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CN104051300A - 基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法 - Google Patents

基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法 Download PDF

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CN104051300A
CN104051300A CN201410090644.4A CN201410090644A CN104051300A CN 104051300 A CN104051300 A CN 104051300A CN 201410090644 A CN201410090644 A CN 201410090644A CN 104051300 A CN104051300 A CN 104051300A
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Abstract

本发明的基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法提高生产能力。基板输送装置具备基板输送部、基板检测部以及控制装置。基板输送部与能够收容多个基板的盒之间交接基板。基板检测部检测在盒内收容的基板。控制装置控制基板输送部。控制装置具备计算部、验证部以及输送控制部。计算部将基板从预先决定的基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个基板分别计算出由基板检测部检测出的基板的位置与基准位置之间的偏移量。验证部进行验证由计算部计算出的偏移量中的最大值与最小值的差是否为阈值以下的验证处理。在由验证部验证出最大值与最小值的差为阈值以下的情况下，输送控制部控制基板输送部来使输送控制部从盒取出基板。

Description

基板输送装置、基板处理装置以及基板取出方法
技术领域
所公开的实施方式涉及一种基板输送装置、基板处理装置、基板取出方法以及存储介质。
背景技术
以往，已知一种对基板进行清洗处理等处理的基板处理装置。基板处理装置从收容了多个基板的盒(cassette)中依次取出基板并输送到处理部，通过处理部进行基板的处理(例如参照专利文献1)。
在这种基板处理装置中，有时在从盒取出基板之前进行检测盒内是否存在基板、检测收容位置等的映射(mapping)处理。
在以往的基板处理装置中，在通过映射处理检测出的基板的位置与预先决定的基准位置之间的偏移量关于盒内的所有基板而言都处于规定范围内的情况下，从盒取出基板。而且，在关于某一个基板而言上述偏移量超出规定范围的情况下，判断为异常状态，中止从盒取出基板。
专利文献1：日本特开2012-222254号公报
发明内容
发明要解决的问题
然而，以往的基板处理装置由于在判断为异常状态的情况下中止从盒取出基板，因此生产能力(throughput)有可能下降。如今，要求提高生产能力，如何实现能够提高生产能力的基板处理装置成为课题。
实施方式的一个方式的目的在于提供一种能够提高生产能力的基板输送装置、基板处理装置、基板取出方法以及存储介质。
用于解决问题的方案
实施方式的一个方式所涉及的基板输送装置具备基板输送部、基板检测部以及控制装置。基板输送部与能够收容多个基板的盒之间交接基板。基板检测部检测在盒内收容的基板。控制装置控制基板输送部。另外，控制装置具备计算部、验证部以及输送控制部。计算部将基板从基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个基板分别计算出由基板检测部检测出的基板的位置与预先决定的基准位置之间的偏移量。验证部进行验证由计算部计算出的偏移量中的最大值与最小值的差是否为第一阈值以下的验证处理。输送控制部在由验证部验证出最大值与最小值的差为第一阈值以下的情况下，控制基板输送部来使基板输送部从盒取出基板。
发明的效果
根据实施方式的一个方式，能够提高生产能力。
附图说明
图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构的图。
图2A是表示盒和基板检测部的概要结构的图。
图2B是表示盒和基板检测部的概要结构的图。
图3A是基板输送装置所具备的第一保持部的示意立体图。
图3B是基板输送装置所具备的第二保持部的示意立体图。
图4是表示控制装置的结构的框图。
图5A是映射处理的说明图。
图5B是映射处理的说明图。
图5C是映射处理的说明图。
图6A是表示以往的验证处理的一例的图。
图6B是表示第一实施方式所涉及的验证处理的一例的图。
图7是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置所执行的基板取出处理的处理过程的流程图。
图8A是表示第一实施方式所涉及的验证处理的一例的图。
图8B是表示第二实施方式所涉及的验证处理的一例的图。
图9是表示第二实施方式所涉及的基板处理装置所执行的基板取出处理的处理过程的流程图。
图10是映射信息所包含的内容的说明图。
图11是第三实施方式所涉及的验证部的验证处理的说明图。
附图标记说明
C1～C4：盒；W：晶圆；1：搬入搬出站；2：输送站；3：处理站；5：基板处理部；6：控制装置；21：基板输送部；23：基板检测部；61：控制部；62：存储部；100：基板处理装置；211a、212a～212d：保持部；611：计算部；612：验证部；613：校正部；614：输送控制部；621：映射信息；622：目标取出位置信息。
具体实施方式
下面，参照附图详细说明本申请所公开的基板输送装置、基板处理装置、基板取出方法以及存储介质的实施方式。此外，本发明并不限定于以下示出的实施方式。
(第一实施方式)
首先，使用图1说明第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构。图1是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置的概要结构的图。
此外，下面，为了明确位置关系，规定相互正交的X轴、Y轴以及Z轴，将Z轴正方向设为铅直朝上方向。另外，下面，将X轴负方向侧规定为基板处理装置的前方，将X轴正方向侧规定为基板处理装置的后方。
如图1所示，基板处理装置100具备搬入搬出站1、输送站2以及处理站3。这些搬入搬出站1、输送站2以及处理站3从基板处理装置100的前方向后方以搬入搬出站1、输送站2以及处理站3的顺序配置。
搬入搬出站1是载置多个盒的位置，例如使四个盒C1～C4以与输送站2的前壁贴紧的状态左右排列载置。各盒C1～C4是能够将多个晶圆W以水平姿势收容多层的收纳容器。
输送站2被配置在搬入搬出站1的后方，其内部具备基板输送部21和基板交接台22。在基板交接台22上载置有用于临时收容多个晶圆W的缓冲盒(未图示)。
基板输送部21在载置于搬入搬出站1的盒C1～C4与载置于基板交接台22的缓冲盒之间进行晶圆W的交接。
基板输送部21具备输送臂部和被设置在输送臂部的顶端的基板保持部，该输送臂部能够进行水平方向上的移动、铅直方向上的升降以及以铅直方向为中心的旋转。上述基板输送部21使用基板保持部来保持晶圆W，使用输送臂部将所保持的晶圆W输送到期望的位置。具体地说，基板输送部21进行以下动作：从盒C1～C4取出晶圆W并收容到缓冲盒；以及从缓冲盒取出晶圆W并收容到盒C1～C4。
另外，在搬入搬出站1中与盒C1～C4对应地分别设置有基板检测部23，该基板检测部23用于检测在盒C1～C4内收容的晶圆W。
在此，参照图2A和图2B来说明盒C1～C4和基板检测部23的概要结构。图2A和图2B是表示盒C1～C4和基板检测部23的概要结构的图。在图2A中，作为一例示出与盒C1对应地设置的基板检测部23。
如图2A所示，盒C1是在与输送站2相对的一侧(X轴正方向侧)具有开口部的箱体。盒C1的左右方向的尺寸比晶圆W的尺寸稍长。另外，深度方向的尺寸也比晶圆W的尺寸长且是晶圆W不会从开口部伸出的程度的尺寸。
盒C1的内部设置有位于与开口部相反的一侧而支承晶圆W的缘部的支承部(未图示)以及支承晶圆W的左右的缘部的一对支承部12、12。晶圆W通过被这些支承部12支承而成为以水平姿势收容在盒C1内的状态。
此外，盒C2～C4也为与盒C1相同的结构。在此，例示了收容十五个晶圆W的盒C1～C4，但是盒C1～C4所能够收容的晶圆W的个数并不限定于十五个。
如图2A和图2B所示，基板检测部23具备：照射光的投光器231；接收由投光器231照射的光的受光器232；以及使投光器231和受光器232沿着铅直方向移动的未图示的移动部。将投光器231和受光器232在盒C1的开口部的左右两侧以相互面对的方式水平配置。
基板检测部23在使投光器231照射光的状态下，使用未图示的移动部使投光器231和受光器232沿着铅直方向移动。在投光器231与受光器232之间不存在晶圆W的情况下，从投光器231照射的光被受光器232接收。另一方面，在投光器231与受光器232之间存在晶圆W的情况下，从投光器231照射的光被晶圆W遮挡，因此不会到达受光器232。由此，基板检测部23能够检测在盒C1内收容的晶圆W。
后述的控制装置6根据从上述基板检测部23输出的检测信号S，进行计算各晶圆W的位置、各晶圆W的厚度、晶圆W之间的间距等的映射处理，稍后说明这一点。
此外，在此示出了基板检测部23具有透过型的光传感器的情况的例子，但是基板检测部23并不限于透过型的光传感器，也可以具有反射型的光传感器。
接着，参照图3A和图3B说明基板输送部21所具备的基板保持部的结构。图3A是基板输送部21所具备的第一基板保持部的示意立体图，图3B是基板输送部21所具备的第二基板保持部的示意立体图。
如图3A和图3B所示，基板输送部21具备第一基板保持部211与第二基板保持部212这两个基板保持部。
如图3A所示，第一基板保持部211具备一个保持部211a，使用上述一个保持部211a将一个晶圆W以水平姿势保持。
另一方面，如图3B所示，第二基板保持部212具备多个(在此四个)保持部212a～212d，使用这些多个保持部212a～212d将多个(在此四个)晶圆W以水平姿势在铅直方向上保持多层。此外，第二基板保持部212被配置在第一基板保持部211的上方。另外，第一基板保持部211和第二基板保持部212能够独立地进行动作。
各保持部211a、212a～212d沿着晶圆W的层叠方向以规定的间距排列配置。具体地说，各保持部211a、212a～212d的铅直方向的间距与盒C1～C4的各一对支承部12、12(参照图2A)的铅直方向的间距为相同程度。基板输送部21能够使用第一基板保持部211和第二基板保持部212来在盒C1～C4与缓冲盒之间同时交接多个(在此最多五个)晶圆W。
返回到图1，说明处理站3的结构。处理站3被配置在输送站2的后方。在上述处理站3中，在中央部处配置有基板输送部31，在上述基板输送部31的左右两侧在前后方向上分别排列配置多个(在此各六个)基板处理部5。在上述处理站3中，基板输送部31在输送站2的基板交接台22与各基板处理部5之间将晶圆W逐个输送，各基板处理部5对晶圆W逐个进行清洗处理等基板处理。
在具有这种结构的基板处理装置100中，首先，输送站2的基板输送部21从载置于搬入搬出站1的盒C1～C4取出晶圆W，将取出的晶圆W收容到基板交接台22的未图示的缓冲盒。在缓冲盒内收容的晶圆W通过处理站3的基板输送部31被取出而被搬入某一个基板处理部5。
被搬入基板处理部5的晶圆W在通过上述基板处理部5被实施基板处理之后，通过基板输送部31从基板处理部5被搬出而再次收容到基板交接台22的缓冲盒。然后，在缓冲盒内收容的处理完的晶圆W通过基板输送部21返回到盒C1～C4。
另外，基板处理装置100具备控制装置6。控制装置6是对上述基板处理装置100的动作进行控制的装置。上述控制装置6例如为计算机，具备控制部和存储部。在存储部中存储对清洗处理等各种处理进行控制的程序。控制部通过读出并执行在存储部内存储的程序来控制基板处理装置100的动作。
此外，上述程序也可以被记录在计算机能够读取的存储介质中，从该存储介质安装到控制装置6的存储部。作为计算机能够读取的存储介质例如存在硬盘(HD)、软盘(FD)、光盘(CD)、磁光盘(MO)、存储卡等。
在此，参照图4说明控制装置6的结构。图4是表示控制装置6的结构的框图。此外，图4仅示出说明控制装置6的特征所需的结构要素，省略与一般的结构要素有关的记载。
如图4所示，控制装置6具备控制部61和存储部62。控制部61根据存储在存储部62内的信息使基板输送部21执行以下处理：基板取出处理，从盒C1～C4取出晶圆W并收容到缓冲盒；以及基板收容处理，其从缓冲盒取出晶圆W并收容到盒C1～C4。
此外，本申请所公开的基板输送装置构成为包括图4示出的控制装置6、基板输送部21以及基板检测部23。
接着，说明基板处理装置100的具体动作。基板处理装置100首先使用基板检测部23进行检测在盒C1～C4内收容的晶圆W的检测处理。之后，在基板处理装置100中，基板输送部21按照控制装置6的控制而进行从盒C1～C4取出晶圆W并收容到基板交接台22的缓冲盒的基板取出处理。
在此，具体说明上述基板取出处理的内容。如图4所示，控制装置6的控制部61具备计算部611、验证部612、校正部613以及输送控制部614。另外，存储部62存储映射信息621和目标取出位置信息622。
计算部611进行使用基板检测部23的检测结果来计算各晶圆W的位置、各晶圆W的厚度、晶圆W之间的间距等的映射处理。参照图5A～图5C说明上述映射处理的内容。图5A～图5C是映射处理的说明图。
如图5A和图5B所示，计算部611根据基板检测部23持续检测出晶圆W的时间(参照图5B的t1、t2)以及基板检测部23在铅直方向上移动的速度，计算出上述晶圆W的铅直方向的厚度。另外，计算部611计算该厚度的中心位置(参照图5B的p1、p2)来作为晶圆W的位置，根据计算出的各晶圆W的位置来计算出晶圆W之间的间距。此外，作为晶圆W的位置计算的位置并不限于晶圆W的厚度的中心位置。
并且，计算部611针对每个晶圆W分别计算出所计算出的晶圆W的位置与预先决定的基准位置之间的偏移量。参照图5C说明上述处理的内容。
图5C示出的P0是针对盒C1的各缝隙(slot)预先决定的基准位置，P1～P3是计算部611根据基板检测部23的检测结果计算出的各晶圆W的位置。
例如，设P1～P3相对于各个基准位置P0分别向上方偏移0.3mm、向上方偏移0.2mm、向下方偏移0.2mm。在上述情况下，关于P1～P3与各基准位置P0之间的偏移量ΔP1～ΔP3，计算部611将晶圆W从基准位置P0向上方偏移的情况设为正而分别计算为ΔP1=+0.3mm、ΔP2=+0.2mm、ΔP3=-0.2mm。
此外，在此示出了将晶圆W从基准位置P0向上方偏移的情况设为正的情况下的例子，但是也可以将晶圆W从基准位置P0向下方偏移的情况设为正。另外，设与各缝隙对应的基准位置P0的信息例如预先存储在存储部62。
计算部611将包含计算结果、即各晶圆W的位置、各晶圆W的厚度、晶圆W之间的间距以及各晶圆W相对于基准位置的偏移量的信息的映射信息621存储到存储部62。
验证部612进行基于存储在存储部62内的映射信息621的验证处理。在此，与由以往的基板处理装置进行的验证处理进行比较来说明由第一实施方式所涉及的验证部612执行的验证处理的内容。图6A是表示以往的验证处理的一例的图，图6B是表示第一实施方式所涉及的验证处理的一例的图。
此外，图6A和图6B示出在各缝隙位置收容的晶圆W相对于基准位置的偏移量ΔP。图6A和图6B示出的曲线图的横轴为缝隙位置，纵轴为偏移量ΔP。
如图6A所示，在以往的基板处理装置中，设定以ΔP=0为中心的规定范围(在此±0.5mm)，如果与所有晶圆W有关的偏移量ΔP收敛在上述范围内，则允许进行通过基板输送部从盒取出晶圆的取出动作。另外，只要至少一个晶圆W的上述偏移量ΔP超出规定范围，则判断为异常状态，中止之后的基板取出处理。
这样，在以往的基板处理装置中，在判断为异常状态的情况下，中止从盒取出晶圆，因此生产能力有可能下降。
与此相对，第一实施方式所涉及的验证部612验证各晶圆W的偏移量ΔP中的最大值与最小值的差是否为阈值以下。
例如在图6B示出的例子中，偏移量ΔP的最大值为第二缝隙的晶圆W的偏移量“-0.5mm”，最小值为第八缝隙的晶圆W的偏移量“-0.8mm”。验证部612验证这些最大值与最小值的差“0.3mm”是否为阈值(在此1.0mm)以下。而且，由于最大值与最小值的差“0.3mm”为阈值(1.0mm)以下，因此验证部612判断为验证OK。在该情况下，不中止基板取出处理，生产能力不会下降。
另一方面，验证部612在偏移量ΔP的最大值与最小值的差超过阈值(1.0mm)的情况下，对后述的校正部613和输送控制部614进行指示以中止之后的处理。
这样，根据第一实施方式所涉及的验证部612，即使在例如晶圆W的位置整体上被检测为稍高或者稍低的情况下，也不中止之后的基板取出处理，因此与以往的基板处理装置相比能够提高生产能力。
返回到图4的说明。校正部613根据映射信息621对目标取出位置信息622所表示的各晶圆W的目标取出位置进行校正。具体地说，校正部613使各晶圆W的目标取出位置偏移映射信息621所包含的各晶圆W的偏移量ΔP中的绝对值最大的偏移量ΔP。
例如在图6B示出的例子中，各晶圆W的偏移量ΔP中的绝对值最大的偏移量ΔP为第八缝隙的偏移量“-0.8mm”(绝对值为0.8)。在上述情况下，校正部613进行使各晶圆W的目标取出位置向下方偏移0.8mm的校正。然后，校正部613将校正后的目标取出位置传送到输送控制部614。
此外，校正部613在从验证部612收到中止处理的指示的情况下，不进行上述校正处理。
输送控制部614控制基板输送部21来使基板输送部21在盒C1～C4与基板交接台22的缓冲盒之间进行晶圆W的交接。在基板处理装置100正在执行基板取出处理的情况下，输送控制部614控制基板输送部21来使基板输送部21进行从盒C1～C4取出晶圆W并收容到缓冲盒的取出动作。
此时，输送控制部614根据由校正部613校正后的目标取出位置，控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W。具体地说，输送控制部614以使基板输送部21所具备的多个保持部211a、212a～212d的位置与校正后的目标取出位置一致的方式使基板输送部21的输送臂部升降。之后，输送控制部614使保持部211a、212a～212d插入盒C1～C4的内部，在使保持部211a、212a～212d保持晶圆W之后，使保持部211a、212a～212d后退。由此，从盒C1～C4一次取出多个(在此五个)晶圆W。
另一方面，输送控制部614在从验证部612收到中止处理的指示的情况下、即在由验证部612验证出偏移量ΔP的最大值与最小值的差超过阈值(1.00mm)的情况下，不进行通过基板输送部21取出晶圆W的取出动作。
接着，在基板处理装置100中，基板输送部31从缓冲盒取出在缓冲盒内收容的晶圆W并搬入基板处理部5。然后，当基板处理部5对晶圆W进行的处理结束时，基板输送部31从基板处理部5取出处理完的晶圆W并收容到缓冲盒。
之后，在基板处理装置100中，基板输送部21按照控制部61的控制进行基板收容处理，即从缓冲盒取出在缓冲盒内收容的处理完的晶圆W并收容到盒C1～C4。
例如，控制部61在进行基板取出处理时将校正后的目标取出位置存储到存储部62(在图4中省略图示)，根据上述校正后的目标取出位置，将处理完的晶圆W收容到原来的盒C1～C4的原来的位置。
具体地说，输送控制部614在分别使保持部211a、212a～212d保持处理完的晶圆W之后，以使保持部211a、212a～212d的位置与校正后的目标取出位置一致的方式使基板输送部21的输送臂部升降。之后，输送控制部614使保持部211a、212a～212d插入盒C1～C4的内部，在将保持部211a、212a～212d所保持的各晶圆W收容到盒C1～C4之后，使保持部211a、212a～212d后退。由此，向盒C1～C4一次收容多个(在此五个)晶圆W。
接着，参照图7说明上述基板取出处理的具体处理过程。图7是表示第一实施方式所涉及的基板处理装置100所执行的基板取出处理的处理过程的流程图。
如图7所示，在基板处理装置100中，首先，基板检测部23检测在盒C1～C4内收容的晶圆W(步骤S101)。接着，计算部611计算出各晶圆W的位置与基准位置之间的偏移量ΔP(步骤S102)。此外，计算部611除了计算出上述偏移量ΔP以外，还计算出晶圆W的位置、晶圆W的厚度、晶圆W之间的间距等。
接着，验证部612验证偏移量ΔP的最大值与最小值的差是否为阈值以下(步骤S103)。而且，在验证出偏移量ΔP的最大值与最小值的差为阈值以下的情况下(步骤S103：“是”)，校正部613对预先决定的目标取出位置进行校正(步骤S104)。具体地说，校正部613使各晶圆W的目标取出位置偏移各晶圆W的偏移量ΔP中的绝对值最大的偏移量ΔP。
接着，输送控制部614根据由校正部613校正后的目标取出位置(步骤S105)，控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1取出晶圆W。从盒C1取出的晶圆W通过基板输送部21被收容到缓冲盒。
接着，控制部61判断所有晶圆W的取出是否完成(步骤S106)，在取出没有完成的情况下(步骤S106：“否”)，对取出没有完成的晶圆W进行步骤S105的处理。而且，在判断为所有晶圆W的取出完成的情况下(步骤S106：“是”)，控制部61结束基板取出处理。
另外，在步骤S103中，在验证出偏移量ΔP的最大值与最小值的差超过阈值的情况下(步骤S103：“否”)，验证部612对校正部613和输送控制部614进行指示以中止之后的处理(步骤S107)，结束基板取出处理。
如上所述，第一实施方式所涉及的基板处理装置100具备基板输送装置、基板处理部5以及基板交接台22(相当于交接部)。基板输送装置从外部搬入晶圆W。基板处理部5对由基板输送装置搬入的晶圆W进行处理。基板交接台22是用于将由基板输送装置搬入的晶圆W交接到基板处理部5的交接部。
另外，第一实施方式所涉及的基板处理装置100具备基板输送部21、基板检测部23以及控制装置6。基板输送部21与能够收容多个晶圆W的盒C1～C4之间进行晶圆W的交接。基板检测部23对在盒C1～C4内收容的晶圆W进行检测。控制装置6控制基板输送部21。另外，控制装置6具备计算部611、验证部612以及输送控制部614。计算部611将基板从基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个晶圆W分别计算出由基板检测部23检测出的晶圆W的位置与预先决定的基准位置之间的偏移量ΔP。验证部612进行验证由计算部611计算出的偏移量ΔP中的最大值与最小值的差是否为阈值以下的验证处理。输送控制部614在由验证部612验证出最大值与最小值的差为阈值以下的情况下，控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W。
因而，根据第一实施方式所涉及的基板处理装置100，与以往的基板处理装置相比，判断为异常状态而中止之后的处理的状况减少，因此能够提高生产能力。
(第二实施方式)
在上述第一实施方式中，说明了对在一个盒C1～C4内收容的所有晶圆W一并进行验证部612的验证处理的情况的例子。但是，并不限于此，也可以分割为多个验证处理单位来进行验证处理。
以下，说明将验证处理分割为多个验证处理单位来进行的情况的例子。图8A是表示第一实施方式所涉及的验证处理的一例的图，图8B是表示第二实施方式所涉及的验证处理的一例的图。此外，在以下说明中，对与已经说明的部分相同的部分附加与已经说明的部分相同的附图标记而省略重复的说明。
第一实施方式所涉及的验证处理被设成对在一个盒C1内收容的所有晶圆W(在此十五个晶圆W)一并进行。即，在第一实施方式中，验证部612验证十五个晶圆W全部的偏移量ΔP中的最大值与最小值的差是否为阈值以下，在超过阈值的情况下设为验证NG。
例如在图8A示出的例子中，第三缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=-0.95mm为全部晶圆W中的最小值，第八缝隙和第九缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=+0.1mm为全部晶圆W中的最大值。在上述情况下，最大值与最小值的差“1.05mm”超过阈值“1.0mm”，因此验证部612视为验证NG，中止之后的基板取出处理。
另一方面，在基板处理装置100中，基板输送部21具备五个保持部211a、212a～212d，使用这五个保持部211a、212a～212d，以最多五个为单位来同时从盒C1～C4取出晶圆W。
因此，在第二实施方式中，以与基板输送部21所具备的保持部211a、212a～212d的数量相应的数量的晶圆W作为验证处理单位来进行验证处理。
具体地说，验证部612以包括插入保持部211a、212a～212d的五个缝隙以及与这五个缝隙邻接的上下两个缝隙在内的七个缝隙为单位来进行验证处理。其中，在包括最下层(第一缝隙)或者最上层(第十五缝隙)的缝隙的情况下，以包括插入保持部211a、212a～212d的五个缝隙以及与这五个缝隙邻接的上层或者下层的一个缝隙在内的六个缝隙为单位来进行验证处理。在包括最下层(第一缝隙)或者最上层(第十五缝隙)的缝隙的情况下，如果剩余的缝隙数不满五个，则也可以以剩余的缝隙数为单位来进行验证处理。
例如图8B所示，验证部612对属于第一～第六缝隙的六个晶圆W进行验证处理。在该验证处理单位中，偏移量ΔP的最大值为第二缝隙和第四缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=0mm，最小值为第三缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=-0.95mm。这些最大值和最小值的差为0.95mm，为阈值(1.0mm)以下，因此验证部612将插入保持部211a、212a～212d的第一～第五缝隙判断为验证OK。
另外，验证部612对属于第五～第十一缝隙的七个晶圆W进行验证处理。在该验证处理单位中，偏移量ΔP的最大值为第八缝隙和第九缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=0.1mm，最小值为第六缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=-0.1mm。这些最大值和最小值的差为0.2mm，为阈值(1.0mm)以下，因此验证部612将插入保持部211a、212a～212d的第六～第十缝隙判断为验证OK。
另外，验证部612对属于第十～第十五缝隙的六个晶圆W进行验证处理。在该验证处理单位中，偏移量ΔP的最大值为第十缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=0mm，最小值为第十四缝隙的晶圆W的偏移量ΔP=-0.2mm。这些最大值和最小值的差为0.2mm，为阈值(1.0mm)以下，因此验证部612将插入保持部211a、212a～212d的第十一～第十五缝隙判断为验证OK。
这样，以与基板输送部21所具备的保持部211a、212a～212d的数量相应的数量的晶圆W作为验证处理单位来进行验证处理，由此，即使是在第一实施方式所涉及的验证处理中检查全部个数时成为验证NG的状况，在该第二实施方式下也不成为验证NG，因此能够实现生产能力的进一步提高。
另外，验证部612除了对于实际取出晶圆W的五个缝隙以外，还加入与这些缝隙邻接的一个或者两个缝隙来进行验证处理。具体地说，验证部612以通过保持部211a、212a～212d进行取出的晶圆群以及与该晶圆群邻接的上一个和/或下一个晶圆W作为验证处理单位来进行验证处理。由此，前后的验证处理单位在通过保持部211a、212a～212d进行取出的晶圆群以外的晶圆W的部分相互重叠。
这是由于，在从各缝隙取出晶圆W时，即在使保持部211a、212a～212d插入比进行晶圆W的取出的缝隙更靠下方的位置之后使保持部211a、212a～212d移动到比进行晶圆W的取出的缝隙更靠上方的位置时，与进行晶圆W的取出的缝隙的上方或者下方邻接的缝隙的晶圆W与保持部211a、212a～212d有可能发生干扰。
这样，通过加入邻接的一个或者两个缝隙来进行验证处理，能够提高验证精度。
另外，在第二实施方式中，校正部613按上述验证处理单位来进行校正处理。例如，在图8B示出的例子中，对于第一～第五缝隙的晶圆W，将绝对值最大的偏移量ΔP=-0.95mm设为校正量而对第一～第五缝隙的晶圆W的目标取出位置进行校正。另外，校正部613对于第六～第十缝隙的晶圆W，将绝对值最大的偏移量ΔP=0.1mm设为校正量而对第六～第十缝隙的晶圆W的目标取出位置进行校正。另外，校正部613对于第十一～第十五缝隙的晶圆W，将绝对值最大的偏移量ΔP=-0.2mm设为校正量而对第十一～第十五缝隙的晶圆W的目标取出位置进行校正。
这样，以与基板输送部21所具备的保持部211a、212a～212d的数量相应的数量的晶圆W作为验证处理单位来进行校正处理，由此能够更适当地校正目标取出位置。
接着，参照图9说明第二实施方式所涉及的基板取出处理的处理过程。图9是表示第二实施方式所涉及的基板处理装置所执行的基板取出处理的处理过程的流程图。
如图9所示，在第二实施方式所涉及的基板处理装置100中，首先，基板检测部23对在盒C1～C4内收容的晶圆W进行检测(步骤S201)。接着，计算部611计算出各晶圆W的位置与基准位置之间的偏移量ΔP(步骤S202)。
接着，验证部612针对一个验证处理单位验证偏移量ΔP的最大值与最小值的差是否为阈值以下(步骤S203)。而且，在验证出偏移量ΔP的最大值与最小值的差为阈值以下的情况下(步骤S203：“是”)，将关于该验证处理单位内包含的晶圆W判断为验证OK的意思的信息存储到存储部62(步骤S204)。另一方面，在验证出偏移量ΔP的最大值与最小值的差超过阈值的情况下(步骤S203：“否”)，将关于该验证处理单位内包含的晶圆W判断为验证NG的意思的信息存储到存储部62(步骤S205)。
接着，验证部612判断关于所有验证处理单位是否完成了验证(步骤S206)，在存在未验证的验证处理单位的情况下(步骤S206：“否”)，对未验证的验证处理单位进行步骤S203～S205的处理。
在步骤S206中，当判断为关于所有验证处理单位完成了验证时(步骤S206：“是”)，校正部613针对验证OK的一个验证处理单位校正预先决定的目标取出位置(步骤207)。具体地说，校正部613使验证OK的一个验证处理单位内包含的各晶圆W的目标取出位置偏移这些晶圆W的偏移量ΔP中的绝对值最大的偏移量ΔP。
接着，输送控制部614针对验证OK的一个验证处理单位，根据由校正部613校正后的目标取出位置，控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W(步骤S208)。从盒C1～C4取出的晶圆W通过基板输送部21被收容到缓冲盒。
接着，控制部61判断关于验证OK的所有验证处理单位是否完成了晶圆W的取出(步骤S209)，在取出没有完成的情况下(步骤S209：“否”)，对取出没有完成的验证处理单位进行步骤S207～S208的处理。而且，在判断为关于所有验证处理单位完成了晶圆W的取出的情况下(步骤S209：“是”)，控制部61结束基板取出处理。
这样，在第二实施方式中，验证部612以与基板输送部21所具备的保持部211a、212a～212d的数量相应的数量的晶圆W作为验证处理单位来进行验证处理。因而，与第一实施方式相比，能够实现生产能力的进一步提高。
另外，在第二实施方式中，验证部612还有时判断为验证NG。在该情况下，对于判断为验证NG的验证处理单位内包含的晶圆W中止从盒C1～C4取出，并且对于由验证部612判断为验证OK的验证处理单位内包含的晶圆W，控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W。
由此，除了被判断为验证NG的一部分验证处理单位以外，其它验证处理单位内包含的晶圆W能够从盒C1～C4安全地取出，与以往技术相比，能够实现生产能力的进一步提高。
此外，并不限于上述例子，在一部分验证处理单位被判断为验证NG的情况下，也可以中止所有晶圆W的取出。
在第二实施方式中，示出了以与保持部211a、212a～212d的数量相应的数量的晶圆W作为验证处理单位的情况的例子，但是能够将验证处理的分割数量适当地设定为任意的数量。
(第三实施方式)
在上述各实施方式中，说明了验证部612验证各晶圆W的偏移量ΔP中的最大值与最小值的差是否为阈值以下的情况的例子。在第三实施方式中，进一步进行如下验证：在使保持部211a、212a～212d插入校正后的目标取出位置时各保持部211a、212a～212d与晶圆W之间的间隔是否能够充分确保为保持部211a、212a～212d与晶圆W不会发生干扰的程度。
参照图10和图11说明这一点。图10是映射信息621所包含的内容的说明图。另外，图11是第三实施方式所涉及的验证部612的验证处理的说明图。
如图10所示，在映射信息621中，除了包含各晶圆W的位置以外，还包含晶圆W之间的间距d2、各晶圆W的厚度d3、d4、保持部211a、212a～212d的上表面与晶圆W的下表面之间的间隔d5、以及保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间的间隔d6。此外，图10示出的保持部211a、212a～212d之间的间距d0以及保持部211a、212a～212d的厚度d1为已知信息。另外，间隔d5是考虑晶圆W的翘曲来预先设定为保持部211a、212a～212d与晶圆W不碰撞的程度的间隔的已知信息。
根据各晶圆W的位置来计算出晶圆W之间的间距d2。另外，根据间距d2、间隔d5、厚度d1、d3、d4来计算出保持部211a、212a～212d与晶圆W之间的间隔d6。具体地说，晶圆W之间的间距d2用d2=d3/2+d4/2+d1+d5+d6来表示，因此根据d6=d2-d3/2-d4/2-d1-d5来求出间隔d6。
图11示出通过保持部211a、212a～212d取出晶圆W1～W5的情况的例子。各晶圆W1～W5之间的间距分别为d2a～d2d。另外，晶圆W5与邻接于晶圆W5的下方的晶圆W6之间的间距为d2e。另外，各保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W2～W6的上表面之间的间隔分别为d6a～d6e。
验证部612验证各晶圆W1～W6之间的间距d2a～d2e是否为阈值以上。而且，在各晶圆W1～W6之间的间距d2a～d2e中的至少一个小于阈值的情况下、即晶圆W之间的间隔窄而在插入保持部211a、212a～212d时有可能与晶圆W发生干扰的情况下，验证部612判断为验证NG而中止之后的基板取出处理。
另外，验证部612验证各保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W2～W6的上表面之间的间隔d6a～d6e是否为阈值以上。
而且，在间隔d6a～d6e中的至少一个小于阈值的情况下，验证部612判断为验证NG而中止之后的基板取出处理。另一方面，在由验证部612验证出保持部211a、212a～212d的上表面与晶圆W的下表面之间的间隔为第一间隔以上、且保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间的间隔为第二间隔以上的情况下，输送控制部614控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W。
在此，将保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间的间隔的阈值设定为大于保持部211a、212a～212d的上表面与晶圆W的下表面之间的间隔d5。这是因为，由于晶圆W以向前方(盒C1～C4的开口部侧)倾斜的状态被收容的情况多、保持部211a、212a～212d的顶端部由于自重而易于向下方倾斜等原因，在保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间容易发生保持部211a、212a～212d与晶圆W之间的干扰。
通过将第二间隔设定为大于第一间隔，能够提高验证精度，能够更可靠地防止保持部211a、212a～212d与晶圆W之间的干扰。
这样，在第三实施方式中，验证部612根据由计算部611计算出的晶圆W之间的间距、多个保持部211a、212a～212d之间的间距以及保持部211a、212a～212d的厚度，来验证保持部211a、212a～212d的上表面与晶圆W的下表面之间的间隔是否为第一间隔以上、以及保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间的间隔是否为第二间隔以上。而且，在由验证部612验证出保持部211a、212a～212d的上表面与晶圆W的下表面之间的间隔为第一间隔以上、且保持部211a、212a～212d的下表面与晶圆W的上表面之间的间隔为第二间隔以上的情况下，输送控制部614控制基板输送部21来使基板输送部21从盒C1～C4取出晶圆W。因而，能够更可靠地防止保持部211a、212a～212d与晶圆W之间的干扰。
此外，本申请所公开的基板处理装置能够应用于例如对半导体基板、液晶基板、CD基板、玻璃基板等基板进行清洗、抗蚀剂涂敷、CVD(ChemicalVapor Deposition：化学气相沉积)之类的基板处理的各种基板处理装置。
本领域技术人员能够容易地导出进一步的效果、变形例。因此，本发明的更广泛的方式不限定于如上述那样表示且描述的特定的详细及代表性的实施方式。因而，在不脱离由所附的权利要求书及其均等物定义的总括发明的概念的精神或者范围内能够进行各种变更。

Claims (15)

1.一种基板输送装置，其特征在于，具备：
基板输送部，其与能够收容多个基板的盒之间交接上述基板；
基板检测部，其检测在上述盒内收容的基板；以及
控制装置，其控制上述基板输送部，
其中，上述控制装置具备：
计算部，其将基板从预先决定的基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个上述基板分别计算出由上述基板检测部检测出的上述基板的位置与上述基准位置之间的偏移量；
验证部，其进行验证由上述计算部计算出的偏移量中的最大值与最小值的差是否为第一阈值以下的验证处理；以及
输送控制部，其在由上述验证部验证出上述最大值与上述最小值的差为第一阈值以下的情况下，控制上述基板输送部来使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
2.根据权利要求1所述的基板输送装置，其特征在于，
上述控制装置还具备校正部，该校正部使用上述偏移量中的绝对值最大的偏移量，来校正预先决定的目标取出位置，
上述输送控制部根据由上述校正部校正后的目标取出位置来控制上述基板输送部，使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
3.根据权利要求1或者2所述的基板输送装置，其特征在于，
上述验证部将上述验证处理分割为多个验证处理单位来进行。
4.根据权利要求3所述的基板输送装置，其特征在于，
上述基板输送部具备用于保持上述基板的多个保持部，
上述验证部以与上述保持部的数量相应的数量的上述基板作为上述验证处理单位来进行上述验证处理。
5.根据权利要求4所述的基板输送装置，其特征在于，
上述验证部以通过上述保持部进行取出的基板群以及与上述基板群邻接的上一个和/或下一个基板作为上述验证处理单位来进行上述验证处理。
6.根据权利要求3、4或者5所述的基板输送装置，其特征在于，
前后的上述验证处理单位相互重叠。
7.根据权利要求3～6中的任一项所述的基板输送装置，其特征在于，
上述输送控制部对于由上述验证部验证出上述最大值与上述最小值的差超过第一阈值的验证处理单位内包含的上述基板中止从上述盒取出，并且对于由上述验证部验证出上述最大值与上述最小值的差在第一阈值以内的验证处理单位内包含的上述基板，控制上述基板输送部来使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
8.根据权利要求4或者5所述的基板输送装置，其特征在于，
上述多个保持部沿着上述基板的层叠方向以规定的间距排列配置，
上述计算部分别计算出上述基板之间的间距，
上述验证部根据由上述计算部计算出的上述基板之间的间距、上述多个保持部之间的间距以及上述保持部的厚度，来验证上述保持部的下表面与上述基板的上表面之间的间隔是否为第二阈值以上，
在由上述验证部验证出上述保持部的下表面与上述基板的上表面之间的间隔为第二阈值以上的情况下，上述输送控制部控制上述基板输送部来使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
9.根据权利要求8所述的基板输送装置，其特征在于，
上述第二阈值被设定为比上述保持部的上表面与上述基板的下表面之间的间隔大的值。
10.一种基板处理装置，其特征在于，具备：
基板输送装置，其从外部搬入基板；
基板处理部，其对由上述基板输送装置搬入的上述基板进行处理；以及
交接部，其用于将由上述基板输送装置搬入的上述基板交接到上述基板处理部，
其中，上述基板输送装置具备：
基板输送部，其与能够收容多个上述基板的盒之间交接上述基板；
基板检测部，其检测在上述盒内收容的基板；以及
控制装置，其控制上述基板输送部，
上述控制装置具备：
计算部，其将基板从预先决定的基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个上述基板分别计算出由上述基板检测部检测出的上述基板的位置与上述基准位置之间的偏移量；
验证部，其进行验证由上述计算部计算出的偏移量中的最大值与最小值的差是否为阈值以下的验证处理；以及
输送控制部，其在由上述验证部验证出上述最大值与上述最小值的差为阈值以下的情况下，控制上述基板输送部来使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其特征在于，
上述控制装置还具备校正部，该校正部使用上述偏移量中的绝对值最大的偏移量，来校正预先决定的目标取出位置，
上述输送控制部根据由上述校正部校正后的目标取出位置来控制上述基板输送部，使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其特征在于，
上述验证部将上述验证处理分割为多个验证处理单位来进行。
13.一种基板取出方法，其特征在于，包括：
检测工序，使用对在能够收容多个基板的盒内收容的基板进行检测的基板检测部来检测在上述盒内收容的基板；
计算工序，将基板从预先决定的基准位置向上方或者下方偏移的情况设为正而针对每个上述基板分别计算出在上述检测工序中检测出的上述基板的位置与上述基准位置之间的偏移量；
验证工序，进行验证在上述计算工序中计算出的偏移量中的最大值与最小值的差是否为阈值以下的验证处理；以及
输送控制工序，在上述验证工序中验证出上述最大值与上述最小值的差为阈值以下的情况下，控制基板输送部来使上述基板输送部从上述盒取出上述基板，其中，上述基板输送部与上述盒之间交接上述基板。
14.根据权利要求13所述的基板取出方法，其特征在于，
还包括校正工序，在该校正工序中使用上述偏移量中的绝对值最大的偏移量，来校正预先决定的目标取出位置，
在上述输送控制工序中，根据在上述校正工序中校正后的目标取出位置来控制上述基板输送部，使上述基板输送部从上述盒取出上述基板。
15.根据权利要求14所述的基板取出方法，其特征在于，
在上述验证工序中，将上述验证处理分割为多个验证处理单位来进行。
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