的所述柔性聚合物基板上设置掩膜层的截面示意图；
图7是本发明中对所述柔性聚合物基板进行灰化工艺后的截面示意图；
图8是本发明中所述低粗糙区域所述柔性聚合物基板剥离的机理图。
图中附图标记表示为：1-玻璃载板、11-高粗糙区域、12-低粗糙区域、2-柔性聚合物基板、3-缓冲层、41-栅极绝缘层、42-半导体沟道层、43-层间介质层、44-栅极、45-源极、46-漏极、5-平坦化层、6-阳极、7-有机功能层、8-阴极、9-封装层、10-掩膜层、13-贯通通道。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的实施方式作进一步地详细描述。然而，本发明可以多种不同的方式来实现而不局限于在此描述的实施例。相反地，下述所提供的实施例，对本领域的技术人员来说，使得本发明充分公开并且完全覆盖本发明的范围。附图中，为了清楚起见，夸大了各层或区域的尺寸和相对尺寸。
除非另有限定，在此所采用的所有术语（包括技术和科技术语）具有与本领域所属技术人员通常所理解的相同意思。
实施例1
本实施例提供一种柔性光电器件的制备方法，具体包括如下步骤：
S1、如图1所示，在玻璃载板1划分4个器件制备单元区域，所述器件制备单元区域由用于器件制备的高粗糙区域11和用于柔性基板粘附的低粗糙区域12组成，所述低粗糙区域12环绕所述高粗糙区域。
所述高粗糙区域11和所述低粗糙区域12通过酸法刻蚀工艺制备，所述粗糙区域的粗糙度为Ra<0.1，本实施例优选为0.05，所述低粗糙区域的厚度为0.1μm；所述高粗糙区域的粗糙度为0.3<Ra<0.5，本实施例优选为0.4，所述高粗糙区域的厚度为0.5μm。作为本发明的其他实施例，还可以通过碱法刻蚀等其他玻璃刻蚀工艺对所述高粗糙区域11和所述低粗糙区域12进行粗糙处理，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S2、在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板2，再置于腔室内进行高温、高压处理；所述柔性聚合物基板2可以直接放置或通过旋转涂布、化学气相沉积、真空蒸镀等聚合物成膜方法设置在所述玻璃载板1上，本实施例优选所述柔性聚合物基板2可以直接放置所述玻璃载板1上，所述柔性聚合物基板2选自但不限于聚乙烯（PE）、聚丙烯（PP）、聚苯乙烯（PS）、聚矾醚（PES）、聚对萘二甲酸乙二醇酯（PEN）、聚酰亚胺（PI）、聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）等，本实施例优选PI基板。先对覆盖有所述柔性聚合物基板2的所述玻璃载板1置于腔室内进行抽真空处理，真空度为0.001Pa，使得所述柔性聚合物基板2与所述玻璃载板1紧密贴合，然后再进行高温、高压处理，腔室内温度为220℃，压力为0.4MPa，处理时间为60分钟。
作为本发明的其他实施例，所述腔室内温度为200～250℃，压力为0.3～0.5MPa，处理时间为30～90分钟均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
作为本发明的其他实施例，对覆盖有所述柔性聚合物基板2的所述玻璃载板1置于腔室内进行抽真空处理时，真空度为10-4～10-2Pa，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板2，再置于腔室内进行高温、高压处理；高温、高压条件下，柔性聚合物基板2中聚合物分子能量加大，运动速度加快，逐渐挣脱聚合物分子间氢键的束缚，使得氢键断开；而所述玻璃载板1的表面具有大量的—Si—OH，根据勒沙特列原理，高温、高压条件下，聚合物分子逐渐与玻璃表面的—OH形成氢键，使得柔性聚合物基板2紧密贴合与玻璃载板1表面。
如图3A与图3B所示，通过酸法刻蚀工艺在所述器件制备单元区域中制成所述低粗糙区域12，所述低粗糙区域12表面的—OH数量相对较多，柔性聚合物基板2在所述玻璃载板1的附着力较大。如图2A与图2B所示，由于所述高粗糙区域11的顶端接触效应，使得该区域柔性聚合物基板2与玻璃载板1之间接触面积减少，从而降低了该区域柔性聚合物基板2与玻璃载板1之间氢键的数量，在不影响光电器件制备的情况下尽量减少柔性聚合物基板2在所述玻璃载板1上的附着力，在器件的裁切工艺后，随着裁切边缘空气的渗入，可轻易将该区域的所述柔性聚合物基板2与之所承载的光电器件从玻璃载板1上剥离出来。
在柔性聚合物基板2的固定过程中未使用粘合剂、也未设置牺牲层，工艺步骤更加简单，也不会出现胶体污染等问题，工艺成本低；而且，所述低粗糙区域12的粗糙度小于0.1，表面粗糙度低，平面较光滑，所述高粗糙区域11的粗糙度（Ra）为0.4，厚度仅为0.5μm，使得所述柔性聚合物基板2表面平整度高，有利于后续光电器件的制备过程。
S3、在所述柔性聚合物基板2表面的所述高粗糙区域11进行光电器件的制备与封装；本实施例中光电器件为主动型OLED器件，作为本发明的其他实施例，所述光电器件还可以为OPV、OTFT、OSL、LCD（液晶显示器）、LED（发光二极管）、PDP（等离子显示装置）、LEC（发光电化学池）等，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
本实施例中所述主动型OLED器件的结构示意图如图4所示，结构与制备工艺同现有技术，包括依次设置在柔性基板2上的缓冲层3，TFT（薄膜场效应管）中的半导体沟道层42、栅极绝缘层41、栅极44，设置在栅极44上的层间介质层43，设置在层间介质层43上的源极45和漏极46；TFT上设置平坦化层5，用于器件结构的平坦化，便于有机发光二极管的制备，所述有机发光二极管有包括阳极6、有机功能层7、阴极8；其中有机功能层7包括有机发光层，以及空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层等结构中的一种或多种的组合。待有机发光二极管制作完毕后可在所述主动型OLED器件上方设置柔性封装层9进行封装。
作为本发明的其他实施例，步骤S3所述光电器件的制备步骤之前，还包括在所述柔性聚合物基板2上制备包括至少2层阻隔单元层和至少1层平坦化单元层交替设置的水氧阻隔层，所述阻隔单元层包括呈阵列分布的若干阻隔单元，所述平坦化单元层包括呈阵列分布的若干平坦化单元，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所述阻隔单元上。这样能够保证相邻阻隔单元层能相互覆盖组成单元之间的缝隙位置，有效阻挡水氧的横向穿透，有效保障了光电器件的性能和使用寿命。而且所述柔性聚合物基板2能在大于所述平坦化单元的尺度范围内任意尺寸裁切，简化了柔性光电器件的工艺步骤，降低了生产成本。
其中，所述阻隔单元的材料相同或者不同，选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅、非晶碳中的一种或多种的组合。
其中，所述平坦化单元的材料选自聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
S4、将所述高粗糙区域11中的所述柔性聚合物基板1与之所承载的所述光电器件进行裁切，并将所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件从所述玻璃载板1上剥离。由于所述高粗糙区域11中所述柔性聚合物基板2与所述玻璃载板1间氢键的数量少，所述柔性聚合物基板2在所述玻璃载板1上的附着力小，在器件的裁切工艺后，由于切口处空气的渗入，可轻易将该区域的所述柔性聚合物基板2与之所承载的光电器件从玻璃载板1上剥离出来。
步骤S4之后还包括：
S5、所述柔性聚合物基板2与之所承载的光电器件从玻璃载板1上剥离后，所述玻璃载板1的结构示意图如图5A和5B所示；在所述玻璃载板1存留的所述柔性聚合物基板2上制备掩膜层10，所述掩膜层10为Ni基合金制成的带有微孔的金属掩膜层，金属掩膜层的厚度为0.2mm，孔径为50μm，如图6所示；并通过掩膜层10对所述柔性聚合物基板2进行灰化处理，在所述柔性聚合物基板2上形成贯通通道13，如图7所示。
作为被发明的可变换实施例，所述掩膜层10可以为带有微孔的金属掩膜层，厚度为0.1～0.5mm，孔径为40～100μm，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
S6、如图8所示，将步骤S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板2的所述玻璃载板1置于含有H2O气体的腔室内进行加热处理，温度为200℃，处理时间为30分钟，腔室内H2O气体的体积密度为10～30g/L，优选为20g/L。在此条件下，所述贯通通道13边缘的聚合物分子容易与H2O分子形成氢键而逐渐取代与所述玻璃载板表面的—OH间的氢键，使得可轻易将剩余所述柔性聚合物基板2从所述玻璃载板1上剥离，所述玻璃载板1可以重复利用，有效降低了工艺成本；而且工艺简单，易于实施。
作为本发明的其他实施例，步骤S6中所述腔室内的温度为180～220℃，处理时间为20～60分钟，均能实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
实施例2
本实施例提供一种柔性光电器件的制备方法，具体步骤同实施例1，唯一不同的是，步骤S2中所述高温、高压步骤中温度为200℃，压力为0.3MPa，所述高温、高压步骤处理时间为30分钟；步骤S6中所述加热步骤的温度为180℃，加热时间为20分钟。
实施例3
本实施例提供一种柔性光电器件的制备方法，具体步骤同实施例1，唯一不同的是，步骤S2中所述高温、高压步骤中温度为250℃，压力为0.5MPa，所述高温、高压步骤处理时间为90分钟；步骤S6中所述加热步骤的温度为220℃，加热时间为60分钟。
使用百格测试法，将上述实施例中步骤2中所制得的所述器件制备单元区域中贴合好的柔性聚合物基板2在不同温度下进行附着力测试。测试方法为：将柔性聚合物基板2和玻璃载板1按本发明所述的方法进行贴合，使用百格刀在柔性基板表面制作出边宽为3mm的小方格，然后使用胶带粘附柔性基板表面并按压，之后将胶带揭开，参考玻璃载板表面的柔性基板方块脱落情况来判断柔性基板和玻璃载板之间的粘附性，粘附性指标参考ASTM D3359标准。测试结果如下表所示：
从上表数据可以看出，本发明提供的一种柔性光电器件的制备方法，所述低粗糙区域粘附力较大，在不使用粘合剂的情况下，可以使得柔性聚合物基板牢固的贴合于玻璃载板上，在不同的温度下不会产生卷曲或剥落分离的现象，适合后续器件制备工艺的进行；而所述高粗糙区域粘附力较小，在所述柔性光电器件制备完成后，经过裁切步骤，可以很容易从所述玻璃载板上剥离，工艺简单、易操作。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。
Claims (16)
1.一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1、在玻璃载板上制备若干高粗糙区域和若干围绕所述高粗糙区域的低粗糙区域，每一高粗糙区域和围绕所述高粗糙区域的低粗糙区域形成一器件制备单元区域；
S2、在所述器件制备单元区域上直接设置柔性聚合物基板，再置于腔室内进行高温、高压处理；
S3、在所述高粗糙区域所对应的所述柔性聚合物基板表面进行光电器件的制备与封装；
S4、将所述高粗糙区域中所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件进行裁切，并将所述柔性聚合物基板与之所承载的所述光电器件从所述玻璃载板上剥离。
2.根据权利要求1所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S4之后还包括如下步骤：
S5、在所述器件制备单元区域中存留的所述柔性聚合物基板上制备掩膜层，并通过掩膜层对所述柔性聚合物基板进行灰化处理，在柔性聚合物基板上形成贯通通道；
S6、将步骤S5制得的部分存留所述柔性聚合物基板的所述玻璃载板置于含有H2O气体的腔室内进行加热处理，再将剩余所述柔性聚合物基板从所述玻璃载板上剥离。
3.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述低粗糙区域的粗糙度为Ra<0.1，所述高粗糙区域的粗糙度为0.3<Ra<0.5。
4.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述高温、高压步骤中温度为200～250℃，压力为0.3～0.5MPa。
5.根据权利要求4所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述高温、高压步骤的处理时间为30～90分钟。
6.根据权利要求2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S5中所述掩膜层为设置有微孔的金属遮蔽层。
7.根据权利要求6所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，所述金属遮蔽层的厚度为0.1～0.5mm，所述微孔的孔径为40～100μm。
8.根据权利要求2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述加热步骤的加热温度为180～220℃。
9.根据权利要求2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S6中所述加热步骤的处理时间为20～60分钟。
10.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述柔性聚合物基板直接放置或通过旋转涂布、化学气相沉积、真空蒸镀的方法设置在所述玻璃载板上。
11.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述柔性聚合物基板直接放置在所述玻璃载板上。
12.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S2中所述高温、高压步骤前还包括抽真空处理，真空度为10-4～10-2Pa。
13.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S1中所述高粗糙区域和所述低粗糙区域通过酸法刻蚀工艺制备。
14.根据权利要求1或2所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，步骤S3中所述光电器件的制备步骤之前，还包括在所述柔性聚合物基板上制备包括至少2层阻隔单元层和至少1层平坦化单元层交替设置的水氧阻隔层，所述阻隔单元层包括呈阵列分布的若干阻隔单元，所述平坦化单元层包括呈阵列分布的若干平坦化单元，所述平坦化单元设置在相邻所述阻隔单元的间隙中并延伸至所述阻隔单元上。
15.根据权利要求14所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，所述阻隔单元的材料相同或者不同，选自氧化铝、氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化锆、氮氧化铝、氮氧化硅、非晶碳中的一种或多种的组合。
16.根据权利要求15所述的一种柔性光电器件的制备方法，其特征在于，所述平坦化单元的材料选自聚丙烯酸酯、聚对二甲苯、聚脲、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚苯乙烯中的一种或多种的组合。
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