NL8401776A - Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. - Google Patents
Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. Download PDFInfo
- Publication number
- NL8401776A NL8401776A NL8401776A NL8401776A NL8401776A NL 8401776 A NL8401776 A NL 8401776A NL 8401776 A NL8401776 A NL 8401776A NL 8401776 A NL8401776 A NL 8401776A NL 8401776 A NL8401776 A NL 8401776A
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- tunnel
- wafer
- processing
- medium
- spin
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67784—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G51/00—Conveying articles through pipes or tubes by fluid flow or pressure; Conveying articles over a flat surface, e.g. the base of a trough, by jets located in the surface
- B65G51/02—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases
- B65G51/03—Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Fluid Mechanics (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
" — e » -4 - 1 -
Jeroeterde double-floating wafer transport/processing installatie.
In onder andere de Nederlandse Gctrooi-aanvragen No's S 1G3 579 ar, z 3G0 549 van de aanvrager zijn double-floating wafer transport/proces-sing systemen omschreven, waarbij in eenproces tunnel de wafer gedurende 5 de verplaatsing ervan nagenoeg niet roteert.
3Π enige processings is het echter wel gewenst, dat zulk een wafer rotatie optreedt.
De inrichting volgens de uitvinding heeft dan ook het kenmerk, dat gedurende de processing een rotatie van de wafer tenminste wordt 10 bewerkstelligd met behulp van medium stromen, welke vanuit de toevosrka-nalen in de richting van rotatie op deze wafer aangrijpen en vervolgens via afvoerkanalen worden afgevoerd.
Door het vergroten van de passage-wijdte is het daarbij mogelijk gebleken om zeer hoge toerentallien van de wafer te bereiken, welke afhan-15 kelijk zijn aan de passage-wijdte, het aantal madium-stromen in rotatie-richting, inwerkend op de wafer, de druk en het soort van medium.
Het is daarbij veelal van belang, dat de wafer tenminste tijdelijk, gedurende bijvoorbeeld 1 seconde,geen verplaatsing heeft in lineaire richting.
20 Een volgend gunstig kenmerk is dan ook, dat gezien in lineaire bewegingsrichting van de wafer in de centrum-sectie van rotatie een hoger vacuum wordt onderhouden dan in de naast gelegen tunnel secties.
Voor bijvoorbeeld reinigen en spoelen van de wafer is het gewenst, dat een groot aantal sterke vloeistofstromen op het wafer-oppervlak aan-25 gr'jpen. Tevens moet het medium veelal zo snel mocelijk worden verwijderd.
Een volgend gunstig kenmerk is nu, dat daarbij, gezien in lineaire bewegingsrichting van de wafer^in de tunnel slechts een beperkt aantal groepen medium toevoerkanalen zijn opgenomen, welke groepen van kanalen zien achter wel over tenminste de gehele wafer-breedte uitstrekken.
30 Daardoor kan de doorsnede van deze kanalen aanzienlijk groter zijn.
Een volgend gunstig kenmerk is, dat da rotatie niet verkregen wordt deer uitsluitend vloeistof-stromen, doch mede door gasstromen, zodat voor en ook na het reinigen de rotatie tenminste tijdelijk kan worden onesrnouden.
jok, dat daardoor een verbeterde, versnelde processing plaats κξπ 35 vinden, doordat deze media kunnen samsnwerken in het sehandsle·" van net wafer-oppervlak.
verder, dat ds inrichting zo kan zijn uitnavoerd, dat deze rotatie ook blijft onderhouden bij een hierna verplaatsen van ce wafer.
'84 0 1 77 6 - 2 - , ί> f
Een gunstige uitvoering van de inrichting is dan ook, dat deze stromen samenwerken met medium-stromen in lineaire richting.
Verder is het van belang, dat zoals de toevoerdxuk maximaal hoog is, ter plaatse tevens de af voer tenminste tijdelijk maximaal is, zodat de druk 5 in de tunnel ter plaatse binnen toelaatbare waarden blijft.
Verder is het gewenst, dat de vloastof zo weinig mogelijk cohesie-krachten uitoefent naar de omgeving.
Een volgend gunstig kenmerk is danook, dat de spleetwijdte ter plaatse van de processing aanzienlijk groter is dan vereist is voor double-10 floating wafer transport met minimale consumptie aan transportmedium.
De plaatselijk verhoogde druk in de tunnel mag niet voor een deel verloren gaan naar de rest van de tunnel. Tevens mag de double-floating wafer transport in die tunnel gedeeltes niet in ongunstige zin worden beïnvloed.
15 Een volgend gunstig kenmerk is nu,dat daarbij in de tunnel zodanig verplaatsbare afscheidingswanden zijn opgenomen, dat tijdens de processing de tunnelsecties opzij van de proces-sectie zijn afgesloten van deze sectie.
Verder kan het spin-toerental van de wafer zeer hoog zijn, tot bijvoorbeeld 10 000 toeren per minuut, voor een verbeterde processing, zoals 20 een versneld verwijderen van vloeistof-resten van het wafer-oppervlak,
Het spin-systeem is ook uitermate geschikt voor het op de wafer aanbrengen van coatings, waarbij vooral de mogelijk zeer hoge versnellingen en vertragingen van de wafer van groot belang zijn.
Verder is elk materiaal voor de proces-sectie mogelijk, zoals bij— 25 voorbeeld teflon als geschikt materiaal voor de dopant coater.
Verder is het mogelijk, dat zich in de proces-sectie ter plaatse van de wafer processing geen afvoerkanalen zijn opgenomen met nagenoeg uitsluitend afvoer van het via de bovenwand toegevoerde medium naar afvoerkanalen, welke zijn opgenomen in de onderwand.
30 Verdere gunstige kenmerken volgen uit de beschrijving van de hier onder aangegeven Figuren.
Figuur 1 toont schematisch het principe van double-floating wafer spinning in de tunnel van de inrichting volgens de uitvinding.
Figuur 2 toont schematisch het principe van de double-floating wafer 35 spinning gecombineerd met een lineaire wafer-verplastsing in de runnel.
Figuur 3 is een detail doorsnede van de tunnel ter plaatse van spinning toe- en afvoerkanalen.
8401776 • a -s
Figuur 4 is een detail doorsnede van da tunnel ter plaatse van spinning toe— an afvoerkanalen aan één zijde van de wafer en toe- en afvoerkanalen voor lineaire wafer verplaatsing aan de andere zijde.
Figuur 5 toont een tunnel—sectie met daarin verschillende groepen 5 van stromen medium, die op de wafer inwerken.
Figuur 5 is een doorsnede over de 1'jn 6-6 van de tunnel-sectie volgens de Figuur 5.
Figuur 7 is een doorsnede over de lijn 7—7 van de tunnel-sectie volgens de Figuur 5.
10 Figuur 8 toont een coating-opbrengsectie van een gewijzigde uitvoe ring van de inrichting volgens de uitvinding,
In de Figuur 1 is de inrichting 10 aangegeven. Daarbij vindt in tunnel 12 transport en processing van de wafer 14 plaats onder double-floating conditie, 15 Daarbij wordt met behulp van de medium-stromen 16 een spinning van deze wafer verkregen, doordat de resulterende krachten van deze stromen een resulterend spin-moment opleveren.
Gedurende de spinning wordt de wafer 14 op zijn plaats gehouden doordat via vacuum-kanalen 18 een maximale afvoer van het medium plaats vindt, 20 welke af voer bijvoorbeeld groter is dan die van de kanalen 20, welke opzij van dit centrum zijn gelegen.
Gedurende de spin-processing wordt met behulp van de dan gesloten wanden 22 en 24 een afsluiting van de proces-ruimts 26 van de tunnel-ruimten 28 en 30 bewerkstelligd, 25 In de Figuur 2 werken de spin—stromen 16 samen met medium-stromen 32, waardoor naast spinning van de wafer tevens een lineaire verplaatsing van deze wafer in de lengterichting van de tunnel 12 wordt verkregen#
In de Figuur 3 zijn aan weerszijden van de tunnel 12 de toevoerkanalen 34 en 35 en de respectievelijke afvoerkanalen 38 en 40 aangegeven. Deze 30 monden daarbij uit in de passage 42. De uit de toevoerkanalen 34 en 36 gestuwd wordende medium-stromen 16 raken daarbij de wafer 14, verplaatsen zich daarlangs en worden vervolgens afgezegen via de afvoerkanalen 38 en 40.
In de Figuur 4 wordt met behulp vanda stromen 15 aan de onderzijde 46 o5 van oe tunnel een spinning van de wafer 14 ondernouden, waarbij aan de bovenzode 43 processing plaats vindt, zoals Djjvoorbeeld het opbrer.gen van een coating, waarbij de spinner zeer hoge toerentallen kan bereiken, 8401776 , ί- . η - 4 - tot bijvoorbeeld 10 000 toeren per minuut.
Daarbij wordt aan de bovenzijde 48 de douDle floating onderhouden met behulp van het medium 50, Tevens kan dit medium ook functionneren voor het gelijktijdig lineair verplaatsen van de wafers.
5 In de Figuur 5 is een tunnel-sectie 52 aangegeven, waarbij over een grotere lengte zowel lineaire verplaatsing van de wafer 14 als een rotatie ervan wordt onderhouden. Zulks geschiedt daarbij met talloze stromen 16 en 32, Daarbij kunnen deze stromen 16 en 32 in elke richting op de wafer aangrijpen, zoals is aangegeven in de Figuren 6 en en een combinatie zijn 10 van vloeistof en gasstromen.
Hierdoor is met behulp van deze stromen een zeer goede reiniging van de wafer mogelijk, doordat op elk gedeelte ervan medium-stromen vele malen onder verschillende hoeken inwerken.
Door een hoog toerental van de wafer 14 kan mede een volkomen ver-15 wijdering van de vloeistof van deze wafer worden bewerkstelligd.
Verder is het mogelijk, dat aan de bovenzijde 48 processing met behulp van vloeibaar medium plaats vindt, terwijl aan de onderzijde bijvoorbeeld de floating wordt bewerkstelligd door middel van de combinatie van verdunning voor coating en gasvormig medium.
20 In de Figuur 8 is de coating-station van de inrichting 10’ aangegeven.
Daarbij wordt de wafer 14 tijdelijk met behulp van samenwerkende medium-stromen 16 en andere,niet aangegeven stromen in de coating opbrengsectie gehouden.
Via het kanaal 54 wordt photoresist op de wafer gebracht, riet behulp 25 van de stromen 16 wordt daarbij gedurende korte tijd, bijvoorbeeld 2 seconden, een relatief laag toerental van bijvoorbeeld 400 toaren per minuut voor de. wafer onderhouden.
Vervolgens wordt de wafer rotatie versneld tot bijvoorbeeld 5000 toeren per minuut en wordt dit toerental bijvoorbeeld 8 seconden lang onderhouden. 30 Hierdoor wordt de coating gelijkmatig over het wafer-oppervlak verdeeld en wordt het teveel door de zijkanten van deze wafer losgelaten.
Vervolgens wordt het toerental nog verder opgevoerd tot bijvoorbeeld 7000 toeren per minuut en vindt mede met behulp van een al dan niet versterkte toevoer van stikstof via kanalen 55 een droging van ae opgebrachte 35 coating plaats. De afvoer van dit medium geschiedt tenminste voor een groot gedeelte ervan via afvoerkanalen 55 aan de onderzijde van de tunnel.
Door de beparkte afvoer kan daarbij dit bovengedeelte 48' een relatief grote hoogte neboen, hetgeen een met coating bedekt 'jeraken van ae tunnel 8401776 -5-:.
bovenwand met coating belemmert·
Binnen het kader van de uitvinding zijn verdere uitvoeringen van de tunnel mogelijk en kunnen andere variaties van stromen medium worden toegepast· Tevens is elk soort van materiaal voor de tunnel, zoals roestvrij 5 staal, plexiglas en teflon mogelijk·
Zo is het mogelijk, dat door juiste afstemming van de toe— en afvoe— ren van de verschillende media in de verschillende tunnelsecties op de plaats vindende processing stadia, zich geen zodanige drukverschillen in de tunnel kunnen voordoen, dat daarmede het transport en de processing * 10 van de wafers in ontoelaatbare mate wordt beïnvloed· Hierdoor is het mogelijk, dat geen gebruik behoeft te worden gemaakt van de scheidingswanden 22 en 24 voor tijdelijke afscheiding van de spin-processing sectie, hetgeen de controle op contamination in de tunnel ten goede komt·
Zo is bijvoorbeeld gedurende de spin-processing de afvoer-capaciteit 15 in de processing-sectie maximaal, indien de toevoer-capaciteit maximaal is met een mogelijke druk in de tunnel-passage ter plaatse, die zelfs geringer kan zijn dan die in de rest van de tunnel.
Verplaatsen zich wafers in de transport-secties van deze tunnel, dan zal een door sensors waargenomen verandering in wafer-snelheid als gevolg 20 van druk-veranderingen in de spin-processing sectie gelijk kunnen resulteren in het zenden van signalen door deze sensors naar regelsystemen voor onmiddellijke correcties in toe- en af voer naar deze secties.
Daarbij kan de tussen-afstand tussen opvolgende wafers zodanig groot gekozen worden, dat tijdelïjke verschillen in wafer-snelheid toelaatbaar 25 zijn, 8401776
Claims (52)
1. Inrichting, bsvattende: een tunnel met passage ten behoeve van double—floating verplaatsen en processing van wafers} 5 kanalen,opgenomen in de boven- en onderwand van de tunnel voor toevoer van medium naar de tunnel-passage en voor afvoer van dit medium uit deze tunnel-passage; en een spin-processing tunnel-sectie inclusief zodanige middelen, dat tenminste gedurende de processing daarin de wafer onder double-floating 10 conditie kan roteren en· tenminstegedurende niet-processing deze wafer zich onder double-floating conditie kan verplaatsen.
2. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 1, met het kenmerk, dat daarbij in de spin-processing sectie van de tunnel tenminste êên groep van naar de tunnel-passage toegevoerde medium jets tenminste gedu- 15 rende de spin-processing een roterende verplaatsing van de zich onder double-floating conditie bevindende wafer verschaft.
3. Werkwijze volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij tenminste in de spin-processing sectie van de tunnel met behulp van naar de passage ervan toegevoerd gasvormig medium tenminste gedurende de aan- 20 wezigheid van de wafer in deze sectie een double-floating conditie voor de wafer wordt onderhouden.
4. Werkwijze volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat daarbij tenminste in de spin-processing sectie van de tunnel met behulp van er naar toegevoerd gasvormig medium tijdelijk tenminste gedurende niet-spin- 25 processing en tenminste gedurende de aanwezigheid van de wafer in deze sectie een lineaire verplaatsing onder double—floating conditie en zulks in de lengterichting van de tunnel wordt bewerkstelligd.
5. Werkwijze volgens de Conclusie 3, met het kenmerk, dat daarbij met behulp van de gedurende de spin-processing toegevoerde jets van medium, 30 werkend op de wafer en vervolgens afgevoerd gedurende deze spin-processing een tenminste nagenoeg dezelfde positie in laterale richting èn in lengterichting van de tunnel wordt onderhouden.
6. Werkwijze volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat in de spinprocessing sectie van de tunnel gelijktijdig medium jets, welke de rotatie; 35 van de wafer bewerkstelligen, op de beide vlakke zijden van dB wafer zijn gericht en zulks, gezien in laterale richting en in lengterichting van de tunnel, op tenminste nagenoeg dezelfde plaats van de tunnel-sectie.
7. Werkwijze volgens de Conclusie 6, met het kenmerk, dat daarbij de 84 0 1 7 7 6. * * - 7 - soort van medium verschillend is.
8« Werkwijze volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat het ene medium vloeibaar en het andere medium gasvormig is»
9* Werkwijze volgens de Conclusie 5, met het kenmerk, dat in da spin-5 processing sectie van de tunnel de medium jets, welke plaatselijk de wafer rotatie bewerkstelligen, slechts op één zijde van de wafer aangrijpen en op de andere zijde van de wafer medium jets zijn gericht, die tenminste een double-floating conditie onderhouden»
10, Inrichting, waarin de werkwijze volgens één der voorgaande Con-10 clusies is opgenomen, met het kenmerk, dat daartoe in tenminste één van de zijwanden van de tunnel kanalen zijn opgenomen, welke onder een zodanige verschillends hoek staan op de tunnel-passage, dat de uit deze kanalen stromende medium jets het rotatie-moment voor de wafer verschaffen»
11, Inrichting volgens de Conclusie 10, met het kenmerk, dat in zulk 15 een zijwand tevens afvoerkanalen zijn opgenomen, zodanig, dat deze samen— werken met de toevoerkanalen in het tot stand -komen en onderhouden van de medium jets»
12» Inrichting volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat in de tunnel-sectie, waarin wafer spin-processing onder double-floating conditie 20 plaats vindt, de in de boven- en onderwand opgenomen afvoerkanalen ruimer zijn dan die: in de tunnel-sectie, waarin uitsluitend een lineair transport en mogelijk processing zonder rotatie van de wafer plaats vindt»
13» Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat in deze afvoerkanalen tenminste gedurende de wafer-rotatie een 25 hoger vacuum wordt onderhouden» 1
14» Inrichting volgens de Conclusie 11, met het kenmerk, dat deze afvoerkanalen eveneens onder een zodanige hoek ten opzichte van de tunnel zijn geplaatst, dat deze tenminste een gunstige afvoer voor de medium jets bewerkstelligen» 30
15» Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat daarin zodanige middelen zijn opgenomen, dat de wafer tenminste tijdelijk in de tunnel-passage ter plaatse van de spin-processing tenminste nagenoeg geen verplaatsing heeft in de lengterichting van de tunnel»
16» Inrichting volgens de Conclusie 15, met het kenmerk, dat daartoe 35 in tenminste één van de tunnel-zijwanden groepen van kanalen zijn opgenomen, die medium jets verschaffen, welke, gezien in de lengterichting van de tunnel een tenminste nagenoeg tegengestelde richting apleveren voor de resulterende krachten, die op de wafer werkzaam zijn» 8401776 - 8 V *·
17. Inrichting volgens de Conclusie 16, met het kenmerk, dat deze groepen van kanalen, gezien in de lengterichting van de tunnel, gerangschikt zijn opzij van de kanalen, welke de medium jets verschaffen voor wafer-rotatie·
18. Inrichting volgens de Conclusie 17, met het kenmerk,dat tenminste één van de passage-zijwanden groepen van kanalen bevatten, welke dienen voor het toevoeren van medium naar de tunnel-passage en zodanig zijn gerangschikt en schuin ten opzichte van de tunnel-passage zijn geplaatst, dat de eruit stuwende medium jets tenminste een afremmende wer- 10 king op de wafer-ratatie hebben.
19. Inrichting volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat deze kanalen zodanig zijn gerangschikt en schuin zijn geplaatst, dat de uit deze kanalen gestuwd wordende medium jets een tegengestelde wafer—rotatie kunnen bewerkstelligen.
20. Inrichting volgens de Conclusie 19, met het kenmerk, dat daarbij deze groepen van kanalen eveneens dienen voor toevoer van hetzelfde medium als die, welke voor de tegen te werken wafer-rotatie wordt toegepast·
21. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 18, met het kenmerk, dat daarbij de rotatie van de wafer regelbaar is vanaf stilstand en 20 zulks met behulp van tenminste de regeling van de toevoer van deze medium jets.
22. Werkwijze van de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, mat het kenmerk, dat het medium, hetwelk tenminste een deel van de stuwkrachten ten behoeve van de wafer rotatie levert, een vloeibaar medium is, 25 welke voor de spin-processing wordt toegepast.
23. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één van de hoofdwanden van de tunnel groepen van schuin geplaatste kanalen zijn opgsnomen voor het leiden van zowel jets vloeibaar medium als jets gasvormig medium naar de tunnel-passage ten be- 30 hoeve van het bewerkstelligen en onderhouden van da wafer-rotatie.
24. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 23, met het kenmerk, dat daarbij de wafer-rotatie wordt verkregen met behulp van zowel gasvormig als vloeibaar medium en na het beëindigen van de toevoer van vloeibaar medium zulk een wafer-rotatie tenminste nog tijdelijk wordt voort- 35 gezet met behulp van het gasvormig medium.
25. Inrichting volgens'de Conclusie 23, met het kenmerk, dat daarbij in tenminste één van de hoofdwanden van de tunnel, gezien in de lengterichting van deze tunnel, meerdere groepen van schuin geplaatste kanalen zijn opgenomen voor het leiden van gasvormig medium naar de tunnel-passage 8401776 * ψ -9-. tan behoeve van het onderhouden van de wafer—rotatie ook tijdens een lineaire wafer-verplaatsing·
26« Inrichting volgens de Conclusie 25, met het kenmerk, dat deze groepen van kanalen zich bevinden tussen groepen van kanalen, welke die-5 nen voor het toevoeren van gasvormig medium naar de tunnel-passage ten behoeve van floating wafer transport door deze tunnel-passage·
27. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat daarbij in de tunnel tenminste plaatselijk het lineaire wafer transport in de lengterichting van deze tunnel gepaard gaat met wafer— 10 rotatie.
28. Inrichting volgens de Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat dB wafer-rotatie zover kan worden opgevoerd, dat daarmede eveneens vloeibaar medium over hst wafer-oppervlak kan worden geleid.
29. Inrichting volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat de wafer-rotatie zover kan worden opgevoerd, dat daarmede eveneens vloeibaar medium van het wafer-oppervlak kan worden verwijderd.
30. Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 29, met het kenmerk, 20 dat daartoe het wafer-toerental kan worden opgevoerd tot boven 5000 toeren per minuut.
31. Werkwijze van de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat een verschil in druk in de spin-processing tunnel— sectie nagenoeg onmiddellijk resulteert in een zodanige druk-aanpassing in 25 tenminste de aangrenzende tunnel-secties, dat het verschil in verplaat-singssnelheid van de wafer, indien aanwezig in deze secties, binnen toelaatbare grenzen blijft.
32« Inrichting, waarin de werkwijze volgens de Conclusie 31 is apge-nomen, met het kenmerk, dat daarin middelen zijn opgenomen om zulk een onder 30 controle houden van het double-floating wafer transport en processing te kunnen bewerkstelligen.
33. Inrichting volgens de Conclusie 32, met het kenmerk, dat daartoe tenminste mede gebruik wordt gemaakt van sensoren, die in samenwerking met passerende wafers commando-signalen zenden naar regel—inrichtingen. 35
34* Inrichting volgens de Conclusie 33, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat in de tunnel de afstand tussen opvolgende wafers zodanig groot is, dat in het tijdsverloop van aanpassingen in toe- en afvoer van de media de wafers elkaar niet kunnen raken. 8401776 W‘ '"f - 10 -
35. Inrichting volgens da Conclusie 32, met het kenmerk, dat in de tunnel opzij van spin-processing sectie druk aanpassingssecties zijn opge— nomen, waarin de drukveranderingen vanuit deze processing-sectie tenminste nagenoeg geheel worden opgevangen.
36. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 35, met het ken merk, dat daarbij de druk in de transportsecties van de tunnel al dan niet tijdens de spin-processing zich bevindt boven atmospherische druk.
37. Werkwijze volgens de Conclusie 36, met het kenmerk, dat gedurende de spin-processing de druk in de tunnel ter plaatse van het centrum van \ 10 deze processing lager is dan in de tunnel-sectie naast dit centrum.
38. Werkwijze . volgens de Conclusie 37, met het ken merk, dat de druk in dit centrum tijdens de processing niet hoger is dan de druk in de transport-secties.
39. Werkwijze volgens de Conclusie 38, met het kenmerk, dat daarbij 15 de lengte van het centrum-gebied, gezien in de lengterichting van de tunnel, tenminste gelijk is aan de wafer diameter.
40. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de spleetwijdte van de tunnel ter plaatse van de spin-processing aanzienlijk groter is dan de splsetwijdte van de transportsecties van de 20 tunnel,
41. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat in de spin-processing sectie coating op tenminste één zijde van de wafer kan warden aangebracht,
42. Inrichting volgens de Conclusie 41, met het kenmerk, dat daarbij 25 een zich centraal in deze sectie bevindende toevoerkanaal dient voor het leiden van coating naar de wafer.
43. Inrichting volgens de Conclusie 42, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat- aan da processing zijde de afvoer-capaciteit geringer is dan die in de niet-processing zijde. 30
44, Inrichting volgens de Conclusie 43, met het kenmerk, dat zich in de spin-processing sectie in de wand aan de processing-zijds geen afvoerkanalen zijn opgenomen·
45, Inrichting volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat deze wandsectie zich uitstrekt in de lengterichting van de tunnel over een 35 afstand, welke groter is dan die van de wafer.
46. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 43,-met het kenmerk, dat daarbij verder inrichtingen voor opbrenging en droging van coating worden toegepast, welke gebruikt worden bij de bestaande spinners, 8401776 ψ - 11 -
47· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat hij toepasbaar is voor het reinigen, spoelen, drogen, etsen of het opbrengen van dopant of ontwikkelins-vloeistof op wafers·* 5
48* Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het ken merk, dat in de tunnel aan weerszijde van de spin-processing sectie zodanig verplaatsbare scheidingswanden zijn opgenomen, dat tenminste tijdens de processing de tunnel-sectlss opzij van deze processing-sectie tenminste nagenoeg zijn afgesloten van deze sectie« 10
49* Inrichting volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat daarbij de bedieningsconstructie van zulk een scheidingswand zodanig is uitgevoerd, dat zulk een wand vanuit geopende positie ervan slechts ongeveer de spleefcwijdte van de tunnel behoeft te worden verplaatst.
50·Inrichting volgens één der voor· aande Conclusies, met het kenmerk, 15 deze zodanig is uitgevoerd, dat daarin opvolgende processing van wafers onder double-floating conditie plaats vindt.
51. Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 50, met het kenmerk, dat daarbij in opvolgende secties spin-processing van de wafers onder 20 double-floating conditie plaats vindt.
52· Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 5Q, met het kenmerk, dat daarbij in opvolgende secties processing onder lineaire, double-floating verplaatsing van de wafers geschiedt in combinatie met spin-25 processing onder double-floating conditie· 8401776
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8401776A NL8401776A (nl) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. |
| PCT/NL1985/000021 WO1985005757A1 (en) | 1984-06-04 | 1985-06-03 | Apparatus for double floating wafer transport and processing |
| US06/823,419 US4681776A (en) | 1984-06-04 | 1985-06-03 | Improved method for double floating transport and processing of wafers |
| JP60502432A JPS61502364A (ja) | 1984-06-04 | 1985-06-03 | 改良された二重浮遊ウエハ−輸送および処理装置 |
| AU44008/85A AU4400885A (en) | 1984-06-04 | 1985-06-03 | Improved apparatus for double floating wafer transport and processing |
| EP85902682A EP0182855A1 (en) | 1984-06-04 | 1985-06-03 | Apparatus for double floating wafer transport and processing |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL8401776A NL8401776A (nl) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. |
| NL8401776 | 1984-06-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NL8401776A true NL8401776A (nl) | 1986-01-02 |
Family
ID=19844035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NL8401776A NL8401776A (nl) | 1984-06-04 | 1984-06-04 | Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4681776A (nl) |
| EP (1) | EP0182855A1 (nl) |
| JP (1) | JPS61502364A (nl) |
| AU (1) | AU4400885A (nl) |
| NL (1) | NL8401776A (nl) |
| WO (1) | WO1985005757A1 (nl) |
Families Citing this family (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5194406A (en) * | 1988-12-01 | 1993-03-16 | Edward Bok | Installation for transport and processing under a pulsating double-floating condition |
| JPH04503734A (ja) * | 1988-12-01 | 1992-07-02 | ボック、エドワード | 脈動、浮遊状態で搬送、処理する改良された装置 |
| US4922853A (en) * | 1989-05-16 | 1990-05-08 | Libbey-Owens-Ford Co. | Stripe coating on glass by chemical vapor deposition |
| KR920704332A (ko) * | 1990-02-16 | 1992-12-19 | 에드와드보크 | 개량된 웨이퍼이송 및 처리장치 |
| JP2583152B2 (ja) * | 1990-11-06 | 1997-02-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板回転式表面処理方法 |
| US5489341A (en) * | 1993-08-23 | 1996-02-06 | Semitool, Inc. | Semiconductor processing with non-jetting fluid stream discharge array |
| US6239038B1 (en) | 1995-10-13 | 2001-05-29 | Ziying Wen | Method for chemical processing semiconductor wafers |
| US6147004A (en) * | 1998-07-21 | 2000-11-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Jet vapor reduction of the thickness of process layers |
| US8057602B2 (en) * | 2007-05-09 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber |
| US8057601B2 (en) * | 2007-05-09 | 2011-11-15 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method for supporting, positioning and rotating a substrate in a processing chamber |
| US20090181553A1 (en) * | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Blake Koelmel | Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface |
| WO2009153061A1 (de) * | 2008-06-19 | 2009-12-23 | Rena Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum transportieren von gegenständen |
| DE112010000737T5 (de) | 2009-02-11 | 2013-01-17 | Applied Materials, Inc. | Nichtkontakt-Bearbeitung von Substraten |
| NL1037068C2 (nl) * | 2009-06-23 | 2010-12-27 | Edward Bok | Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan in meerdere stripvormige bovenspleet-gedeeltes ervan boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandeling onder trilconditie van de daarop in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie. |
| NL1037067C2 (nl) * | 2009-06-23 | 2010-12-27 | Edward Bok | Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnel ten behoeve van het daarin tenminste mede plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende, zich ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat gedeeltes. |
| NL1037065C2 (nl) * | 2009-06-23 | 2010-12-27 | Edward Bok | Stripvormige transducer-opstelling, welke is opgenomen in een stripvormig gedeelte van een tunnelblok van een semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling ten behoeve van het daarmede tenminste mede plaatsvinden van een semiconductor behandeling van de opvolgende semiconductor substraat-gedeeltes, welke gedurende de werking ervan ononderbroken erlangs verplaatsen. |
| NL1037192C2 (nl) * | 2009-08-11 | 2011-11-24 | Edward Bok | Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende in het boventunnelblok ervan meerdere inrichtingen ten behoeve van het daarmede opbrengen van een nanometer hoge vloeibare hecht-substantie op de opvolgende, ononderbroken erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes. |
| NL1037193C2 (nl) * | 2009-08-11 | 2011-11-24 | Edward Bok | Semiconductor tunnel-opstelling, bevattende in het boventunnelblok ervan een medium-toevoerinrichting. |
| NL1037473C2 (nl) * | 2009-11-17 | 2011-11-24 | Edward Bok | Semiconductor tunnel-opstelling, waarin het plaatsvinden van opvolgende semiconductor behandelingen van opvolgende erdoorheen verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes en waarbij mede daarin meerdere stripvormige medium toevoer-inrichtingen in ten minste het boventunnelblok ervan zijn opgenomen voor een ononderbroken toevoer van tenminste mede de combinatie van deeltjes van een draagmedium in een gasvormige - of verdampbare vloeibare vorm ervan. |
| DE102010053332A1 (de) * | 2010-12-03 | 2012-06-06 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Vorrichtung und Verfahren zum Handhaben von Werkstücken |
| NL2009764C2 (en) * | 2012-11-06 | 2014-05-08 | Univ Delft Tech | An apparatus for carrying and transporting a product. |
| DE102012110916B4 (de) * | 2012-11-13 | 2014-07-17 | Hochschule Offenburg | Verfahren und Vorrichtung zum Transport flacher Substrate |
| NL2010471C2 (en) * | 2013-03-18 | 2014-09-24 | Levitech B V | Substrate processing apparatus. |
| CN103381965B (zh) * | 2013-07-02 | 2016-02-03 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种液晶面板的气浮式导向轮传送装置 |
| WO2017059005A1 (en) * | 2015-09-30 | 2017-04-06 | Wm. Wrigley Jr. Company | Chewing gum comprising a xylitol coating |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5012663B1 (nl) * | 1970-05-07 | 1975-05-13 | ||
| JPS4994077A (nl) * | 1973-01-12 | 1974-09-06 | ||
| US3918706A (en) * | 1974-06-24 | 1975-11-11 | Ibm | Pneumatic sheet transport and alignment mechanism |
| JPS5242636A (en) * | 1976-04-03 | 1977-04-02 | Kimura Shoten:Kk | Automatic cleaning apparatus |
| JPS5342636A (en) * | 1976-09-30 | 1978-04-18 | Yokogawa Hokushin Electric Corp | Setting condition output system of data gathering equipment |
| JPS5943365B2 (ja) * | 1979-09-05 | 1984-10-22 | 三菱電機株式会社 | 円形薄板体の搬送装置 |
| NL8103979A (nl) * | 1981-08-26 | 1983-03-16 | Bok Edward | Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat. |
| NL8203318A (nl) * | 1982-08-24 | 1984-03-16 | Integrated Automation | Inrichting voor processing van substraten. |
| US4533342A (en) * | 1983-06-06 | 1985-08-06 | Dayco Corporation | Belt construction for a continuously variable transmission, transverse belt element therefor and methods of making the same |
| US4544446A (en) * | 1984-07-24 | 1985-10-01 | J. T. Baker Chemical Co. | VLSI chemical reactor |
-
1984
- 1984-06-04 NL NL8401776A patent/NL8401776A/nl not_active Application Discontinuation
-
1985
- 1985-06-03 US US06/823,419 patent/US4681776A/en not_active Expired - Fee Related
- 1985-06-03 EP EP85902682A patent/EP0182855A1/en not_active Withdrawn
- 1985-06-03 JP JP60502432A patent/JPS61502364A/ja active Pending
- 1985-06-03 WO PCT/NL1985/000021 patent/WO1985005757A1/en unknown
- 1985-06-03 AU AU44008/85A patent/AU4400885A/en not_active Abandoned
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4681776A (en) | 1987-07-21 |
| AU4400885A (en) | 1985-12-31 |
| EP0182855A1 (en) | 1986-06-04 |
| JPS61502364A (ja) | 1986-10-16 |
| WO1985005757A1 (en) | 1985-12-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NL8401776A (nl) | Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie. | |
| US4696386A (en) | Conveyor system diverter turn assembly | |
| US5733608A (en) | Method and apparatus for applying thin fluid coating stripes | |
| US5505995A (en) | Method and apparatus for coating substrates using an air knife | |
| EP0949984B1 (en) | Rotatable and translatable spray nozzle | |
| US5810942A (en) | Aerodynamic aerosol chamber | |
| NL8402410A (nl) | Verbeterde proces installatie met double-floating transport en processing van wafers en tape. | |
| WO1999004416A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum behandeln von flächigen substraten, insbesondere silizium-scheiben (wafer) zur herstellung mikroelektronischer bauelemente | |
| EP0943961B1 (en) | Curtain coating apparatus and method with continuous width adjustment | |
| KR910019110A (ko) | 반도체 웨이퍼 위에 유체재료층을 도포하기 위한 방법 및 장치 | |
| EP0928013A3 (en) | Wafer surface cleaning apparatus and method | |
| JPH04506493A (ja) | 溶融ストランドを冷却しかつ顆粒にするための装置 | |
| EP3357839A1 (de) | Verfahren und fördersystem zum manipulieren eines ursprünglichen güterstroms | |
| KR100433292B1 (ko) | 용기몸체의연속체를분리및병합하는방법및장치 | |
| US6447609B1 (en) | Paint spraying apparatus | |
| EP0652056B1 (en) | Liquid edge bead removal device | |
| US4874079A (en) | Article transferring conveying system | |
| US5431287A (en) | Separator screen feeder | |
| EP0881953B1 (en) | Electrostatic coating of small falling objects | |
| WO1993003863A1 (en) | Ore sorting | |
| EP0919288A3 (en) | Electrostatic dispensing apparatus and method | |
| NL2022412B1 (en) | Switching device, deposition device comprising the switching device, method for switching a fluid flow, and method for depositing particles onto a substrate | |
| EP0220055B1 (en) | System for spray coating substrates | |
| KR100752707B1 (ko) | 금속 스트립 재료의 표면 처리, 특히 압연 재료의 피클링방법 및 장치 | |
| US7144459B2 (en) | Centrifugal swing arm spray processor |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| BV | The patent application has lapsed |