NL8901688A

NL8901688A - MAGNETO-OPTICAL STORAGE MEDIUM.

Info

Publication number: NL8901688A
Application number: NL8901688A
Authority: NL
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1988-07-04
Filing date: 1989-07-03
Publication date: 1990-02-01
Also published as: JPH02126444A

Description

Magneto-optisch opslagmediumMagneto-optical storage medium

De onderhavige uitvinding heeft betrekking op een magneto-optisch opslagmedium waarop door middel van een laserbundel magneto-optisch informatie is opgeslagen, en de daarop opgeslagen informatie is gelezen door gebruik te maken van een magneto-optisch effekt.The present invention relates to a magneto-optical storage medium on which magneto-optical information is stored by means of a laser beam, and the information stored thereon is read by using a magneto-optical effect.

In de nabije toekomst bereiken opnieuw beschrijfbare magneto-optische geheugens het stadium van realisatie. Het voor dergelijke magneto-optische geheugens gebruikte magneto-optische opslagmedium omvat een magnetische film die gemaakt is van amorfe materialen met een zeldzame aarde en overgangsmetaal, zoals TbPeCo, en is gevormd door de magnetische film op een van glas of hars vervaardigd substraat te leggen op een dusdanige manier dat de magnetische film een vertikaal gemagnetiseerde dunne film wordt met een as waarin gemakkelijk magnetisatie plaatsvindt loodrecht op een schijf-oppervlak. Het op een dergelijk opslagmedium opslaan van informatie wordt gedaan door met gebruikmaking van een laserbundel thermomagnetisch op de magnetische dunne film te schrijven. Het reproduceren of lezen van informatie wordt gedaan door het detecteren van rotatie van het polarisatievlak (Kerr-rotatie) van gereflecteerd licht van de magnetische dunne film, hetgeen veroorzaakt wordt door het Kerr-magneto-optische effekt.In the near future, rewritable magneto-optical memories reach the stage of realization. The magneto-optical storage medium used for such magneto-optical memories comprises a magnetic film made of amorphous rare earth and transition metal materials, such as TbPeCo, and formed by placing the magnetic film on a substrate made of glass or resin such that the magnetic film becomes a vertically magnetized thin film with an axis in which magnetization easily occurs perpendicular to a disc surface. Storing information on such a storage medium is done by writing thermomagnetically on the magnetic thin film using a laser beam. The reproduction or reading of information is done by detecting rotation of the plane of polarization (Kerr rotation) of reflected light from the magnetic thin film, which is caused by the Kerr magneto-optical effect.

De magnetische dunne film die tegenwoordig wordt gebruikt voor een vertikaal gemagnetiseerde dunne film, heeft een Kerr-rotatiehoek e^van 0,3-0,4° en een door de opgeslagen bit veroorzaakte modulatiefactor van reproducerend licht is zo klein als 1% of daaromtrent. Bijgevolg treedt een probleem op dat een lees-CN-verhouding bij het reproduceren niet genoeg is. In het algemeen is bekend dat de CN-verhouding bij het reproduceren 40 dB of meer moet zijn om een foutverhouding van een opslagmedium constant te houden. Voor grotere betrouwbaarheid is 45 dB of meer nodig. Teneinde dit nadeel te overkomen, is een methode voorgesteld om een CN-verhou-ding te verbeteren door het gebruik van de schijnbare vergroting van een Kerr-rotatiehoek die veroorzaakt wordt wanneer de reflectiviteit van een opslagmedium kleiner is gemaakt door een van SiO, A1N of dergelijke vervaardigde diëlektrische film tussen de magnetische dunne film en het substraat aan te brengen.The magnetic thin film currently used for a vertically magnetized thin film has a Kerr rotation angle e ^ of 0.3-0.4 ° and a modulation factor of reproducing light caused by the stored bit is as small as 1% or thereabouts . Consequently, a problem arises that a read CN ratio in reproduction is not enough. It is generally known that the CN ratio at reproduction must be 40 dB or more in order to keep a storage medium error ratio constant. For greater reliability, 45 dB or more is needed. In order to overcome this drawback, a method has been proposed to improve a CN ratio using the apparent magnification of a Kerr rotation angle caused when the reflectivity of a storage medium is made smaller by one of SiO, A1N or placing such manufactured dielectric film between the magnetic thin film and the substrate.

Wanneer een halfgeleider-laser wordt gebruikt voor het opslaan van informatie of deze te verwijderen van een magneto-optisch opslagmedium, neemt de omwentelings-snelheid van een schijf vaak toe om de overdrachtssnelheid van informatie te verbeteren. Een laserbundel belicht een punt op het opslagmedium gedurende een kortere tijd als de omwentelingssnelheid toeneemt.When a semiconductor laser is used to store or remove information from a magneto-optical storage medium, the revolution speed of a disc often increases to improve the transfer speed of information. A laser beam exposes a point on the storage medium for a shorter time as the rotation speed increases.

Het kan daarom onmogelijk zijn om een opslagmediumtempera-tuur te verhogen tot een werkzaam punt voor opslag of verwijderen, dat wil zeggen de Curie-temperatuur. Aangezien de magnetische film wordt bestraald met de laserbundel door een transparant substraat en een diëlektrische laag, is het gebruik gewenst van de verbeterde diëlektrische film voor het opslaan en/of lezen van informatie met een hoge snelheid.It may therefore be impossible to raise a storage medium temperature to an operating point for storage or disposal, i.e. the Curie temperature. Since the magnetic film is irradiated with the laser beam through a transparent substrate and a dielectric layer, the use of the improved dielectric film for storing and / or reading information at a high speed is desired.

Het is dienovereenkomstig een doel van de onderhavige uitvinding een magneto-optisch opslagmedium te verschaffen dat een verbeterde opslaggevoeligheid biedt zonder verslechtering van de CN-verhouding bij het reproduceren.Accordingly, it is an object of the present invention to provide a magneto-optical storage medium that provides improved storage sensitivity without deteriorating the CN ratio when reproducing.

Het is een ander doel van de onderhavige uitvinding om een magneto-optisch opslagmedium te verschaffen dat een hoge gegevensoverdrachtssnelheid mogelijk maakt ondanks het feit dat een halfgeleider-laserbundel wordt gebruikt voor het opslaan en reproduceren van informatie.It is another object of the present invention to provide a magneto-optical storage medium that allows a high data transfer rate despite the fact that a semiconductor laser beam is used for storing and reproducing information.

De onderhavige uitvinding verschaft een magneto-optisch opslagmedium omvattende: een substraat; een op het substraat gevormde diëlektrische laag, omvattende zinksulfide en ten minste één element van de groep bestaande uit titaan, chroom, koper, indium, tin, platina en samarium; en een op de diëlektrische laag gevormde dunne magnetische film met een as waarin gemakkelijk magnetisatie plaatsvindt loodrecht op het oppervlak van het substraat.The present invention provides a magneto-optical storage medium comprising: a substrate; a dielectric layer formed on the substrate, comprising zinc sulfide and at least one element of the group consisting of titanium, chromium, copper, indium, tin, platinum and samarium; and a thin magnetic film formed on the dielectric layer having an axis in which magnetization occurs easily perpendicular to the surface of the substrate.

Hierbij kan de titanium-inhoud in de diëlektrische laag zich bevinden in een gebied van 0,2-10,0 at.%.Here, the titanium content in the dielectric layer can be in a range from 0.2-10.0 at%.

De titaniuminhoud kan zich bevinden in een gebied van 1,0-6,0 at.%.The titanium content can be in a range from 1.0-6.0 at%.

De chroominhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.The chromium content in the dielectric layer can be in a range from 0.2-10.0 at%.

De chroominhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.The chromium content can be in a range from 1.0-6.0 at%.

De koperinhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.The copper content in the dielectric layer can be in a range from 0.2-10.0 at%.

De koperinhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.The copper content can be in a range from 1.0-6.0 at%.

De indiuminhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.The indium content in the dielectric layer can be in a range from 0.2-10.0 at%.

De indiuminhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.The indium content can be in a range from 1.0-6.0 at%.

De tininhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.The tin content in the dielectric layer can be in a range from 0.2-10.0 at%.

De tininhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn.The tin content can be in a range from 1.0-6.0 at%.

De platinainhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,2-10,0 at.% zijn.The platinum content in the dielectric layer can be in a range of 0.2-10.0 at%.

De platinainhoud kan in een gebied van 1,0-6,0 at.% zijn. -The platinum content can be in a range from 1.0-6.0 at%. -

De samariuminhoud in de diëlektrische laag kan in een gebied van 0,3-7,5 at.% zijn.The samarium content in the dielectric layer can be in a range from 0.3-7.5 at%.

De samariuminhoud kan in een gebied van 1,5-6,0 at.% zijn.The samarium content can be in a range of 1.5-6.0 at%.

• De dunne magnetische film kan zijn samengesteld van een legering van een zeldzame aarde en een overgangsmetaal .• The thin magnetic film may be composed of a rare earth alloy and a transition metal.

De uitvinding zal in het hiernavolgende worden verduidelijkt onder verwijzing naar de tekening, waarin: fig. 1 een schematische dwarsdoorsnede toont van de structuur van een uitvoeringsvorm van een magneto-optisch opslagmedium volgens de onderhavige uitvinding; fig. 2 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Ti-inhoud in de ZnS-laag; fig. 3 toont hoe de GN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen en het uitwis-laserver-moge.n, afhangen van de Cr-inhoud in de ZnS-laag; fig. 4 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laservermogen, afhangen van de Cu-inhoud in de ZnS-laag; fig. 5 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen afhangen, van de In-inhoud in de ZnS-laag; fig. 6 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Sn-inhoud in de ZnS-laag; fig. 7 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Pt-inhoud in de ZnS-laag; en fig. 8 toont hoe de CN-verhouding bij reproduceren, het optimale opslag-laservermogen, en het uitwis-laserver-mogen, afhangen van de Sm-inhoud in de ZnS-laag.The invention will be elucidated hereinafter with reference to the drawing, in which: Fig. 1 shows a schematic cross section of the structure of an embodiment of a magneto-optical storage medium according to the present invention; FIG. 2 shows how the CN ratio at reproduction, the optimal storage laser power, and the erase laser power depend on the Ti content in the ZnS layer; FIG. 3 shows how the GN ratio at reproduction, the optimum storage laser power and the erasure laser power depend on the Cr content in the ZnS layer; Fig. 4 shows how the CN ratio at reproduction, the optimal storage laser power, and the erase laser power depend on the Cu content in the ZnS layer; FIG. 5 shows how the CN ratio at reproduction, the optimal storage laser power, and the erasure laser power may depend on the In content in the ZnS layer; FIG. 6 shows how the CN ratio at reproduction, the optimal storage laser power, and the erase laser power depend on the Sn content in the ZnS layer; Fig. 7 shows how the CN ratio at reproduction, the optimum storage laser power, and the erasure laser power depend on the Pt content in the ZnS layer; and FIG. 8 shows how the CN ratio at reproduction, the optimum storage laser power, and the erase laser power depend on the Sm content in the ZnS layer.

Fig. 1 is een schematische dwarsdoorsnede van een structuur van een uitvoeringsvorm van een magneto-optisch opslagmedium volgens de onderhavige uitvinding.Fig. 1 is a schematic cross-sectional view of a structure of an embodiment of a magneto-optical storage medium of the present invention.

Het opslagmedium omvat een transparante plaat of substraat 1 gemaakt van glas of hars, een daarop aangebrachte diëlek- trische laag 2 met een samenstelling volgens de onderhavige uitvinding, een amorfe magnetische dunne film 3 gemaakt van TbFe of TbFeCo of dergelijke, gevormd op de diëlektrische laag 2, en een op de magnetische film 3 aangebrachte beschermlaag 4 gevormd van een diëlektrische laag. De diëlektrische laag 2 is samengesteld uit zinksulfide (ZnS) en ten minste één element uit de groep bestaande uit titaan (Ti), chroom (Cr), koper (Cu), indium (In), tin (Sn), platina (Pt) en samarium (Sm).The storage medium includes a transparent plate or substrate 1 made of glass or resin, a dielectric layer 2 coated thereon with a composition of the present invention, an amorphous magnetic thin film 3 made of TbFe or TbFeCo or the like, formed on the dielectric layer 2, and a protective layer 4 applied to the magnetic film 3 formed of a dielectric layer. The dielectric layer 2 is composed of zinc sulfide (ZnS) and at least one element from the group consisting of titanium (Ti), chromium (Cr), copper (Cu), indium (In), tin (Sn), platinum (Pt) and samarium (Sm).

De in het hiernavolgende besproken uitvoeringsvorm gebruikt als substraat 1 een voldoende ontgaste polycar-bonaatplaat met een diameter van 13,3 cm (5,25 inch), als dunne magnetische film 3 een Tb23Feg9Cog- of Tb24Fe7(jCog-film die door een sputter-methode is gevormd, en als beschermlaag 4 een van dezelfde materialen en met dezelfde methode als de diëlektrische laag 2 vervaardigde film met een dikte van 100 nm.The embodiment discussed in the following discusses as substrate 1 a sufficiently degassed polycarbonate sheet with a diameter of 13.3 cm (5.25 inch), as thin magnetic film 3 a Tb23Feg9Cog or Tb24Fe7 (jCog film passed through a sputtering). method, and as the protective layer 4 one of the same materials and film of the thickness of 100 nm manufactured by the same method as the dielectric layer 2.

Uitvoeringsvorm 1:Embodiment 1:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Ti bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Ti were prepared.

Eerst werd de diëlektrische laag 2 met een dikte van 90 nm op het substraat 1 gevormd door de RF-magnetron-methode onder de condities van een argon-gas-druk van 0,6 Pa en een sputtervermogen van 300 W. Wanneer een gesinterd ZnS-doel, waarin een Ti-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed, werd gebruikt, was de Ti-inhoud in de ZnS-laag 4,5 at.%. Vervolgens, door een TbFeCo-doel te gebruiken, werd een Tb24Fe7QCog-film met een dikte van 70 nm als de magnetische film 3 gevormd op de diëlektrische laag 2 door middel van de DC-magnetron-sputtermethode. De sputter-condities waren als volgt: - argon-gasdruk: 0,5 Pa; - sputtervermogen: 300 W.First, the 90 nm thick dielectric layer 2 on the substrate 1 was formed by the RF magnetron method under the conditions of an argon gas pressure of 0.6 Pa and a sputtering power of 300 W. When a sintered ZnS target, in which a Ti piece with dimensions of 1mmxlmmx40mm was embedded, the Ti content in the ZnS layer was 4.5 at%. Then, using a TbFeCo target, a Tb24Fe7QCog film having a thickness of 70 nm as the magnetic film 3 was formed on the dielectric layer 2 by the DC magnetron sputtering method. The sputtering conditions were as follows: argon gas pressure: 0.5 Pa; - sputtering power: 300 W.

Vérder werd op de magnetische film 3 de beschermlaag 4 met een dikte van 100 nm en dezelfde samenstelling als die van de diëlektrische laag 2 gevormd. Gedurende deze processen werd het opslagmedium niet blootgesteld aan lucht. Op een dergelijke manier, met uitzondering van het veranderen van het oppervlak van het Ti-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, werden magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Ti-inhouden bevatte.Furthermore, on the magnetic film 3, the protective layer 4 having a thickness of 100 nm and the same composition as that of the dielectric layer 2 was formed. During these processes, the storage medium was not exposed to air. In such a manner, except for changing the surface of the Ti piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other Ti contents.

Een optimaal opslag-laservermogen Pwopt, een uitwis-laservermogen Pe voor het uitwissen van een signaal, en een CN-verhouding bij het reproduceren van aldus vervaardigde magneto-optische opslagmedia werden gemeten. In het algemeen is het zo dat, hoe hoger het opslag-vermogen wordt, des te hoger wordt de temperatuur van het medium, en het gedeelte waarin de temperatuur hoger wordt dan de werkzame temperatuur voor opslag (Curie-punt), breidt zich uit. Als resultaat zal de lengte van een geheugen-bit groot zijn. Dienovereenkomstig, wanneer het opslagsignaal (frequentie: f; werkcyclus50%)wordt opgenomen, hangt de werkcyclus van het reproductiesignaal af van het opslag-vermogen.An optimum storage laser power Pwopt, an erasing laser power Pe for erasing a signal, and a CN ratio when reproducing magneto-optical storage media thus prepared were measured. Generally, the higher the storage power becomes, the higher the temperature of the medium becomes, and the portion in which the temperature exceeds the effective storage temperature (Curie point) expands. As a result, the length of a memory bit will be large. Accordingly, when the storage signal (frequency: f; duty cycle 50%) is recorded, the reproduction signal duty cycle depends on the storage power.

Het optimale opslag-laservermogen Pwopt wordt gedefinieerd als het opslag-vermogen waarbij de werkcyclus van het reproductiesignaal 50% wordt. Dan is de verhouding van het signaalniveau C (de signaalbreedte bij frequentie f) tot het niveau van de tweede harmonischer C2 (de signaalbreedte van 2f) het maximum wanneer het spectrum van het reproductiesignaal wordt geanalyseerd.The optimal storage laser power Pwopt is defined as the storage power at which the reproduction cycle duty cycle becomes 50%. Then, the ratio of the signal level C (the signal width at frequency f) to the level of the second more harmonious C2 (the signal width of 2f) is the maximum when the spectrum of the reproduction signal is analyzed.

De CN-verhouding bij reproductie en het optimale opslag-laservermogen Pwopt werden gemeten onder de condities van een oppak-positiestraal van 30 mm en 60 mm, een omwentelingssnelheid van de schijf van 1800 tpm, een opslagfrequentie van 1,88 MHz, een aangelegd magne- tisch veld van 400 Oe, en een reproductie-laservermogen van 1 mW. De laserbundel had een golflengte van 830 nm.The CN reproduction ratio and the optimum storage laser power Pwopt were measured under the conditions of a pickup position beam of 30mm and 60mm, a disk revolution speed of 1800rpm, a storage frequency of 1.88MHz, an applied magnet - optical field of 400 Oe, and a reproduction laser power of 1 mW. The laser beam had a wavelength of 830 nm.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS dië-lektrische laag met 4,5 at.% Ti had lage waarden van een optimaal opslag-laservermogen Pwopt van 5,5 mW bij het opslaan van een signaal en een uitwis-laserver-mogen Pe van 5,5 mW bij het uitwissen van een signaal.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 4.5 at.% Ti had low values of an optimum storage laser power Pwopt of 5.5 mW when storing a signal and an erasure laser power Pe of 5.5 mW when erasing a signal.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 52 dB, hetgeen veel meer is dan een gewenste waarde van 45 dB voor digitale opslag. Aan de andere kant had het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,8 at.% Ti waarden van 4,5 mW voor Pwopt en Pe, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, maar de CN-verhouding bij reproductie was 43 dB, hetgeen minder is dan 45 dB.The CN ratio at reproduction came to 52 dB, which is much more than a desired value of 45 dB for digital storage. On the other hand, the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.8 at% Ti had values of 4.5 mW for Pwopt and Pe, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, but the CN ratio at reproduction was 43 dB, which is less than 45 dB.

De curven 21, 22 en 23 in fig. 2 tonen respectievelijk de relatie tussen de Ti-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Ti-inhoud en Pwopt, en de Ti-inhoud en Pe. Wanneer de Ti-inhoud in de ZnS diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Ti-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot minder dan 45 dB. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Ti, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.Curves 21, 22 and 23 in Figure 2 show the relationship between the Ti content and the CN ratio in reproduction, the Ti content and Pwopt, and the Ti content and Pe, respectively. When the Ti content in the ZnS dielectric layer 2 exceeds about 0.2 at%, the values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the Ti content exceeds 10.0 at%, the reproduction CN ratio has deteriorated to less than 45 dB. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at% Ti, substantially uniform characteristics can be provided, such as 51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6, 0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 2:Embodiment 2:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Cr bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Cr were prepared.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,9 at.% Cr toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte φ van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van het Ti-stuk een Cr-stuk met afmetin- gen van 1 mm x 1 mm x 40 mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Cr-stuk dat in het ZnS-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Cr-inhouden bevatte.The dielectric layer 2 containing 2.9 at.% Cr added to a ZnS thin film was formed at a thickness φ of 90 nm using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target, wherein instead of the Ti piece a Cr piece with dimensions of 1 mm x 1 mm x 40 mm was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the Cr piece embedded in the ZnS target, magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 containing other Cr contents were formed.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 2,9 at.% Cr had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 5,5 mW. De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 52 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,5 at.% Cr waarden van 5,0 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 31, 32 en 33 in fig. 3 tonen respectievelijk de relatie tussen de Cr-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Cr-inhoud en Pwopt, en de Cr-inhoud en Pe. Wanneer de Cr-inhoud boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Cr-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verminderd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Cr, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals.51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 2.9 at.% Cr had sufficiently low values of the optimum storage laser power Pwopt and the erase laser power Pe of 5.5 mW, respectively. The CN ratio at reproduction reached 52 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.5 at.% Cr had values of 5.0 mW for Pwopt and Pe, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 42 dB, which is less than 45 dB. Curves 31, 32 and 33 in Fig. 3 show the relationship between the Cr content and the CN ratio in reproduction, the Cr content and Pwopt, and the Cr content and Pe, respectively. When the Cr content exceeds about 0.2 at.%, The values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the Cr content exceeds 10.0 at%, the reproduction CN ratio is reduced to 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at.% Cr, substantially uniform characteristics can be provided such as .51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6 .0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 3:Embodiment 3:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Cu bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Cu were made.

De diëlektrische laag 2 bevattende 3,0 at.% Cu toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Cu-stuk met afmetingen van 1 mm x 1 mm x 40 mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Cu-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Cu-inhouden bevatte.The dielectric layer 2 containing 3.0 at.% Cu added to a ZnS thin film was formed at a thickness of 90 nm using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target, in which instead of a Ti piece a Cu piece with dimensions of 1 mm x 1 mm x 40 mm was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the Cu piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other Cu contents.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 3,0 at.% Cu had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 5,5 mW.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 3.0 at% Cu had sufficiently low values of the optimum storage laser power Pwopt and the erase laser power Pe of 5.5 mW, respectively.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 52 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,5 at.% Cu waarden van 5,0 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 43 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 41, 42 en 43 in fig. 4 tonen respectievelijk de relatie tussen de Cu-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Cu-inhoud en Pwopt, en de Cu-inhoud en Pe. Wanneer de Cu-inhoud boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Cu-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Cu, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.The CN ratio at reproduction reached 52 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.5 at% Cu had values of 5.0 mW for Pwopt and Pe, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 43 dB, which is less than 45 dB. Curves 41, 42 and 43 in Fig. 4 show the relationship between the Cu content and the CN ratio in reproduction, the Cu content and Pwopt, and the Cu content and Pe, respectively. When the Cu content exceeds about 0.2 at.%, The values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the Cu content exceeds 10.0 at%, the reproduction CN ratio has deteriorated to 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at% Cu, substantially uniform characteristics can be provided such as 51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6, 0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 4:Embodiment 4:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat In bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing In were made.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,5 at.% In toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een In-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het In-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, magneto-opti-sche opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere In-inhouden bevatte.The dielectric layer 2 containing 2.5 at.% In added to a thin ZnS film with a thickness of 90 nm was formed using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target, in which instead of a Ti piece an In-piece with dimensions of lmmxlmmx40mm was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the In-piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other In-contents .

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 2,5 at.% In had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 5,5 mW. De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 50,8 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,5 at.% In waarden van 5,0 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42,8 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 51, 52 en 53 in fig. 5 tonen respectievelijk de relatie tussen de In-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de In-inhoud en Pwopt, en de In-inhoud en Pe. Wanneer de In-inhoud in de ZnS diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de In-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% In, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 2.5 at.% In had sufficiently low values of the optimum storage laser power Pwopt and the erasure laser power Pe of 5.5 mW, respectively. The CN ratio at reproduction came to 50.8 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.5 at% In values of 5.0 mW for Pwopt and Pe had, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 42 , 8 dB, which is less than 45 dB. Curves 51, 52 and 53 in Fig. 5 show the relationship between the In content and the CN ratio in reproduction, the In content and Pwopt, and the In content and Pe, respectively. When the In content in the ZnS dielectric layer 2 exceeds about 0.2 at%, the values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the In content exceeds 10.0 at%, the reproduction CN ratio has deteriorated to 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at.% In, substantially uniform characteristics can be provided such as 51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6, 0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 5:Embodiment 5:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Sn bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Sn were made.

De diëlektrische laag 2 bevattende 3,0 at.% Sn toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Sn-stuk met afmetingen van 1 mm x 1 mm x 40 mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Sn-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Sn-inhouden bevatte.The dielectric layer 2 containing 3.0 at.% Sn added to a ZnS thin film was formed at a thickness of 90 nm using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target in which instead of a Ti piece an Sn piece with dimensions of 1 mm x 1 mm x 40 mm was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the Sn piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other Sn contents.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 3,0 at.% Sn had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijke 5,5 mW.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 3.0 at.% Sn had sufficiently low values of the optimal storage laser power Pwopt and the erase laser power Pe of 5.5 mW, respectively.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 52,4 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,0 at.% Sn waarden van 5,0 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 40 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 61, 62 en 63 in fig. 6 tonen respectievelijk de relatie tussen de Sn-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Sn-inhoud en Pwopt, en de Sn-inhoud en Pe. Wanneer de Sn-inhoud in de ZnS diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Sn-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Sn, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.The CN ratio at reproduction came to 52.4 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.0 at.% Sn had values of 5.0 mW for Pwopt and Pe, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 40 dB, which is less than 45 dB. Curves 61, 62 and 63 in Fig. 6 show the relationship between the Sn content and the CN ratio in reproduction, the Sn content and Pwopt, and the Sn content and Pe, respectively. When the Sn content in the ZnS dielectric layer 2 exceeds about 0.2 at%, the values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the Sn content exceeds 10.0 at%, the CN ratio in reproduction has deteriorated to 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at.% Sn, substantially uniform characteristics can be provided such as 51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6, 0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 6:Embodiment 6:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Pt bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Pt were prepared.

De diëlektrische laag 2 bevattende 2,5 at.% Pt toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Pt-stuk met afmetingen van lmmxlmmx40mm was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Pt-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Pt-inhouden bevatte.The dielectric layer 2 containing 2.5 at.% Pt added to a ZnS thin film was formed at a thickness of 90 nm using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target, in which instead of a Ti piece a Pt piece with dimensions of lmmxlmmx40mm was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the Pt piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other Pt contents.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 2,5 at.% Pt had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt van 6,0 mW en het uitwis-laservermogen Pe van 5,5 mW. De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 52 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,0 at.% Pt waarden van 4,5 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 42 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 71, 72 en 73 in fig. 7 tonen respectievelijk de relatie tussen de Pt-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Pt-inhoud en Pwopt, en de Pt-inhoud en Pe. Wanneer de Pt-inhoud in de ZnS diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,2 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt en Pe af te nemen. Wanneer de Pt-inhoud meer wordt dan 10,0 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verminderd tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,0-6,0 at.% Pt, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals’51-52 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 5,5-6,0 mW voor Pwopt en Pe.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 2.5 at% Pt had sufficiently low values of the optimum storage laser power Pwopt of 6.0 mW and the erase laser power Pe of 5.5 mW. The CN ratio at reproduction reached 52 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.0 at% Pt had values of 4.5 mW for Pwopt and Pe, which values are substantially comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 42 dB, which is less than 45 dB. Curves 71, 72 and 73 in Fig. 7 show the relationship between the Pt content and the CN ratio in reproduction, the Pt content and Pwopt, and the Pt content and Pe, respectively. When the Pt content in the ZnS dielectric layer 2 exceeds about 0.2 at%, the values of Pwopt and Pe begin to decrease. When the Pt content exceeds 10.0 at%, the reproduction CN ratio is reduced to 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.0-6.0 at.% Pt, substantially uniform characteristics can be provided, such as 51-52 dB for the CN ratio in reproduction, and 5.5-6 .0 mW for Pwopt and Pe.

Uitvoeringsvorm 7:Embodiment 7:

Magneto-optische opslagmedia met een diëlektrische laag 2 vervaardigd van ZnS dat Sm bevat, werden vervaardigd.Magneto-optical storage media with a dielectric layer 2 made of ZnS containing Sm were prepared.

De diëlektrische laag 2 bevattende 3,5 at.%The dielectric layer 2 containing 3.5 at.%

Sm toegevoegd aan een dunne ZnS-film werd met een dikte van 90 nm gevormd onder gebruikmaking van dezelfde methode als uitvoeringsvorm 1 en een gesinterd ZnS-doel, waarin in plaats van een Ti-stuk een Sm-stuk met afmetingen van 1 mm x 1 mm x 40 ma was ingebed. Verder werden, op een vergelijkbare manier als uitvoeringsvorm 1, door het veranderen van het oppervlak van het Sm-stuk dat in het gesinterde ZnS-doel werd ingebed, magneto-optische opslagmedia gevormd met een diëlektrische laag 2 die andere Sm-inhouden bevatte.Sm added to a ZnS thin film was formed at 90 nm thickness using the same method as Embodiment 1 and a sintered ZnS target, in which, instead of a Ti piece, an Sm piece having dimensions of 1 mm x 1 mm x 40 ma was embedded. Furthermore, in a similar manner to Embodiment 1, by changing the surface of the Sm piece embedded in the sintered ZnS target, magneto-optical storage media were formed with a dielectric layer 2 containing other Sm contents.

Het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 3,5 at.% Sm had voldoende lage waarden van het optimale opslag-laservermogen Pwopt en het uitwis-laservermogen Pe van respectievelijk 4,5 mW.The magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 3.5 at.% Sm had sufficiently low values of the optimum storage laser power Pwopt and the erasure laser power Pe of 4.5 mW, respectively.

De CN-verhouding bij het reproduceren kwam tot 50 dB, hetgeen veel meer is dan 45 dB. Hoewel het magneto-optische opslagmedium met een ZnS diëlektrische laag met 11,0 at.% Sm waarden van 4,0 mW voor Pwopt en Pe bezat, welke waarden hoofdzakelijk vergelijkbaar zijn met het eerdergenoemde medium, was de CN-verhouding bij reproductie echter 40 dB, hetgeen minder is dan 45 dB. De curven 81, 82 en 83 in fig. 8 tonen respectievelijk de relatie tussen de Sm-inhoud en de CN-verhouding bij reproductie, de Sm-inhoud en Pwopt, en de Sm-inhoud en Pe. Wanneer de Sm-inhoud in de ZnS diëlektrische laag 2 boven ongeveer 0,3 at.% uitkomt, beginnen de waarden van Pwopt enThe CN ratio at reproduction came to 50 dB, which is much more than 45 dB. Although the magneto-optical storage medium with a ZnS dielectric layer with 11.0 at% Sm had values of 4.0 mW for Pwopt and Pe, which values are mainly comparable to the aforementioned medium, however, the CN ratio in reproduction was 40 dB, which is less than 45 dB. Curves 81, 82 and 83 in Fig. 8 show the relationship between the Sm content and the CN ratio in reproduction, the Sm content and Pwopt, and the Sm content and Pe, respectively. When the Sm content in the ZnS dielectric layer 2 exceeds about 0.3 at%, the values of Pwopt and

Pe af te nemen. Wanneer de Sm-inhoud meer wordt dan 7,5 at.%, is de CN-verhouding bij reproductie verslechterd ♦ tot 45 dB of minder. In het bijzonder in de opslagmedia met een diëlektrische laag met 1,5-6,0 at.% Sm, kunnen in hoofdzaak uniforme karakteristieken worden geboden zoals 49-50 dB voor de CN-verhouding bij reproductie, en 4,0-5,0 mW voor Pwopt en Pe.Pe take off. When the Sm content exceeds 7.5 at.%, The CN ratio in reproduction has deteriorated to ♦ 45 dB or less. Particularly in the storage media with a dielectric layer having 1.5-6.0 at.% Sm, substantially uniform characteristics can be provided such as 49-50 dB for the CN ratio in reproduction, and 4.0-5, 0 mW for Pwopt and Pe.

Zoals bovenbeschreven verschaft de onderhavige uitvinding een magneto-optisch opslagmedium dat uitstekende opslag-gevoeligheid en uitwis-karakteristieken heeft door de CN-verhouding bij reproductie op 45 dB of meer te houden door het gebruik van een ZnS-film bevattende ten minste één van Ti, Cr, Cu, In, Sn, Pt en Sm tussen de magnetische film en het substraat. Door het bestralen met een halfgeleider-laserbundel kan informatie worden opgeslagen op en uitgewist van een dergelijk opslagmedium met een hoge omwentëlingssnelheid.As described above, the present invention provides a magneto-optical storage medium that has excellent storage sensitivity and erasure characteristics by keeping the CN ratio at reproduction at 45 dB or more using a ZnS film containing at least one of Ti, Cr, Cu, In, Sn, Pt and Sm between the magnetic film and the substrate. By irradiating with a semiconductor laser beam, information can be stored on and erased from such a storage medium at a high rotation speed.

De uitvinding is onder verwijzing naar voorkeursuitvoeringsvormen gedetailleerd beschreven, en uit het voorgaande zal het nu duidelijk zijn voor een deskundige dat veranderingen en modificaties kunnen worden aangebracht zonder af te wijken van de uitvinding in zijn brede aspecten, en deze worden geacht binnen de geest van de uitvinding te vallen zoals beschreven in de conclusies.The invention has been described in detail with reference to preferred embodiments, and it will now be apparent to one skilled in the art that changes and modifications can be made without departing from the invention in its broad aspects, and are understood to be within the spirit of the invention. invention as set forth in the claims.

Claims

Magneto-optical storage medium, comprising: a substrate? a dielectric layer of zinc sulfide formed on the substrate with at least one element of the group containing titanium, chromium, copper, indium, tin, platinum and samarium; and a thin magnetic film formed on the dielectric layer having an axis in which easy magnetization occurs perpendicular to the surface of the substrate.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the titanium content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Maneto-optical storage medium according to claim 2, characterized in that the titanium content is in a range from 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the chromium content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 4, characterized in that the chromium content is in a range of 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the copper content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 6, characterized in that the copper content is in a range from 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the indium content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 8, characterized in that the indium content is in a range of 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the tin content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 10, characterized in that the tin content is in a range of 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the platinum content in the dielectric layer is in a range from 0.2-10.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 12, characterized in that the platinum content is in a range of 1.0-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the samarium content in the dielectric layer is in a range from 0.3-7.5 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 14, characterized in that the samarium content is in a range of 1.5-6.0 at%.

Magneto-optical storage medium according to claim 1, characterized in that the thin magnetic film is made of a rare earth alloy and a transition metal.