AT13372U1 - LED module with high luminous flux density - Google Patents
LED module with high luminous flux density Download PDFInfo
- Publication number
- AT13372U1 AT13372U1 ATGM189/2012U AT1892012U AT13372U1 AT 13372 U1 AT13372 U1 AT 13372U1 AT 1892012 U AT1892012 U AT 1892012U AT 13372 U1 AT13372 U1 AT 13372U1
- Authority
- AT
- Austria
- Prior art keywords
- led
- led module
- particles
- phosphor
- led chip
- Prior art date
Links
- 230000004907 flux Effects 0.000 title claims description 12
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 70
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 55
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 8
- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 claims description 3
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 claims description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 6
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000000295 emission spectrum Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000005484 gravity Effects 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- 229910052605 nesosilicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004762 orthosilicates Chemical class 0.000 description 1
- 238000013021 overheating Methods 0.000 description 1
- 238000011112 process operation Methods 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/02—Use of particular materials as binders, particle coatings or suspension media therefor
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
- C09K11/08—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
- F21K9/60—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction
- F21K9/64—Optical arrangements integrated in the light source, e.g. for improving the colour rendering index or the light extraction using wavelength conversion means distinct or spaced from the light-generating element, e.g. a remote phosphor layer
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V9/00—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters
- F21V9/40—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity
- F21V9/45—Elements for modifying spectral properties, polarisation or intensity of the light emitted, e.g. filters with provision for controlling spectral properties, e.g. colour, or intensity by adjustment of photoluminescent elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
Die Erfindung bezieht sich auf ein LED-Modul, aufweisend:- wenigstens ein LED-Chip auf einem Träger, und- eine Leuchtstoffschicht, die auf der Lichtabstrahlfläche des LED-Chips aufgebracht ist,wobei in der Schicht die Leuchtstoffpartikel in einer Matrix 4 aufgenommen sind,wobei die Konzentration der Leuchtstoffpartikel- in einem ersten Bereich, das das LED-Chip bedeckt und/oder seitlich umgibt im wesentlichen konstant ist, derart, dass die Farbkonversionspartikel in diesem Bereich dichtest möglich gepackt sind, und- in einem zweiten, an den ersten Bereich angrenzenden Bereich sprunghaft mit einem zweiten Gradienten abfällt.The invention relates to an LED module, comprising: at least one LED chip on a carrier, and a phosphor layer, which is applied to the light emitting surface of the LED chip, wherein the phosphor particles are accommodated in a matrix 4 in the layer wherein the concentration of the phosphor particles is substantially constant in a first region covering and / or laterally surrounding the LED chip, such that the color conversion particles are densest packed in that region, and in a second, the first Area adjacent area abruptly drops with a second gradient.
Description
österreichisches Patentamt AT13 372U1 2013-11-15Austrian Patent Office AT13 372U1 2013-11-15
Beschreibungdescription
LED-MODUL MIT HOHER LICHTSTROMDICHTELED MODULE WITH HIGH LIGHT CURRENT DENSITY
[0001] Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf LED-Module insbesondere auf COB (Chip-On-Board) LED-Module, mit hochdichte LED Chipverpackung sowie auf LED-Leuchten, wie bspw. Spotlights, Downlights, die derartige Module aufweisen.The present invention relates to LED modules in particular COB (chip-on-board) LED modules, with high-density LED chip packaging and LED lights, such as. Spotlights, downlights that have such modules.
[0002] Unter „LED-Modul" ist dabei wenigstens ein LED (LED-die oder SMD LED) auf einem Träger, wie beispielsweise einer Leiterplatte (PCB), einem SMD-Träger etc. zu verstehen.Under "LED module " is to understand at least one LED (LED-the or SMD LED) on a support, such as a printed circuit board (PCB), an SMD carrier, etc.
[0003] Die Erfindung bezieht sich insbesondere auf LED-Module zur Erzeugung von weißem Licht. Dazu ist es gut bekannt, eine monochromatische, insbesondere blaue oder blau/UV bzw. UV-LED auf einem Träger anzuordnen und weiterhin ein Farbkonversionsmaterial vorzusehen, das einen Teil des von der LED emittierten Lichts in Licht einer anderen, insbesondere längeren Wellenlänge umsetzt. Dabei ist die Abstimmung zwischen Farbkonversionsmaterial und Emissionspektrum der LED derart gewählt, dass das entstehende Mischlicht nahe der Plank'schen Kurve in CIE Diagramm zu liegen kommt und als weiß bezeichnet werden kann.The invention particularly relates to LED modules for generating white light. For this purpose, it is well known to arrange a monochromatic, in particular blue or blue / UV or UV LED on a support and further provide a color conversion material that converts a portion of the light emitted by the LED light in another, especially longer wavelength light. The vote between color conversion material and emission spectrum of the LED is chosen such that the resulting mixed light comes close to the Plank curve in CIE diagram and can be described as white.
[0004] Insbesondere bei LEDs, welche eine große Menge an Lichtleistung emittieren, welches für die Umwandlung in Farbkonversionsmaterialien geeignet ist, tritt aufgrund der Umwandlung von primär emittierten Licht in Wärmeenergie und längerwelligen Licht, in den Farbkonversionsmaterialien eine beträchtliche Wärmeleistung auf, welche nur schlecht über die umgebenden Matrixmaterialien (zB. Silicones oder Polymere) abgeführt werden kann in der die Leuchtstoffpartikel eingebettet sind, da Matrixmaterialien diese normalerweise eine geringe Wärmeleitfähigkeit besitzen.In particular, in LEDs which emit a large amount of light power, which is suitable for the conversion in color conversion materials, occurs due to the conversion of primary emitted light into heat energy and longer-wave light, in the color conversion materials on a considerable heat output, which only poorly over the surrounding matrix materials (eg silicones or polymers) can be dissipated in which the phosphor particles are embedded, since matrix materials normally have a low thermal conductivity.
[0005] Anwendung von Fillerpartikeln in dem Matrixmaterial oder eine hochkonzentrierte Leuchtstoffschicht in der Nähe des LED-Chips kann die Wärmeabfuhr deutlich verbessern. Die Konzentration/Menge der Fillerpartikel ist einerseits durch die Aufbringungsmethode der Leuchtstoffpaste limitiert, andererseits durch die Lichtabsorption der Partikel, die die Lichtleistung verringert. Eine weitere Möglichkeit die Wärmeabfuhr zu erhöhen ist die Einsetzung von anorganischen Matrizen zB. keramische Materialien, Glas (zB. keramische Leuchtstoffplättchen) oder mit keramischen Materialien beschichteten Leuchtstoffpartikeln. Mit der letzten erwähnten Methode kann eine hohe Lichtstromdichte, ohne die Leuchtstoffpartikel zu überhitzen, erreicht werden, falls die Wärmeleitfähigkeit und/oder die thermische Anbindung zum Kühlkörper ausreichend ist/sind. Die einstellbare/erreichbare Farbtöne sind aber eingeschränkt und eine hohe Menge von Leuchtstoffplättchen ist erforderlich, die teure logistische Prozesse auslösen. Zusätzlich sind die Typen der anwendbaren LED-Chips aus den oben erwähnten Gründen eingeschränkt.Use of filler particles in the matrix material or a highly concentrated phosphor layer in the vicinity of the LED chip can significantly improve the heat dissipation. The concentration / amount of Fillerpartikel is limited on the one hand by the method of application of the phosphor paste, on the other hand by the light absorption of the particles, which reduces the light output. Another way to increase the heat dissipation is the use of inorganic matrices, for example. ceramic materials, glass (eg, ceramic phosphor chips), or phosphor particles coated with ceramic materials. With the last-mentioned method, a high luminous flux density can be achieved without overheating the phosphor particles if the heat conductivity and / or the thermal connection to the heat sink is / are sufficient. However, the adjustable / achievable hues are limited and a high amount of phosphor chips is required, which trigger expensive logistic processes. In addition, the types of applicable LED chips are limited for the reasons mentioned above.
[0006] Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Wärmeabfuhr weg von der Farbkonversi-onsschicht zu verbessern.It is an object of the present invention to improve the heat dissipation away from the Farbkonversi onsschicht.
[0007] Diese Aufgabe wird gelöst durch die Merkmale der unabhängigen Ansprüche. Die abhängigen Ansprüche bilden den zentralen Gedanken der Erfindung in besonders vorteilhafter Weise weiter.This object is solved by the features of the independent claims. The dependent claims further form the central idea of the invention in a particularly advantageous manner.
[0008] Durch eine dichte Verpackung des Phosphors über und/oder um die LED-Chips (in einer gewisse Nähe der LED-Chips) kann eine ausreichende Wärmeabfuhr realisiert werden. Wenn die Wärmeabfuhr der LED-Chips gelöst ist, kann die Verpackungsdichte der LED-Chips deutlich höher sein, als bei den Stand der Technik LED-Modulen mit homogener Leuchtstoffpartikelverteilung in der Matrix um und/oder über die LED-Chips. Eine gewisse Beschränkung tritt bei Lichtausstrahlung von 10 lm/mm2 wegen der Wärmeerzeugung des Leuchtstoffs auf, da das Matrixmaterial mit ca. 25-35° (abhängig von dem Phosphor/dem CCT/CRI) aufgeheizt werden kann. Die Verdoppelung der Lichtstromdichte verursacht die Zunahme der Temperatur 50°-70° des Tc-Temperatur im Verhältnis zu dem Tc-Punkt und/oder begrenzt die maximale gewährte Temperatur am Tc-Punkt für Produkte, bei denen eine langfristige Zuverlässigkeit erfordert ist, 1 /16 österreichisches Patentamt AT13 372U1 2013-11-15 und/oder Ausfälle wegen der Bildung der Cracks in Silikonen bei höheren Temperaturen. Bei einer üblichen Tc-Temperatur von ~90°C und einer langfristigen Stabilität von 130*Ό für das Silikon entstehen etwas Beschränkungen der Lichtstromdichte, die mit höheren lichtemittierenden Oberflächen leicht beiseitigen werden können, aber diese führt zu viel größere Reflektoren und höhere materielle Kosten im Aufbau des Luminaires.By a dense packaging of the phosphor over and / or the LED chips (in a certain proximity of the LED chips), a sufficient heat dissipation can be realized. When the heat dissipation of the LED chips is solved, the packaging density of the LED chips can be significantly higher than in the prior art LED modules with homogeneous phosphor particle distribution in the matrix around and / or via the LED chips. A certain limitation occurs with light emission of 10 lm / mm 2 because of the heat generation of the phosphor, since the matrix material can be heated at about 25-35 ° (depending on the phosphor / the CCT / CRI). The doubling of the luminous flux density causes the increase in the temperature 50 ° -70 ° of the Tc temperature in relation to the Tc point and / or limits the maximum allowed temperature at the Tc point for products in which a long-term reliability is required, 1 / 16 Austrian Patent Office AT13 372U1 2013-11-15 and / or failures due to the formation of cracks in silicones at higher temperatures. At a typical Tc temperature of ~ 90 ° C and a long-term stability of 130 * Ό for the silicone, some limitations of luminous flux density arise, which can easily be eliminated with higher light-emitting surfaces, but this leads to much larger reflectors and higher material costs Construction of the luminaire.
[0009] Lichtstrom kann von 2500 Im bei 10 lm/mm2 Lichtstromdichte realisiert werden, wobei eine emittierenden Fläche von 19mm Durchmesser beträgt. Mit einem Durchmesser von 25mm kann einen Lichtstrom von 5000 Im erreicht werden. Die erwähnten Lichtstromwerte sind der Allgemeinbeleuchtung üblich.Luminous flux can be realized from 2500 Im at 10 lm / mm2 luminous flux density, with an emitting area of 19mm diameter. With a diameter of 25mm, a luminous flux of 5000 Im can be achieved. The luminous flux values mentioned are common to general lighting.
[0010] Mit einer dichten/konzentrierten erfindungsgemäßen Phosphorschicht kann eine Licht-stromdichte von bis 100 Im/mm2 des Moduls erreicht werden, wenn die Wärmeabfuhr der LED-Chips und ihrer Umgebung behandelt ist. Bei solchen hohen Lichtstromdichte ist die Packungsdichte der LED-Chips wegen des thermischen Managements der LED-Chips selbst und der notwendigen elektrischen Anschlüsse begrenzt.With a dense / concentrated phosphor layer according to the invention a light-current density of up to 100 Im / mm2 of the module can be achieved when the heat dissipation of the LED chips and their environment is treated. At such high luminous flux density, the packaging density of the LED chips is limited because of the thermal management of the LED chips themselves and the necessary electrical connections.
[0011] Eine Lichtstromdichte von 10 lm/mm2 kann mit Dichte von 40mW-60mW des blauen Lichtes pro mm2 erzielt werden. Dieses kann mit 1 einem low-power LED-Chip mit 0,2mm2 pro 1mm2 oder einem mid-power LED-Chip mit 0,5mm2 pro 4mm2 vorbereitet werden. Packungsdichte Es bedeutet eine Packungsdichte von 30%-50%, die abhängig von der Chipgröße ist, des vorhandenen Bereichs des Modulsoberfläche. Dieses führt abhängig von Betriebsstrom zu 200mW/mm2-300mW/mm2, das mit 25 lm/mm2 - 75 lm/mm2 (2700K, CRI95, 200 mW/mm2 -6500K, CRI70, 300 mW/mm2) korrespondiert. Für Standardanwendung ~50 Im/kann mm2 angenommen werden und der Durchmesser für das Modul 2500 Im kann auf ~8mm Durchmesser und für das Modul 5000 Im auf ~11mm verringert werden. Das führt zu bedeutenden kleineren Reflektoren, da die Reflektorgröße linear proportional mit der lichtemittierenden Oberfläche ist.A luminous flux density of 10 lm / mm2 can be achieved with a density of 40mW-60mW of blue light per mm2. This can be prepared with 1 a low-power LED chip with 0.2mm2 per 1mm2 or a mid-power LED chip with 0.5mm2 per 4mm2. Packing density It means a packing density of 30% -50%, which is dependent on the chip size of the existing area of the module surface. Depending on the operating current, this leads to 200mW / mm2-300mW / mm2, which corresponds to 25 lm / mm2 - 75 lm / mm2 (2700K, CRI95, 200mW / mm2 -6500K, CRI70, 300mW / mm2). For standard application ~ 50 mm2 / mm can be adopted and the diameter for the 2500mm module can be reduced to ~ 8mm diameter and for the 5000mm module to ~ 11mm. This results in significant smaller reflectors since the reflector size is linearly proportional to the light emitting surface.
[0012] Ein erster Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein LED-Modul, aufweisend: [0013] - wenigstens ein LED-Chip auf einem Träger, und [0014] - eine Leuchtstoffschicht, die auf der Lichtabstrahlfläche des LED-Chips aufgebracht ist, [0015] wobei in der Schicht die Leuchtstoffpartikel in einer Matrix 4 aufgenommen sind, [0016] wobei die Konzentration der Leuchtstoffpartikel [0017] - in einem ersten Bereich, das das LED-Chip bedeckt und/oder seitlich umgibt im We sentlichen konstant ist, derart, dass die Farbkonversionspartikel in diesem Bereich dichtest möglich gepackt sind, und [0018] - in einem zweiten, an den ersten Bereich angrenzenden Bereich sprunghaft mit einem zweiten Gradienten abfällt.A first aspect of the invention relates to an LED module, comprising: at least one LED chip on a support, and [0014] a phosphor layer which is applied to the light emission surface of the LED chip, Wherein in the layer the phosphor particles are accommodated in a matrix 4, wherein the concentration of the phosphor particles [0017] - in a first region which covers and / or laterally surrounds the LED chip is substantially constant, in such a way that the color conversion particles are packed as densely as possible in this area, and - in a second area adjoining the first area, it drops abruptly with a second gradient.
[0019] Das LED-Modul kann weiters einen Damm aufweisen.The LED module may further comprise a dam.
[0020] Der Träger des LED-Moduls kann durch eine Metalplatte vorzugsweise eine Alumi-numplatte und eine Leiterplatte vorbereitet sein.The support of the LED module may be prepared by a metal plate, preferably an aluminum numplatte and a printed circuit board.
[0021] Das LED-Modul kann eine Lichtstromdichte von mindestens 18 lm/mm2, bevorzugt 20-100 lm/mm2, besonders bevorzugt 25-75 lm/mm2 aufweisen.The LED module can have a luminous flux density of at least 18 lm / mm 2, preferably 20-100 lm / mm 2, particularly preferably 25-75 lm / mm 2.
[0022] Die Dicke des zweiten Bereichs kann zwischen 12pm und 40pm, vorzugsweise zwischen 20pm und 30pm betragen.The thickness of the second region may be between 12pm and 40pm, preferably between 20pm and 30pm.
[0023] Ein zweiter Aspekt der Erfindung bezieht sich auf ein LED-Modul, aufweisend: [0024] - wenigstens ein LED-Chip auf einem Träger, und [0025] - eine Leuchtstoffschicht, die auf der Lichtabstrahlfläche des LED-Chips (1) aufge bracht ist, 2/16 österreichisches Patentamt AT13 372U1 2013-11-15 [0026] wobei in der Schicht Leuchtstoffpartikel und optional Streupartikel in einer Matrix aufgenommen sind, wobei die Leuchtstoffpartikel in einer Schicht angrenzend an den LED-Chip stark verdichtet sind.A second aspect of the invention relates to an LED module, comprising: - at least one LED chip on a support, and [0025] - a phosphor layer, which on the light emitting surface of the LED chip (1) wherein in the layer phosphor particles and optional scattering particles are accommodated in a matrix, wherein the phosphor particles are strongly compressed in a layer adjacent to the LED chip.
[0027] Der Matrix 4 kann ein Polymer aus der Gruppe von Silikonmaterialien und Epoxymate-rialien aufweisen.The matrix 4 may comprise a polymer from the group of silicone materials and epoxy materials.
[0028] Das LED-Modul kann ein COB Modul sein.The LED module may be a COB module.
[0029] Der Damm kann den LED-Chip bzw. mehrere LED-Chips seitlich umgeben und die LED-Chips vorzugsweise in der Höhe überragt und vorzugweise der Matrix 4 kann die Oberseite des LED-Chips beschichten.The dam can laterally surround the LED chip or a plurality of LED chips, and the LED chips preferably project beyond the height, and preferably the matrix 4 can coat the upper side of the LED chip.
[0030] Das LED-Modul kann eine zusätzliche Phosphorplatte vorzugsweise mit homogener Leuchtstoffpartikelverteilung aufweisen.The LED module may have an additional phosphor plate preferably with homogeneous phosphor particle distribution.
[0031] Der durchschnittliche Durchmesser der Farbstoffpartikel kann zwischen 5pm und 15pm betragen.The average diameter of the dye particles may be between 5pm and 15pm.
[0032] Der durchschnittliche Durchmesser der Streupartikel kann zwischen 0.5pm und 2 pm betragen.The average diameter of the scattering particles can be between 0.5 pm and 2 pm.
[0033] Zumindest die innere Wand des Dammes kann lichtreflektierend oder streuend sein, und/oder der Damm kann reflektierende oder lichtstreuende Partikel, vorzugsweise weiße Pigmente, aufweisen.At least the inner wall of the dam may be light-reflecting or scattering, and / or the dam may have reflective or light-scattering particles, preferably white pigments.
[0034] Ein weiterer Aspekt der Erfindung bezieht sich auf LED-Leuchte, insbesondere Spotlights oder Downlights, aufweisend wenigstens ein LED-Modul der oben erläuterten Art.Another aspect of the invention relates to LED light, in particular spotlights or downlights, having at least one LED module of the type described above.
[0035] Weitere Merkmale, Vorteile und Eigenschaften der Erfindung werden nunmehr unter Bezugnahme auf die folgenden Beschreibung eines Ausführungsbeispiels und die Figuren der begleitenden Zeichnungen erläutert.Further features, advantages and features of the invention will now be explained with reference to the following description of an embodiment and the figures of the accompanying drawings.
[0036] Als LED-Chips können amber, rote, grüne, und/oder blaue LED- Chips (bspw. RGB) oder blaue und rote LEDs zur Erzeugung monochromatischen, weißen oder andersfarbigen, gemischten Lichts eingesetzt werden. Ferner kann der LED-Chip mit einem über dem LED-Chip angeordneten photolumineszierenden Material, wie beispielsweise, anorganische Leuchtstoff(e) (beispielsweise Granaten: YAG: Ce3+, LuAG: Ce3+; Orthosilikaten (BOSE): (Ca, Sr, Ba)2Si04: Eu2+, (Ca, Sr)2Si04:Eu2+, (Sr, Ba)2Si04:Eu2+, (Ca, Ba)2Si04:Eu2+; Nitride: CaAISiN3: Eu2+, (Sr,Ca) AISiN3: Eu2+, CaAISiON3: Eu2+, ß-SiAION: Eu2+ )) und/oder organische Leuchtstoff(e), versehen sein, mittels der/deren das vom LED-Chip abgestrahlte Licht und das in dem photo-lumineszierendem Material umgewandelte Licht derart miteinander vermischt werden, dass jede gewünschte Farbe oder weißes Licht (bspw. mittels blauer LED und gelbem (und/oder grünem und/oder rotem) Leuchtstoff) erzeugt werden kann. Es ist auch jegliche Kombination der vorgenannten LED-Chips in dem LED-Modul 1 denkbar.Amber, red, green, and / or blue LED chips (for example RGB) or blue and red LEDs for producing monochromatic, white or differently colored, mixed light can be used as the LED chips. Further, the LED chip may have a photoluminescent material disposed over the LED chip, such as inorganic phosphor (s) (for example, garnets: YAG: Ce3 +, LuAG: Ce3 +, orthosilicates (BOSE): (Ca, Sr, Ba) 2Si04 : Eu2 +, (Ca, Sr) 2Si04: Eu2 +, (Sr, Ba) 2Si04: Eu2 +, (Ca, Ba) 2Si04: Eu2 +; Nitrides: CaAISiN3: Eu2 +, (Sr, Ca) AISiN3: Eu2 +, CaAISiON3: Eu2 +, ß -SiAION: Eu2 +)) and / or organic phosphor (s) may be provided, by means of which the light emitted by the LED chip and the light converted in the photo-luminescent material are mixed together such that any desired color or white Light (eg. By means of blue LED and yellow (and / or green and / or red) phosphor) can be generated. Any combination of the aforementioned LED chips in the LED module 1 is also conceivable.
[0037] Fig. 1 [0038] Fig. 2 [0039] Fig. 3 [0040] Fig. 4 [0041] Fig. 5 [0042] Fig. 6A-C [0043] Wie in Fig zeigt eine schematische Schnittansicht eines Stands der Technik LED-Moduls, zeigt eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen LED-Moduls nach der ersten Ausführungsform, zeigt den Konzentrationsverlaufs der Streupartikel bzw. Farbkonversionspar-tikel eines erfindungsgemäßen LED-Moduls, zeigt eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen LED-Moduls nach der zweiten Ausführungsform, zeigt eine schematische Schnittansicht eines erfindungsgemäßen LED-Moduls nach einer weiteren Ausführungsform, und zeigt den Herstellungsprozess eines erfindungsgemäßen LED-Moduls. 1 ersichtlich, weist ein Stand der Technik LED-Modul 1 mit wenigstens einem 3/16 österreichisches Patentamt AT 13 372 U1 2013-11-15 LED-Chip 2 auf, der auf einem Träger 3 aufgebracht ist. Die LED-Chips 2 sind innerhalb eines Dammes 5 plaziert. Die Leuchtstoffpartikel (mit kleinen Pünktchen symbolisiert) sind über und um das LED-Chip 2 homogen in dem Matrix 4 verteilt. Die Matrix 4 ist durch den Damm 5 begrenzt.Fig. 2 Fig. 3 Fig. 4 Fig. 5 Fig. 6A-C As in Fig. 1, a schematic sectional view of a stall is shown the technology LED module, shows a schematic sectional view of an LED module according to the invention according to the first embodiment, shows the concentration profile of the scattering particles or Farbkonversionspar-particles of an LED module according to the invention, shows a schematic sectional view of an LED module according to the invention according to the second embodiment, shows a schematic sectional view of an LED module according to the invention according to a further embodiment, and shows the manufacturing process of an LED module according to the invention. 1, a state of the art LED module 1 with at least one LED chip 2, which is mounted on a support 3, has at least one surface. The LED chips 2 are placed within a dam 5. The phosphor particles (symbolized with small dots) are distributed homogeneously in the matrix 4 above and around the LED chip 2. The matrix 4 is bounded by the dam 5.
[0044] Fig. 2 zeigt ein erfindungsgemäßes LED-Modul 1. Wie in Fig. 2 schematisch ersichtlich, sind Leuchtstoffpartikel 6, in einer Schicht 8 stark konzentriert, welche Schicht 8 sich über und/oder seitlich die LED-Chips 2 bedeckt. Die Dicke der Leuchtstoffschicht 8 kann bspw. von 1 bis 10 mal, bevorzugt 4-6 mal die Durchmesser der Leuchtstoffpartikel betragen. Damm 5 kann reflektierende (weiße) Teilchen (zB. Ti02, Si02, Al203, BaTi03 usw.) enthalten.FIG. 2 shows an inventive LED module 1. As shown schematically in FIG. 2, phosphor particles 6 are highly concentrated in a layer 8, which layer 8 covers the LED chips 2 above and / or laterally. The thickness of the phosphor layer 8 may be, for example, from 1 to 10 times, preferably 4-6 times the diameter of the phosphor particles. Dam 5 may contain reflective (white) particles (eg, TiO 2, SiO 2, Al 2 O 3, BaTiO 3, etc.).
[0045] Fig. 3 darstellt die Konzentration der Farbstoffpartikel 6. Sie nimmt ausgehend von der Schicht 8 in der Richtung weg von der LED-Chip 2 sprunghaft ab, so dass sie außerhalb der Schicht 8 nahezu Null beträgt.Fig. 3 represents the concentration of the dye particles 6. It decreases starting from the layer 8 in the direction away from the LED chip 2 abruptly, so that it is almost zero outside the layer 8.
[0046] Optional können Streupartikel 7 in der Matrix 4 eingesetzt werden. Diesem sehr steilen Konzentrationsgradienten-Verlauf der Farbstoffpartikel 6 überlagert ist ein wesentlich flacherer und kontinuierlicher Gradient an Streupartikeln 7, so dass sich die Konzentration der Streupartikel 7 ebenfalls weg von der LED gesehen stetig verringert. Zusätzlich können bekannte, die Viskosität beeinflussende Zusatzstoffe (zB. Si02, Al203, Ti02) in der Matrix 4 eingearbeitet sein können.Optionally, scattering particles 7 can be used in the matrix 4. Superimposed on this very steep gradient gradient of the dye particles 6 is a substantially flatter and continuous gradient of scattering particles 7, so that the concentration of the scattering particles 7, also seen away from the LED, decreases steadily. In addition, known additives which influence the viscosity (for example SiO 2, Al 2 O 3, TiO 2) can be incorporated in the matrix 4.
[0047] Fig. 4 zeigt eine zweite Ausführungsform der Erfindung. Der Träger 3 kann als flexibles Substrat durch eine Metalplatte 10 (Gold- oder Aluminiumplatte) und eine Leiterplatte 9 vorzugsweise FR4 vorbereitet werden. Die Anwendung von Metalkernplatinen ist auch denkbar. Da die Modulgröße verglichen mit dem Standardaufbau viel kleiner ist, ist die Montage des Moduls 1 auf einem Kühlkörper mit guter thermischer Verbindung möglich, ohne Verbiegung.Fig. 4 shows a second embodiment of the invention. The carrier 3 can be prepared as a flexible substrate by a metal plate 10 (gold or aluminum plate) and a printed circuit board 9 preferably FR4. The application of Metalkernplatinen is also conceivable. Since the module size is much smaller compared to the standard structure, the mounting of the module 1 on a heat sink with good thermal connection is possible without bending.
[0048] Fig. 5 zeigt eine weitere Ausführungsform der Erfindung, wobei eine zusätzliche Phosphorplatte 11, die als Farbkorrekturelement eingesetzt ist, integriert ist. Die Konzentration des(der) Leuchtstoffs(e) ist homogen in der Phosphorplatte 11. Die Phosphorplatte dient den ersten Farbton/Farbort erzeugt/eingestellt durch die Phosphorschicht 8 in einem zweiten Schritt zu fein justieren/verschieben. Die Phosphorplatte kann optional Streupartikel enthalten.Fig. 5 shows a further embodiment of the invention, wherein an additional phosphor plate 11, which is used as a color correction element, is integrated. The concentration of the phosphor (s) is homogeneous in the phosphor plate 11. The phosphor plate serves to finely adjust / shift the first color tone / color spot generated by the phosphor layer 8 in a second step. The phosphor plate may optionally contain scattering particles.
[0049] Bei der Herstellung der Leuchtstoffschicht 8 wird eine dicht gepackte Farbkonversions-schicht beispielsweise durch Absetzen, in dem die Partikel sich langsam wegen der Gravitation bewegen, zumindest zeitweiliger Verringerung der Viskosität der Silikonmatrix etc. geschaffen. In dieser mechanischen Vorgehensweise werden die Farbstoffpartikel im Wesentlichen angrenzend und auf jeden Fall dicht an dicht gepackt. Zwischen den einzelnen Farbstoffpartikeln kann sich ggf. noch ein dünnes Häutchen oder eine andere dünne Trennschicht des Matrixmaterials befinden. Durch den direkten Kontakt der Farbstoffpartikel erhöht sich sprunghaft die Wärmeleitfähigkeit dieser Schicht.In the production of the phosphor layer 8, a densely packed color conversion layer, for example, by settling in which the particles move slowly due to gravity, at least temporarily reducing the viscosity of the silicone matrix, etc., is provided. In this mechanical approach, the dye particles are substantially contiguous and, in any case, densely packed. If necessary, a thin pellicle or another thin separating layer of the matrix material may be present between the individual dye particles. Due to the direct contact of the dye particles, the thermal conductivity of this layer increases abruptly.
[0050] Beim Absetzen ist die Bewegung der Partikel langsam und die resultierenden Phosphorschichten 8 unterschiedliche Farbtöne emittieren. Der Absetzungsvorgang kann in einem linearen Aufbau oder viel allgemeiner durch Zentrifugieren beschleunigt werden (Siehe Fig. 6A-C). Der Nachteil des Zentrifugierens ist die Kräfte in der Ebene 12 auftreten (Siehe Fig. 6A). Diese sind Partikelgröße abhängig und lösen Unhomogenitäten der Aufteilung der Partikel aus. Es gibt mehr Partikel am Rand des LED-Moduls als in der Mitte. Dieses kann unter Verwendung der größeren Zentrifugen, aber sie haben die Nachteile, dass sie teure Verfahrensprozesse einleiten. LED-Module mit inhomogener und homogener Leuchtstoffschichtdicken 13, 14 sind vorbereitet durch Anwendung von rigiden Trägern auf Fig. 6B dargestellt. Eine mögliche Lösung nach dieser Erfindung ist die Anwendung von flexiblen (kreisförmigen) Substraten als Träger 3 (Siehe Fig. 6C) e.g. lead frame mit ca. 0,3-0,8mm Dicke (bevorzugt 0,4-0,6mm) oder eine Me-talkernplatine mit einer ähnlichen Dicke. Die gewählte Zentrifugengröße ist von dem erlaubten Biegungsradius des Substrats 3 abhängig. 4/16 österreichisches Patentamt AT 13 372 Ul 2013-11-15 [0051] Ein erfindungsgemäßer Verlauf der Herstellung kann somit wie folgt aussehen: [0052] - Mischung einer Silikonpaste mit oder ohne die Viskosität beeinflussenden Zuschlags stoffen, [0053] - einem oder mehreren Farbkonversionsstoffen (beispielsweise gelb, grün, rot oderUpon settling, the movement of the particles is slow and the resulting phosphor layers 8 emit different hues. The settling process can be accelerated in a linear fashion or, more generally, by centrifuging (See Figures 6A-C). The disadvantage of centrifuging is the forces occurring in plane 12 (See Fig. 6A). These are particle size dependent and cause non-homogeneity of the distribution of the particles. There are more particles on the edge of the LED module than in the middle. This can be done using the larger centrifuges, but they have the disadvantages of introducing expensive process operations. LED modules with inhomogeneous and homogeneous phosphor layer thicknesses 13, 14 are prepared by using rigid carriers on FIG. 6B. One possible solution according to this invention is the use of flexible (circular) substrates as support 3 (see Fig. 6C), e.g. Lead frame with about 0.3-0.8mm thickness (preferably 0.4-0.6mm) or a Me-talker board with a similar thickness. The selected centrifuge size is dependent on the allowed bending radius of the substrate 3. A course of the production according to the invention can thus be as follows: mixture of a silicone paste with or without the viscosity-influencing aggregates, [0053] one or two several color conversion substances (for example, yellow, green, red or
Mischungen davon) und ggf. mit Streupartikeln, [0054] - Dosieren einer Menge dieser Mischung auf das LED-Modul/die LED-Module bei spielsweise durch Dispensen, [0055] - Mechanisches Kompaktieren der Farbstoffpartikel beispielsweise durch Zentrifugie ren, [0056] - Aushärten, [0057] - optional Vereinzelung des LED-Moduls.Mixtures thereof) and, if appropriate, with scattering particles, dosing a quantity of this mixture onto the LED module / modules, for example by dispensing, [0055] mechanical compacting of the dye particles, for example by centrifuging, [0056] Curing, optional singulation of the LED module.
[0058] Wie insbesondere in Fig. 3 ersichtlich, nimmt grundsätzlich die Konzentration der Farbstoffpartikel 6 PH sowie die Konzentration der optionalen Streupartikel 7 STR von der Obersei-te/Seite des LED-Chips 2 weg und die Dicke d der Schicht ab.As can be seen in particular in FIG. 3, in principle the concentration of the dye particles 6 PH and the concentration of the optional scattering particles 7 STR decreases from the upper side / side of the LED chip 2 and the thickness d of the layer decreases.
[0059] In einem ersten Bereich 0-di ist dabei die Konzentration der dichtgepackten Farbstoffpartikel 6 PH im Wesentlichen konstant, d.h. sie nimmt beispielsweise in diesem Bereich auf 90% ab. Auf diesen ersten Bereich folgt ein zweiter Bereich zwischen D1 und D2, in dem die Konzentration sprunghaft abnimmt, beispielsweise auf einen Wert von 10%.In a first region 0-di, the concentration of the densely packed dye particles 6 PH is substantially constant, i. for example, it decreases to 90% in this area. This first area is followed by a second area between D1 and D2, where the concentration decreases abruptly, for example to a value of 10%.
[0060] Dagegen ist der Gradient der Streupartikel STR im Wesentlichen konstant und wesentlich flacher im Vergleich zu dem sprunghaften Abfall der Konzentration der Farbstoffpartikel PH in dem zweiten Bereich, also zwischen d1 und d2.In contrast, the gradient of the scattering particles STR is substantially constant and substantially flatter in comparison to the abrupt drop in the concentration of the dye particles PH in the second region, ie between d1 and d2.
[0061] Der Verlauf der Konzentration der Streupartikel 7 STR ist vergleichbar durch einen Konzentrationsverlauf wie er beispielsweise durch Sedimentieren der schwereren Streupartikel STR in der Silikonmatrix 4 erzielt werden kann. Dagegen ist der Verlauf der Farbstoffpartikel 6 PH typisch für eine Kompaktierung bis zu einer Sättigung, d.h. bis zum Erreichen der dichtest möglichen Packung der Farbstoffpartikel 6 PH in der Schicht 8.The course of the concentration of the scattering particles 7 STR is comparable by a concentration course as it can be achieved for example by sedimentation of the heavier scattering particles STR in the silicone matrix 4. In contrast, the course of the dye particles 6 PH is typical for compaction to saturation, i. until the closest possible packing of the dye particles 6 PH in the layer 8.
[0062] Vorzugsweise wird der zweite Bereich zwischen d1 und d2 in dem also ein Abfall der Konzentration der Farbstoffpartikel 6 PH von beispielsweise 90% der Maximalkonzentration auf 10% der Maximalkonzentration erfolgt, eine Dicke, die weniger als 50%, vorzugsweise weniger als 25% des ersten Bereichs ausmacht, also zwischen 0 und d1, in welchem ersten Bereich die Farbstoffpartikel-Konzentration im Wesentlichen konstant ist.Preferably, the second region between d1 and d2 in which there is a drop in the concentration of the dye particles 6 PH from, for example, 90% of the maximum concentration to 10% of the maximum concentration, a thickness which is less than 50%, preferably less than 25%. of the first region, ie between 0 and d1, in which first region the dye particle concentration is substantially constant.
[0063] Der Bereich von 0 bis d1, also zum Abfall der Konzentration der Farbstoffpartikel 6 auf 90% kann beispielsweise 50pm betragen.The range from 0 to d1, that is to say the drop in the concentration of the dye particles 6 to 90%, can be, for example, 50 ppm.
[0064] Der Übergangsbereich zwischen d1 und d2, also für den Abfall von 90% Konzentration auf 10% Konzentration der Farbstoffpartikel kann beispielsweise eine Dicke von 25pm aufweisen.The transition region between d1 and d2, ie for the drop from 90% concentration to 10% concentration of the dye particles, may for example have a thickness of 25 pm.
[0065] Der durchschnittliche Durchmesser (d50-Wert) der Streupartikel kann beispielsweise 1 pm sein, was wesentlich geringer ist als der durchschnittliche Durchmesser der Farbstoffpartikel, der beispielsweise zwischen 5pm und 10pm betragen kann. Sämtliche Durchschnittswerte in der vorliegenden Beschreibung beziehen sich auf die d50-Werte der Durchmesser.The average diameter (d.sub.50 value) of the scattering particles can be, for example, 1 .mu.m, which is substantially less than the average diameter of the dye particles, which can be, for example, between 5 pm and 10 pm. All averages in the present specification refer to d50 values of diameters.
[0066] Die Farbstoffpartikel gemäß der Erfindung weisen eine höhere Dichte auf wie Streupartikel. 5/16 österreichisches Patentamt AT 13 372 Ul 2013-11-15The dye particles according to the invention have a higher density such as scattering particles. 5/16 Austrian Patent Office AT 13 372 Ul 2013-11-15
LISTE DER REFERENZNUMMER 1 LED-Modul 2 LED-Chip 3 T räger 4 Matrix 5 Damm 6 Leuchtstoffpartikel 7 Streupartikel 8 Leuchtstoffschicht 9 Metalplatte 10 Leiterplatte 11 Phosphorplatte 12 Kräfte in der Ebene 13 LED-Modul mit inhomogener Leuchtstoffschicht 14 LED-Modul mit homogener Leuchtstoffschicht 15 flexibles Substrat 6/16LIST OF REFERENCE NUMBER 1 LED module 2 LED chip 3 carrier 4 matrix 5 dam 6 phosphor particles 7 scattering particles 8 phosphor layer 9 metal plate 10 circuit board 11 phosphor plate 12 In-plane forces 13 LED module with inhomogeneous phosphor layer 14 LED module with homogeneous phosphor layer 15 flexible substrate 6/16
Claims (14)
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATGM189/2012U AT13372U1 (en) | 2012-04-30 | 2012-04-30 | LED module with high luminous flux density |
DE102013207579.0A DE102013207579B4 (en) | 2012-04-30 | 2013-04-25 | LED module with high luminous flux density |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
ATGM189/2012U AT13372U1 (en) | 2012-04-30 | 2012-04-30 | LED module with high luminous flux density |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
AT13372U1 true AT13372U1 (en) | 2013-11-15 |
Family
ID=49323441
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
ATGM189/2012U AT13372U1 (en) | 2012-04-30 | 2012-04-30 | LED module with high luminous flux density |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
AT (1) | AT13372U1 (en) |
DE (1) | DE102013207579B4 (en) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102013224600A1 (en) * | 2013-11-29 | 2015-06-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method for producing an optoelectronic component |
DE102013114466A1 (en) * | 2013-12-19 | 2015-06-25 | Osram Gmbh | Optoelectronic semiconductor component and method for producing an optoelectronic semiconductor component |
DE202015105428U1 (en) * | 2015-04-29 | 2016-08-01 | Tridonic Jennersdorf Gmbh | LED module with improved heat dissipation |
DE102015109324A1 (en) * | 2015-06-11 | 2016-12-15 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Method and arrangement |
DE102016202982A1 (en) * | 2016-02-25 | 2017-08-31 | Osram Gmbh | LED module and method for its manufacture |
CN106384774B (en) * | 2016-10-26 | 2023-08-29 | 深圳市思迈达智能设备有限公司 | Arc-shaped material box and using method thereof |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040124429A1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Edward Stokes | Layered phosphor coatings for led devices |
US20070228933A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Light emitting device and method for producing same |
WO2008043519A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Lexedis Lighting Gmbh | Phosphor-converted light emitting diode |
EP1976030A1 (en) * | 2006-01-04 | 2008-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Thin-type light emitting diode lamp, and its manufacturing |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6734465B1 (en) | 2001-11-19 | 2004-05-11 | Nanocrystals Technology Lp | Nanocrystalline based phosphors and photonic structures for solid state lighting |
-
2012
- 2012-04-30 AT ATGM189/2012U patent/AT13372U1/en not_active IP Right Cessation
-
2013
- 2013-04-25 DE DE102013207579.0A patent/DE102013207579B4/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20040124429A1 (en) * | 2002-12-31 | 2004-07-01 | Edward Stokes | Layered phosphor coatings for led devices |
EP1976030A1 (en) * | 2006-01-04 | 2008-10-01 | Rohm Co., Ltd. | Thin-type light emitting diode lamp, and its manufacturing |
US20070228933A1 (en) * | 2006-03-31 | 2007-10-04 | Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | Light emitting device and method for producing same |
WO2008043519A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Lexedis Lighting Gmbh | Phosphor-converted light emitting diode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE102013207579A1 (en) | 2013-10-31 |
DE102013207579B4 (en) | 2024-01-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2815439B1 (en) | LED module with highly reflective support and method of manufacturing LED module with highly reflective support | |
AT13372U1 (en) | LED module with high luminous flux density | |
DE112013002930B4 (en) | Optoelectronic semiconductor component | |
DE112015002289B4 (en) | Solid state lighting devices having a color point mismatched to a blackbody locus | |
EP3132180B1 (en) | Led module for emitting white light | |
DE102010042217A1 (en) | Optoelectronic semiconductor component and method for its production | |
DE102014109647B4 (en) | Light emitting module and lighting device | |
DE102017104606A1 (en) | Light-emitting apparatus and lighting apparatus | |
DE102013207308B4 (en) | Method for manufacturing an optoelectronic assembly and optoelectronic assembly | |
WO2012104141A1 (en) | Ceramic conversion element, semiconductor chip comprising a ceramic conversion element and method for producing a ceramic conversion element | |
DE102015113640A1 (en) | Light emitting device and lighting device | |
DE102016102778A1 (en) | Light-emitting device and lighting device | |
DE102016114225A1 (en) | LED module | |
EP2845233B1 (en) | Led module | |
DE102014117017A1 (en) | Light emitting device | |
DE102016116617A1 (en) | Light-emitting device | |
DE102010061848B4 (en) | LED module with prefabricated element | |
WO2014206937A1 (en) | Optoelectronic component comprising a conversion element, and method for producing an optoelectronic component comprising a conversion element | |
DE202013101226U1 (en) | Mixed light - LED | |
DE102014117440B3 (en) | Light emitting remote phosphor device | |
DE102012221250A1 (en) | Lighting apparatus e.g. LED lighting apparatus has support plate that is provided with two adjacent portions which are fixed with semiconductor light sources and connected by bonding wire, and notch formed between adjacent portions | |
AT14515U1 (en) | LED module with high color rendering index | |
EP2626918B1 (en) | LED module with highly reflective support and method of manufacturing LED module with highly reflective support | |
DE102016102767A1 (en) | LED modules | |
EP3123531B1 (en) | Led module having an integrated secondary optical unit |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM01 | Lapse because of not paying annual fees |
Effective date: 20170430 |