CN104103715B - 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 - Google Patents
一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104103715B CN104103715B CN201410303370.2A CN201410303370A CN104103715B CN 104103715 B CN104103715 B CN 104103715B CN 201410303370 A CN201410303370 A CN 201410303370A CN 104103715 B CN104103715 B CN 104103715B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ito
- silicon
- film
- magnetron sputtering
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 35
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 35
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract description 29
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 29
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims abstract description 14
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 238000000137 annealing Methods 0.000 claims abstract description 12
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract description 9
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 53
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 14
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 claims description 12
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 10
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 10
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 claims description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 8
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 abstract description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229910000510 noble metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000005415 magnetization Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000009827 uniform distribution Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F71/00—Manufacture or treatment of devices covered by this subclass
- H10F71/138—Manufacture of transparent electrodes, e.g. transparent conductive oxides [TCO] or indium tin oxide [ITO] electrodes
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/34—Sputtering
- C23C14/35—Sputtering by application of a magnetic field, e.g. magnetron sputtering
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/20—Electrodes
- H10F77/244—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers
- H10F77/247—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. transparent conductive oxide [TCO] layers comprising indium tin oxide [ITO]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、热扩散制p‑n结、去磷硅玻璃、制备ITO电极、背面印刷Al背场和Ag电极、正面印刷Ag主栅线。通过磁控溅射制备双层结构ITO电极，在沉积ITO复合导电薄膜和ITO薄膜并退火结束后，在硅片背面印刷Al背场和Ag电极，在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线而无需印刷Ag副栅线。ITO电极透光率和电导率高且钝化效果好，串联电阻小，电池转换效率可提高0.1%~0.2%；减少了Ag浆料的用量，降低了电池的生产成本。
Description
技术领域
本发明属于太阳能应用技术领域，特别是涉及一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法。
背景技术
电极制作是太阳能电池生产的最后一道工序，它承担着收集硅片中的载流子并将其输送至外部电路的责任，是太阳能电池制程中的关键环节之一。目前，电极的制造主要通过丝网印刷金属浆料，在硅片正面形成Ag电极，在硅片背面形成Ag背电极和Al背场。由于Ag为贵金属，其大约占非硅成本的30%，使得太阳能电池的成本居高不下；此外，由于正面Ag栅线的遮光作用，降低了到达太阳能电池发射极的光子数量，降低了太阳能电池的电流密度，而减少遮光面积需要降低Ag栅线宽度，这对金属浆料性能和网版质量提出了更高的要求；正电极为栅指状分布，使得电池发射极的横向电阻大，引起太阳能电池的串联电阻增大，电池的转换效率难以提高。因此，贵金属电极的这些缺点制约了太阳能电池的飞速发展。
ITO具有高电导率、高透过率、优异的耐磨损性、机械强度和化学稳定性，是目前Ag电极最有潜力的替换材料，具体表现为：可以全部或者部分取代太阳能电池正面的Ag电极，降低太阳能电池制备成本；ITO薄膜透明，其光透过率可达90%以上，可利用的太阳光子数量增多，太阳能电池的电流密度增大；ITO薄膜电阻率低，由于其在硅片表面均匀分布，使得太阳能电池的横向电阻低，大大降低了太阳能电池的串联电阻。
目前用于晶硅电池的正面电极方案如图1所示，其优缺点分别如下：将ITO直接沉积于发射结上，这种方法很简单，电池的制造成本低，但由于ITO薄膜本身无钝化效果，硅片表面的复合速度快，使得电极收集的电流减少，转换效率下降；而且ITO薄膜无退火或者退火工艺不合适，ITO薄膜的电阻率偏高，在正面ITO薄膜上需要印刷Ag电极，即需要印刷主栅和部分的副栅线，Ag的耗量降低量有限。
发明内容
本发明针对上述现有技术存在的不足，提出了一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，ITO电极透光率和电导率高且钝化效果好，串联电阻小，电池转换效率可提高0.1%~0.2%；而且工艺简单，正面不印刷Ag副栅线，大大节约Ag浆料的用量，降低了生产成本。
本发明解决技术问题所采取的技术方案是，一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、热扩散制p-n结、去磷硅玻璃、制备ITO电极、背面印刷Al背场和Ag电极、正面印刷Ag主栅线，所述的制备ITO电极在磁控溅射设备中进行，其特征在于，所述的制备ITO电极按照以下步骤进行：
⑴将去磷硅玻璃的硅片置于阳极，将ITO陶瓷靶以及二氧化硅靶和/或氮化硅靶置于阴极，通入Ar和H2混合气体，启动射频电源，开始磁控溅射，在N+层上沉积一层ITO复合导电薄膜，根据溅射功率大小控制ITO复合导电薄膜中ITO∶二氧化硅∶氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3∶0.01~0.3，或者ITO∶二氧化硅或氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3，并使ITO复合导电薄膜的厚度为10~30nm，光透过率为85%~90%，折射率为1.7~1.9，电阻率5×10-4~1×10-3Ω.cm；
⑵将磁控溅射腔中的气体抽走，继续通入Ar和H2混合气体，并将ITO陶瓷靶材以外的溅射靶材屏蔽，再次开始磁控溅射，在ITO复合导电薄膜上沉积一层纯的ITO薄膜，控制ITO薄膜厚度为30~80nm，光透过率为92%以上，折射率为1.8~1.9，电阻率为1×10-5~3×10-4Ω.cm；
⑶在磁控溅射工艺过程中，硅片的温度控制在250~400℃，使得ITO复合导电薄膜和ITO薄膜沉积过程中一边沉积一边退火；在ITO薄膜沉积结束后，将硅片的温度提高50~150℃，抽走磁控溅射腔体中气体，然后充入H2，继续退火2~20min。
本发明通过磁控溅射制备双层结构ITO电极，在沉积ITO复合导电薄膜和ITO薄膜并退火结束后，在硅片背面印刷Al背场和Ag电极，在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线而无需印刷Ag副栅线。
在本发明中，磁控溅射设备的阴极上设置多个独立的溅射靶材放置区，不同的靶材分别放置，每个靶材对应的电源不同，其功率可以调节，功率越大，溅射出来的组分越多，这个组分在复合薄膜中的比例越高。将ITO陶瓷靶-二氧化硅靶、ITO陶瓷靶-氮化硅靶或ITO陶瓷靶-二氧化硅靶-氮化硅靶组合进行溅射，就能获得相应的ITO复合导电薄膜。
本发明设计双层结构ITO电极，在磁控溅射设备中先后沉积ITO复合导电薄膜和ITO薄膜，并且双层结构即ITO复合导电薄膜和ITO薄膜的制备与退火在磁控溅射设备中一次性完成，工艺简单；ITO电极透光率和电导率高且钝化效果好，串联电阻小，电池转换效率可提高0.1%~0.2%；在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线而不必印刷Ag副栅线，大大减少了Ag浆料的用量，降低了电池的生产成本。
附图说明
图1现有技术晶体硅太阳能电池结构示意图，正面ITO薄膜层上印刷有Ag主栅线和Ag副栅线。其中：1-背面Ag电极、2-Al背场、3-P型Si基片、4-N+层、5- ITO薄膜层、6-正面Ag电极（包括主栅线和副栅线）。
图2本发明晶体硅太阳能电池结构示意图。其中，1-背面Ag电极、2-Al背场、3-P型Si基片、4-N+层、7-ITO复合导电薄膜、8- ITO薄膜层、9-正面Ag主栅线。
具体实施方式
实施例1：一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：湿法制绒；
步骤2：热扩散制p-n结；
步骤3：去磷硅玻璃，并干燥；
步骤4：在磁控溅射设备中制备ITO电极，磁控溅射设备的阴极上设置3个独立的溅射靶材放置区，以分别放置不同的靶材并使每个靶材对应不同的溅射功率和电源；制备过程如下：
⑴将去磷硅玻璃的硅片置于阳极，将ITO陶瓷靶和二氧化硅靶放入溅射靶材放置区，通入Ar和H2混合气体，启动射频电源，开始磁控溅射，在N+层上沉积一层ITO复合导电薄膜，根据溅射功率大小控制ITO复合导电薄膜中ITO∶二氧化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3，并使ITO复合导电薄膜的厚度为10~30nm，光透过率为85%~90%，折射率为1.7~1.9，电阻率5×10-4~1×10-3Ω.cm；
⑵将磁控溅射腔中的气体抽走，继续通入Ar和H2混合气体，并将二氧化硅溅射靶材屏蔽，再次开始磁控溅射，在ITO复合导电薄膜上沉积一层纯的ITO薄膜，控制ITO薄膜厚度为30~80nm，光透过率为92%以上，折射率为1.8~1.9，电阻率为1×10-5~3×10-4Ω.cm；
⑶在磁控溅射工艺过程中，硅片的温度控制在250~400℃，使得ITO复合导电薄膜和ITO薄膜沉积过程中一边沉积一边退火；在ITO薄膜沉积结束后，将硅片的温度提高50~150℃，抽走磁控溅射腔体中气体，然后充入H2，继续退火2~20min；
步骤5：在硅片背面印刷Al背场和Ag电极；
步骤6：在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线。
由上述制备方法获得的晶体硅太阳能电池结构如图2所示。它由下而上包括：背面Ag电极1、Al背场2、P型Si基片3、N+层4、ITO复合导电薄膜7、ITO薄膜层8和Ag主栅线9。其光利用率高、串联电阻小，电池的转换效率能在现有技术的基础上提高0.1%-0.2%。
实施例2：另一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，其中：
步骤1：干法制绒；
步骤4中⑴：将去磷硅玻璃的硅片置于阳极，将ITO陶瓷靶和氮化硅靶放入溅射靶材放置区，通入Ar和H2混合气体，启动射频电源，开始磁控溅射，在N+层上沉积一层ITO复合导电薄膜，根据溅射功率大小控制ITO复合导电薄膜中ITO∶氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3，并使ITO复合导电薄膜的厚度为10~30nm，光透过率为85%~90%，折射率为1.7~1.9，电阻率5×10-4~1×10-3Ω.cm；
步骤4中⑵：将磁控溅射腔中的气体抽走，继续通入Ar和H2混合气体，并将氮化硅溅射靶材屏蔽，再次开始磁控溅射，在ITO复合导电薄膜上沉积一层纯的ITO薄膜，控制ITO薄膜厚度为30~80nm，光透过率为92%以上，折射率为1.8~1.9，电阻率为1×10-5~3×10-4Ω.cm；
其余各步骤均与实施例1相同。
实施例3：又一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，其中：
步骤4中⑴：将去磷硅玻璃的硅片置于阳极，将ITO陶瓷靶、二氧化硅靶和氮化硅靶放入溅射靶材放置区，通入Ar和H2混合气体，启动射频电源，开始磁控溅射，在N+层上沉积一层ITO复合导电薄膜，根据溅射功率大小控制ITO复合导电薄膜中ITO∶二氧化硅∶氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3∶0.01~0.3，并使ITO复合导电薄膜的厚度为10~30nm，光透过率为85%~90%，折射率为1.7~1.9，电阻率5×10-4~1×10-3Ω.cm；
步骤4中⑵：将磁控溅射腔中的气体抽走，继续通入Ar和H2混合气体，并将二氧化硅和氮化硅溅射靶材屏蔽，再次开始磁控溅射，在ITO复合导电薄膜上沉积一层纯的ITO薄膜，控制ITO薄膜厚度为30~80nm，光透过率为92%以上，折射率为1.8~1.9，电阻率为1×10-5~3×10-4Ω.cm；
其余各步骤均与实施例1相同。
Claims (2)
1.一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，包括制绒、热扩散制p-n结、去磷硅玻璃、制备ITO电极、背面印刷Al背场和Ag电极、正面印刷Ag主栅线，所述的制备ITO电极在磁控溅射设备中进行，其特征在于，所述的制备ITO电极按照以下步骤进行：
⑴将去磷硅玻璃的硅片置于阳极，将ITO陶瓷靶以及二氧化硅靶和/或氮化硅靶置于阴极，通入Ar和H2混合气体，启动射频电源，开始磁控溅射，在N+层上沉积一层ITO复合导电薄膜，根据溅射功率大小控制ITO复合导电薄膜中ITO∶二氧化硅∶氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3∶0.01~0.3，或者ITO∶二氧化硅或氮化硅的摩尔比为1∶0.01~0.3，并使ITO复合导电薄膜的厚度为10~30nm，光透过率为85%~90%，折射率为1.7~1.9，电阻率5×10-4~1×10-3Ω.cm；
⑵将磁控溅射腔中的气体抽走，继续通入Ar和H2混合气体，并将ITO陶瓷靶材以外的溅射靶材屏蔽，再次开始磁控溅射，在ITO复合导电薄膜上沉积一层纯的ITO薄膜，控制ITO薄膜厚度为30~80nm，光透过率为92%以上，折射率为1.8~1.9，电阻率为1×10-5~3×10-4Ω.cm；
⑶在磁控溅射工艺过程中，硅片的温度控制在250~400℃，使得ITO复合导电薄膜和ITO薄膜沉积过程中一边沉积一边退火；在ITO薄膜沉积结束后，将硅片的温度提高50~150℃，抽走磁控溅射腔体中气体，然后充入H2，继续退火2~20min。
2.根据权利要求1所述的一种双层结构ITO电极晶体硅太阳能电池的制备方法，其特征在于，退火结束后，在硅片背面印刷Al背场和Ag电极，在硅片正面ITO薄膜上仅印刷Ag主栅线而无需印刷Ag副栅线。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410303370.2A CN104103715B (zh) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410303370.2A CN104103715B (zh) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104103715A CN104103715A (zh) | 2014-10-15 |
| CN104103715B true CN104103715B (zh) | 2016-08-24 |
Family
ID=51671693
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410303370.2A Active CN104103715B (zh) | 2014-06-30 | 2014-06-30 | 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104103715B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105870210A (zh) * | 2016-04-13 | 2016-08-17 | 黄广明 | 一种cigs/cgs双结叠层薄膜太阳电池 |
| CN111403551A (zh) * | 2020-03-24 | 2020-07-10 | 浙江爱旭太阳能科技有限公司 | 一种高效单晶硅perc太阳能电池的制备方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101587913A (zh) * | 2009-06-26 | 2009-11-25 | 上海大学 | 新型sinp硅蓝紫光电池及其制备方法 |
| CN102498573A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-06-13 | 肖特太阳能控股公司 | 晶体太阳能电池、用于制备晶体太阳能电池的方法以及用于制备太阳能电池模组的方法 |
| US8334163B1 (en) * | 2011-11-30 | 2012-12-18 | Au Optronics Corp. | Method of forming solar cell |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4390607B2 (ja) * | 2004-03-26 | 2009-12-24 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
-
2014
- 2014-06-30 CN CN201410303370.2A patent/CN104103715B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101587913A (zh) * | 2009-06-26 | 2009-11-25 | 上海大学 | 新型sinp硅蓝紫光电池及其制备方法 |
| CN102498573A (zh) * | 2009-09-18 | 2012-06-13 | 肖特太阳能控股公司 | 晶体太阳能电池、用于制备晶体太阳能电池的方法以及用于制备太阳能电池模组的方法 |
| US8334163B1 (en) * | 2011-11-30 | 2012-12-18 | Au Optronics Corp. | Method of forming solar cell |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104103715A (zh) | 2014-10-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102299200A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 | |
| CN101710596A (zh) | 一种硅太阳能电池 | |
| CN206364022U (zh) | 一种太阳能薄膜电池 | |
| CN106816493A (zh) | 一种异质结太阳能电池边缘绝缘方法 | |
| CN102820343B (zh) | 具有无发射极区的太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103956391B (zh) | 一种AZO/Si异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN105390555A (zh) | 全背极太阳电池结构及其制备方法 | |
| CN103904151A (zh) | 一种hit太阳能电池及其制备方法 | |
| CN106229383B (zh) | 一种镓元素均匀分布的铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103000738A (zh) | 一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池 | |
| CN106098820A (zh) | 一种新型硒化锑薄膜太阳能电池及其制备方法 | |
| CN104103715B (zh) | 一种双层结构ito电极晶体硅太阳能电池的制备方法 | |
| CN206293472U (zh) | 一种单节钙钛矿太阳能电池及其钙钛矿太阳能电池模块 | |
| CN105552150B (zh) | 单面横向梯度掺杂异质结电池及其制备方法 | |
| CN109309147B (zh) | 一种n型单晶硅基太阳能电池及其制备方法 | |
| CN201532955U (zh) | 一种硅太阳能电池 | |
| CN103066135A (zh) | 一种前电极主栅线与硅衬底隔离的选择性发射极太阳电池及其制备方法 | |
| CN103022163A (zh) | 一种晶硅太阳能电池及其制备方法 | |
| CN210136850U (zh) | 一种异质结太阳能电池设备的加热装置 | |
| CN101872812A (zh) | 非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池铝背电场制备方法 | |
| CN105006501A (zh) | Cigs基薄膜太阳能电池的制备方法及制备装置 | |
| CN104900412A (zh) | 双界面调控的n型单晶硅的处理方法 | |
| CN104966759B (zh) | 一种复合金属电极太阳能电池的制备方法 | |
| CN104167472B (zh) | 一种异质结太阳能电池及其制备方法 | |
| CN103367468A (zh) | 一种太阳电池、组件及太阳电池电极的制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |