CH696615A5 - Verfahren für die Justierung des Bondkopfs eines Die Bonders. - Google Patents
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Description
[0001] Die Erfindung betrifft ein Verfahren für die Justierung des Bondkopfs eines Die-Bonders der im Oberbegriff des Anspruchs 1 genannten Art. [0002] Ein Die-Bonder ist eine Maschine, die einen Halbleiterchip auf ein Trägermaterial, insbesondere auf ein Leadframe, aufklebt (bondet). Eine solche Maschine wird z.B. in EP 0 462 596 beschrieben. Damit das nachfolgende Wire-Bonding problemlos erfolgen kann, muss die räumliche Lage des Bondkopfes des Die-Bonders derart eingestellt werden, dass der Halbleiterchip innerhalb festgelegter Toleranzen von wenigen Mikrometern planparallel auf dem Trägermaterial klebt. Eine Schräglage des Halbleiterchips wird im Fachjargon als Tilt bezeichnet. Für die Eliminierung der Schräglage sind am Bondkopf zwei Justierungsschrauben vorhanden, die Drehungen des Bondkopfs um zwei orthogonale Achsen ermöglichen. Der Bondkopf enthält ein gegenüber dem Bondkopf heb- und senkbares Greiforgan für die Aufnahme des Halbleiterchips. Das Greiforgan gibt es in verschiedenen Ausführungen, wobei Greiforgane mit einer Düse aus Gummi, bekannt als "rubber tool", weit verbreitet sind. Nach jedem Auswechseln der Gummidüse muss der Bondkopf 6 neu justiert werden, da sich die Gummidüsen nicht mit der erforderlichen Genauigkeit herstellen lassen. Für die Messung der Schräglage der Halbleiterchips sind heutzutage die folgenden drei Methoden bekannt: a) : Es wird ein Lineal am Bondkopf befestigt. Der Bondkopf wird über die Prozess-Auflage abgesenkt, bis nur noch ein minimaler Spalt zwischen dem Lineal und der Prozess-Auflage vorhanden ist. Ein Operateur beobachtet den Spalt und betätigt die Justierungsschrauben des Bondkopfs, bis die Höhe des Spalts gleichmässig ist. Bei dieser Methode wird nicht die Schräglage der Halbleiterchips gemessen, sondern die Schräglage einer Justierungslehre, die am Bondkopf und nicht an der Gummidüse befestigt ist. Die erzielbare Genauigkeit hängt zudem vom Operateur ab. b) : Die Schräglage wird erst nach dem Bonden eines Halbleiterchips unter einem Mikroskop bestimmt. Diese Methode ist zeitaufwendig. c) : Die Justierung des Bondkopfs erfolgt mittels eines Verfahrens und eines Sensors, wie in der europäischen Patentanmeldung EP 913 857 beschrieben ist. Diese Methode eignet sich schlecht für Halbleiterchips mit geringen Abmessungen. [0003] Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu entwickeln, mit dem der Bondkopf eines Die-Bonders auf einfache Weise justiert werden kann. [0004] Die genannte Aufgabe wird erfindungsgemäss gelöst durch die Merkmale der Ansprüche 1 oder 2. [0005] Die Erfindung schlägt zur Lösung der vorgenannten Aufgabe ein Verfahren vor, bei dem die Höhe von mindestens drei Punkten der Unterseite des Halbleiterchips in Bezug auf eine Referenzfläche bestimmt und daraus die Schräglage berechnet wird. Die Bestimmung der Höhen erfolgt, indem der Halbleiterchip abgesenkt wird, bis der Halbleiterchip in Berührung mit einer Nadel kommt. Bevorzugt wird bei diesem Verfahren die Höhe der vier Ecken des Halbleiterchips bestimmt. [0006] Nachfolgend wird ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand der Zeichnung näher erläutert. Die Figuren sind schematisch und nicht massstäblich gezeichnet. [0007] Es zeigen: <tb>Fig. 1<sep>schematisch und in Aufsicht einen Die-Bonder, <tb>Fig. 2<sep>in seitlicher Ansicht und schematisch den Bondkopf des Die-Bonders und eine Hilfsvorrichtung zur Justierung des Bondkopfs, <tb>Fig. 3<sep>eine Zeichnung zur Illustration der Bestimmung der Schräglage anhand von Messwerten, und <tb>Fig. 4<sep>ein Diagramm zur Veranschaulichung verschiedener Möglichkeiten der Auswertung eines Ausgangssignals eines Sensors. [0008] Die Fig. 1 zeigt schematisch und in Aufsicht einen Die-Bonder für die Platzierung von Halbleiterchips 1 auf einem Substrat 2. Mit x, y und z sind die drei Koordinatenachsen eines kartesischen Koordinatensystems bezeichnet, wobei die z-Achse der vertikalen Richtung entspricht. Der Die-Bonder umfasst ein Transportsystem 3 für den Transport des Substrats in x-Richtung und, fakultativ, auch in y-Richtung. Ein geeignetes Transportsystem 3 ist z.B. im europäischen Patent EP 330 831 beschrieben. Die Halbleiterchips 1 werden vorzugsweise auf einem Wafertisch 4 bereitgestellt. Ein Pick and Place System 5 mit einem Bondkopf entnimmt einen Halbleiterchip 1 nach dem andern vom Wafertisch 4, transportiert ihn zum Substrat 2 und setzt ihn auf dem Substrat 2 ab. [0009] Damit die Halbleiterchips 1 planparallel auf dem Substrat 2 aufgeklebt werden, wird der Bondkopf des Die-Bonders vor dem Beginn des Montageprozesses justiert. Bei dieser Justierung wird der Bondkopf bezüglich zwei horizontal verlaufenden Achsen so eingestellt, dass der aufgenommene Halbleiterchip planparallel zu einer horizontalen Ebene verläuft. [0010] Das Prinzip der Erfindung wird anhand der Fig. 2 erläutert. Die Fig. 2 zeigt in seitlicher Ansicht und schematisch den Bondkopf 6 des Die-Bonders. Der Bondkopf 6 umfasst ein Greiforgan 7, das gegenüber dem Bondkopf 6 entlang einer vorbestimmten Achse 8 auslenkbar sowie um die vorbestimmte Achse 8 drehbar ist. Im Beispiel ist das Greiforgan 7 mit einer Gummidüse 9 ausgerüstet. Das Greiforgan 7 ist mit Vakuum beaufschlagbar, um den Halbleiterchip 1 aufnehmen und halten zu können. Der Bondkopf 6 wird vom Pick and Place System 5 (Fig. 1) in x- und y-Richtung zwischen dem Wafertisch 4 (Fig. 1) und dem Bondplatz über dem Substrat 2 (Fig. 1) hin und her bewegt. Bei der Entnahme eines Halbleiterchips 1 vom Wafertisch 4 und beim Aufsetzen des Halbleiterchips 1 auf das Substrat 2 wird das Greiforgan 7 gegenüber dem Bondkopf 6 entlang der vorbestimmten Achse 8 ausgelenkt, wobei der Auslenkung des Greiforgans 7 entweder die Kraft einer Feder oder eine pneumatisch erzeugte Kraft entgegenwirkt. Der Bondkopf 6 enthält einen Sensor 10 für die Messung der Auslenkung des Greiforgans 7. Der Sensor 10 ist vorzugsweise ein induktiver Sensor, der aus einer am Greiforgan 7 fixierten metallischen Platte 11 und einer am Bondkopf 6 fixierten Spule 12 besteht. Der Bondkopf 6 ist um zwei orthogonal zueinander verlaufende Achsen 13 und 14 drehbar, um eine allfällige Schräglage der aufgenommenen Halbleiterchips 1 eliminieren zu können. Die Drehung des Bondkopfs 6 um die Achsen 13 und 14 erfolgt je mittels einer Einstellschraube 15 bzw. 16, die vorzugsweise mit einer Skaleneinteilung versehen ist, wobei eine Drehung um eine Skaleneinheit beispielsweise einer Drehung um einen Winkel von 0,1 deg. entspricht. [0011] Bei diesem Ausführungsbeispiel ist zudem ein Messsystem vorhanden, um die z-Höhe des Bondkopfs 6 bezüglich der Prozessplatte 17 zu messen. [0012] Im Produktionsbetrieb wird das Substrat 2 am Bondplatz auf einer Prozessplatte 17 bereitgestellt. Für die Justierung des Bondkopfs 6 wird eine mit einer vorstehenden Nadel 18 versehene Platte 19 auf die Prozessplatte 17 gelegt oder dort temporär befestigt. Die Justierung des Bondkopfs 6 erfolgt gemäss den nachstehend erläuterten Verfahrensschritten: a) : Der Bondkopf 6 nimmt einen Halbleiterchip 1 auf. b) : Das Pick and Place System 5 bewegt den Bondkopf zu einer ersten, durch die Koordinaten (x1, y1) charakterisierten Position, in der sich der Halbleiterchip 1 oberhalb der Nadel 18 befindet. Der Bondkopf 6 wird, vorzugsweise mit konstanter Geschwindigkeit, abgesenkt, wobei das Ausgangssignal des Sensors 10 überwacht wird. Da auf den Halbleiterchip 1 und somit auch auf das Greiforgan 7 zu Beginn keine Kraft einwirkt, befindet sich das Greiforgan 7 in seiner Ruhelage, d.h. bezüglich des Bondkopfs 6 in einer unteren Endposition. In dem in der Fig. 2 dargestellten Beispiel liegt die Platte 11 in der unteren Endposition auf einer Anschlagsfläche des Bondkopfs 6 auf. Das Greiforgan 7 macht die Absenkbewegung des Bondkopfs 6 mit. Das Ausgangssignal des Sensors 10 ist daher konstant. Sobald die Unterseite des Halbleiterchips 1 die Nadel 18 berührt, ändert sich die z-Höhe des Greiforgans 7 nicht mehr, während die z-Höhe des Bondkopfs 6 weiterhin abnimmt: Das Greiforgan 7 wird also gegenüber dem Bondkopf 6 ausgelenkt. Somit ändert sich das Ausgangssignal des Sensors 10, sobald die Unterseite des Halbleiterchips 1 die Nadel 18 berührt. Das Absenken des Bondkopfs 6 wird gestoppt, sobald die Änderung des Ausgangssignals des Sensors 10 einen vorbestimmten Schwellwert überschreitet, und der Bondkopf 6 wieder angehoben. Aus dem zeitlichen Verlauf des Ausgangssignals des Sensors 10 wird nun die Höhe z1(x1, y1) bestimmt, die der Bondkopf 6 an dem Zeitpunkt einnahm, an dem der Halbleiterchip 1 mit der Nadel 18 in Berührung kam. c) : Der Schritt b wird für mindestens zwei weitere Positionen mit den Koordinaten (x2, y2) und (x3, y3) durchgeführt und entsprechende Werte z2(x2, y2) und z3(x3, y3) werden ermittelt. Die Werte z2(x2, y2) und z3(x3, y3) entsprechen wiederum der Höhe, die der Bondkopf 6 an dem Zeitpunkt einnahm, an dem der Halbleiterchip 1 beim Absenken des Bondkopfs 6 mit der Nadel 18 in Berührung kam. d) : Aus den Werten z1(x1, y1), z2(x2, y2) und z3(x3, y3) werden zwei Winkel alpha und beta bestimmt, wobei der Winkel alpha den Winkel bezeichnet, um den der Bondkopf 6 gegenüber seiner idealen Lage um die Achse 13 verdreht ist, und wobei der Winkel beta den Winkel bezeichnet, um den der Bondkopf 6 gegenüber seiner idealen Lage um die Achse 14 verdreht ist. Die Anzeige der Winkel alpha und beta erfolgt vorzugsweise in Einheiten der Skaleneinteilung der Einstellschrauben, e) : Der Operateur dreht die beiden Einstellschrauben 15 und 16 um die im Schritt d ermittelten Winkel alpha bzw. beta . [0013] Es ist möglich, dass der Abstand des Bondkopfs 6 zur Prozessplatte 17 von den Koordinaten x und y abhängt. Diese Abhängigkeit wird bei der Kalibration des Die-Bonders ermittelt. Falls der Abstand des Bondkopfs 6 zur Prozessplatte 17 örtlich variiert, dann sind die gemessenen Höhen z1(x1, y1), z2(x2, y2). und z3(x3, y3) entsprechend zu korrigieren, bevor im Schritt d die Winkel alpha und beta berechnet werden. [0014] Im Idealfall ist der Halbleiterchip 1 nun planparallel zur Prozessplatte 17 ausgerichtet. Die Schritte b bis e können aber fakultativ wiederholt werden, bis die Messresultate ergeben, dass die Schräglage des Halbleiterchips 1 tatsächlich eliminiert ist. [0015] Die Koordinaten (x1, y1), (x2, y2) und (x3, y3) werden entsprechend den Abmessungen des Halbleiterchips 1 mit Vorteil so ausgewählt, dass die Nadel 18 jeweils im Bereich von dessen Ecken mit der Unterseite des Halbleiterchips 1 in Berührung kommt. [0016] Die Fig. 3 zeigt den Halbleiterchip 1, der sich in einer Schräglage befindet, und die drei ermittelten Höhen z1(x1 y1, z2(x2, y2) und z3(x3, y3), sowie die zu bestimmenden Winkel alpha und beta . Für den Fall, dass y2 = y1 und x3 = x2 ist, erhält man die Winkel alpha und beta aus den Gleichungen: <EMI ID=2.0> <EMI ID=3.0> [0017] Für die Bestimmung der Winkel alpha und beta sind immer Differenzen zwischen zwei gemessenen Höhen massgebend. Aus diesem Grund spielt es keine Rolle, wenn die ermittelten Höhen z1, z2 und z3 einen systematischen Fehler aufweisen. Die Höhe z(x, y), die der Bondkopf 6 an dem Zeitpunkt einnahm, an dem der Halbleiterchip 1 beim Absenken des Bondkopfs 6 mit der Nadel 18 in Berührung kam, kann aus dem Ausgangssignal des Sensors 10 auf verschiedene, im Hinblick auf die Differenzbildung in den Gleichungen (1) und (2) äquivalente Weisen ermittelt werden. Die Bestimmung der Höhe z(x, y) für die drei im folgenden beschriebenen Methoden ist aus der Fig. 4 ersichtlich. Die Fig. 4 zeigt das Ausgangssignal U(z) des Sensors 10 in Bezug auf die Höhe z des Bondkopfs 6. a) : Es wird eine Höhe zA(x, y) bestimmt, die der Bondkopf 6 beim Absenken einnahm, als das Ausgangssignal U des Sensors 10 einen vorbestimmten absoluten Wert UA erreichte. b) : Es wird eine Höhe zB(x, y) bestimmt, die der Bondkopf 6 beim Absenken einnahm, als das Ausgangssignal des Sensors 10 gegenüber dem Wert zu Beginn des Absenkens, d.h. dem der Ruhelage des Greiforgans 7 entsprechenden Wert, um einen vorbestimmten Wert UD zugenommen hatte. c) : Der Auslenkung des Greiforgans 7 aus der Ruhelage wirken Reibungskräfte zwischen dem Greiforgan 7 und dem Bondkopf 6 entgegen. Dies bedeutet, dass das Ausgangssignal U(z) im Bereich der Ruhelage nicht linear ist. Die Form des Ausgangssignals U(z) kann durch eine Eichmessung bestimmt werden, so dass aus dem gemessenen Verlauf des Ausgangssignals eine Höhe zc(x, y) bestimmt werden kann, die der effektiven Höhe entspricht, die der Bondkopf beim Absenken einnahm, an dem der Halbleiterchip 1 beim Absenken des Bondkopfs 6 mit der Nadel 18 in Berührung kam. [0018] Im diesem Sinne bedeutet die Anweisung "Aus dem Ausgangssignal des Sensors bestimmen einer Höhe z1(x1, y1), die der Bondkopf an dem Zeitpunkt einnahm, an dem der Halbleiterchip mit der Nadel in Berührung kam" die Ermittlung der Höhe z1(x1, y1 nach einer der vorgenannten oder einer weiteren dazu äquivalente Methode, d.h. es kann z1(x1 y1) = zA sein oder z1(x1, y1) = zB sein oder z1(x1, y1) = zC sein. [0019] Aus der europäischen Patentanmeldung EP 1 321 967 ist ein Bondkopf mit einem Greiforgan bekannt, bei dem der Bondkopf in z-Richtung nicht heb- und senkbar ist, sondern bei dem nur das Greiforgan eine Bewegung in z-Richtung ausführen kann. Die Bewegung des Greiforgans erfolgt pneumatisch. Die Erfindung lässt sich auch in diesem Fall verwenden, wobei dann anstelle des Bondkopfs das Greiforgan abgesenkt wird. Zu Beginn des Absenkens ändert sich das Ausgangssignal des induktiven Sensors, weil die Auslenkung des Greiforgans gegenüber dem Bondkopf ändert. Es wird nun die Höhe z(x, y) bestimmt, an der die Absenkbewegung des Greiforgans gestoppt wird, weil die Nadel in Berührung mit dem Halbleiterchip kommt. Diese Höhe ist unter idealen Bedingungen dann erreicht, wenn das Ausgangssignal des Sensors einen konstanten Wert erreicht hat. [0020] Obwohl die Justierung des Bondkopfs bevorzugt mittels eines der zu montierenden Halbleiterchips erfolgt, kann anstelle des Halbleiterchips auch ein Plättchen, beispielsweise aus Kunststoff oder aus Metall, aufgenommen werden und die Justierung mit diesem Plättchen durchgeführt werden. [0021] Für die Ermittlung der Schräglage des Halbleiterchips genügt es, drei Höhen zu bestimmen. Wenn vier Höhen bestimmt werden, beispielsweise die Höhen der vier Ecken des Halbleiterchips, dann kann der Messfehler auf ein Minimum beschränkt werden. [0022] Die Erfindung wurde bisher erläutert am Beispiel eines Die-Bonders, bei dem der Bondkopf 6 (Fig. 2) in x- und in y-Richtung bewegt wird, um jeweils eine Ecke des Halbleiterchips 1 über der Nadel 18 zu positionieren. Wenn der technisch mögliche Fahrweg des Bondkopfs 6 für diese Bewegungen nicht ausreicht, dann kann natürlich anstelle des Bondkopfs 6 die Nadel 18 verschoben werden, entweder indem die Platte 19 mit der vorstehenden Nadel 18 von Hand verschoben wird oder indem die Platte 19 mit der vorstehenden Nadel 18 von Hand verschoben wird oder indem die Platte 19 auf einem xy-Tisch montiert wird, um die Platte 19 auf der Prozessplatte 17 mit grosser Präzision in x- und in y-Richtung bewegen zu können. [0023] Des Weiteren ist es erforderlich, die Lage des Halbleiterchips 1 bezüglich der Spitze der Nadel 18 zu kennen. Der Die-Bonder weist in der Regel zwei Kameras auf, wovon die erste Kamera dazu dient, die Lage des auf dem Wafertisch 4 bereitgestellten Halbleiterchips 1 bezüglich der Achse 8 zu bestimmen, und wovon die über dem Bondplatz angeordnete zweite Kamera dazu dient, die Lage des Substrats 2 bezüglich der Achse 8 zu bestimmen. Die Lage der Spitze der Nadel 18 kann deshalb mit der zweiten Kamera bestimmt werden. Damit sind alle notwendigen Informationen vorhanden, um einerseits optimale Koordinaten (x1, y1), (x2, y2) und (x3, y3) auswählen und mit grosser Genauigkeit anfahren zu können, und um andererseits sicherzustellen, dass der Halbleiterchip 1 beim Absenken auf die Nadel 18 auftrifft und dass die Lage der Kanten des Halbleiterchips 1 zu den drei Koordinaten (x1, y1), (x2, y2) und (x3, y3) bekannt ist, so dass die beiden Winkel alpha und beta korrekt berechnet werden können.
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Families Citing this family (23)
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CN100435306C (zh) * | 2007-01-29 | 2008-11-19 | 南京时恒电子科技有限公司 | 微型传感器点焊工艺方法 |
JP4958655B2 (ja) * | 2007-06-27 | 2012-06-20 | 新光電気工業株式会社 | 電子部品実装装置および電子装置の製造方法 |
US7849896B2 (en) * | 2008-02-26 | 2010-12-14 | Asm Assembly Automation Ltd | Bondhead alignment tool for a bonding apparatus |
CN102699532A (zh) * | 2012-06-11 | 2012-10-03 | 卓越(苏州)自动化设备有限公司 | 激光焊接圆弧型产品的装置 |
US8919528B2 (en) * | 2012-07-13 | 2014-12-30 | Hewlett-Packard Industrial Printing Ltd. | Nozzled device to align a substrate on a surface |
KR102220327B1 (ko) | 2014-06-17 | 2021-02-25 | 세메스 주식회사 | 노즐 수평 측정 유닛 및 이에 의한 측정 방법 |
KR101972363B1 (ko) * | 2014-08-13 | 2019-08-16 | 가부시키가이샤 신가와 | 실장 장치 및 측정 방법 |
JP6538358B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-07-03 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ボンディング装置およびボンディング装置のコレット傾き検査方法 |
JP6470054B2 (ja) * | 2015-01-26 | 2019-02-13 | ファスフォードテクノロジ株式会社 | ダイボンダおよびボンディング方法 |
SG11201903110SA (en) * | 2016-10-08 | 2019-05-30 | Capcon Ltd | Apparatus, control method and control device of semiconductor packaging |
US10050008B1 (en) * | 2017-01-24 | 2018-08-14 | Asm Technology Singapore Pte Ltd | Method and system for automatic bond arm alignment |
CN109216390A (zh) * | 2018-08-28 | 2019-01-15 | 中国电子科技集团公司第十研究所 | 一种长线列双探测器芯片的倒装互连方法 |
US11540399B1 (en) * | 2020-04-09 | 2022-12-27 | Hrl Laboratories, Llc | System and method for bonding a cable to a substrate using a die bonder |
KR20230008191A (ko) * | 2020-05-19 | 2023-01-13 | 가부시키가이샤 신가와 | 본딩 장치 및 본딩 헤드 조정 방법 |
CN113745126B (zh) * | 2020-05-29 | 2023-05-26 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种晶圆调平方法、芯片键合方法、芯片键合设备及光刻系统 |
CN114364940B (zh) * | 2020-07-30 | 2024-10-01 | 株式会社新川 | 安装装置以及安装装置中的平行度检测方法 |
TWI767711B (zh) * | 2021-05-19 | 2022-06-11 | 梭特科技股份有限公司 | 穩定固晶裝置 |
TWI794873B (zh) * | 2021-07-08 | 2023-03-01 | 亞亞科技股份有限公司 | 晶片檢測裝置之料盤翻轉模組 |
CN114420715B (zh) * | 2021-12-15 | 2024-07-23 | 深圳市思坦科技有限公司 | 键合找平方法以及键合加工设备 |
TW202419235A (zh) * | 2022-07-20 | 2024-05-16 | 瑞士商伊斯美加半導體控股公司 | 感測器總成、元件處置總成及用於遞送元件之方法 |
CN116577070B (zh) * | 2023-04-04 | 2024-01-26 | 河北圣昊光电科技有限公司 | 一种soa芯片光放大检测方法及检测设备 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0462596A1 (de) * | 1990-06-19 | 1991-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Verfahren und Einrichtung für die Verpackung eines Halbleiterkomponenten |
JPH0513997A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイスボンダーヘツド装置 |
US5278634A (en) * | 1991-02-22 | 1994-01-11 | Cyberoptics Corporation | High precision component alignment sensor system |
US5547537A (en) * | 1992-05-20 | 1996-08-20 | Kulicke & Soffa, Investments, Inc. | Ceramic carrier transport for die attach equipment |
EP0913857A1 (de) * | 1997-10-30 | 1999-05-06 | Esec Sa | Verfahren und Einrichtung für die Justierung des Bondkopfes eines Bonders, insbesondere eines Die-Bonders |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0330831B1 (de) * | 1988-02-26 | 1995-10-04 | Esec Sa | Verfahren und Einrichtung zum Bestücken von metallenen Systemträgern mit elektronischen Komponenten |
US5262355A (en) * | 1990-06-19 | 1993-11-16 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for packaging a semiconductor device |
JPH04243144A (ja) * | 1991-01-18 | 1992-08-31 | Fujitsu Ltd | ボンディング用ヘッド保持機構 |
JPH07114224B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1995-12-06 | 松下電器産業株式会社 | 熱圧着用ボンディングヘッド |
JP2949891B2 (ja) * | 1991-04-25 | 1999-09-20 | 松下電器産業株式会社 | ワイヤボンディング方法 |
US5459794A (en) * | 1993-07-15 | 1995-10-17 | Ninomiya; Takanori | Method and apparatus for measuring the size of a circuit or wiring pattern formed on a hybrid integrated circuit chip and a wiring board respectively |
JP3067563B2 (ja) * | 1995-01-05 | 2000-07-17 | 松下電器産業株式会社 | ワイヤボンディング装置 |
US5703838A (en) * | 1996-02-16 | 1997-12-30 | Lecroy Corporation | Vernier delay line interpolator and coarse counter realignment |
US6030275A (en) * | 1998-03-17 | 2000-02-29 | International Business Machines Corporation | Variable control of carrier curvature with direct feedback loop |
JPH11297764A (ja) * | 1998-04-14 | 1999-10-29 | Ricoh Co Ltd | ボンディングツール及びそれを用いた半導体チップのボンディング方法 |
KR100278603B1 (ko) * | 1998-09-30 | 2001-01-15 | 윤종용 | 미세간극 볼 그리드 어레이 패키지용 다이본딩 설비 및 다이본딩 방법 |
KR20010040321A (ko) * | 1998-11-05 | 2001-05-15 | 사이버옵틱스 코포레이션 | 개선된 영상 시스템을 구비한 전자 제품 조립 장치 |
US6791686B1 (en) * | 2000-07-26 | 2004-09-14 | Nova Measuring Instruments Ltd. | Apparatus for integrated monitoring of wafers and for process control in the semiconductor manufacturing and a method for use thereof |
JP4875263B2 (ja) * | 2001-09-14 | 2012-02-15 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | ダイボンディング方法 |
KR20030046306A (ko) * | 2001-12-05 | 2003-06-12 | 에섹 트레이딩 에스에이 | 반도체 칩을 설치하기 위한 장치 |
EP1321967B1 (de) * | 2001-12-05 | 2004-11-03 | Esec Trading S.A. | Einrichtung für die Montage von Halbleiterchips |
-
2003
- 2003-09-22 CH CH01613/03A patent/CH696615A5/de not_active IP Right Cessation
-
2004
- 2004-09-08 DE DE102004043282A patent/DE102004043282B4/de not_active Expired - Lifetime
- 2004-09-10 US US10/937,991 patent/US7066373B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-09-10 TW TW093127374A patent/TWI243398B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-09-17 KR KR1020040074626A patent/KR101096927B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-09-22 CN CNB2004100118565A patent/CN100435303C/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0462596A1 (de) * | 1990-06-19 | 1991-12-27 | Sumitomo Electric Industries, Limited | Verfahren und Einrichtung für die Verpackung eines Halbleiterkomponenten |
US5278634A (en) * | 1991-02-22 | 1994-01-11 | Cyberoptics Corporation | High precision component alignment sensor system |
JPH0513997A (ja) * | 1991-07-02 | 1993-01-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | ダイスボンダーヘツド装置 |
US5547537A (en) * | 1992-05-20 | 1996-08-20 | Kulicke & Soffa, Investments, Inc. | Ceramic carrier transport for die attach equipment |
EP0913857A1 (de) * | 1997-10-30 | 1999-05-06 | Esec Sa | Verfahren und Einrichtung für die Justierung des Bondkopfes eines Bonders, insbesondere eines Die-Bonders |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 017, no. 283 (E - 1373) 31 May 1993 (1993-05-31) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20050029689A (ko) | 2005-03-28 |
DE102004043282A1 (de) | 2005-04-21 |
CN100435303C (zh) | 2008-11-19 |
TWI243398B (en) | 2005-11-11 |
DE102004043282B4 (de) | 2008-02-07 |
CN1700432A (zh) | 2005-11-23 |
US7066373B2 (en) | 2006-06-27 |
TW200520032A (en) | 2005-06-16 |
US20050061852A1 (en) | 2005-03-24 |
KR101096927B1 (ko) | 2011-12-22 |
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