CH514935A - Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes HalbleiterbauelementInfo
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- 238000000034 method Methods 0.000 title 2
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- H01L29/7831—
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-
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
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Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB61953/68A GB1244225A (en) | 1968-12-31 | 1968-12-31 | Improvements in and relating to methods of manufacturing semiconductor devices |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CH514935A true CH514935A (de) | 1971-10-31 |
Family
ID=10487686
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CH1934069A CH514935A (de) | 1968-12-31 | 1969-12-29 | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements und durch dieses Verfahren hergestelltes Halbleiterbauelement |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3650019A (de) |
JP (1) | JPS4816034B1 (de) |
AT (1) | AT311420B (de) |
BE (1) | BE743829A (de) |
BR (1) | BR6915650D0 (de) |
CH (1) | CH514935A (de) |
DE (1) | DE1965799C3 (de) |
DK (1) | DK125220B (de) |
ES (1) | ES374906A1 (de) |
FR (1) | FR2027452B1 (de) |
GB (1) | GB1244225A (de) |
NL (1) | NL6919463A (de) |
SE (1) | SE347392B (de) |
ZA (1) | ZA698728B (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
BE759057A (de) * | 1969-11-19 | 1971-05-17 | Philips Nv | |
GB1289740A (de) * | 1969-12-24 | 1972-09-20 | ||
FR2129992B1 (de) * | 1971-03-25 | 1974-06-21 | Lecrosnier Daniel | |
US3874937A (en) * | 1973-10-31 | 1975-04-01 | Gen Instrument Corp | Method for manufacturing metal oxide semiconductor integrated circuit of reduced size |
FR2289051A1 (fr) * | 1974-10-22 | 1976-05-21 | Ibm | Dispositifs a semi-conducteur du genre transistors a effet de champ et a porte isolee et circuits de protection cotre les surtensions |
US3912546A (en) * | 1974-12-06 | 1975-10-14 | Hughes Aircraft Co | Enhancement mode, Schottky-barrier gate gallium arsenide field effect transistor |
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JPS5553462A (en) * | 1978-10-13 | 1980-04-18 | Int Rectifier Corp | Mosfet element |
US5191396B1 (en) * | 1978-10-13 | 1995-12-26 | Int Rectifier Corp | High power mosfet with low on-resistance and high breakdown voltage |
US4280271A (en) * | 1979-10-11 | 1981-07-28 | Texas Instruments Incorporated | Three level interconnect process for manufacture of integrated circuit devices |
JPH0834297B2 (ja) * | 1988-12-28 | 1996-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
AU657720B2 (en) * | 1991-01-30 | 1995-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | A bubblejet image reproducing apparatus |
US5869371A (en) * | 1995-06-07 | 1999-02-09 | Stmicroelectronics, Inc. | Structure and process for reducing the on-resistance of mos-gated power devices |
JP6356516B2 (ja) * | 2014-07-22 | 2018-07-11 | 東芝メモリ株式会社 | プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3328210A (en) * | 1964-10-26 | 1967-06-27 | North American Aviation Inc | Method of treating semiconductor device by ionic bombardment |
NL6604962A (de) * | 1966-04-14 | 1967-10-16 | ||
US3470609A (en) * | 1967-08-18 | 1969-10-07 | Conductron Corp | Method of producing a control system |
GB1233545A (de) * | 1967-08-18 | 1971-05-26 | ||
US3558366A (en) * | 1968-09-17 | 1971-01-26 | Bell Telephone Labor Inc | Metal shielding for ion implanted semiconductor device |
-
1968
- 1968-12-31 GB GB61953/68A patent/GB1244225A/en not_active Expired
-
1969
- 1969-12-15 ZA ZA698728A patent/ZA698728B/xx unknown
- 1969-12-23 DK DK683869AA patent/DK125220B/da unknown
- 1969-12-24 ES ES374906A patent/ES374906A1/es not_active Expired
- 1969-12-25 NL NL6919463A patent/NL6919463A/xx unknown
- 1969-12-29 SE SE17986/69A patent/SE347392B/xx unknown
- 1969-12-29 JP JP44105411A patent/JPS4816034B1/ja active Pending
- 1969-12-29 BR BR215650/69A patent/BR6915650D0/pt unknown
- 1969-12-29 BE BE743829D patent/BE743829A/xx unknown
- 1969-12-29 US US888543A patent/US3650019A/en not_active Expired - Lifetime
- 1969-12-29 CH CH1934069A patent/CH514935A/de not_active IP Right Cessation
- 1969-12-30 DE DE1965799A patent/DE1965799C3/de not_active Expired
- 1969-12-30 FR FR6945393A patent/FR2027452B1/fr not_active Expired
- 1969-12-30 AT AT1211869A patent/AT311420B/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
BR6915650D0 (pt) | 1973-01-02 |
DE1965799B2 (de) | 1977-09-29 |
GB1244225A (en) | 1971-08-25 |
NL6919463A (de) | 1970-07-02 |
DE1965799A1 (de) | 1970-07-23 |
DK125220B (da) | 1973-01-15 |
JPS4816034B1 (de) | 1973-05-18 |
BE743829A (de) | 1970-06-29 |
US3650019A (en) | 1972-03-21 |
ZA698728B (en) | 1971-07-28 |
DE1965799C3 (de) | 1978-06-01 |
FR2027452A1 (de) | 1970-09-25 |
FR2027452B1 (de) | 1974-02-01 |
ES374906A1 (es) | 1972-03-16 |
SE347392B (de) | 1972-07-31 |
AT311420B (de) | 1973-11-12 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PL | Patent ceased |