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CH635210A5 - CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING A BISTABLE RELAY. - Google Patents

CIRCUIT ARRANGEMENT FOR CONTROLLING A BISTABLE RELAY. Download PDF

Info

Publication number
CH635210A5
CH635210A5 CH1094078A CH1094078A CH635210A5 CH 635210 A5 CH635210 A5 CH 635210A5 CH 1094078 A CH1094078 A CH 1094078A CH 1094078 A CH1094078 A CH 1094078A CH 635210 A5 CH635210 A5 CH 635210A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
transistor
diode
voltage
circuit arrangement
flip
Prior art date
Application number
CH1094078A
Other languages
German (de)
Inventor
Hans Sauer
Wolf Steinbichler
Heinz Ritter
Sepp Antonitsch
Hideki Fukuzono
Shinsuke Okamoto
Yoshie Watari
Hiromi Nishimura
Yasuyoshi Kameyama
Original Assignee
Sds Elektro Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE2747607A external-priority patent/DE2747607C2/en
Priority claimed from JP7306978A external-priority patent/JPS5837931B2/en
Priority claimed from JP7306778A external-priority patent/JPS54163667A/en
Priority claimed from JP7306378A external-priority patent/JPS54163666A/en
Priority claimed from JP8631578A external-priority patent/JPS5856447B2/en
Priority claimed from JP9781678U external-priority patent/JPS5514273U/ja
Priority claimed from JP8631778A external-priority patent/JPS5514620A/en
Priority claimed from JP8631478A external-priority patent/JPS5914217B2/en
Priority claimed from JP13211378U external-priority patent/JPS6343793Y2/ja
Priority claimed from JP13835978U external-priority patent/JPS5553847U/ja
Priority claimed from JP12937878A external-priority patent/JPS5556327A/en
Application filed by Sds Elektro Gmbh filed Critical Sds Elektro Gmbh
Publication of CH635210A5 publication Critical patent/CH635210A5/en

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Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01HELECTRIC SWITCHES; RELAYS; SELECTORS; EMERGENCY PROTECTIVE DEVICES
    • H01H47/00Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current
    • H01H47/22Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil
    • H01H47/226Circuit arrangements not adapted to a particular application of the relay and designed to obtain desired operating characteristics or to provide energising current for supplying energising current for relay coil for bistable relays

Landscapes

  • Relay Circuits (AREA)
  • Electronic Switches (AREA)

Description

Der Erfindung liegt nun die Aufgabe zugrunde, eine Schal- 65 Fig. 22 ein weiteres Ausführungsbeispiel nach Fig. 21 ; tungsanordnung der eingangs genannten Art so auszubilden, Fig. 23 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 mit einer wei- The object of the invention is now to provide a further embodiment according to FIG. 23 to design an embodiment according to FIG. 3 with a white

dass das bei Wegfall der Erregerspannung gewünschte selbsttä- teren Diode ; that the self-acting diode required when the excitation voltage is lost;

tige Zurückschalten des bistabile Relais mit geringerem Auf- Fig. 24 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 23 mit einem 24, an embodiment according to FIG. 23 with a

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Feldeffekttransistor und einem Thyristor. Basis widerstand R1 infolge der höheren Gesamtverstärkung der Field effect transistor and a thyristor. Base resistance R1 due to the higher overall gain of the

Bei der in Fig. 1 dargestellten Anordnung ist ein ohmscher aus den Transistoren T2, T3 gebildeten Kippstufe grösser Widerstand R1 zu den Anschlüssen der Erregerspannung U par- bemessen werden kann. Durch den Widerstand R2 bildet sich an allelgeschaltet und mit einem seiner Anschlüsse mit der als Anode und Kathode der Diode D1 das gleiche Potential aus, Wider standselement dienenden Diode D1 verbunden, die in 5 wodurch die Sperrung der Kippstufe T2, T3 sichergestellt bleibt. Durchlassrichtung zur Erregerspannung U geschaltet ist. Als Sinkt nun die Erregerspannung U etwas ab, so bleibt das an In the arrangement shown in FIG. 1, an ohmic flip-flop formed from the transistors T2, T3 and having a greater resistance R1 can be dimensioned for the connections of the excitation voltage U. Through the resistor R2 is connected to allele and with one of its connections with the anode and cathode of the diode D1, the same potential is formed, the resistor element diode D1 is connected, which in 5 thereby ensures that the flip-flop T2, T3 remains blocked. Forward direction to the excitation voltage U is switched. As the excitation voltage U now drops somewhat, it remains on

Halbleiterschalter ist ein Transistor T mit seiner Basiselektrode der Kathode der Zenerdiode ZD 1 anstehende Potential im we-an den Verbindungspunkt von Diode D1 und ohmschen Wider- sentlichen erhalten, weil die Zenerdiode ZD 1 in Sperrichtung stand R1 gelegt und ausgangsseitig an die nicht miteinander ver- beansprucht wird. Erst wenn die Erregerspannung U so weit bundenen Anschlüsse der Diode Dl und des ohmschen Wider- 10 abgesunken ist, dass der Spannungsabfall an der Zenerdiode standes R1 angeschaltet. ZD 1 die Zenerspannung UZD| erreicht, wird diese leitend. The semiconductor switch is a transistor T with its base electrode, the cathode of the Zener diode ZD 1, and the potential present at the connection point of the diode D1 and ohmic resistors, because the Zener diode ZD 1 was placed in the reverse direction R1 and on the output side to the non-interconnected is claimed. Only when the excitation voltage U of the connected terminals of the diode Dl and the ohmic resistor 10 has dropped so far that the voltage drop at the zener diode R1 has been switched on. ZD 1 the Zener voltage UZD | achieved, it becomes a manager.

Die Erregerspannung wird durch Schliessen des Schalters S Durch den nun an Diode Dl und Widerstand R2 auftretenden angelegt, wobei das Relais Rls durch den Ladestrom des Kon- Spannungsabfall wird der Transistor T2 leitend, sein Basisstrom densators C1 erregt wird. Der Transistor T1 wird eingangsseitig kann nun über die Zenerdiode ZD 1 und den ohmschen Widerin Höhe der Schwellenspannung der Diode Dl in Sperrichtung 15 stand R1 fliessen, und damit wird auch der zu ihm komplemen-beansprucht und ist somit gesperrt. Nach erfolgter Ladung des täre Transistor T3 durchgesteuert. Der Kondensator C1 entlädt Kondensators C1 fliesst nur noch der zu dessen Nachladung sich nun über die Erregerspule Rls, wodurch das Relais in seine erforderliche Strom sowie ein durch den Basis widerstand R1 Ausgangsstellung zurückschaltet. The excitation voltage is applied by closing the switch S by the diode D1 and resistor R2 now occurring, the relay Rls being turned on by the charging current of the voltage drop, the transistor T2 becomes conductive and its base current capacitor C1 is excited. The transistor T1 on the input side can now flow via the zener diode ZD 1 and the ohmic resistance. The level of the threshold voltage of the diode Dl in the blocking direction 15 was R1, and thus the complementary load on it is also blocked and is therefore blocked. Turned on after charging of the transistor T3. The capacitor C1 discharges capacitor C1 only flows to recharge it via the excitation coil Rls, whereby the relay switches back into its required current and a resistance through the base R1 starting position.

bedingter Strom. Wird nun der Schalter S geöffnet bzw. die Erre- Neben dem Vorteil eines gegenüber der Schaltung nach gerspannung U abgeschaltet, die Diode Dl sperrt nun, so wird 20 Fig. 1 verringerten Verluststromes ergibt sich bei der Schaltung die Emitterelektrode des Transistors T1 positiv gegenüber des- nach Fig. 2 durch die Realisierung einer definierten Abfallspansen Basiselektrode. Der Transistor T1 wird hiermit durchge- nung, dass Schwankungen in der Erregerspannung U von deren steuert, so dass sich der Kondensator C1 über die Erregerspule Maximalwert bis zur Abfallspannung zugelassen werden kön-Rls des Relais entladen kann. Hierdurch schaltet das bistabile nen, ohne dass ein unbeabsichtigtes Zurückschalten des Relais Relais in seine Ausgangsstellung zurück. Bei monostabilem 25 erfolgt. conditional current. If the switch S is now opened or the Erre- In addition to the advantage of a compared to the circuit after switching voltage U, the diode Dl now blocks, then 20 Fig. 1 reduced leakage current results in the circuit, the emitter electrode of the transistor T1 positive compared to the - According to Fig. 2 by the implementation of a defined waste chip base electrode. The transistor T1 is hereby carried out so that fluctuations in the excitation voltage U control it, so that the capacitor C1 can be allowed to discharge through the excitation coil maximum value up to the drop-out voltage of the relay. As a result, the bistable switches, without an unintentional switching back of the relay relay back to its starting position. At 25 monostable.

Schaltverhalten entnimmt vorliegende Anordnung der Erreger- Wie Fig. 3 zeigt, lässt sich eine definierte Abfallspannung spannungsquelle, von den Verlusten im Basiswiderstand R1 und aber auch dadurch erreichen, dass ein aus zwei ohmschen Kondensator C1 abgesehen, nur zur Aufladung des Kondensa- Widerständen (R3, R4) bestehender Spannungsteiler zu den tors CI Energie. Der geringe Aufwand an Bauelementen ermög- Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet ist. Ei-licht ausserdem einen wirtschaftlichen und raumsparenden 30 ner der Teilerwiderstände (R3) ist mit der an der Erregerspan-Aufbau. Bevorzugt wird die gesamte Anordnung in dem für das nung U liegenden Anode der Diode D1 verbunden. Der Halblei-Relais vorgesehene Gehäuse mit untergebracht. terschalter ist mit seiner Steuerelektrode an den Mittelabgriff 3 shows that a defined drop-in voltage source can be achieved by the losses in the base resistor R1 and also by the fact that one of two ohmic capacitors C1 is only used to charge the capacitor resistors (R3 , R4) existing voltage divider to the tors CI energy. The low expenditure on components enables connections of the excitation voltage (U) to be connected in parallel. Also an economical and space-saving 30 ner of the divider resistors (R3) is with the exciter chip construction. The entire arrangement is preferably connected in the anode of the diode D1 lying for the voltage U. The semi-lead relay provided housing. The switch is connected to the center tap with its control electrode

Anstelle der Diode Dl kann als Widerstandselement prinzi- des Spannungsteilers R3, R4 gelegt und ausgangsseitig an die piell auch ein ohmscher Widerstand verwendet sein. Gewähr vor dem einen Teilerwiderstand R3 abgewandten Anschlüsse des einer langsamen Entladung des Kondensators Cl bietet jedoch 35 Widerstandselementes und des anderen Teilerwiderstandes R4 die Diode D1. Auch ist durch sie der Spannungsabfall am Ein- angeschaltet. Die Abfallspannung des Relais ist in diesem Falle gangskreis des Transistors T1 während der Aufladung des Kon- durch das Verhältnis der Teilerwiderstände R3, R4 festgelegt, densators C1 auf ihre Schwellenspannung und damit auf ein Der Schalter, eine aus komplementären Transistoren T2, T3 aufunschädliches Mass begrenzt. Zur Ladung des Kondensators C1 gebaute Kippstufe, bei der jeweils die Kollektorelektrode des ei-wird die Erregerspannung U ausserdem nur um die Schwellen- 40 nen Kippstufentransistors mit der Basiselektrode des anderen Spannung der Diode D1 verringert. Die Diode D2 dient bei fai- Kippstufentransistors verbunden ist und bei der die Emitterscher Polarität der Erregerspannung U als Schutz für den Tran- elektrode des einen Transistors T2 an die Kathode der Diode Dl sistor T1. und die Emitterelektrode des anderen Transistors T3 an den Instead of the diode D1, a principle voltage divider R3, R4 can be used as the resistance element and an ohmic resistance can also be used on the output side. However, before the divider resistor R3 faces away from a slow discharge of the capacitor C1, 35 resistor element and the other divider resistor R4 provide the diode D1. It also turns on the voltage drop at the on. The drop-out voltage of the relay is in this case the output circuit of transistor T1 during the charging of the capacitor by the ratio of the divider resistors R3, R4, capacitor C1 to its threshold voltage and thus to a switch, a harmless dimension of complementary transistors T2, T3 . In addition, the flip-flop built to charge the capacitor C1, in each case the collector electrode of the ei-the excitation voltage U is also reduced only by the threshold flip-flop transistor with the base electrode of the other voltage of the diode D1. The diode D2 is used in the case of a flip-flop transistor and in which the Emitter polarity of the excitation voltage U serves as protection for the tranelectrode of the one transistor T2 to the cathode of the diode transistor T1. and the emitter electrode of the other transistor T3 to the

Bei der in Fig. 2 gezeigten Anordnung ist der Diode D1 eine gemeinsamen Fusspunkt der Schaltungsanordnung angeschlos-Zenerdiode ZD 1 in Durchlassrichtung zur Erregerspannung U 45 sen ist, wird nach der in der bereits beschriebenen Weise erfolgvorgeschaltet. Die Diode Dl ist von einem ohmschen Wider- ten Aufladung des Kondensators Cl leitend, wenn die Erregerstand R2 überbrückt und als Halbleiterschalter ist eine aus zwei Spannung U auf den Wert der gewünschten Abfallspannung Transistoren T2, T3 entgegengesetzten Leitfähigkeitstyps beste- abgesunken ist. Zur definierten Festlegung des Schaltpunktes hende Kippstufe vorgesehen. Die Kollektorelektrode des einen und zur Verhinderung des unbeabsichtigten Durchschaltens der Transistors ist jeweils mit der Basiselektrode des anderen Tran- 50 Kippstufe beim Auftreten von Spannungsspitzen ist dem Kipp-sistors verbunden. Durch die Zenerspannung ist bei diesem Aus- stufentransistor ein weiterer npn-Transistor T4 vorgeschaltet, führungsbeispiel ein definierter Wert für die Abfallspannung derart, dass dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Relais festgelegt. Die Abfallspannung ergibt sich dabei als des Kippstufentransistors T3, dessen Basiselektrode mit dem Differenz aus der Erregerspannung U und der Zenerspannung Mittelabgriff des Spannungsteilers R3, R4 und dessen Emitter-UZD). Wird die Erregerspannung U über den Schalter S einge- 55 elektrode mit dem gemeinsamen Fusspunkt der Schaltungs-schaltet, so fliesst der Ladestrom des Kondensators C1 über die anordnung verbunden ist. In the arrangement shown in FIG. 2, the diode D1 is a common base of the circuit arrangement connected-Zener diode ZD 1 in the forward direction to the excitation voltage U 45 sen, is connected in series in the manner already described. The diode Dl is conductive from an ohmic re-charging of the capacitor C1 when the excitation standby R2 is bridged and as a semiconductor switch one of two voltages U of opposite conductivity type has dropped to the value of the desired drop voltage transistors T2, T3. A flip-flop is provided to define the switching point. The collector electrode of one and to prevent the inadvertent switching on of the transistors is in each case connected to the base electrode of the other tripping stage when voltage peaks occur, the flipping transistor. With this stage transistor, a further npn transistor T4 is connected upstream due to the zener voltage, exemplary embodiment a defined value for the drop voltage in such a way that its collector electrode is fixed to the base electrode of the relay. The drop-out voltage results from the flip-flop transistor T3, whose base electrode with the difference between the excitation voltage U and the Zener voltage center tap of the voltage divider R3, R4 and its emitter UZD). If the excitation voltage U is switched via the switch S to the common base point of the circuit, the charging current of the capacitor C1 flows through the arrangement.

Zenerdiode ZD 1, die Diode D1 und die Erregerspule Rls. Das Um auch eine definierte Anzugsspannung zu erhalten, ist Zener diode ZD 1, the diode D1 and the excitation coil Rls. In order to get a defined tightening voltage, too

Relais wird hierdurch erregt und schaltet um. An den Dioden vorgesehen, dass der als Widerstandselement dienenden Diode ZD1 und Dl treten hierbei wiederum Spannungsabfälle in der Dl eine weitere, aus komplementären Transistoren T5, T6 auf-Höhe deren Schwellenspannungen auf. Der pnp-Transistor T2 6° gebaute Kippstufe vorgeschaltet ist und dass an die Basiselek-wird hierdurch gesperrt, wie dies bei der Anordnung von Fig. 1 trode des ersten Kippstufentransistors T6 eine Referenzspan-bereits beschrieben wurde. Dementsprechend ist auch der npn- nung angelegt ist, derart, dass die Kippstufe erst dann leitend Transistor T3 gesperrt. wird, wenn die Erregerspannung U die Höhe der Referenzspan- The relay is thereby excited and switches. Provided on the diodes that the diode ZD1 and Dl serving as a resistance element, voltage drops in turn occur in the D1, a further one consisting of complementary transistors T5, T6 at the level of their threshold voltages. The pnp transistor T2 6 ° built flip-flop is connected upstream and that to the base elec- is thereby blocked, as was already described in the arrangement of FIG. 1 trode of the first flip-flop transistor T6. Accordingly, the voltage is also applied in such a way that the flip-flop only then turns off transistor T3. when the excitation voltage U is the height of the reference voltage

Nach erfolgter Ladung des Kondensators C1 beschränkt nung überschreitet. Die Referenzspannung gibt hierbei die sich ein Stromfluss wiederum im wesentlichen auf die Nachla- 65 gewünschte Anzugsspannung vor. Sobald die Erregerspannung dung des Kondensators Cl und auf einen Strom durch den U die Referenzspannung überschreitet, wird die Kippstufe T5, After charging the capacitor C1 limited voltage exceeds. The reference voltage here specifies the current flow, in turn, essentially to the desired pull-in voltage. As soon as the excitation voltage of the capacitor C1 and a current through the U exceeds the reference voltage, the trigger circuit T5,

Widerstand R1. Dieser Reststrom kann hierbei allerdings we- T6 leitend. Der Ladestrom des Kondensators Cl kann nun über sentlich kleiner gehalten werden als im Falle der Fig. 1, weil der die Diode D1 und die Erregerspule Rls fliessen, so dass das Resistor R1. This residual current can, however, be conductive. The charging current of the capacitor C1 can now be kept considerably smaller than in the case of FIG. 1, because the diode D1 and the excitation coil Rls flow, so that the

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Relais anspricht. Unterschreitet die Erregerspannung U die Bei langsam ansteigender Erregerspannung U ist zunächst Relay responds. If the excitation voltage U falls below that when the excitation voltage U rises slowly, it is initially

Referenzspannung, so sperrt die Kippstufe T5, T6. Zur Erzie- der Transistor T7 durchgesteuert, somit der Transistor T10 lung der Referenzspannung ist zwischen der Basiselektrode des gesperrt. Der gemeinsame Spannungsteilerabgriff hat positive-ersten Transistors T6 und dem gemeinsamen Massepotential der res Potential als die Emitterelektrode des Transistores T8, so Schaltungsanordnung die Serienschaltung eines ohmschen s dass dieser leitend und T9 gesperrt ist. Es ist somit sichergestellt, Widerstandes R7 und einer in Sperrichtung zur Erregerspan- dass der Kondensator C1 entladen ist. Reference voltage, then the flip-flop T5, T6. The transistor T7 is turned on to educate the transistor T10 and the reference voltage is blocked between the base electrode. The common voltage divider tap has positive-first transistor T6 and the common ground potential of the res potential as the emitter electrode of transistor T8, so circuit arrangement means the series connection of an ohmic s that this is conductive and T9 is blocked. It is thus ensured that resistor R7 and one in the reverse direction to the excitation voltage cause the capacitor C1 to be discharged.

nung gepolten Zenerdiode ZD2 eingeschaltet. Wenn infolge steigender Erregerspannung U die Summe aus voltage polarized Zener diode ZD2 switched on. If the sum of the excitation voltage U increases

Um zu erreichen, dass die Restströme der Transistoren T5, der Basis-Emitterspannung des Transistors T7 und dem Span-T6 klein gehalten werden und ein unbeabsichtigtes Umschalten nungsabfall am Widerstand R14 die Zenerspannung UZD3 an der der Kippstufe vermieden wird, sind die Basis-Emitterstrecken io Basiselektrode von T7 überschreitet, dann wird der Transistor der Transistoren T5, T6 mit ohmschen Widerständen R5, R6 T7 gesperrt und Transistor T10 leitend. An diesem ersten überbrückt. Der Kondensator C2 zwischen Basis- und Emitter- Umschaltpunkt des Schmitt-Triggers bekommt der gemeinsame elektrode des Transistors T6 ist vorgesehen, um beim Einschal- Spannungsteilerabgriff negativeres Potential als die Emitter-ten der Erregerspannung U ein zu frühes Durchschalten der elektroden der Transistoren T8, T9, wodurch T9 leitend und T8 Kippstufe T5, T6 zu verhindern. 15 gesperrt wird. Nun fliesst der Ladestrom des Kondensators Cl In order to ensure that the residual currents of the transistors T5, the base-emitter voltage of the transistor T7 and the span-T6 are kept small and an unintentional change in voltage drop across the resistor R14, the Zener voltage UZD3 at the trigger circuit is avoided, the base-emitter paths are OK Base electrode of T7 exceeds, then the transistor of the transistors T5, T6 is blocked with ohmic resistors R5, R6 T7 and transistor T10 conductive. Bridged on this first. The capacitor C2 between the base and emitter switchover point of the Schmitt trigger gets the common electrode of the transistor T6 is provided in order to have a more negative potential than the emitters of the excitation voltage U when the voltage divider tap is turned on, the electrodes of the transistors T8, T9 switching too early , making T9 conductive and T8 prevent flip-flops T5, T6. 15 is blocked. Now the charging current of the capacitor Cl flows

Damit die Schaltungsanordnung auch mit Wechselspan- und das Relais wird erregt. So that the circuit arrangement also with AC voltage and the relay is energized.

nung zu betreiben ist, ist ein Gleichrichter D2 eingeschaltet. Bei Bei sinkender Erregerspannung U wird der zweite Gleichspannungsbetrieb dient er als Verpolungsschutz. Zusätz- Umschaltpunkt des Schmitt-Triggers erreicht, wenn die Summe lieh ist noch ein Kondensator C4 im Eingangskreis des Halblei- aus den Spannungsabfällen an der Basis-Emitterstrecke des terschalters T4, T3, T2 angeordnet, dessen Kapazität so gross 20 Transistors T7 und am Widerstand R7 die Zenerspannung UZD3 gewählt ist, dass die resultierende Entladezeitkonstante grösser unterschreitet. Nun wird wieder Transistor T7 leitend und Tranais die Zeitdauer der durch die Gleichrichtung bedingten Span- sistor T10 gesperrt. Dies hat zur Folge, das Transistor T9 nungseinbrüche ist. gesperrt und Transistor T8 leitend wird, wodurch der Kondensa- rectifier D2 is switched on. When the excitation voltage U drops, the second DC operation becomes the reverse polarity protection. Additional switching point of the Schmitt trigger is reached when the sum is still a capacitor C4 in the input circuit of the semiconductor from the voltage drops on the base-emitter path of the switch T4, T3, T2, the capacity of which is 20 transistors T7 and the resistor R7 the Zener voltage UZD3 is selected so that the resulting discharge time constant falls below. Now transistor T7 is turned on again and Tranais the period of the transistor T10 caused by the rectification is blocked. As a result, transistor T9 is voltage dips. is blocked and transistor T8 becomes conductive, which causes the

Beim Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 ist der Diode Dl ein tor Cl entladen wird und das Relais zurückschaltet. In the embodiment of FIG. 4, the diode Dl is a gate Cl is discharged and the relay switches back.

weiterer Halbleiterschalter vorgeschaltet, der im Leitfähigkeits- 25 Der Kondensator C3 am Eingang der Schaltungsanordnung typ komplementär zu dem parallel zur Serienschaltung von gewährleistet einwandfreies Schalten des Schmitt-Triggers auch 25, the capacitor C3 at the input of the circuit arrangement is complementary to the one parallel to the series circuit, which also ensures perfect switching of the Schmitt trigger

Erregerwicklung Rls und Kondensator C1 liegenden ersten bei Erregerspannungen U, deren Schaltflanken hohe Steilheit Halbleiterschalter ist. Ferner ist ein Spannungsteiler zwischen besitzen. Im übrigen sind durch die Wahl der Zenerspannung die Anschlüsse der Erregerspannung U eingeschaltet, an dessen UZD3 die Umschaltpunkte des Triggers, damit Anzug- und einen Abgriff die Steuerelektroden der Halbleiterschalter zu 30 Abfallspannung des Relais auch bei schleichender Erregerspan-deren wechselweisen Ansteuerung angelegt sind. Das Potential nung exakt festgelegt. Sie unterscheiden sich lediglich durch die am Abgriff des Spannungsteilers ist dabei so gewählt, dass bei bei Schmitt-Triggern übliche Hysterespannung. Excitation winding Rls and capacitor C1 are first at excitation voltages U, the switching edges of which are high steepness semiconductor switches. It also has a voltage divider between. Otherwise, the connections of the excitation voltage U are switched on by the choice of the Zener voltage, at whose UZD3 the switchover points of the trigger, so that the control electrodes of the semiconductor switches for pulling and tapping are applied to the drop-out voltage of the relay, even when the excitation voltage is creeping - the alternate activation thereof. The potential is precisely defined. They differ only in that at the tap of the voltage divider is chosen so that the hysteresis voltage common with Schmitt triggers.

anliegender Erregerspannung U der weitere Halbleiterschalter Fig. 5 zeigt eine Variante einer Anordnung nach Fig. 3 bzw. applied excitation voltage U the further semiconductor switch. FIG. 5 shows a variant of an arrangement according to FIG. 3 or

leitet, so dass der Ladestrom des Kondensators C1 über die Fig. 2, wobei anstelle der Zenerdiode ZD 1 die Parallelschaltung conducts, so that the charging current of the capacitor C1 via FIG. 2, with the parallel connection instead of the Zener diode ZD 1

Diode D1 und die Erregerspule Rls fliest und der erste Halblei- 35 eines Widerstandes RI 1 und einer Diode D6 verwendet ist. Dies terschalter sperrt. Bei fehlender Erregerspannung U wird der ist insbesondere bei einem Schaltungsaufbau mit diskreten Bauweitere Halbleiterschalter gesperrt und der erste leitend, wobei teilen eine wirtschaftliche Alternative. Die an der Basis des sich der Kondensator in der beschriebenen Weise entlädt. Transistors T6 anliegende Referenzspannung ist dabei der Diode D1 and the excitation coil Rls flows and the first semiconductor 35 of a resistor RI 1 and a diode D6 is used. This switch disables. If the excitation voltage U is absent, the semiconductor switch is blocked and the first conductive, in particular in the case of a circuit structure with a discrete construction, whereby sharing an economical alternative. At the base of which the capacitor discharges in the manner described. Transistor T6 applied reference voltage is the

Im einzelnen ist in Fig. 4 als erster Halbleiterschalter ein Serienschaltung des Widerstandes R5, der Zenerdiode ZD2 und npn-Transistor T8 und als zweiter Halbleiterschalter ein pnp- 40 der Diode D7 gewonnen. Die Kennlinie des Diode D7 zeigt Transistor T9 vorgesehen. Der npn-Transistor T8 ist kollektor- dabei Fig. 6. Sobald die Erregerspannung U die Referenzspan-seitig mit der Kathode der Diode D1, emitterseitig mit dem nung überschreitet, wird die Kippstufe T5, T6 leitend und das gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung ver- Relais Rls spricht an. 4, a series circuit of the resistor R5, the Zener diode ZD2 and npn transistor T8 is obtained as the first semiconductor switch and a pnp 40 of the diode D7 is obtained as the second semiconductor switch. The characteristic of the diode D7 shows transistor T9 provided. The npn transistor T8 is the collector in this case, FIG. 6. As soon as the excitation voltage U exceeds the reference chip side with the cathode of the diode D1, on the emitter side with the voltage, the trigger circuit T5, T6 becomes conductive and the common ground potential of the circuit arrangement becomes a relay Rls speaks.

bunden. Der pnp-Transistor T9 ist mit seiner Kollektorelektrode Bei dem in Fig. 7 gezeigten Ausführungsbeispiel ist der an der Anode der Diode Dl und seiner Emitterelektrode an 45 Widerstand R1 sowie die Zenerdiode ZD1 von Fig. 2 durch eine einen Anschluss der Erregerspannung U gelegt. Der Spannungs- Kippstufe T5, T6 mit einem Basis-Spannungsteiler R13, R14 teilerbesteht aus einem ohmschen Widerstand RIO sowie einem ersetzt. Die Kippstufe wird dabei leitend, wenn der durch die weiteren, zwischen dem Abgriff und dem gemeinsamen Masse- Erregerspannung U bedingte Spannungsabfall die Schwellenpotential eingeschalteten Widerstand. Beide Transisitoren T8, Spannung der Basis-Emitterdiode des ersten Kippstufentransi-T9 sind basisseitig mit dem Abgriff des Spannungsteilers ver- 50 stors T6 überschreitet. Das Relais Rls wird hierbei erregt und der bunden, wobei jeweils zwischen den Abgriff des Spannungstei- Kondensator Cl aufgeladen. In Fig. 8 sind gleichzeitig der lers und die Basiselektroden der Transistoren T8, T9 ohmsche zusätzliche Transistor T10 leitend und die Diode D5 gesperrt. Widerstände R8, R9 eingeschaltet sind. Wird jedoch die Erregerspannung U unterbrochen, so sperrt bound. The pnp transistor T9 is connected with its collector electrode. In the exemplary embodiment shown in FIG. 7, the one at the anode of the diode D1 and its emitter electrode is connected to the resistor R1 and the Zener diode ZD1 from FIG. 2 through a connection of the excitation voltage U. The voltage flip-flop T5, T6 with a basic voltage divider R13, R14 consists of an ohmic resistor RIO and one replaced. The flip-flop becomes conductive when the voltage drop caused by the further voltage drop between the tap and the common ground excitation voltage U turns on the threshold potential. Both transistors T8, voltage of the base-emitter diode of the first flip-flop transistor T9 are exceeded on the base side by tapping the voltage divider 50 T6. The relay Rls is energized and bound, charging between the taps of the voltage capacitor C1. In FIG. 8, the lers and the base electrodes of the transistors T8, T9 ohmic additional transistor T10 are conductive and the diode D5 is blocked. Resistors R8, R9 are turned on. If, however, the excitation voltage U is interrupted, it blocks

Der in Fig. 4 dargestellte weitere Widerstand des Span- der Transistor T10 und die Diode D5 leitet, so dass ein geringer nungsteilers ist durch den Ausgangskreis eines von der Erreger- 55 Entladestrom des Kondensators Cl über den Widerstand R2 Spannung U gespeisten Schmitt-Triggers T7, T10 gebildet. An fliesst. der einen Spannungsabfall verursacht, der zu Durchsteuden Eingang dieses Schmitt-Triggers ist eine aus der Erreger- erung der Kippstufe T2, T3 ausreicht. Nun kann sich der Konspannung U abgeleitete Referenzspannung angelegt, derart, densator Cl über die Kippstufe T2, T3 entladen und das Rls dass die Umschaltepunkte des Schmitt-Triggers die Ansprech- schaltet zurück in die Ausgangslage. The further resistance shown in FIG. 4 of the transistor T10 and the diode D5 conducts, so that a small voltage divider is through the output circuit of a Schmitt trigger T7 fed by the excitation current 55 of the capacitor C1 via the resistor R2 voltage U. , T10 formed. Flows on. which causes a voltage drop that is sufficient to pass through the input of this Schmitt trigger is one from the excitation of the trigger circuit T2, T3. Now reference voltage derived from voltage U can be applied, such that capacitor C1 discharges via flip-flops T2, T3 and Rls that the switching points of the Schmitt trigger switch the response back to the starting position.

bzw. Abfallspannung des Relais bestimmen. 60 Die aus den Transistoren T2, T3 bzw. T5, T6 aufgebauten or determine the dropout voltage of the relay. 60 The built up from the transistors T2, T3 and T5, T6

Damit das Emitterpotential des Transistors T8 bei leitendem Kippstufen SCR1, SCR2 sind identisch und können ebenso Transistor T10 eindeutig über dessen Kollektorpotential liegt, durch andere steuerbare Halbleiter, z.B. Thyristoren, ersetzt und somit Transistor T8 sicher sperrt, sind zwei Dioden D4, D5 werden. So that the emitter potential of transistor T8 in the case of conductive flip-flops SCR1, SCR2 are identical and transistor T10 can also be clearly above its collector potential by other controllable semiconductors, e.g. Thyristors, replaced and thus transistor T8 safely blocks, are two diodes D4, D5.

in Durchlassrichtung zwischen dessen Emitterelektrode und Während bei der in Fig. 2 dargestellten Anordnung, bedingt in the forward direction between its emitter electrode and While in the arrangement shown in Fig. 2, due

Massepotential eingeschaltet. Eine Diode D3 in der Kollektor- 65 durch die Sperrschichtkapazität der Zenerdiode ZD1, kurze Zuleitung des Transistors T8 verhindert eine unbeabsichtigte, Spannungseinbrüche oder Schwankungen der Erregerspan-schleichende Aufladung des Kondensators C1 über die Wider- nung U eine Entladung des Kondensators C1 bzw. ein Zurückstände RIO, R8. schalten des Relais Rls auslösen können, wird dies in der Schal- Ground potential switched on. A diode D3 in the collector 65 due to the junction capacitance of the Zener diode ZD1, short supply line of the transistor T8 prevents accidental voltage drops or fluctuations in the excitation voltage-creeping charging of the capacitor C1 via the resistance U, a discharge of the capacitor C1 or a residue RIO, R8. switching of the relay Rls can trigger this in the switching

635 210 635 210

8 8th

tung nach Fig. 9 durch den der Kippstufe T2, T3 vorgeschalteten Transistor T4 vermieden. Die Basiselektrode des Transistors T4 ist zu diesem Zweck über die Serien-Schaltung eines Widerstandes R16 und einer Zenerdiode ZD3 mit deren Kathode an den Plusspol der Erregerspannungsquelle angeschlossen. Die Zenerspannung der Diode ZD3 legt dabei den Spannungswert fest, bis zu welchem die Erregerspannung U absinken kann, ohne dass eine unbeabsichtigte Entladung des Kondensators C1 und damit ein Zurückschalten des Relais Rls bewirkt wird. 9 avoided by the flip-flop T2, T3 transistor T4 avoided. For this purpose, the base electrode of the transistor T4 is connected via the series circuit of a resistor R16 and a Zener diode ZD3 with their cathode to the positive pole of the excitation voltage source. The Zener voltage of the diode ZD3 defines the voltage value up to which the excitation voltage U can drop without causing an unintentional discharge of the capacitor C1 and thus a switching back of the relay Rls.

Bei der in Fig. 10 gezeigten Schaltungsanordnung ist gegenüber der von Fig. 2 zusätzlich der ohmsche Widerstand R17 zwischen die Basiselektrode des Transistors T2 und die Kollektorelektrode des Transistors T3 eingefügt. Man erreicht hierdurch, dass weder eine zu hohe Strombelastung oder gar ein Kurz-schluss an der Kippstufe T2, T3 auftreten kann, wenn der Spannungsanstieg an dieser Kippstufe zu steil ist. Ebensogut kann anstelle des Widerstandes R17 auch ein ohmscher Widerstand zwischen die Kollektorelektroden des Transistors T2 und die Basiselektrode des Transistors T3 eingefügt sein. In the circuit arrangement shown in FIG. 10, the ohmic resistance R17 is additionally inserted between the base electrode of the transistor T2 and the collector electrode of the transistor T3 compared to that of FIG. 2. It is thereby achieved that neither an excessive current load nor even a short circuit can occur at the multivibrator T2, T3 if the voltage increase at this multivibrator is too steep. Instead of the resistor R17, an ohmic resistor can equally well be inserted between the collector electrodes of the transistor T2 and the base electrode of the transistor T3.

Fig. 11 stellt ein Ausführungsbeispiel dar, bei dem wie in Fig. 5 anstelle der Zenerdiode ZD1 (Fig. 2) eine Parallelschaltung eines Widerstandes R1 und einer in Durchlassrichtung zur Erregerspannung U gepolten Diode D6 verwendet ist. Bei Abschalten der Erregerspannung U erfolgt die Ansteuerung der aus den Transistoren T2, T3 bestehenden Kippstufe durch den Spannungsabfall an dieser Parallelschaltung D6, RI 1. Hierbei wird der Kondensator C1 entladen und das Relais Rls in seiner Ausgangslage zurückgeschaltet. FIG. 11 shows an embodiment in which, as in FIG. 5, instead of the Zener diode ZD1 (FIG. 2), a parallel connection of a resistor R1 and a diode D6 polarized in the forward direction to the excitation voltage U is used. When the excitation voltage U is switched off, the trigger circuit consisting of the transistors T2, T3 is triggered by the voltage drop across this parallel circuit D6, RI 1. The capacitor C1 is discharged and the relay Rls is switched back in its initial position.

In Weiterentwicklung der Ausführungsform nach Fig. 11 ist gemäss Fig. 12 eine weitere Kippstufe, umfassend die Transistoren T5, T6, vorgeschaltet. Diese Kippstufe entspricht in ihrer Funktion der Kippstufe nach Fig. 3, unterscheidet sich jedoch in ihrem Aufbau von dieser dadurch, dass die Referenzspannung durch die Zenerdiode ZD4 gewonnen wird, die zwischen die Basiselektrode des ersten Transistors T6 und die Emitterelektrode des zweiten Transistors T5 eingeschaltet ist. In a further development of the embodiment according to FIG. 11, a further trigger circuit comprising the transistors T5, T6 is connected upstream according to FIG. This flip-flop corresponds in function to the flip-flop according to FIG. 3, but differs in structure from this in that the reference voltage is obtained by the Zener diode ZD4, which is connected between the base electrode of the first transistor T6 and the emitter electrode of the second transistor T5 .

Fig. 13 und 14 erläutern die Funktion der Schaltung nach Fig. 12, wobei Fig. 13 die Kennlinie der Zenerdiode ZD4 und Fig. 14 das Schaltverhalten der Schaltungsordnung bei ansteigender und abfallender Erregerspannung U veranschaulicht. Steigt gemäss Fig. 14 (a) die Erregerspannung U langsam an, so setzt ein Stromfluss erst bei Erreichen der Zenerspannung Uz ein. Erst in diesem Moment wirkt sich gemäss Fig. 14 (b) die Spannung für die aus Relais Rls und Kondensator Cl bestehende Serienschaltung aus. Der Kondensator wird geladen, und das Relais spricht an. Bei Absinken der Erregerspannung U gemäss Fig. 14(c) bleibt die Zenerdiode ZD4 bis zum Erreichen der Restspannung Uo durchgeschaltet. Nach Unterschreiten dieser Restspannung sperrt die die Zenerdiode ZD4 und die Transistoren T5, T6 enthaltende Kippstufe, so dass sich am Ausgang der Kippstufe der Spannungs verlauf gemäss Fig. 14 (d) ergibt. In diesem Moment beginnt der Kondensator C1 sich über die Kippstufe T2, T3 zu entladen, und das Relais schaltet in seiner Ausgangslage zurück. 13 and 14 explain the function of the circuit according to FIG. 12, FIG. 13 illustrating the characteristic curve of the Zener diode ZD4 and FIG. 14 the switching behavior of the circuit arrangement with increasing and decreasing excitation voltage U. If the excitation voltage U rises slowly according to FIG. 14 (a), a current flow only begins when the zener voltage Uz is reached. Only at this moment does the voltage for the series circuit consisting of relay Rls and capacitor C1 have an effect, as shown in FIG. 14 (b). The capacitor is charged and the relay responds. When the excitation voltage U drops as shown in FIG. 14 (c), the Zener diode ZD4 remains switched through until the residual voltage Uo is reached. After falling below this residual voltage, the trigger circuit containing the Zener diode ZD4 and the transistors T5, T6 is blocked, so that the voltage curve according to FIG. 14 (d) results at the output of the trigger circuit. At this moment, the capacitor C1 begins to discharge via the flip-flop T2, T3, and the relay switches back to its initial position.

Fig. 15 stellt eine Variante der Schaltung nach Fig. 2 dar, die darin besteht, dass in den Emitterkreis des Transistors T3 ein zusätzlicher pnp-Transistor TI 1 eingeschaltet ist, dessen Basiselektrode über eine in Sperrichtung zur Erregerspannung U gepolte Diode D10 mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist. Durch diese zusätzliche Massnahme ist gewährleistet, dass der aus den Transistoren T2,T3 bestehende Halbleiterschalter auch bei Auftreten höherer Erregerspannungen zuverlässig gesperrt bleibt. FIG. 15 shows a variant of the circuit according to FIG. 2, which consists in the fact that an additional pnp transistor TI 1 is switched on in the emitter circuit of the transistor T3, the base electrode of which is connected to the positive pole via a diode D10 polarized in the reverse direction to the excitation voltage U. the excitation voltage is connected. This additional measure ensures that the semiconductor switch consisting of transistors T2, T3 remains reliably blocked even when higher excitation voltages occur.

In Abwandlung der Schaltungsanordnung nach Fig. 1 ist gemäss Fig. 16 als Halbleiterschalter ein npn-Transistor T1 ' verwendet, der mit seiner Emitterelektrode an die Anode der Diode Dl und mit seiner Basiselektrode an die Kathode dieser Diode angeschlossen ist. Der Diode D1 sind ferner eine Zenerdiode In a modification of the circuit arrangement according to FIG. 1, an npn transistor T1 'is used as the semiconductor switch according to FIG. 16, which is connected with its emitter electrode to the anode of the diode D1 and with its base electrode to the cathode of this diode. The diode D1 is also a zener diode

ZD1 in Durchlassrichtung zur Erregerspannung sowie die Kollektor-Emitter-Strecke eines Schalttransistors T12 vorgeschaltet, an dessen Basiselektrode eine Referenzspannung liegt. Im vorliegenden Fall ist die Referenzspannung durch eine Serienschaltung aus einem Widerstand R18 und einerweiteren Zenerdiode ZD5 realisiert. Die Abfallspannung des Relais Rls wird durch diese Referenzspannung festgelegt. ZD1 connected in the forward direction to the excitation voltage and the collector-emitter path of a switching transistor T12, on the base electrode of which there is a reference voltage. In the present case, the reference voltage is implemented by a series circuit comprising a resistor R18 and a further Zener diode ZD5. The dropout voltage of the relay Rls is determined by this reference voltage.

Als Variante von Fig. 16 ist in der Schaltung nach Fig. 17 anstelle der npn-Transistoren Tl' und T12 jeweils ein Thyristor SCR2 und SCR1 verwendet. As a variant of FIG. 16, a thyristor SCR2 and SCR1 is used instead of the npn transistors Tl 'and T12 in the circuit according to FIG.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 18 ist ähnlich wie bei dem nach Fig. 4 zur Ansteuerung des Halbleiterschalters T8 ein Schmitt-Trigger mit den Transistoren T7, T10 vorgesehen. Um dessen Funktion auch bei abgeschalteter Erregerspannung U sicherzustellen, ist in der Schaltung nach Fig. 4 Speicherkondensator C3 vorgesehen, der dann die Stromversorgung übernimmt. In der Schaltung nach Fig. 18 wird der Strom zum Betrieb des Schmitt-Triggers bei abgeschalteter Erregerspannung dagegen aus dem Kondensator Cl über eine Diode Dl 1 zugeführt. Die Anordnung nach Fig. 18 ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn die Schaltung in integrierter Schaltungstechnik ausgeführt werden soll, weil der in Fig. 4 vorgesehene Speicherkondensator C3 eingespart wird. In the embodiment according to FIG. 18, a Schmitt trigger with the transistors T7, T10 is provided, similarly to that according to FIG. 4, for controlling the semiconductor switch T8. In order to ensure its function even when the excitation voltage U is switched off, storage capacitor C3 is provided in the circuit according to FIG. 4 and then takes over the power supply. In the circuit according to FIG. 18, however, the current for operating the Schmitt trigger when the excitation voltage is switched off is supplied from the capacitor C1 via a diode D11. The arrangement according to FIG. 18 is particularly advantageous when the circuit is to be implemented using integrated circuit technology because the storage capacitor C3 provided in FIG. 4 is saved.

Eine andere Möglichkeit, die für den Schmitt-Trigger T7, T10 benötigte Energie bei abgeschalteter Erregerspannung zur Verfügung zu stellen, besteht gemäss Fig. 19 darin, dass parallel zu der Serienschaltung aus Kondensator C1 und Relaiswicklung Rls ein pnp-Transistor T15 eingeschaltet ist, dessen Basiselektrode über in Sperrichtung gepolte Dioden Dl 1 an den Pluspol der Erregerspannung U angeschlossen ist. Solange die Erregerspannung vorhanden ist, sind die Dioden Dil und damit auch der Transistor Tl 5 gesperrt. Bei abgeschalteter Erregerspannung dagegen wird der Transistor Tl 5 leitend, so dass dieser Transistor mit seinem Basisstrom über die Dioden Dl 1 den Schmitt-Trigger T7, T10 versorgt, welcher den Transistorschalter T8 ansteuert. Dieser wiederum schliesst dann die Serienschaltung aus Kondensator Cl und Relaiswicklung Rls kurz. Another possibility of making the energy required for the Schmitt trigger T7, T10 available when the excitation voltage is switched off, according to FIG. 19, is that a pnp transistor T15 is switched on in parallel with the series circuit comprising capacitor C1 and relay winding Rls Base electrode is connected to the positive pole of the excitation voltage U via reverse diodes Dl 1. As long as the excitation voltage is present, the diodes Dil and thus also the transistor T1 5 are blocked. When the excitation voltage is switched off, on the other hand, the transistor Tl 5 becomes conductive, so that this transistor supplies the base current via the diodes Dl 1 to the Schmitt trigger T7, T10, which drives the transistor switch T8. This in turn then short-circuits the series circuit comprising capacitor C1 and relay winding R1.

Eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. 12 ist in Fig. 20 dargestellt. Wie in Fig. 12 bewirkt auch hier die zwischen die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors T6 und die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors T5 eingeschaltete Zenerdiode ZD4, dass die Kippstufe erst bei-Überschreiten der Zenerspannung leitend wird. A development of the circuit arrangement according to FIG. 12 is shown in FIG. 20. As in FIG. 12, the Zener diode ZD4 connected between the base electrode of the first flip-flop transistor T6 and the emitter electrode of the second flip-flop transistor T5 causes the flip-flop to become conductive only when the Zener voltage is exceeded.

Anstelle jeder Zenerdiode ist es auch möglich, eine Parallelschaltung zweier Diodenzweige zu verwenden, bei der im einen Zweig mehrere Dioden in gleicher Polung hintereinander geschaltet sind, während im anderen Zweig eine einzige Diode antiparallel liegt. Ersetzt man beispielsweise in Fig. 20 die Zenerdiode ZD 1 und/oder ZD4 durch eine derartige Diodenparallelschaltung, so richtet sich die Abfallspannung des Relais nach Anzahl der mit gleicher Polung hintereinander liegenden Dioden des einen Diodenzweigs. Instead of each Zener diode, it is also possible to use a parallel connection of two diode branches, in which in one branch several diodes are connected in series with the same polarity, while in the other branch a single diode is antiparallel. If, for example in FIG. 20, the Zener diode ZD 1 and / or ZD4 is replaced by such a diode parallel connection, the drop-out voltage of the relay depends on the number of diodes of the one diode branch which are connected in series with the same polarity.

Eine Weiterbildung der Schaltungsanordnung nach Fig. 2 ist in Fig. 21 veranschaulicht, bei der statt der Zenerdiode ZD 1 eine Diode D6 in Durchlassrichtung zur Erregerspannung U eingeschaltet ist. Eine direkt gekoppelte Kippstufe, bestehend aus zwei Transistoren Tl 3, Tl 4 ist zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung eingeschaltet, wobei die Diode D6 zwischen den Emitterelektroden der Transistoren T13, T14 liegt. Die Abfallspannung des Relais Rls wird durch den Spannungsteiler R19, R20, an dessen Abgriff die Basis des Transistors T13 liegt, bestimmt. Solange die gewünschte Erregerspannung U anliegt, ist der Transistor T13 leitend und der Transistor T14 gesperrt. Schwankungen der Erregerspannung bleiben unwirksam, solange der am Widerstand R20 auftretende Spannungsabfall den Transistor T13 leitend erhält. Wird jedoch bei sinkender Erregerspannung die zur Durchsteuerung der Emitter-Basis-Strecke des Transistors T13 erforderliche Mindestspannung A further development of the circuit arrangement according to FIG. 2 is illustrated in FIG. 21, in which instead of the Zener diode ZD 1, a diode D6 is switched on in the forward direction to the excitation voltage U. A directly coupled flip-flop, consisting of two transistors Tl 3, Tl 4, is connected between the excitation voltage connections, the diode D6 being located between the emitter electrodes of the transistors T13, T14. The drop voltage of the relay Rls is determined by the voltage divider R19, R20, at the tap of which the base of the transistor T13 is located. As long as the desired excitation voltage U is present, the transistor T13 is conductive and the transistor T14 is blocked. Fluctuations in the excitation voltage remain ineffective as long as the voltage drop occurring at resistor R20 keeps transistor T13 conductive. However, when the excitation voltage drops, the minimum voltage required to control the emitter-base path of the transistor T13 becomes

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

9 9

635 210 635 210

unterschritten, so sperrt dieser Transistor, und der Transistor schaltet sowie dessen Kollektorelektrode über einen ohmschen T14 wird leitend. Durch diese Massnahme erreicht man bei einer Widerstand R23 an den Verbindungspunkt von Kondensator Cl vorbestimmten Abfallsspannung ein schlagartiges Durchschal- und Halbleiterschalter T2, T3 gelegt. Man erreicht durch diese ten der Kippstufe T2, T3, wodurch der Kondensator C1 entladen Massnahmen, dass der Halbleiterschalter bei höheren Erregerund das Relais Rls zurückgeschaltet wird. Gegenüber Fig. 1 wird s Spannungen U nicht unbeabsichtigt kippt sowie insgesamt eine somit eine definierte Abfallspannung erreicht. Verringerung der Strombelastung der Transistoren T2, T3. falls below, this transistor blocks, and the transistor switches and its collector electrode via an ohmic T14 becomes conductive. By this measure, an abrupt switch-through and semiconductor switch T2, T3 is reached with a resistor R23 at the connection point of capacitor C1 predetermined drop voltage. Through this th the flip-flop T2, T3 is reached, whereby the capacitor C1 discharges measures that the semiconductor switch is switched back at higher excitation and the relay Rls. Compared to FIG. 1, s voltages U are not inadvertently tipped and a defined drop voltage is thus achieved overall. Reduction of the current load on the transistors T2, T3.

Die Schaltung nach Fig. 21 lässt sich, wie Fig. 22 zeigt, auch In den beiden Schaltungen nach Fig. 23 und 24 sind jeweils derart abwandeln, dass anstelle des Transistors T14 der Fig. 21 zwei mit + gekennzeichnete Eingänge vorgesehen, von den der eine Diode D7 zwischen die Kollektorelektroden der Transisto- in der Zeichnung obere Anschluss, der direkt mit dem Eingang ren T3, Tl 3 eingeschaltet wird. Auch bei der Schaltung nach io des Halbleiterschalters T2, T3 verbunden ist, für niedrigere Erre-Fig. 22 ist die Abfallspannung des Relais Rls durch das Span- gerspannungen vorgesehen ist, während der in den Zeichnungen nungsteilerverhältnis der Widerstände R19, R20 vorgegeben. untere Eingang infolge der Zwischenschaltung der weiteren The circuit according to FIG. 21, as shown in FIG. 22, can also be modified in the two circuits according to FIGS. 23 and 24 in such a way that instead of the transistor T14 of FIG. 21, two inputs marked + are provided, of which the a diode D7 between the collector electrodes of the Transisto- in the drawing upper connection, which is switched on directly with the input ren T3, Tl 3. Also when the semiconductor switch T2, T3 is connected to io for lower Erre-Fig. 22, the drop voltage of the relay Rl is provided by the voltage voltages, while the division ratio of the resistors R19, R20 in the drawings is predetermined. lower entrance due to the interposition of the others

Fig. 23 und 24 zeigen Weiterbildungen der Schaltungs- Kippstufe T5, T6 für höhere Erregerspannungen vorgesehen ist. 23 and 24 show further developments of the switching flip-flop T5, T6 for higher excitation voltages.

anordnung nach Fig. 3. So ist in Fig. 23 insbesondere der Diode Die Schaltungsanordnung nach Fig. 24 unterscheidet sich Dl eine weitere Diode D6 in Durchlassrichtung zur Erreger- 15 von der nach Fig. 23 dadurch, dass anstelle der weiteren Kippspannung U vorgeschaltet sowie in den Eingangskreis des Halb- stufe T5, T6 ein von einem Feldeffekttransistor FET angesteuer-leiterschalters T2, T3 eine weitere Diode D9 eingefügt, deren ter Thyristor SCR3 vorgesehen ist. Die Schaltung nach Fig. 23 Kathode an der Steuerelektrode des Halbleiterschalters liegt. verhält sich im wesentlichen in gleicher Weise wie die Schaltung Ausserdem ist der Basiselektrode des Transistors T4 eine weitere nach Fig. 23. The arrangement according to FIG. 24 differs Dl from another diode D6 in the forward direction to the exciter from that according to FIG. 23 in that upstream instead of the further breakover voltage U and A further diode D9, whose ter thyristor SCR3 is provided, is inserted into the input circuit of the half stage T5, T6, a conductor switch T2, T3 driven by a field effect transistor FET. The circuit according to FIG. 23 is located on the control electrode of the semiconductor switch. behaves essentially in the same way as the circuit. In addition, the base electrode of transistor T4 is a further one according to FIG. 23.

Diode D8 in Durchlassrichtung zur Erregerspannung vorge- 20 Diode D8 forward in direction of excitation voltage

G G

5 Blatt Zeichnungen 5 sheets of drawings

Claims (36)

635 210 2 635 210 2 PATENTANSPRÜCHE stände (R3) mit dem an der Erregerspannung liegenden PATENT CLAIMS (R3) with the excitation voltage 1. Schaltungsanordnung zur Ansteuerung eines bistabilen Anschluss des Widerstandselementes verbunden ist und dass Relais, dessen Erregerspule mit einem Kondensator in Serie der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am Mittelabliegt, bei der die Serienschaltung von Spule und Kondensator griff des Spannungsteilers (R3, R4) liegt und ausgangsseitig an zur Erregung des Relais und gleichzeitigen Aufladung des Kon- 5 die dem einen Teilwiderstand (R3) abgewandten Anschlüsse des densators an Erregerspannung gelegt wird und bei fehlender Widerstandselementes und des anderen Teilerwiderstandes Erregerspannung durch einen mit seinem Ausgangskreis zu ihr (R4) angeschaltet ist (Fig. 3) 1.Circuit arrangement for controlling a bistable connection of the resistance element is connected and that relay, the excitation coil of which is connected to a capacitor in series with the semiconductor switch with its control electrode on the center, in which the series connection of coil and capacitor is applied to the voltage divider (R3, R4) and is on the output side to the excitation of the relay and simultaneous charging of the capacitor, the connection of the capacitor facing away from the one partial resistor (R3) is connected to excitation voltage and, in the absence of a resistance element and the other divider resistor, excitation voltage is switched on by an output circuit to it (R4) (Fig 3) parallelgeschalteten Halbleiterschalter kurzschliessbar ist, 7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch gekenn- parallel-connected semiconductor switch can be short-circuited, 7. Circuit arrangement according to claim 6, characterized wodurch das Relais in seine Ausgangsstellung zurückschaltet, zeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassrich-dadurch gekennzeichnet, dass der Halbleiterschalter mit seinem io tung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (Dl)) und als Eingangskreis zu einem in Serie zu Erregerspule (Rls) und Kon- Halbleiterschalter eine aus komplementären Transistoren (T2, densator (C1 ) liegenden Widerstandselement parallelgeschaltet T3) aufgebaute Kippstufe vorgesehen ist, dass jeweils die Kolist und dass nach erfolgter Aufladung des Kondensators (C1 ) lektorelektrode des einen Kippstufentransistors (T2) mit der und abgeschalteter Erregerspannung (U) ein am Widerstands- Basiselektrode des anderen Kippstufentransistors (T3) verbun-element auftretender Spannungsabfall den Halbleiterschalter is den ist und dass die Emitterelektrode des einen Transistors (T2) leitfähig steuert. an die Kathode der Diode (D1 ) und die Emitterelektrode des whereby the relay switches back to its starting position, shows that as a resistance element one in forward direction - characterized in that the semiconductor switch with its io device to the excitation voltage (U) diode (Dl)) and as an input circuit to a series excitation coil (Rls) and semiconductor switch a flip-flop made up of complementary transistors (T2, capacitor (C1) connected in parallel T3) is provided that each Kolist and that after charging the capacitor (C1) the electrode of the one flip-flop transistor (T2) with the and switched off Excitation voltage (U) is a voltage drop that occurs at the resistor base electrode of the other flip-flop transistor (T3) and that the semiconductor switch is conductive and that the emitter electrode of the one transistor (T2) controls. to the cathode of the diode (D1) and the emitter electrode of the 2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- anderen Transistors (T3) an den gemeinsamen Fusspunkt der zeichnet, dass ein ohmscher Widerstand (R1 ) zu den Anschlüs- Schaltungsanordnung angeschlossen ist (Fig. 3). 2. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that another transistor (T3) at the common base point that an ohmic resistor (R1) is connected to the connection circuit arrangement (FIG. 3). sen der Erregerspannung (U) parallelgeschaltet und mit einem 8. Schaltungsanordnung nach Anspruch 7, dadurch gekenn- sen the excitation voltage (U) connected in parallel and with an 8th circuit arrangement according to claim 7, seiner Anschlüsse mit dem Widerstandselement verbunden ist, 20 zeichnet, dass dem anderen Kippstufentransistor (T3) ein wei-und dass der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am terer Transistor (T4) vorgeschaltet ist, derart, dass dessen Kol-Verbindungspunkt von Widerstandselement und ohmschem lektorelektrode mit der Basiselektrode des anderen Kippstufen-Widerstand (R1 ) liegt und ausgangsseitig an die nicht miteinan- transistors (T3), dessen Basiselektrode mit dem Mittelabgriff des der verbundenen Anschlüsse des Widerstandselementes und des Spannungsteilers (R3, R4) und dessen Emitterelektrode mit dem ohmschen Widerstandes (R1 ) angeschaltet ist. 25 gemeinsamen Fusspunkt der Schaltungsanordnung verbunden of its connections to the resistance element, 20 shows that the other flip-flop transistor (T3) has a white switch and that the semiconductor switch with its control electrode is connected upstream of the further transistor (T4) in such a way that its Kol connection point between the resistance element and the ohmic detector electrode the base electrode of the other flip-flop resistor (R1) and on the output side to the transistors (T3), the base electrode of which is connected to the center tap of the connected connections of the resistance element and the voltage divider (R3, R4) and the emitter electrode of which is the ohmic resistor ( R1) is switched on. 25 common base of the circuit arrangement connected 3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekenn- ist (Fig. 3). 3. Circuit arrangement according to claim 2, characterized thereby (Fig. 3). zeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassrich- 9. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden tung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (Dl) und als Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass dem Widerstandsele-Halbleiterschalter ein pnp-Transistor (T1 ) verwendet ist, und ment eine aus komplementären Transistoren (T5, T6) aufge-dass derTransistor (Tl) mit seiner Emitterelektrode mit der 30 baute Kippstufe oder ein von einem Feldeffekttransistor ange-Kathode der Diode (Dl) verbunden ist (Fig. 1 ). steuerter Thyristor (SCR3) vorgeschaltet ist und dass an die is characterized in that as a resistance element in a forward 9. Circuit arrangement according to one of the preceding device to the excitation voltage (U) switched diode (Dl) and as claims, characterized in that the resistance sele semiconductor switch is a pnp transistor (T1) is used, and one of complementary transistors (T5, T6) so that the transistor (Tl) is connected with its emitter electrode to the 30-way flip-flop or a cathode of the diode (Dl) connected by a field effect transistor (Fig. 1). controlled thyristor (SCR3) is connected upstream and that to the 4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) bzw. an zeichnet, dass dem Widerstandselement eine Zenerdiode (ZD1 ) den Feldeffekttransistor eine Referenzspannung angelegt ist, in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) oder eine Dio- derart, dass die Kippstufe bzw. der Thyristor erst dann leitend denanordnung vorgeschaltet ist, dass ein ohmscher Widerstand 35 wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspan-(R1 ) zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelge- nung überschreitet. 4. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) or records that the resistance element is a Zener diode (ZD1), the field-effect transistor is applied with a reference voltage, in the forward direction to the excitation voltage (U) or a diaphragm, that the flip-flop or the thyristor is only connected upstream of the arrangement, that an ohmic resistor becomes 35 when the excitation voltage exceeds the level of the reference voltage (R1) parallel to the connections of the excitation voltage (U). schaltet und mit einem seiner Anschlüsse mit der Anode der 10. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch switches and with one of its connections to the anode of the 10th circuit arrangement according to claim 9, characterized Zenerdiode (ZD 1) bzw. mit der Diodenanordnung verbunden gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode des ersten Kippist, dass der Halbleiterschalter mit seiner Steuerelektrode am stufentransistors (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kipp-Verbindungspunkt des Widerstandselementes mit der Kathode 40 stufentransistors (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten der Zenerdiode (ZD 1 ) bzw. mit der Diodenanordnung liegt und Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten ausgangsseitig an die nicht mit der Zenerdiode (ZD 1) bzw. Dio- Kippstufentransistors (T6) verbunden ist, dass die Basis-Emit-denanordnung verbundenen Anschlüsse des Widerstandsele- terstrecken beider Transistoren (T5, T6) mit je einem ohmschen mentes und des ohmschen Widerstandes (R 1 ) angeschaltet ist Widerstand (T5, R6) überbrückt sind und dass zwischen der an und dass die Höhe der Zenerspannung durch die Differenz aus 45 einem Anschluss der Erregerspannung liegenden Emitterelek-der Erregerspannung und der gewünschten Abfallspannung des trode des ersten Transistors (T6) und dessen Basiselektrode ein Relais festgelegt ist. Kondensator (C2) eingeschaltet ist (Fig. 3). Zener diode (ZD 1) or connected to the diode arrangement characterized in that the collector electrode of the first flip is that the semiconductor switch with its control electrode on the step transistor (T6) with the base electrode of the second flip connection point of the resistance element with the cathode 40 step transistor (T5) and the collector electrode of the second one of the Zener diode (ZD 1) or with the diode arrangement is located and the flip-flop transistor (T5) is connected to the base electrode of the first output side which is not connected to the Zener diode (ZD 1) or Dio flip-flop transistor (T6) that the The base-emit-connected connections of the resistor section of both transistors (T5, T6), each with an ohmic element and the ohmic resistor (R 1) connected to the resistor (T5, R6), are bridged and that between the and that the height the Zener voltage by the difference between 45 a connection of the excitation voltage and the emitter voltage and the desired drop voltage of the trode of the first transistor (T6) and the base electrode of a relay is fixed. Capacitor (C2) is turned on (Fig. 3). 5. Schaltungsanordnung nach Anspruch 4, dadurch gekenn- 11. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9 oder 10, dadurch zeichnet, dass als Widerstandselement eine von einem ohm- gekennzeichnet, dass zur Erzielung der Referenzspannung zwischen Widerstand (R2) überbrückte Diode (Dl) in Durchlass- 50 sehen der Basiselektrode des ersten Transistors (T6) und dem richtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltet und als Halblei- gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung die terschalter eine aus zwei Transistoren (T2, T3)entgegengesetz- Serienschaltung eines ohmschen Widerstandes (R7) und einer in ten Leitfähigkeitstyps bestehende Kippstufe verwendet ist, der- Sperrichtung zur Erregerspannung gepolten Zenerdiode (ZD2) art, dass die Basiselektrode des einen Transistors (T2) zum Ver- eingeschaltet ist (Fig. 3). 5. Circuit arrangement according to claim 4, characterized 11. Circuit arrangement according to claim 9 or 10, characterized in that as a resistance element is characterized by an ohm- that in order to achieve the reference voltage between resistor (R2) bridged diode (Dl) in pass- 50 see the base electrode of the first transistor (T6) and the direction to the excitation voltage (U) switched on and as a semi-common ground potential of the circuit arrangement, the circuit-breakers one opposite of two transistors (T2, T3) - series connection of an ohmic resistor (R7) and one in th conductivity type existing flip-flop is used, the blocking direction to the excitation voltage polarized Zener diode (ZD2) such that the base electrode of one transistor (T2) is switched on (Fig. 3). bindungspunkt von Zenerdiode (ZD 1 ) oder Diodenanordnung 55 12. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch und Diode (D1 ) geführt und mit der Kollektorelektrode des gekennzeichnet, dass dem Widerstandselement ein weiterer anderen Transistors (T3) und die Kollektorelektrode des einen Halbleiterschalter vorgeschaltet ist, dass dieser Halbleiterschal-Transistors (T2) mit der Basiselektrode des anderen Transistors ter im Leitfähigkeitstyp komplementär zu dem parallel zur (T3) verbunden ist, und dass der eine Transistor (T2) mit seiner Serienschaltung von Erregerwicklung (Rls) und Kondensator Emitterelektrode an die Kathode der Diode (Dl) und der andere 60 (C1) liegenden ersten Halbleiterschalter ist, dass ein Spannungs-Transistor (T3) emitterseitig an den Verbindungspunkt des zu teiler zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung eingeschal-den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschalteten tet ist und dass die Steuerelektroden der Halbleiterschalter zu Widerstandes und der Serienschaltung von Erregerspule (Rls) deren wechselweisen Ansteuerung an einen Abgriff des Span-und Kondensator (C 1 ) angeschaltet ist (Fig. 2.). nungsteilers gelegt sind. Connection point of Zener diode (ZD 1) or diode arrangement 55 12. Circuit arrangement according to claim 1, thereby and diode (D1) guided and with the collector electrode characterized in that the resistance element is preceded by another transistor (T3) and the collector electrode of a semiconductor switch, that this semiconductor switching transistor (T2) is connected to the base electrode of the other transistor ter in the conductivity type complementary to that parallel to (T3), and that the one transistor (T2) with its series connection of excitation winding (Rls) and capacitor emitter electrode to the cathode of the diode (Dl) and the other 60 (C1) lying first semiconductor switch is that a voltage transistor (T3) is connected on the emitter side to the connection point of the connection of the excitation voltage (U) connected in parallel between the connections of the excitation voltage and that the control electrodes of the semiconductor switch to resistance and the Se Series connection of excitation coil (Rls) whose alternate control is connected to a tap of the chip and capacitor (C 1) (Fig. 2.). are divided. 6. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn- 65 13. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch zeichnet, dass ein aus zwei ohmschen Widerständen (R3, R4) gekennzeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassbestehender Spannungsteiler zu den Anschlüssen der Erreger- richtung zur Erregerspannung gepolte Diode (Dl), als erster Spannung (U) parallelgeschaltet ist, dass der eine der Teilwider- Halbleiterschalter ein npn-Transistor (T8) und als zweiter Halb- . 6. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that the circuit arrangement according to claim 12, characterized in that one of two ohmic resistors (R3, R4) is characterized in that as a resistance element a voltage divider in passage to the connections of the excitation direction to the excitation voltage polarized diode (Dl), as the first voltage (U) connected in parallel, that one of the partial resistor semiconductor switches is an npn transistor (T8) and as a second half. leiterschalter ein pnp-Transistor (T9) vorgesehen sind, dass der npn-Transistor (T8) kollektorseitig mit der Kathode der Diode (Dl), emitterseitig mit dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden ist, dass der pnp-Transistor (T9) mit seiner Kollektorelektrode an der Anode der Diode (Dl) und mit seiner Emitterelektrode an einem Anschluss der Erregerspannung (U) liegt, dass als Spannungsleiter ein ohmscher Widerstand (RIO) sowie ein weiterer, zwischen dem Abgriff und dem gemeinsamen Massepotential eingeschalteter Widerstand vorgesehen sind und dass die beiden Transistoren (T8, T9) basis-seitig mit dem Abgriff des Spannungsteilers verbunden sind. A pnp transistor (T9) is provided in such a way that the npn transistor (T8) is connected on the collector side to the cathode of the diode (Dl), and on the emitter side is connected to the common ground potential of the circuit arrangement, that the pnp transistor (T9) is connected to its collector electrode at the anode of the diode (Dl) and with its emitter electrode at a connection of the excitation voltage (U), there is an ohmic resistor (RIO) and another resistor connected between the tap and the common ground potential and that the two Transistors (T8, T9) are connected on the base side to the tap of the voltage divider. 14. Schaltungsanordnung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassrichtung zur Erregerspannung gepolte Diode (Dl), als erster Halbleiterschalter ein npn-Transistor (T8) und als zweiter Halbleiterschalter ein pnp-Transistor (T9) vorgesehen sind, dass der npn-Transistor (T8) kollektorseitig mit der Kathode der Diode (Dl), emitterseitig mit dem gemeinsamen Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden ist, dass der pnp-Transistor (T9) mit seiner Kollektorelektrode an der Anode der Diode (D 1 ) und mit seiner Emitterelektrode an einem Anschluss der Erregerspannung (U) liegt, dass als Spannungsteiler ein ohmscher Widerstand (R 10) sowie ein zwischen dem Abgriff und dem gemeinsamen Massepotential eingeschalteter Ausgangskreis eines von der Erregerspannung (U) gespeisten sogenannten Schmitt-Triggers (T7, T10) vorgesehen sind, dass die beiden Transistoren (T8, T9) basisseitig mit dem Abgriff des Spannungsteilers verbunden sind und dass an den Eingang des Schmitt-Triggers eine aus der Erregerspannung (U) abgeleitete Referenzspannung angelegt ist, wobei die Umschaltepunkte des Schmitt-Triggers die Ansprech- bzw. Abfallspannung des Relais bestimmen. 14. A circuit arrangement according to claim 12, characterized in that a diode (Dl) which is polarized in the forward direction to the excitation voltage, a npn transistor (T8) as the first semiconductor switch and a pnp transistor (T9) as the second semiconductor switch are provided as the resistance element The npn transistor (T8) on the collector side is connected to the cathode of the diode (Dl), on the emitter side it is connected to the common ground potential of the circuit arrangement, that the pnp transistor (T9) with its collector electrode on the anode of the diode (D 1) and with its emitter electrode at a connection of the excitation voltage (U) is that an ohmic resistor (R 10) and an output circuit of a so-called Schmitt trigger (T7, T10) fed by the excitation voltage (U) are provided as a voltage divider and connected between the tap and the common ground potential that the two transistors (T8, T9) are connected on the base side to the tap of the voltage divider and that at the on gear of the Schmitt trigger, a reference voltage derived from the excitation voltage (U) is applied, the switching points of the Schmitt trigger determining the response or dropout voltage of the relay. 15. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 13 oder 14, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen den Abgriff des Spannungsteilers und die Basiselektroden der Transistoren (T8, T9) ohmsche Widerstände (R8, R9) eingeschaltet sind. 15. Circuit arrangement according to one of claims 13 or 14, characterized in that between the tap of the voltage divider and the base electrodes of the transistors (T8, T9) ohmic resistors (R8, R9) are switched on. 16. Schaltungsanordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass die Erregerspannung (U) über einen Gleichrichter (D2) zugeführt und ein Kondensator (C4) in den Eingangskreis des Halbleiterschalters eingeschaltet ist und dass die Kapazität des Kondensators (C4) so gewählt ist, dass die resultierende Entladezeitkonstante grösser als die Zeitdauer der durch die Gleichrichtung bedingten Spannungseinbrüche ist. 16. Circuit arrangement according to one of the preceding claims, characterized in that the excitation voltage (U) is supplied via a rectifier (D2) and a capacitor (C4) is switched on in the input circuit of the semiconductor switch and that the capacitance of the capacitor (C4) is selected in this way that the resulting discharge time constant is greater than the duration of the voltage drops caused by the rectification. 17. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass dem Widerstandselement ein Thyristor vorgeschaltet ist, an dessen Steuerelektrode eine Referenzspannung angelegt ist, derart, dass der Thyristor stromführend wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspannung überschreitet. 17. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 8, characterized in that the resistance element is preceded by a thyristor, to the control electrode of which a reference voltage is applied, such that the thyristor becomes live when the excitation voltage exceeds the level of the reference voltage. 18. Schaltungsanordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist, dass die Basis-Emit-terstrecken beider Transistoren (T5, T6) mit je einem ohmschen Widerstand (R5, R6) überbrückt sind, dass die Basis-Emitter-strecke des zweiten Kippstufentransistors (T5) durch die Parallelschaltung eines ohmschen Widerstandes (RH) und einer in Durchlassrichtung zur Versorgungsspannung (U) gepolten Diode (D6), überbrückt ist und dass zwischen die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) und das Massepotential ein weitere ohmscher Widerstand (R12) eingeschaltet ist. (Fig. 5). 18. Circuit arrangement according to claim 9, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (T6) is connected to the base electrode of the second flip-flop transistor (T5) and the collector electrode of the second flip-flop transistor (T5) is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) that the base-emitter paths of both transistors (T5, T6) are each bridged with an ohmic resistor (R5, R6), that the base-emitter path of the second flip-flop transistor (T5) through the parallel connection of an ohmic resistor (RH) and one diode (D6) which is polarized in the forward direction to the supply voltage (U), and that a further ohmic resistor (R12) is connected between the emitter electrode of the second flip-flop transistor (T5) and the ground potential. (Fig. 5). 19. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 9,17 oder 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Referenzspannung durch die Serienschaltung einer in Sperrichtung zur Erreger- 19. Circuit arrangement according to one of claims 9, 17 or 18, characterized in that the reference voltage through the series connection of a in the reverse direction to the excitation 635 210 635 210 Spannung gepolten Zenerdiode (ZD2) und einer Diode (D7) mit negativem differentiellem Widerstand realisiert ist und dass die Kippstufe (T5, T6), bzw. der dem Widerstandselement vorgeschaltete Thyristor stromführend wird, wenn die Erregerspannung (U) die Referenzspannung überschreitet (Fig. 5). Voltage polarized Zener diode (ZD2) and a diode (D7) with negative differential resistance is realized and that the flip-flop (T5, T6), or the thyristor connected upstream of the resistance element, becomes live when the excitation voltage (U) exceeds the reference voltage (Fig. 5). 20. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass als Widerstandselement eine von einem ohmschen Widerstand (R2) überbrückte Diode (Dl) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltet ist, welcher aus komplementären Transistoren (T5, T6) aufgebaute erste Kippstufe vorgeschaltet ist, dass an die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) der Mittelbegriff eines zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschalteten Spannungsteilers (R13, R14) angeschlossen ist und dass als Halbleiterschalter eine aus zwei Transistoren (T2, T3) entgegengesetzten Leitfähigkeitstypes bestehende zweite Kippstufe verwendet ist, derart, dass die Basiselektrode des einen Transistors (T2) zum Verbindungspunkt der Emitterelektrode des zweiten Transistor (T5) der ersten Kippstufe und der Diode (Dl) geführt und mit der Kollektorelektrode des anderen Transistors (T3) und die Kollektorelektrode des einen Transistors (T2) mit der Basiselektrode des anderen Transistors (T3) verbunden ist, und dass der eine Transistor (T2) mit seiner Emitterelektrode an die Kathode der Diode (D 1 ) und der andere Transistor (T3) emitterseitig an den Verbindungspunkt des zu den Anschlüssen der Erregerspannung (U) parallelgeschalteten Widerstandes und der Serienschaltung von Erregerspule (Rls) und Kondensator (Cl) angeschaltet ist (Fig. 7). 20. Circuit arrangement according to claim 1, characterized in that a resistor (R2) bridged diode (Dl) is switched on in the forward direction to the excitation voltage (U) as a resistance element, which is connected upstream of a first flip-flop made up of complementary transistors (T5, T6) that the middle term of a voltage divider (R13, R14) connected in parallel with the connections of the excitation voltage (U) is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) and that a second flip-flop of opposite conductivity type consisting of two transistors (T2, T3) is used as the semiconductor switch is such that the base electrode of one transistor (T2) leads to the junction of the emitter electrode of the second transistor (T5) of the first flip-flop and the diode (Dl) and with the collector electrode of the other transistor (T3) and the collector electrode of the one transistor ( T2) with the base electrode of the other transistor (T3), and that one transistor (T2) with its emitter electrode to the cathode of the diode (D 1) and the other transistor (T3) on the emitter side to the connection point of the resistor connected in parallel with the connections of the excitation voltage (U) and the Series connection of excitation coil (Rls) and capacitor (Cl) is switched on (Fig. 7). 21. Schaltungsanordnung nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist (Fig. 7). 21. Circuit arrangement according to claim 20, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (T6) is connected to the base electrode of the second flip-flop transistor (T5) and the collector electrode of the second flip-flop transistor (T5) is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) (Fig 7). 22. Schaltungsanordnung nach Anspruch 20 oder 21, dadurch gekennzeichnet, dass der zwischen der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) und dem Massepotential eingeschaltete Teilerwiderstand (R14) des Spannungsteilers in zwei Widerstände (R141, R142) aufgeteilt ist, dass der Verbindungspunkt der Widerstände (R141, R142) an die Basiselektrode eines pnp-Transistors (T10) angeschlosssen ist, welcher emitterseitig an den einen Anschluss der Erregerspannung (U) und kollektorseitig unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes (R15) an das Massepotential der Schaltungsanordnung angeschaltet ist und dass die Kollektorelektrode des Transistors (T10) mit der Kathode einer Diode (D5) verbunden ist, die anodenseitig an der Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) liegt (Fig. 8). 22. Circuit arrangement according to claim 20 or 21, characterized in that the divider resistor (R14) of the voltage divider switched on between the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) and the ground potential is divided into two resistors (R141, R142) such that the connection point of the resistors ( R141, R142) is connected to the base electrode of a pnp transistor (T10), which is connected on the emitter side to one connection of the excitation voltage (U) and on the collector side with the interposition of an ohmic resistor (R15) to the ground potential of the circuit arrangement, and that the collector electrode of the Transistor (T10) is connected to the cathode of a diode (D5) which is on the anode side of the emitter electrode of the second flip-flop transistor (T5) (Fig. 8). 23. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass dem Kippstufentransistor (T3) ein weiterer Transistor (T4) vorgeschaltet ist, derart, dass dessen Kollektorelektrode mit der Basiselektrode des Kippstufentransistors (T3), dessen Emitterelektrode mit dem gemeinsamen Fusspunkt der Schaltungsanordnung und dessen Basiselektrode über einen ohmschen Widerstand (R16) mit der Anode einer Zenerdiode (ZD3) verbunden ist, die kathodenseitig am positiven Anschluss der Erregerspannung (U) liegt (Fig. 9.) 23. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that a further transistor (T4) is connected upstream of the flip-flop transistor (T3), such that its collector electrode is connected to the base electrode of the flip-flop transistor (T3), its emitter electrode is connected to the common base of the circuit arrangement and its base electrode is connected via an ohmic resistor (R16) to the anode of a Zener diode (ZD3), which is on the cathode side at the positive connection of the excitation voltage (U) (Fig. 9.) 24. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass zwischen die Basiselektrode des einen und die Kollektorelektrode des anderen Transistors der Kippstufe (T2, T3) ein ohmscher Widerstand (R17) eingeschaltet ist (Fig. 10). 24. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that between the base electrode of one and the collector electrode of the other transistor of the flip-flop (T2, T3) an ohmic resistor (R17) is switched on (Fig. 10). 25. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass dem Widerstandselement als Diodenanordnung eine in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) gepolte Diode (D 6) vorgeschaltet und von einem ohmschen Widerstand (Rll) überbrückt ist (Fig. 11). 25. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that the resistance element as a diode arrangement is preceded by a diode (D 6) which is polarized in the forward direction to the excitation voltage (U) and is bridged by an ohmic resistor (R11) (Fig. 11). 26. Schaltungsanordnung nach Anspruch 10, dadurch 26. Circuit arrangement according to claim 10, characterized 3 3rd 5 5 10 10th 15 15 20 20th 25 25th 30 30th 35 35 40 40 45 45 50 50 55 55 60 60 65 65 635 210 635 210 gekennzeichnet, dass zur Erzielung der Referenzspannung zwischen die Basiselektrode des ersten Transistor (T6) und die Emitterelektrode des zweiten Transistors (T5) eine Zenerdiode (ZD 4) in Sperrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltet ist (Fig. 12). characterized in that to achieve the reference voltage between the base electrode of the first transistor (T6) and the emitter electrode of the second transistor (T5) a Zener diode (ZD 4) is switched on in the reverse direction to the excitation voltage (U) (Fig. 12). 27. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein zusätzlicher Transistor (TU) mit seiner Kollektor-Emitterstrecke in den Emitterkreis des Transistors (T3) des Halbleiterschalters eingeschaltet ist und dass die Basiselektrode des zusätzlichen Transistors (T 11) über eine in Sperrichtung zur Erregerspannung (U) gepolte Diode (D 10) mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist (Fig. 15). 27. The circuit arrangement as claimed in claim 5, characterized in that an additional transistor (TU) with its collector-emitter path is switched on in the emitter circuit of the transistor (T3) of the semiconductor switch and that the base electrode of the additional transistor (T 11) is switched off in the reverse direction Excitation voltage (U) polarized diode (D 10) is connected to the positive pole of the excitation voltage (Fig. 15). 28. Schaltungsanordnung nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, dass der zusätzliche Transistor (TU) ein pnp-Transistor ist, welcher emitterseitig mit dem Transistor (T 3) des Halbleiterschalters und kollektorseitig mit dem Massepotential der Schaltungsanordnung verbunden ist. 28. Circuit arrangement according to claim 27, characterized in that the additional transistor (TU) is a pnp transistor which is connected on the emitter side to the transistor (T 3) of the semiconductor switch and on the collector side to the ground potential of the circuit arrangement. 29. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (Dl) und als Halbleiterschalter ein npn-Transistor (T1') verwendet ist und dass der Transistor (T 1 ') mit seiner Emitterelektrode mit der Anode der Diode (D 1) verbunden ist (Fig. 16). 29. Circuit arrangement according to claim 2, characterized in that a diode (Dl) connected in the forward direction to the excitation voltage (U) and a npn transistor (T1 ') is used as the resistance element and that the transistor (T 1') with its Emitter electrode is connected to the anode of the diode (D 1) (Fig. 16). 30. Schaltungsanordnung nach Anspruch 29, dadurch gekennzeichnet, dass der Diode (D 1 ) eine Zenerdiode (ZD 1 ) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) sowie die Kollektor-Emitterstrecke eines Schalttransistors (T12) vorgeschaltet ist, dass zwischen die Kollektorelektrode des Schalttransistors (T 12), die mit der Kathode der Zenerdiode (ZD 1 ) verbunden ist und dem Massepotential der Schaltungsanordnung ein ohmscher Widerstand (R 1) eingeschaltet ist und dass an die Basiselektrode des Schalttransistors (T 12) eine Referenzspannung angelegt ist (Fig. 16). 30. The circuit arrangement according to claim 29, characterized in that the diode (D 1) is preceded by a Zener diode (ZD 1) in the forward direction to the excitation voltage (U) and the collector-emitter path of a switching transistor (T12) that between the collector electrode of the switching transistor ( T 12), which is connected to the cathode of the Zener diode (ZD 1) and an ohmic resistor (R 1) is switched on to the ground potential of the circuit arrangement and that a reference voltage is applied to the base electrode of the switching transistor (T 12) (FIG. 16) . 31. Schaltungsanordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass als Widerstandselement eine in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) geschaltete Diode (Dl) und als Halbleiterschalter ein Thyristor (SCR2) verwendet ist und dass der Thyristor mit seiner Kathode mit der Anode der Diode (Dl) verbunden ist. 31. A circuit arrangement according to claim 2, characterized in that a diode (Dl) connected in the forward direction to the excitation voltage (U) and a thyristor (SCR2) is used as the resistance element and that the thyristor with its cathode and the anode of the diode (Dl ) connected is. 32. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 29 oder 31, dadurch gekennzeichnet, dass der Diode (D 1 ) eine Zenerdiode (ZD1) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) sowie ein Thyristor (SCR1) vorgeschaltet ist, dass zwischen die Anode des Thyristors (SCR1), die mit der Kathode der Zenerdiode (ZD1) verbunden ist, und dem Massepotential der Schaltungsanordnung ein ohmscher Widerstand (Rl) eingeschaltet ist und dass an die Steuerelektrode des Thyristors (SCR1) eine Referenzspannung angelegt ist (Fig. 17). 32. Circuit arrangement according to one of claims 29 or 31, characterized in that the diode (D 1) a Zener diode (ZD1) in the forward direction to the excitation voltage (U) and a thyristor (SCR1) is connected upstream that between the anode of the thyristor (SCR1 ), which is connected to the cathode of the Zener diode (ZD1), and an ohmic resistor (R1) is switched on to the ground potential of the circuit arrangement and that a reference voltage is applied to the control electrode of the thyristor (SCR1) (FIG. 17). 33. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 30 oder 32, dadurch gekennzeichnet, dass zur Erzeugung der Referenzspannung ein ohmscher Widerstand (R 18) mit einer Zenerdiode (ZD5) in Serie geschaltet ist. 33. Circuit arrangement according to one of claims 30 or 32, characterized in that an ohmic resistor (R 18) with a Zener diode (ZD5) is connected in series to generate the reference voltage. 34. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass eine Diode (Dil) zwischen den Verbindungspunkt des Kondensators (C 1) mit dem Halbleiterschalter und den Pluspol der Erregerspannung (U) in Sperrichtung eingeschaltet ist (Fig. 18). 34. Circuit arrangement according to claim 15, characterized in that a diode (Dil) between the connection point of the capacitor (C 1) with the semiconductor switch and the positive pole of the excitation voltage (U) is switched on in the reverse direction (Fig. 18). 35. Schaltungsanordnung nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, dass die Serienschaltung von Erregerspule (Rls) und Kondensator (C) durch die Kollektor-Emitterstrecke eines Transistors (T15) überbückt ist und dass die Basiselektrode dieses Transistors (T15) über wenigstens eine in Sperrichtung zur Erregerspannung (U) eingeschaltete Diode (Dil) mit dem Pluspol der Erregerspannung verbunden ist (Fig. 19). 35. Circuit arrangement according to claim 15, characterized in that the series connection of excitation coil (Rls) and capacitor (C) is bridged by the collector-emitter path of a transistor (T15) and that the base electrode of this transistor (T15) via at least one in the reverse direction Excitation voltage (U) switched on diode (Dil) is connected to the positive pole of the excitation voltage (Fig. 19). 36. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass an die Anode der dem Widerstandselement vorgeschalteten Zenerdiode (ZD 1 ) eine weitere aus komplementären Transistoren (T5, T6) aufgebaute Kippstufe vorgeschaltet ist und dass an die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) eine Referenzspannung angelegt ist, derart, dass die Kippstufe erst dann leitend wird, wenn die Erregerspannung die Höhe der Referenzspannung überschreitet (Fig. 20). 36. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that a further flip-flop composed of complementary transistors (T5, T6) is connected upstream of the anode of the Zener diode (ZD 1) connected upstream of the resistance element and that a reference voltage is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) is applied in such a way that the trigger circuit only becomes conductive when the excitation voltage exceeds the level of the reference voltage (FIG. 20). 37. Schaltungsanordnung nach Anspruch 36, dadurch gekennzeichnet, dass die Kollektorelektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) mit der Basiselektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) und die Kollektorelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) mit der Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) verbunden ist, dass die Basis-Emit-terstrecken beider Transistoren (T5, T6) mit je einem ohmschen Widerstand (R5, R6) überbrückt sind, dass zwischen der an einem Anschluss der Erregerspannung liegenden Emitterelektrode des ersten Transistors (T6) und dessen Basiselektrode ein Kondensator (C 2) eingeschaltet ist und dass zur Erzielung der Referenzspannung zwischen die Basiselektrode des ersten Kippstufentransistors (T6) und die Emitterelektrode des zweiten Kippstufentransistors (T5) einer Zenerdiode in Sperrichtung, oder eine Dioden-Spannungsreferenzanordnung eingeschaltet ist (Fig. 20). 37. Circuit arrangement according to claim 36, characterized in that the collector electrode of the first flip-flop transistor (T6) is connected to the base electrode of the second flip-flop transistor (T5) and the collector electrode of the second flip-flop transistor (T5) is connected to the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) the base-emitter paths of both transistors (T5, T6) are each bridged with an ohmic resistor (R5, R6), that between the emitter electrode of the first transistor (T6) connected to the excitation voltage and its base electrode, a capacitor (C 2 ) is switched on and that in order to achieve the reference voltage between the base electrode of the first flip-flop transistor (T6) and the emitter electrode of the second flip-flop transistor (T5) a reverse zener diode, or a diode voltage reference arrangement is switched on (FIG. 20). 38. Schaltungsanordnung nach Anspruch 36 oder 37, dadurch gekennzeichnet, dass als Diodenanordnung und/oder als Dioden-Spannungsreferenzanordnung jeweils zwei zueinander parallelgeschaltete Zweige von Dioden verwendet sind, dass in dem einen Zweig eine der gewünschten Referenzspannung entsprechende Anzahl von Dioden in Serie geschaltet ist, derart, dass die Anode einer Diode mit der Kathode der folgenden Diode verbunden ist, und im anderm Zweig eine einzige Diode liegt, deren Anode mit der Kathode des am einen Ende des erstgenannten Zweiges liegenden Diode und deren Kathode mit der Anode der am anderen Ende des erstgenannten Zweiges liegenden Diode verbunden ist. 38. Circuit arrangement according to claim 36 or 37, characterized in that two branches of diodes connected in parallel with one another are used as the diode arrangement and / or as the diode voltage reference arrangement, that in one branch a number of diodes corresponding to the desired reference voltage is connected in series, such that the anode of one diode is connected to the cathode of the following diode, and in the other branch there is a single diode, the anode of which is connected to the cathode of the diode located at one end of the first branch and the cathode of which is connected to the anode of the other end of the first mentioned branch connected diode. 39. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Diodenanordnung eine Diode (D 6) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung eingeschaltet ist, dass eine direkt gekoppelte Kippstufe (T13, T14) zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung (U) eingeschaltet ist, derart, dass die Diode (D 6) zwischen den Emitterelektroden beider Transistoren (T13, T14) liegt und dass die Abfallspannung des Relais (Rls) durch einen für den Transistor (T13) vorgesehenen Basisspannungsteiler (R19, R 20) festgelegt ist (Fig. 21). 39. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that a diode (D 6) is switched on in the forward direction to the excitation voltage as a diode arrangement, that a directly coupled flip-flop (T13, T14) is switched on between the connections of the excitation voltage (U), such that the diode (D 6) lies between the emitter electrodes of both transistors (T13, T14) and that the drop-out voltage of the relay (Rls) is determined by a base voltage divider (R19, R 20) provided for the transistor (T13) (Fig. 21). 40. Schaltungsanordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass als Diodenanordnung eine Diode (D 6) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung eingeschaltet ist, dass ein Transistor (T 13) mit einem Basisspannungsteiler (R 19, 40. Circuit arrangement according to claim 5, characterized in that a diode (D 6) is switched on in the forward direction to the excitation voltage as a diode arrangement, that a transistor (T 13) with a base voltage divider (R 19, R 20) zwischen die Anschlüsse der Erregerspannung (U) eingeschaltet ist, derart, dass dessen Emitterelektrode an der Anode der Diode (D 6) und dessen Kollektorseite unter Zwischenschaltung eines ohmschen Widerstandes (R 21) am Massepotential der Schaltungsanordnung liegt und dass eine weitere Diode (D 7) mit ihrer Kathode an die Kollektorelektrode des Transistors (T 13) und mit ihrer Anode an die Kollektorelektrode des Transistors (T 3) des Halbleiterschalters angeschaltet ist (Fig. 22). R 20) between the connections of the excitation voltage (U) is switched on in such a way that its emitter electrode is connected to the anode of the diode (D 6) and its collector side is connected to the ground potential of the circuit arrangement with the interposition of an ohmic resistor (R 21) and that another diode (D 7) is connected with its cathode to the collector electrode of the transistor (T 13) and with its anode to the collector electrode of the transistor (T 3) of the semiconductor switch (FIG. 22). 41. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 41. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 11, dadurch gekennzeichnet, dass dem Widerstandselement eine Diode (D 6) in Durchlassrichtung zur Erregerspannung (U) vorgeschaltet ist (Fig. 23). 11, characterized in that the resistor element is preceded by a diode (D 6) in the forward direction to the excitation voltage (U) (Fig. 23). 42. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 11 oder 41, dadurch gekennzeichnet, dass in den Eingangskreis des Halbleiterschalters eine Diode (D 9) eingeschaltet ist, derart, dass deren Kathode an der Steuerelektrode des Halbleiterschalters liegt (Fig. 23). 42. Circuit arrangement according to one of claims 1 to 11 or 41, characterized in that a diode (D 9) is switched on in the input circuit of the semiconductor switch, such that its cathode is connected to the control electrode of the semiconductor switch (Fig. 23). 43. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 8,41 oder 42, dadurch gekennzeichnet, dassdie Kollektorelektrode des weiteren Transistors (T 4) über einen ohmschen Widerstand (R 23) an den Verbindungspunkt von Kondensator (C 1) und 43. Circuit arrangement according to one of claims 8, 41 or 42, characterized in that the collector electrode of the further transistor (T 4) via an ohmic resistor (R 23) at the connection point of the capacitor (C 1) and 4 4th 5 5 10 10th 15 15 20 20th 25 25th 30 30th 35 35 40 40 45 45 50 50 55 55 60 60 65 65 5 5 635 210 635 210 Halbleiterschalter angeschlossen ist und dass in der Basiszulei- wand an Bauteilen realisierbar ist als bei der bekannten Anord-tung des weiteren Transistors (T 4) eine Diode (D 8) in Durch- nung. Semiconductor switch is connected and that in the base supply wall on components can be realized than in the known arrangement of the further transistor (T 4) a diode (D 8) in the opening. lassrichtungzur Erregerspannung (U) eingeschaltet ist (Fig. 23). Erfindungsgemäss wird diese Aufgabe dadurch gelöst, dass der Halbleiterschalter mit seinem Eingangskreis zu einem in s Serie zu Erregerspule und Kondensator liegenden Widerstandselement parallelgeschaltet ist und dass nach erfolgter Aufladung des Kondensators und abgeschalteter Erregerspannung ein am Widerstandselement auftretender Spannungsabfall den Halb-Die Erfindung betrifft eine Schaltungsanordnung zur leiterschalter leitfähig steuert. direction to excitation voltage (U) is switched on (Fig. 23). According to the invention, this object is achieved in that the semiconductor switch is connected in parallel with its input circuit to a resistance element lying in series with the excitation coil and capacitor, and that after the capacitor has been charged and the excitation voltage has been switched off, a voltage drop occurring at the resistance element is related to the circuit arrangement conductor switch controls conductive. Ansteuerung eines bistabilen Relais, dessen Erregerspule mit ei- io Durch diese Massnahmen erreicht man, dass die bei der nem Kondensator in Serie liegt, bei der die Serienschaltung von bekannten Anordnung benötigte Auswerteschaltung vollstän-Spule und Kondensator zur Erregung des Relais und gleichzeiti- dig eingespart und damit eine besonders einfach und raumspa-gen Aufladung des Kondensators an Erregerspannung gelegt rend aufzubauende Anordnung geschaffen ist. Als Widerstands-wird und bei fehlender Erregerspannung durch einen mit sei- element kann im einfachsten Falle ein ohmscher Widerstand nem Ausgangskreis zu ihr parallelgeschalteten Halbleiterschal- is vorgesehen sein, bevorzugt findet jedoch ein Element mit nicht-ter kurzschliessbar ist, wodurch das Relais in seine Ausgangs- linearer Kennlinie, z.B. eine in Durchlassrichtung zur Erregerstellung zurückschaltet. Spannung geschaltete Diode Verwendung, weil dann die span-Eine Schaltungsanordnung zum Umschalten eines bistabi- nungsmässige Beanspruchung des Eingangskreises des Halblei-len Relais mit Hilfe eines Halbleiterschalters ist zum Beispiel terschalters z.B. auf den Wert der Schwellenspannung der Diode aus dem Buch «Relais Lexikon» von H. Sauer, 1. Auflage 1975,20 begrenzt, der Ladestrom des Kondensators jedoch nahezu unbe-Seite 12, bekannt. Beim Anlegen der Erregerspannung wird ein einträchtigt bleibt. Activation of a bistable relay, the excitation coil of which is achieved by means of these measures that the evaluation circuit which is required for the series connection of the known arrangement is completely in coil and capacitor for excitation of the relay and simultaneously saved and thus a particularly simple and space-saving charging of the capacitor connected to the excitation voltage is achieved. In the simplest case, an ohmic resistance in the output circuit to its semiconductor circuit connected in parallel can be provided as resistance and if there is no excitation voltage by means of a element, however, an element with short circuit is preferably short-circuited, as a result of which the relay is in its output - linear characteristic, e.g. one switches back in the forward direction to the excitation position. Voltage-switched diode is used because then the circuitry for switching a bistable load on the input circuit of the semiconductor relay with the aid of a semiconductor switch is, for example, a switch e.g. limited to the value of the threshold voltage of the diode from the book "Relay Lexicon" by H. Sauer, 1st edition 1975.20, but the charging current of the capacitor is almost unknown. When the excitation voltage is applied, it remains impaired. erster, in Serie zu Spule und Kondensator liegender Transistor Vorteilhafte Ausgestaltungen der erfindungsgemässen leitend, das Relais spricht an und der Kondensator wird gela- Schaltungsanordnung werden in den abhängigen Ansprüchen den. Legt man ein positives Steuersignal an den Eingang eines angegeben. first transistor in series with the coil and capacitor Advantageous refinements of the conductive according to the invention, the relay responds and the capacitor is switched in the dependent claims. Apply a positive control signal to the input of a specified. zweiten Transistors, dann wird der erste Transistor gesperrt und 25 Ausführungsbeispiele der Erfindung werden im folgenden ein dritter, parallel zu Spule und Kondensator liegender Transi- anhand der Figuren beschrieben. Im einzelnen zeigen : second transistor, then the first transistor is blocked and 25 exemplary embodiments of the invention are described below with reference to the figures, a third transistor lying parallel to the coil and capacitor. In detail show: stor leitend. Durch diesen dritten Transistor wird der Kondensa- Fig. 1 eine Schaltungsanordnung mit einer Diode als Widertor entladen und das Relais schaltet zurück. Springt das Steuersi- standselement, zu der die Basis-Emitterstrecke eines Transistors gnal auf den Wert Null, dann werden der zweite und der dritte parallelgeschaltet ist, stor leading. 1, a circuit arrangement with a diode as a gate is discharged and the relay switches back. If the control status element jumps to which the base-emitter path of a transistor gnal to the value zero, then the second and the third are connected in parallel, Transistor wieder gesperrt, der erste Transistor leitend, der Kon- 30 Fig. 2 eine Schaltungsanordnung mit definierter Abfallspan-densator wird wieder aufgeladen, womit das Relais umschaltet, nung und The transistor is blocked again, the first transistor is conductive, and the circuitry with a defined drop-out capacitor is recharged, with which the relay switches over Eine derartige Schaltungsanordnung ist für den Betrieb Fig. 3 und 4 Anordnungen mit festgelegten Anzugs- und bistabiler Relais zweckmässig, wenn die Polarität der Erreger- Abfallspannungen für die verwendeten Relais. Such a circuit arrangement is useful for the operation of FIGS. 3 and 4 arrangements with fixed pull-in and bistable relays if the polarity of the excitation drop voltages for the relays used. Spannung unverändert bleibt.Das Relais beharrt dabei nach Fig. 5 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 bzw. 2 mit einer The voltage remains unchanged. The relay persists according to FIG. 5 an embodiment according to FIGS. 3 or 2 with a Aufladung des Kondensators in seiner Schaltstellung, unabhän- 35 Diode und einem Widerstand anstelle der Zenerdiode ; gig davon, ob die Erregerspannung abgeschaltet wird oder nach Fig. 6 die Kennlinie der Diode mit negativem differentiellem wie vor anliegt. Eine in Serie geschaltete Diode verhindert bei Widerstand ; Charging the capacitor in its switching position, independent diode and a resistor instead of the Zener diode; gig of whether the excitation voltage is switched off or according to Fig. 6, the characteristic of the diode with negative differential as before. A diode connected in series prevents resistance; fehlender Erregerspannung eine schleichende Entladung des Fig. 7 eine Ausführungsart mit einer Kippstufe anstelle der 7 excitation voltage a creeping discharge of Fig. An embodiment with a flip-flop instead of Kondensators. Ein Zurückschalten des Relais wird erst durch Zenerdiode ; Capacitor. The relay is only switched back by the Zener diode; den positiven Steuerimpuls am Eingang des zweiten Transistors 40 Fig. 8 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 7 mit einem wei-ausgelöst. Nachdem dieser Impuls aus der Erregerspannung teren Transistor ; the positive control pulse at the input of the second transistor 40 Fig. 8 an embodiment of FIG. 7 with a white-triggered. After this pulse from the excitation voltage teren transistor; nicht gewonnen werden kann, wenn diese abgeschaltet ist, ergibt Fig. 9 eine Ausführungsart mit einem der Kippstufe vorge-sich hier die Notwendigkeit einer externen Steuersignalquelle. schalteten Transistor; cannot be obtained if this is switched off, FIG. 9 shows an embodiment with one of the flip-flops, here the need for an external control signal source. switched transistor; Aus der DAS 2624913 ist darüber hinaus eine Schaltungs- Fig. 10 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einem anordnungzur Ansteuerung bistabiler Relais bekannt, durch die 45 zusätzlichen Schutzwiderstand; From DAS 2624913 a circuit is also known. FIG. 10 shows an embodiment according to FIG. 2 with an arrangement for controlling bistable relays, by means of the 45 additional protective resistor; sich diese wie monostabile Relais verhalten, also bei Ausfall der Fig. 11 eine Ausführungsart mit einer Diode und einem these behave like monostable relays, that is to say in the event of the failure of FIG. 11, an embodiment with one diode and one Erregerspannung selbsttätig in die Ausgangslage zurückschal- Widerstand anstelle der Zenerdiode ; Excitation voltage automatically switch back to the starting position - resistance instead of the Zener diode; ten. Dies wird dadurch erreicht, dass zwischen dem Verbin- Fig. 12 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 11 mit einer wei- This is achieved in that an embodiment according to FIG. 11 with a further dungspunkt von Erregerspule und Kondensator einerseits und teren Kippstufe ; point of excitation of the excitation coil and capacitor on the one hand and the lower flip-flop; die Steuerelektrode des Halbleiterschalters andererseits eine 50 Fig. 13 die Kennlinie der Zenerdiode ZD4 von Fig. 12 ; von der Erregerspannung gespeiste Auswerteschaltung einge- Fig. 14 das Schaltverhalten der Anordnung von Fig. 12 ; the control electrode of the semiconductor switch, on the other hand, FIG. 13 the characteristic curve of the Zener diode ZD4 from FIG. 12; 14 shows the switching behavior of the arrangement from FIG. 12; schaltet ist, die den Halbleiterschalter bei Vorliegen der Erreger- Fig. 15 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einem Spannung sperrt und bei deren Wegfall leitfähig steuert. Zur Ver- zusätzlichen Transistor; is an embodiment of FIG. 2 with a voltage and controls the absence of the exciter. For additional transistor; hinderung einer unbeabsichtigten Entladung des Kondensators Fig. 16 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 1 mit einem npn-ist auch hierbei eine Diode in den Strompfad eingeschaltet. Ein 55 Transistor; preventing an unintentional discharge of the capacitor. FIG. 16 shows an exemplary embodiment according to FIG. 1 with an npn — a diode is also connected into the current path here. A 55 transistor; Serien widerstand im gleichen Pfad dient sowohl als Kurz- Fig. 17 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 16 mit Thyristo- Series resistance in the same path serves both as a short- Fig. 17 an embodiment according to Fig. 16 with thyristor schlusssicherung für den Halbleiterschalter als auch bei entspre- ren ; final fuse for the semiconductor switch as well as for the corresponding; chender Bemessung zur Erzielung eines definierten Spannungs- Fig. 18 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 4 mit geänderter abfalls, womit Relais mit wirtschaftlich herstellbarer Nieder- Energieversorgung für den Schmitt-Trigger; Appropriate dimensioning to achieve a defined voltage. FIG. 18 shows an exemplary embodiment according to FIG. 4 with a modified drop, with which relays with economically producible low-energy supply for the Schmitt trigger; spannungswicklung an höheren Spannungen, z.B. der Netz- 60 Fig. 19 eine weitere Ausführungsart mit einer geänderten voltage winding at higher voltages, e.g. the network 60 Fig. 19 a further embodiment with a modified Spannung zu betreiben sind. Demgegenüber führt aber die zur Schmitt-Trigger-Energieversorgung ; Voltage must be operated. In contrast, however, this leads to the Schmitt trigger energy supply; Erzielung des monostabilen Schaltverhaltens des Relais benö- Fig. 20 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 12; To achieve the monostable switching behavior of the relay, FIG. 20 shows an embodiment according to FIG. 12; tigte Auswerteschaltung zu einem relativ hohen Aufwand an Fig. 21 ein Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 mit einer Diode evaluated circuit at a relatively high cost on FIG. 21 an embodiment of FIG. 2 with a diode Bauteilen. anstelle der Zenerdiode ; Components. instead of the zener diode;
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