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CN104051656A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN104051656A
CN104051656A CN201310077733.0A CN201310077733A CN104051656A CN 104051656 A CN104051656 A CN 104051656A CN 201310077733 A CN201310077733 A CN 201310077733A CN 104051656 A CN104051656 A CN 104051656A
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CN
China
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glass
organic electroluminescence
electroluminescence device
substrate
Prior art date
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Application number
CN201310077733.0A
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周明杰
王平
黄辉
钟铁涛
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明采用折射率大于1.8的光学玻璃作为基底，并且在阳极与玻璃基底之间刮涂铯盐混合溶液制备散射层，煅烧后形成铯单质，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；在玻璃基底背面制备光取出层，从而降低全反射发生几率，提高器件的出光效率。本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极发出。
在传统的发光器件中，一般都是以氧化铟锡透明导电薄膜（ITO）玻璃基底为出光面，这种结构中，光的出射会先经过ITO导电材料的吸收反射，再进行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空气中，但是玻璃和ITO界面之间存在折射率差，会使光从ITO到达玻璃时发生全反射，造成出光的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的光取出层、玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述光取出层的材质为一氧化硅、二氧化硅和氯化镁中的一种；所述散射层材质为铯盐。
在清洁的玻璃基底两面分别设置光取出层和散射层。
优选地，玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，所述光学玻璃对可见光的透过率大于90%。
优选地，玻璃基底选用的玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41和N-LASF44中的一种。
该牌号为德国肖特牌号（SCHOTT），其中，N-LAF36玻璃的国际玻璃码是800424.443，N-LASF31A玻璃的国际玻璃码是883408.551，N-LASF41玻璃的国际玻璃码是835431.485，N-LASF44玻璃的国际玻璃码是804465.444。
光取出层的材质为折射率1.4～1.5的材料，选自一氧化硅（SiO）、二氧化硅（SiO2）和氯化镁（MgCl2）中的一种。
优选地，光取出层的厚度为10～40nm。
当光从玻璃透射出来抵达光取出层时，由于光取出层的材质与玻璃基底的折射率能很好的匹配，使两者间光的全反射减少，可以将光散射到空气中。
散射层的材质为铯盐。
优选地，铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯和叠氮铯中的一种。
优选地，散射层的厚度为5～30nm。
光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间刮涂铯盐混合溶液制备散射层，煅烧后形成铯单质，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中。
而在玻璃基底背面制备折射率为1.5左右的光取出层，可以缩小玻璃与空气间的折射率之差，降低全反射几率，提高出光效率。
在散射层上设置阳极。
优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）和铟锌氧化物（IZO）中的一种。更优选地，阳极的材质为ITO。
优选地，阳极的厚度为80～300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。
在阳极上依次设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为MoO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为TCTA。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为30nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为DCJTB。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为10nm。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为TAZ。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为150nm。
优选地，阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的一种。更优选地，阴极的材质为银。
优选地，阴极的厚度为80～250nm。更优选地，阴极的厚度为150nm。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供清洁的玻璃基底；
在所述玻璃基底的一面热阻蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材质为一氧化硅、二氧化硅和氯化镁中的一种；
再在所述玻璃基底的另一面制备散射层，步骤为：将铯盐、分散剂加入溶剂中得到铯盐混合溶液，再将所述铯盐溶液刮涂在所述玻璃基底的另一面，然后煅烧得到散射层；
在所述散射层上磁控溅射制备阳极，在所述阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
通过对玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有机污染物。
具体地，玻璃基底的清洁操作为：将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗，然后放在异丙醇中浸泡过夜，去除玻璃表面的有机污染物，得到清洁的玻璃基底。
优选地，玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，且对可见光的透过率大于90%。
优选地，玻璃基底选用的玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41和N-LASF44中的一种。
该牌号为德国肖特牌号（SCHOTT），其中，N-LAF36玻璃的国际玻璃码是800424.443，N-LASF31A玻璃的国际玻璃码是883408.551，N-LASF41玻璃的国际玻璃码是835431.485，N-LASF44玻璃的国际玻璃码是804465.444。
光取出层通过热阻蒸镀的方法设置在玻璃基底的一面。
优选地，热阻蒸镀制备光取出层时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度1～10nm/s。
光取出层的材质为折射率1.4～1.5的材料，选自一氧化硅（SiO）、二氧化硅（SiO2）和氯化镁（MgCl2）中的一种。
优选地，光取出层的厚度为10～40nm。
当光从玻璃透射出来抵达光取出层时，由于光取出层的材质与玻璃基底的折射率能很好的匹配，使两者间光的全反射减少，可以将光散射到空气中。
在玻璃基底的另一面制备散射层。
具体地，将铯盐、分散剂加入溶剂中得到铯盐混合溶液，再将所述铯盐混合溶液刮涂在所述玻璃基底的另一面，然后煅烧得到散射层。
优选地，铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯和叠氮铯中的一种。
优选地，分散剂为二乙醇乙醚。
优选地，溶剂为水、乙醇和异丙醇中的一种。
优选地，在铯盐混合溶液中，分散剂的质量分数为0.1-0.5%，铯盐的质量分数为5-40%。
优选地，用玻璃棒来回刮涂，将铯盐混合溶液刮涂在玻璃基底上。
优选地，煅烧的条件为温度300～500°C，时间20～60min。
优选地，散射层的厚度为5～30nm。
光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间刮涂铯盐混合溶液制备散射层，煅烧后形成铯单质，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中。
而在玻璃基底背面制备折射率为1.5左右的光取出层，可以缩小玻璃与空气间的折射率之差，降低全反射几率，提高出光效率。
阳极通过磁控溅射的方法设置在散射层上。
优选地，磁控溅射制备阳极时条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2。
优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）和铟锌氧化物（IZO）中的一种。更优选地，阳极的材质为ITO。
优选地，阳极的厚度为80～300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。
在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
优选地，热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度0.1～1nm/s。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为MoO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为TCTA。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为30nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为DCJTB。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为10nm。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为TAZ。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为150nm。
优选地，热阻蒸镀制备阴极时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度1～10nm/s。
优选地，阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）和金（Au）中的一种。更优选地，阴极的材质为银。
优选地，阴极的厚度为80～250nm。更优选地，阴极的厚度为150nm。
本发明具有如下有益效果：
本发明制备的有机电致发光器件，光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间刮涂铯盐混合溶液制备散射层，煅烧后形成铯单质，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中。而在玻璃基底背面制备折射率为1.5左右的光取出层，可以缩小玻璃与空气间的折射率之差，降低全反射几率，提高出光效率。
本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与对比例的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF44玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-4Pa的条件下，以3nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀SiO制备光取出层，厚度为20nm；
将CsCl溶液、二乙醇乙醚加入水中得到铯盐混合溶液，分散剂所占质量分数为0.2%，铯盐所占质量分数为30%，将该铯盐混合溶液刮涂在清洁的玻璃基底的另一面制备散射层，然后在400°C下煅烧，获得20nm的散射层;
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层之上磁控溅射阳极导电薄膜ITO，厚度为120nm；
（4）在压强为5×10-4Pa的条件下，以0.3nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以3nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备金属阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为10nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为150nm；阴极的材质为银，厚度为150nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：SiO/N-LASF44玻璃/CsCl/ITO/MoO3/TCTA/DCJTB/TAZ/Ag。
图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括依次层叠的光取出层101、玻璃基底102、散射层103、阳极104、空穴注入层105、空穴传输层106、发光层107、电子传输层108和阴极109。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LAF36玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-5Pa的条件下，以1nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀SiO2制备光取出层，厚度为10nm；
将CsF溶液、二乙醇乙醚加入乙醇中得到铯盐混合溶液，分散剂所占质量分数为0.1%，铯盐所占质量分数为40%，将该铯盐混合溶液刮涂在清洁的玻璃基底的另一面制备散射层，然后在500°C下煅烧，获得30nm的散射层；
（3）在加速电压300V，磁场50G，功率密度1W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射AZO制备阳极，厚度为80nm；
（4）在压强为5×10-5Pa的条件下，以0.1nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以1nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为60nm；发光层的材质为BCzVBi，厚度为40nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为40nm；阴极的材质为Pt，厚度为80nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：SiO2/N-LAF36玻璃/CsF/AZO/WO3/TAPC/BCzVBi/Bphen/Pt。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF31A玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-3Pa的条件下，以10nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀MgCl2制备光取出层，厚度为10nm；
将Cs2CO3溶液、二乙醇乙醚加入异丙醇中得到铯盐混合溶液，分散剂所占质量分数为0.5%，铯盐所占质量分数为5%，将该铯盐混合溶液刮涂在清洁的玻璃基底的另一面制备散射层，然后在300°C下煅烧，获得5nm的散射层；
（3）在加速电压800V，磁场200G，功率密度40W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射IZO制备阳极，厚度为300nm；
（4）在压强为2×10-3Pa的条件下，以1nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以10nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为20nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为60nm；发光层的材质为ADN，厚度为5nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为200nm；阴极的材质为Au，厚度为100nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：MgCl2/N-LASF31A玻璃/Cs2CO3/IZO/V2O5/TCTA/ADN/TAZ/Au。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF41玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-4Pa的条件下，以5nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀SiO制备光取出层，厚度为25nm；
将CsN3溶液、二乙醇乙醚加入乙醇中得到铯盐混合溶液，分散剂所占质量分数为0.4%，铯盐所占质量分数为25%，将该铯盐混合溶液刮涂在清洁的玻璃基底的另一面制备散射层，然后在500°C下煅烧，获得10nm的散射层；
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射AZO制备阳极，厚度为150nm；
（4）在压强为2×10-4Pa的条件下，以0.5nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以5nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为80nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为20nm；发光层的材质为Alq3，厚度为35nm；电子传输层的材质为TPBi，厚度为60nm；阴极的材质为Al，厚度为250nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：SiO/N-LASF41玻璃/CsN3/AZO/V2O5/NPB/Alq3/TPBi/Al。
对比例
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供ITO作为阳极，厚度为120nm；
（2）在压强为5×10-4Pa的条件下，以0.3nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以3nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备金属阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为30nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为10nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为150nm；阴极的材质为银，厚度为150nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/MoO3/TCTA/DCJTB/TAZ/Ag。
利用美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试亮度和色度。
图2是本实施例的有机电致发光器件与对比例的电流密度与流明效率的关系图。其中，曲线1为本实施例的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图；曲线2为对比例（结构具体表示为：ITO/MoO3/TCTA/DCJTB/TAZ/Ag）的电流密度与流明效率的关系图。
从图2中可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的流明效率为6.8lm/W，而对比例的仅为4.1lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明通过采用折射率在1.8以上的玻璃基板，在阳极与玻璃基底之间刮涂铯盐混合溶液制备散射层，煅烧后形成铯单质，可以使光线进行散射，使侧向发射的光可以导入到玻璃，从而提高入射光，而在玻璃基底背面制备折射率为1.5左右的光取出层，可以缩小玻璃与空气间的折射率之差，降低全反射几率，提高出光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的光取出层、玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述光取出层的材质为一氧化硅、二氧化硅和氯化镁中的一种；所述散射层的材质为铯盐。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯和叠氮铯中的一种。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，所述光学玻璃对可见光的透过率大于90%。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述光取出层的厚度为10～40nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供清洁的玻璃基底；
在所述玻璃基底的一面热阻蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材质为一氧化硅、二氧化硅和氯化镁中的一种；
再在所述玻璃基底的另一面制备散射层，步骤为：将铯盐、分散剂加入溶剂中得到铯盐混合溶液，再将所述铯盐混合溶液刮涂在所述玻璃基底的另一面，然后煅烧得到散射层；
在所述散射层上磁控溅射制备阳极，在所述阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述铯盐为氟化铯、碳酸铯、氯化铯和叠氮铯中的一种。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述分散剂为二乙醇乙醚。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述溶剂为水、乙醇和异丙醇中的一种。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在所述铯盐混合溶液中，所述分散剂的质量分数为0.1-0.5%，铯盐的质量分数为5-40%。
10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述煅烧条件为温度300～500°C，时间20～60min。
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