CN104022124B - 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 - Google Patents
一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104022124B CN104022124B CN201410224918.4A CN201410224918A CN104022124B CN 104022124 B CN104022124 B CN 104022124B CN 201410224918 A CN201410224918 A CN 201410224918A CN 104022124 B CN104022124 B CN 104022124B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- grid
- layer
- electrode
- flexible display
- substrates
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 163
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 53
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 53
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 37
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 200
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 36
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 17
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 claims description 12
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 69
- 239000000463 material Substances 0.000 description 18
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 15
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 15
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- -1 insulating barrier Substances 0.000 description 5
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 4
- 230000027756 respiratory electron transport chain Effects 0.000 description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 4
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004425 Makrolon Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910007717 ZnSnO Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 2
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003139 buffering effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
本发明实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法，柔性显示装置，涉及显示技术领域，可降低柔性基底在形变以及剥离过程中对TFT性能的影响；该柔性显示基板包括柔性基底、设置在所述柔性基底上的栅金属层、绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；所述栅金属层包括栅极、栅线，且所述栅极和所述栅线之间断开；所述柔性显示基板还包括导电连接结构，所述导电连接结构分别与所述栅极和所述栅线电连接。用于需要降低柔性基底在形变以及剥离过程中对TFT性能的影响的柔性显示基板及其制造。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置。
背景技术
柔性显示技术在近几年有了飞速的发展，由此带动柔性显示器从屏幕的尺寸到显示的质量都取得了很大进步。无论是濒临消失的阴极射线管(Cathode Ray Tube，简称CRT)，还是现今主流的液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)，本质上都属于传统的刚性显示器。与传统的刚性显示器相比，柔性显示器具有诸多优点，例如耐冲击，抗震能力强，重量轻，体积小，携带更加方便等。
目前，柔性显示器主要可分为三种：电子纸(柔性电泳显示)、柔性有机电致发光二级管(Organic Light-Emitting Diode，简称OLED)、以及柔性LCD。其制备方法一般包括：在承载基板上形成柔性基底，在柔性基底上形成薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称TFT)，以及相应的电极层，然后将承载基板与柔性基底剥离。
然而，由于柔性基底的热膨胀系数较高，产生的形变较大，这样会导致产生的应力作用于薄膜晶体管，从而对薄膜晶体管的性能产生影响。在此基础上，当柔性基底与承载基板剥离时，柔性基底收缩程度较高，也容易加剧对TFT性能的影响。
发明内容
本发明的实施例提供一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置，可降低柔性基底在形变以及剥离过程中对TFT性能的影响。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种柔性显示基板，包括：柔性基底、设置在所述柔性基底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；
所述栅金属层包括栅极、栅线，且所述栅极和所述栅线之间断开；所述柔性显示基板还包括导电连接结构，所述导电连接结构分别与所述栅极和所述栅线电连接。
优选的，所述栅绝缘层包括覆盖所述栅线的第一绝缘图案和覆盖所述栅极的第二绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案断开。
进一步优选的，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述导电连接结构与所述源极和漏极同层设置，所述导电连接结构通过过孔分别与所述栅极和栅线连接。
基于上述描述，可选的，所述电极层包括阳极和阴极；所述柔性显示基板还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层。
可选的，所述电极层包括像素电极。
另一方面，提供一种柔性显示装置，包括上述的柔性显示基板。
再一方面，提供一种柔性显示基板的制备方法，包括：
在承载基板上形成柔性基底；在所述柔性基底上形成栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；将所述承载基板和与所述承载基板接触的柔性基底剥离，形成所述柔性显示基板；
其中，所述栅金属层包括栅极、栅线，且所述栅极和所述栅线之间断开；所述栅极和所述栅线通过导电连接结构电连接。
优选的，形成所述栅绝缘层包括：形成覆盖所述栅线的第一绝缘图案和覆盖所述栅极的第二绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案断开。
优选的，在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括在栅极和栅线上形成露出栅极和栅线的过孔。
进一步优选的，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述导电连接结构与所述源极、所述漏极采用同一次构图工艺形成，所述导电连接结构通过所述过孔与所述栅极和栅线连接；其中，所述导电连接结构与所述源极、所述漏极、所述数据线非接触。
基于上述描述，可选的，形成至少一层电极层，包括：形成阳极和阴极；所述方法还包括：在所述阳极和所述阴极之间形成有机材料功能层。
可选的，形成至少一层电极层，包括：形成像素电极。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板及其制备方法，柔性显示装置，该柔性显示基板包括：柔性基底、设置在所述柔性基底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；其中，所述栅金属层包括栅极、栅线，且所述栅极和所述栅线之间断开；所述柔性显示基板还包括导电连接结构，所述导电连接结构分别与所述栅极和所述栅线电连接。
由于薄膜晶体管的半导体有源层、源极和漏极均已图案化，其面积比较小，因此，当柔性基底在形变以及与承载基板剥离时，对上述图案层影响均比较小；在此基础上，当柔性基底在形变以及与承载基板剥离时，相对现有技术会使栅线发生形变而导致与栅线直接连接的栅极跟着发生形变，从而导致对薄膜晶体管的栅绝缘层的影响，本发明实施例通过将所述栅金属层的栅极和栅线断开设置，可以避免栅线发生形变时，对栅极甚至薄膜晶体管的栅绝缘层的影响，从而降低对薄膜晶体管性能的影响，提高薄膜晶体管的信赖性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种柔性显示基板的俯视示意图一；
图2为图1所示的柔性显示基板的AA向剖视示意图一；
图3为图1所示的柔性显示基板的AA向剖视示意图二；
图4为本发明实施例提供的一种柔性显示基板的俯视示意图二；
图5为图4所示的柔性显示基板的AA向剖视示意图一；
图6为本发明实施例提供的一种柔性显示基板的俯视示意图三；
图7为本发明实施例提供的一种包括刻蚀阻挡层的柔性显示基板的结构示意图；
图8为本发明实施例提供的一种包括第一缓冲层和第二缓冲层的柔性显示基板的结构示意图；
图9为本发明实施例提供的一种柔性显示基板的制备方法的流程示意图；
图10为本发明实施例提供的在承载基板上形成柔性基底的过程示意图；
图11和图12为在图10基础上形成栅金属层、绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层的过程示意图；
图13为在图12基础上且在金属氧化物半导体有源层上方形成刻蚀阻挡层的过程示意图；
图14为在图13基础上且在柔性基底上下表面形成第一缓冲层和第二缓冲层的过程示意图。
附图标记：
01-柔性显示基板；10-柔性基底；201-栅极；202-栅线；30-绝缘层；301-第一绝缘图案；302-第二绝缘图案；40-(金属氧化物)半导体有源层；501-源极；502-漏极；503-数据线；504-导电图案；601-像素电极；602-公共电极；603-阳极；604-阴极；605-有机材料功能层；70-刻蚀阻挡层；801-第一缓冲层；802-第二缓冲层；90-承载基板。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板01，如图1至图5所示，该柔性显示基板01包括：柔性基底10、设置在所述柔性基底10上的栅金属层、栅绝缘层30(图1和图4中未标识出)、半导体有源层40、源漏金属层、以及至少一层电极层。
其中，所述栅金属层包括栅极201、栅线202，且所述栅极201和所述栅线202之间断开；在此情况下，所述柔性显示基板01还包括导电连接结构504，所述导电连接结构504分别与所述栅极201和所述栅线202电连接。
所述源漏金属层可以包括源极501、漏极502、以及数据线503。
所述栅极201、栅绝缘层30、半导体有源层40、源极501和漏极502构成薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管中的栅绝缘层30仅是指位于薄膜晶体管区域的栅绝缘层30的部分。
所述柔性基底10的材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
对于所述至少一层电极层，参考图1至图2所示，当所述柔性显示基板为液晶显示器(Liquid Crystal Display，简称LCD)的阵列基板时，所述至少一层电极层包括像素电极601，所述像素电极601与所述漏极502电连接。当然，所述至少一层电极层还可以包括公共电极602；在此情况下，对于共平面切换型(In-Plane Switch，简称IPS)阵列基板而言，所述像素电极601和所述公共电极602同层间隔设置，且均为条状电极；对于高级超维场转换型(Advanced-super Dimensional Switching，简称ADS)阵列基板而言，参考图3所示，所述像素电极601和所述公共电极602不同层设置，其中在上的电极为条状电极，在下的电极为板状电极。
参考图4至图5所示，当所述柔性显示基板为有机电致发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，简称OLED)时，所述至少一层电极层包括阳极603和阴极604(图4中未标识出)。
在此情况下，所述柔性显示基板01还包括设置在所述阳极603和所述阴极604之间的有机材料功能层605(图4中未标识出)。有机材料功能层605至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层，为了能够提高电子和空穴注入发光层的效率，优选的，所述有机材料功能层还可以包括设置在所述阴极604与所述电子传输层之间的电子注入层，以及在所述阳极603与所述空穴传输层之间的空穴注入层。这里，由于有机材料功能层605材料的特殊性，在所述柔性显示基板01上还必须形成用于封装有机材料的封装层，以形成柔性显示装置；所述封装层可以是柔性封装基板，也可以是一层薄膜，在此不作限定。
基于此，当向所述阳极603和所述阴极604施加工作电压时，阳极603中的空穴和阴极604中的电子均注入到所述发光层中；空穴和电子在所述发光层中相遇，二者复合在一起形成电子-空穴对、并释放出能量；该能量以光的形式发出，经过所述发光层中的不同发光分子而显示为不同颜色的光，并从所述有机材料功能层605的两侧均匀的射出。
其中，在图4中包括两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管称为开关薄膜晶体管，另一个薄膜晶体管称为驱动薄膜晶体管；所述开关薄膜晶体管的栅极201与栅线202通过所述导电连接结构504电连接，所述开关薄膜晶体管的源极501与数据线503电连接，所述开关薄膜晶体管的漏极502与驱动薄膜晶体管的栅极201电连接，所述驱动薄膜晶体管的源极501与数据线503电连接，所述驱动薄膜晶体管的漏极502与阳极603电连接。
当然，与所述驱动薄膜晶体管的漏极502电连接的也可以是阴极604。此外，本发明实施例中，也不限于上述两个薄膜晶体管的连接以及，也可以为其他类型，在此不做限定。
需要说明的是，第一，本领域技术人员应该知道，由于栅金属层的栅极201和栅线202是断开的，那么用于电连接栅极201和栅线202的导电连接结构504势必与所述栅极201和栅线202不同层，否则按现有的在形成栅极201和栅线202时，使二者连接即可。
其中，所述导电连接结构504可以位于所述栅金属层下方，也可位于所述栅金属层上方，当然考虑到构图工艺的次数，其也可以与其他电极一起形成，在此不做限定，具体根据实际情况设置。
此外，由于所述导电连接结构504与栅极201和栅线202电连接，不管导电连接结构504是否与其他电极同层，都不能使所述导电连接结构504与之电连接。
第二，不对所述导电连接结构504的具体形状进行限定，以能连接所述栅极201和所述栅线202，又不与其他电极电连接为准。
此外，不对所述导电连接结构504与所述栅极201和所述栅线202的连接方式进行限定，其连接方式例如为通过过孔连接。
第三，所述薄膜晶体管可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或金属氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等，在此不做限定。
此外，所述薄膜晶体管可以是底栅型，也可以是顶栅型。
第四，在所述柔性显示基板为OLED的情况下，不对所述阳极603和阴极604的材料进行限定。即：根据所述阳极603和所述阴极604的材料的不同，可以分为单面发光型柔性显示基板和双面发光型柔性显示基板；其中，当所述阳极603和所述阴极604中其中一个电极的材料为不透明材料时，所述柔性显示基板为单面发光型；当所述阳极603和所述阴极604的材料均为透明材料时，所述柔性显示基板为双面发光型。
对于单面发光型柔性显示基板，根据所述阳极603和所述阴极604的材料的不同，又可以分为上发光型和下发光型。具体的，当所述阳极603靠近所述柔性基底10设置，所述阴极604远离所柔性基底10设置，且所述阳极603的材料为透明导电材料，所述阴极604的材料为不透明导电材料时，由于光从阳极603、再经柔性基底10一侧出射，因此，可以称为下发光型；当所述阳极603的材料为不透明导电材料，所述阴极604的材料为透明或半透明导电材料时，由于光从阴极604、再经与柔性基底10相对设置的封装层出射，因此，可以称为上发光型。
第五，本发明所有实施例的附图均示意性的绘示出与发明点有关的图案层，对于与发明点无关的图案层不进行绘示或仅绘示出部分。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板01，包括：柔性基底10、设置在所述柔性基底10上的栅金属层、栅绝缘层30、半导体有源层40、源漏金属层、以及至少一层电极层。其中，所述栅金属层包括栅极201、栅线202，且所述栅极201和所述栅线202之间断开；所述柔性显示基板01还包括导电连接结构504，所述导电连接结构504分别与所述栅极201和所述栅线202电连接。
由于薄膜晶体管的半导体有源层40、源极501和漏极502均已图案化，其面积比较小，因此，当柔性基底10在形变以及与承载基板剥离时，对上述图案层影响均比较小；在此基础上，当柔性基底10在形变以及与承载基板剥离时，相对现有技术会使栅线202发生形变而导致与栅线202直接连接的栅极201跟着发生形变，从而导致对薄膜晶体管的栅绝缘层30的影响，本发明实施例通过将所述栅金属层的栅极201和栅线202断开设置，可以避免栅线202发生形变时，对栅极201甚至薄膜晶体管的栅绝缘层30的影响，从而降低对薄膜晶体管性能的影响，提高薄膜晶体管的信赖性。
优选的，所述导电连接结构504与所述源极501和所述漏极502同层设置，在此情况下，优选所述导电连接结构504通过过孔分别与所述栅极201和栅线202连接。
这样，既能通过所述导电连接结构504将所述栅极201和所述栅线202导通，起到电连接所述栅极201和所述栅线202的作用，也可避免构图工艺次数的增加。
这里，位于同层的所述源极501、所述漏极502和数据线503均与所述导电连接结构504非接触。
优选的，如图6所示，所述栅绝缘层30包括覆盖所述栅线202的第一绝缘图案301和覆盖所述栅极201的第二绝缘图案302，所述第一绝缘图案301与所述第二绝缘图案302断开。
示例的，参考图6所示，所述第一绝缘图案301例如仅设置在所述栅线202与所述数据线503的交叉区域；所述第二绝缘图案302仅设置在覆盖所述栅极201的薄膜晶体管区域。
相对现有技术中平铺在形成有栅极201和栅线202的基板上的栅绝缘层，本发明实施例中，通过将所述栅绝缘层30图案化，可以降低柔性基底10形变以及与承载基板剥离时对薄膜晶体管的栅绝缘层的影响，从而可以进一步的降低对薄膜晶体管性能的影响，提高薄膜晶体管的信赖性。
考虑到金属氧化物半导体具有电子迁移率高、均一性好等特点，优选的，将所述半导体有源层40设为金属氧化物半导体有源层。
其中，所述金属氧化物半导体有源层的材料可以为：氮氧化锌(ZnON)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、或铟锌氧化物(InZnO)、或锌锡氧化物(ZnSnO)等。
进一步的，当金属氧化物半导体有源层设置在所述源极501和漏极502的下方时，为了避免刻蚀形成源漏电极时对金属氧化物半导体有源层的过刻，如图7所示，可在所述金属氧化物半导体有源层上方形成刻蚀阻挡层70。
基于上述描述，由于所述柔性基底10通常情况下，表面粗糙度较大，会降低设置在其上方的图案层的附着力，在柔性显示基板01弯曲时容易引起设置在柔性基底10上方的图案层破裂或脱落，因此，如图8所示，优选为在所述柔性基底10的上表面设置第一缓冲层801，用于增强第一缓冲层801与所述柔性基底10、以及第一缓冲层801和位于所述第一缓冲层上方的图案层均有较强的附着力，既可以解决粗糙度的问题，也可以避免设置在柔性基底10上的膜层的破裂或脱落。
在此基础上，优选为在所述柔性基底10的下表面设置第二缓冲层802，即所述第二缓冲层802设置在所述柔性基底10与承载基板之间，这样可以在所述柔性基底10形变以及与所述承载基底剥离时，进一步缓解对所述薄膜晶体管图案层的影响。
本发明实施例还提供了一种柔性显示装置，包括上述任意一种柔性显示基板01。
所述柔性显示装置可以为：液晶面板、电子纸、OLED面板、手机、平板电脑、显示器、笔记本电脑、数码相框等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例还提供了一种柔性显示基板的制备方法，如图9所示，该方法包括如下步骤：
S10、如图10所示，在承载基板90上形成柔性基底10。
所述承载基板90可以是玻璃基板，也可以是铁板、钢板等由导热性好的金属制成的基板。
所述柔性基底10的材料可以为聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜、聚对苯二甲酸乙二醇酯和聚萘二甲酸乙二醇酯中的至少一种。
S11、如图1、图4、图6、图11和图12所示，在所述柔性基底10上形成栅金属层、栅绝缘层30(图1和图4中未标识出)、半导体有源层40、源漏金属层、以及至少一层电极层。
其中，所述栅金属层包括栅极201、栅线202，且所述栅极201和所述栅线202之间断开；所述栅极201和所述栅线202通过导电连接结构504电连接。
所述源漏金属层包括源极501、漏极502、以及数据线503(图11和图12中均未标识出)。
所述栅极201、栅绝缘层30、半导体有源层40、源极501和漏极502构成薄膜晶体管。其中，薄膜晶体管中的栅绝缘层30仅是指位于薄膜晶体管区域的栅绝缘层30的部分。
如图11所示，当所述柔性显示基板为LCD的阵列基板时，所述至少一层电极层包括像素电极601，所述像素电极601与所述漏极502电连接。当然，所述至少一层电极层还可以包括公共电极602(图11中未标识出)。
如图12所示，当所述柔性显示基板为OLED时，所述至少一层电极层包括阳极603和阴极604。
在此情况下，所述柔性显示基板01还包括形成在所述阳极603和所述阴极604之间的有机材料功能层605。所述有机材料功能层605至少包括电子传输层、发光层和空穴传输层，为了能够提高所述电子和所述空穴注入发光层的效率，优选的，所述有机材料功能层还可以包括形成在所述阴极604与所述电子传输层之间的电子注入层，以及在所述阳极603与所述空穴传输层之间的空穴注入层。这里，由于有机材料功能层605材料的特殊性，在所述柔性显示基板01上还必须形成用于封装有机材料的封装层；所述封装层可以是柔性封装基板，也可以是一层薄膜，在此不作限定。
其中，对于OLED的一个子像素单元，其可以包括两个薄膜晶体管，一个薄膜晶体管称为开关薄膜晶体管，另一个薄膜晶体管称为驱动薄膜晶体管；所述开关薄膜晶体管的栅极201与栅线202通过所述导电连接结构504电连接，所述开关薄膜晶体管的源极501与数据线503电连接，所述开关薄膜晶体管的漏极502与驱动薄膜晶体管的栅极201电连接，所述驱动薄膜晶体管的源极501与数据线503电连接，所述驱动薄膜晶体管的漏极502与阳极603电连接。当然，本发明实施例中，也不限于上述两个薄膜晶体管的连接以及，也可以为其他类型，在此不做限定。
此处需要说明的是，第一，本领域技术人员应该知道，由于栅金属层的栅极201和栅线202是断开的，那么用于电连接栅极201和栅线202的导电连接结构504势必与所述栅极201和栅线202不同层，否则按现有的在形成栅极201和栅线202时，使二者连接即可。
其中，所述导电连接结构504可以形成在所述栅金属层下方，也可以形成在所述栅金属层上方，当然考虑到构图工艺的次数，其也可以与其他电极一起形成，在此不做限定。
此外，由于所述导电连接结构504与栅极201和栅线202电连接，不管导电连接结构504是否与其他电极同层，都不能使所述导电连接结构504与之电连接。
第二，不对所述导电连接结构504的具体形状进行限定，以能连接所述栅极201和所述栅线202，又不与其他电极电连接为准。
此外，不对所述导电连接结构504与所述栅极201和所述栅线202的连接方式进行限定，其连接方式例如为通过过孔连接。
第三，图12的剖视图中仅示意性的绘示出其中一个薄膜晶体管、以及阳极603、阴极604和有机材料功能层605的结构关系，仅是为了对所述柔性显示基板为OLED时的情况进行说明。
第四，不对所述半导体有源层40的材料进行限定，其可以是非晶硅、或低温多晶硅、或金属氧化物、或有机物等，即所述薄膜晶体管可以是非晶硅型薄膜晶体管、或低温多晶硅型薄膜晶体管、或金属氧化物型薄膜晶体管、或有机物型薄膜晶体管等。
此外，不对所述栅极201和栅绝缘层30的形成顺序进行限定，可以是先形成栅极201，再形成栅绝缘层30，即此时薄膜晶体管为底栅型；也可以是先形成栅绝缘层30，再形成栅极201，即此时薄膜晶体管为顶栅型。
S12、将所述承载基板90和与所述承载基板接触的柔性基底10剥离，形成所述柔性显示基板01。
这里，例如采用激光照射方式，将所述承载基板90和与所述承载基板直接接触的柔性基底10剥离。或者，当承载基板90为导热性好的金属制成的基板时，也可以采用加热法对所述承载基板90进行加热，从而将所述承载基板90和与所述承载基板直接接触的柔性基底10剥离。当然，也可以为其他方法，在此不再赘述。
本发明实施例提供了一种柔性显示基板的制备方法，包括：在承载基板90上形成柔性基底10；在所述柔性基底10上形成栅金属层、栅绝缘层30、半导体有源层40、源漏金属层、以及至少一层电极层；将所述承载基板90和与所述承载基板接触的柔性基底剥离，形成所述柔性显示基板01；其中，所述栅金属层包括栅极201、栅线202，且所述栅极201和所述栅线202之间断开；所述栅极201和所述栅线202通过导电连接结构504电连接。
由于薄膜晶体管的半导体有源层40、源极501和漏极502均已图案化，其面积比较小，因此，当柔性基底10在形变以及与承载基板剥离时，对上述图案层影响均比较小；在此基础上，当柔性基底10在形变以及与承载基板90剥离时，相对现有技术会使栅线202发生形变而导致与栅线202直接连接的栅极201跟着发生形变，从而导致对薄膜晶体管的栅绝缘层30的影响，本发明实施例通过将所述栅金属层的栅极201和栅线202断开设置，可以避免栅线202发生形变时，对栅极201甚至薄膜晶体管的栅绝缘层30的影响，从而降低对薄膜晶体管性能的影响，提高薄膜晶体管的信赖性。
优选的，参考图11、图12所示，在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括在栅极201和栅线202上形成露出栅极201和栅线202的过孔。
在此情况下，优选的，将所述导电连接结构504与所述源极501、所述漏极502采用同一次构图工艺形成，所述导电连接结构504通过所述过孔与所述栅极201和栅线202连接。其中，所述导电连接结构504与所述源极501、所述漏极502、所述数据线503非接触。
所述导电连接结构504与所述源极501、所述漏极502数据线503通过同一次构图工艺形成。这样，既能通过所述导电连接结构504将所述栅极201和所述栅线202导通，起到电连接所述栅极201和所述栅线202的作用，也可避免构图工艺次数的增加。
优选的，参考图6所示，形成所述栅绝缘层30包括：形成覆盖所述栅线202的第一绝缘图案301和覆盖所述栅极201的第二绝缘图案302，所述第一绝缘图案301与所述第二绝缘图案302断开。
示例的，参考图6所示，所述第一绝缘图案301例如仅形成在所述栅线202与所述数据线503的交叉区域；所述第二绝缘图案302仅形成在覆盖所述栅极201的薄膜晶体管区域。
相对现有技术中平铺在形成有栅极201和栅线202的基板上的栅绝缘层，本发明实施例中，通过将所述栅绝缘层30图案化，可以降低柔性基底10形变以及与承载基板剥离时对薄膜晶体管的栅绝缘层的影响，从而可以进一步的降低对薄膜晶体管性能的影响，提高薄膜晶体管的信赖性。
考虑到金属氧化物半导体具有电子迁移率高、均一性好等特点，优选的，将所述半导体有源层40设为金属氧化物半导体有源层。
其中，所述金属氧化物半导体有源层的材料可以为：氮氧化锌(ZnON)、铟镓锌氧化物(IGZO)、铟锡锌氧化物(ITZO)、或铟锌氧化物(InZnO)、或锌锡氧化物(ZnSnO)等。
进一步的，在所述金属氧化物半导体有源层40形成在所述源极501和所述漏极502下方的情况下，如图13所示，所述方法还包括：在所述金属氧化物半导体有源层40上方形成刻蚀阻挡层70。
基于上述描述，由于所述柔性基底10通常情况下，表面粗糙度较大，会降低形成在其上方的图案层的附着力，在柔性显示基板01弯曲时容易引起形成在柔性基底10上方的图案层破裂或脱落，因此，如图14所示，所述方法还包括：在所述柔性基底10远离所述承载基板90一侧表面形成第一缓冲层801；在所述柔性基底10靠近所述承载基板90一侧表面形成第二缓冲层802。
其中，所述第一缓冲层801用于增强第一缓冲层801与所述柔性基底10、以及第一缓冲层801和位于所述第一缓冲层上方的图案层均有较强的附着力，既可以解决粗糙度的问题，也可以避免形成在柔性基底10上的膜层的破裂或脱落。所述第二缓冲层802用于在所述柔性基底10形变以及与所述承载基底90剥离时，进一步缓解对所述薄膜晶体管图案层的影响。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种柔性显示基板，其特征在于，包括：柔性基底、设置在所述柔性基底上的栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；
所述栅金属层包括同层设置的栅极和栅线，且所述栅极和所述栅线之间断开；
所述柔性显示基板还包括导电连接结构，所述导电连接结构分别与所述栅极和所述栅线电连接；
所述栅绝缘层包括覆盖所述栅线的第一绝缘图案和覆盖所述栅极的第二绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案断开；
其中，所述导电结构与所述栅金属层不同层。
2.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述导电连接结构与所述源极和漏极同层设置，所述导电连接结构通过过孔分别与所述栅极和栅线连接。
3.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述电极层包括阳极和阴极；
所述柔性显示基板还包括设置在所述阳极和所述阴极之间的有机材料功能层。
4.根据权利要求1所述的柔性显示基板，其特征在于，所述电极层包括像素电极。
5.一种柔性显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-4任一项所述的柔性显示基板。
6.一种柔性显示基板的制备方法，其特征在于，包括：
在承载基板上形成柔性基底；
在所述柔性基底上形成栅金属层、栅绝缘层、半导体有源层、源漏金属层、以及至少一层电极层；
将所述承载基板和与所述承载基板接触的柔性基底剥离，形成所述柔性显示基板；
形成所述栅金属层包括：通过同一次构图工艺形成栅极和栅线，所述栅极和所述栅线之间断开；所述栅极和所述栅线通过导电连接结构电连接；
形成所述栅绝缘层包括：形成覆盖所述栅线的第一绝缘图案和覆盖所述栅极的第二绝缘图案，所述第一绝缘图案与所述第二绝缘图案断开；
其中，所述导电结构与所述栅金属层不同层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，在形成所述源漏金属层之前，所述方法还包括在栅极和栅线上形成露出栅极和栅线的过孔。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述源漏金属层包括源极和漏极，所述导电连接结构与所述源极、所述漏极采用同一次构图工艺形成，所述导电连接结构通过所述过孔与所述栅极和栅线连接；
其中，所述导电连接结构与所述源极、所述漏极、数据线非接触。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成至少一层电极层，包括：形成阳极和阴极；
所述方法还包括：在所述阳极和所述阴极之间形成有机材料功能层。
10.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，形成至少一层电极层，包括：形成像素电极。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410224918.4A CN104022124B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| PCT/CN2014/087866 WO2015180349A1 (zh) | 2014-05-26 | 2014-09-30 | 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410224918.4A CN104022124B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104022124A CN104022124A (zh) | 2014-09-03 |
| CN104022124B true CN104022124B (zh) | 2017-06-27 |
Family
ID=51438794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410224918.4A Active CN104022124B (zh) | 2014-05-26 | 2014-05-26 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104022124B (zh) |
| WO (1) | WO2015180349A1 (zh) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104022124B (zh) * | 2014-05-26 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN105845701A (zh) * | 2015-01-16 | 2016-08-10 | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 | 一种柔性显示装置及其制作方法 |
| CN107706156A (zh) * | 2017-11-13 | 2018-02-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN109597258A (zh) * | 2018-11-19 | 2019-04-09 | 南京华日触控显示科技有限公司 | 一种邦定去邦定工艺制作的膜结构胆甾相液晶显示屏 |
| CN109830504A (zh) * | 2019-01-08 | 2019-05-31 | 云谷（固安）科技有限公司 | 可拉伸显示结构及其制造方法以及显示装置 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060024128A (ko) * | 2004-09-13 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 플렉서블 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN101093325A (zh) * | 2006-06-19 | 2007-12-26 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 |
| CN101136413A (zh) * | 2006-08-28 | 2008-03-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN102487043A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器 |
| CN102819158A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板 |
| CN203850299U (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及柔性显示装置 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100713985B1 (ko) * | 2005-05-16 | 2007-05-04 | 삼성에스디아이 주식회사 | 박막트랜지스터 및 박막트랜지스터 제조방법 |
| KR101396940B1 (ko) * | 2007-12-05 | 2014-05-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전기영동표시소자에 적용한 유기박막트랜지스터 및 그제조방법 |
| JP6035734B2 (ja) * | 2011-06-20 | 2016-11-30 | ソニー株式会社 | 半導体素子、表示装置および電子機器 |
| US9190421B2 (en) * | 2011-08-18 | 2015-11-17 | Lg Display Co., Ltd. | Display device and fabrication method thereof |
| CN103700322B (zh) * | 2013-12-27 | 2016-03-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及显示装置 |
| CN104022124B (zh) * | 2014-05-26 | 2017-06-27 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
-
2014
- 2014-05-26 CN CN201410224918.4A patent/CN104022124B/zh active Active
- 2014-09-30 WO PCT/CN2014/087866 patent/WO2015180349A1/zh active Application Filing
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20060024128A (ko) * | 2004-09-13 | 2006-03-16 | 삼성전자주식회사 | 플라스틱 기판을 이용한 플렉서블 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN101093325A (zh) * | 2006-06-19 | 2007-12-26 | Lg.菲利浦Lcd株式会社 | 用于液晶显示器件的阵列基板及其制造方法 |
| CN101136413A (zh) * | 2006-08-28 | 2008-03-05 | 三星电子株式会社 | 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 |
| CN102487043A (zh) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制造方法和电子纸显示器 |
| CN102819158A (zh) * | 2012-08-10 | 2012-12-12 | 北京京东方光电科技有限公司 | 一种显示面板 |
| CN203850299U (zh) * | 2014-05-26 | 2014-09-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种柔性显示基板及柔性显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2015180349A1 (zh) | 2015-12-03 |
| CN104022124A (zh) | 2014-09-03 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104022123B (zh) | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 | |
| CN103872060B (zh) | 阵列基板及其制造方法 | |
| CN104253159B (zh) | 薄膜晶体管及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置 | |
| CN103219391B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN104022124B (zh) | 一种柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 | |
| CN104183608B (zh) | Tft背板结构及其制作方法 | |
| CN106896609A (zh) | 一种阵列基板及包括其的显示装置 | |
| CN106876412A (zh) | 一种阵列基板以及制作方法 | |
| CN106558594A (zh) | 阵列基板、显示面板、显示装置及制备方法 | |
| CN106847743A (zh) | Tft基板及其制作方法 | |
| CN104716196B (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN103824873B (zh) | 有机发光显示设备及其制造方法 | |
| CN106653810B (zh) | Oled显示面板以及oled显示装置 | |
| CN107706214A (zh) | 柔性显示装置的模组结构和柔性触控显示装置 | |
| CN107170764A (zh) | 阵列基板、阵列基板的制造方法、显示面板和显示装置 | |
| CN104716147B (zh) | 一种tft阵列基板及其制备方法、显示装置 | |
| CN109326624A (zh) | 像素电路、其制造方法及显示装置 | |
| CN105655378A (zh) | 一种阵列基板和oled显示面板、制备方法及显示装置 | |
| CN107895726A (zh) | 一种阵列基板及其制作方法和显示装置 | |
| CN106298957A (zh) | 一种薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| CN206834178U (zh) | 一种阵列基板、显示面板以及显示装置 | |
| CN107037639A (zh) | 显示面板及显示装置 | |
| CN106842751A (zh) | 阵列基板及其修复方法、显示装置 | |
| CN103474439B (zh) | 一种显示装置、阵列基板及其制作方法 | |
| CN207199630U (zh) | 一种薄膜晶体管及显示装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |