NL1037754C2 - Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. - Google Patents
Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. Download PDFInfo
- Publication number
- NL1037754C2 NL1037754C2 NL1037754A NL1037754A NL1037754C2 NL 1037754 C2 NL1037754 C2 NL 1037754C2 NL 1037754 A NL1037754 A NL 1037754A NL 1037754 A NL1037754 A NL 1037754A NL 1037754 C2 NL1037754 C2 NL 1037754C2
- Authority
- NL
- Netherlands
- Prior art keywords
- substrate
- substrate supporting
- supporting structure
- liquid
- clamping
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
- G03F7/707—Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3174—Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Claims (44)
1. Een substraat ondersteunende structuur (13) voor het klemmen van een substraat (12) middels een capillaire kracht uitgeoefend door een vloeibare klemmende laag (11) welke een lagere druk heeft dan de omgeving, de substraat ondersteunende structuur omvattende een 5 oppervlak (16) voorzien van een veelvoud aan substraat ondersteunings elementen (17) voor het vasthouden van een substraat, welk oppervlak verder omvat gedeelten (51, 52; 83) met een verschillende capillaire potentiaal voor het opwekken van, gedurende het klemmen, een vooraf bepaalde capillaire stroom binnen de vloeibare klemmende laag.
2. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 1, waarbij de bestanddelen 10 met een verschillend capillaire potentiaal gedurende het klemmen, het ontstaan van een tussenruimte opwekken, op één of meer vooraf bepaalde locaties langs de periferie van de vloeibare klemmende laag.
3. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 1 of conclusie 2, waarbij het oppervlak een bestanddeel omvat met een lagere capillaire potentiaal op de omtrek van het 15 oppervlak van de substraat ondersteunende structuur op één of meer vooraf bepaalde locaties terwijl het merendeel van de omtrek een hogere capillaire potentiaal heeft.
4. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 3, waarbij het beperkte aantal locaties gelijk is aan één.
5. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande 20 conclusies, waarbij tenminste één deel van het oppervlaktegedeelte met een lagere capillaire potentiaal is opgenomen als een kanaal.
6. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 5, waarbij het kanaal zodanig is opgenomen dat een capillaire stroom van het kanaal naar de periferie van de vloeibare klemmende laag wordt opgewekt.
7. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 5 of conclusie 6, waarbij de substraat ondersteunde elementen opgesteld zijn in een regelmatig patroon met een onderlinge gelijke afstand, waarbij de kanaalbreedte kleiner is dan de onderlinge gelijke afstand.
8. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van conclusies 5-7, waarbij 30 het kanaal een gekromd gedeelte omvat.
9. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 8, waarbij tenminste een deel van het kanaal is opgenomen in de vorm van een spiraal.
10. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 8, waarbij tenminste een deel van het kanaal een serpentinevorm heeft.
11. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies, waarbij tenminste een deel van het lager gelegen oppervlaktegedeelte de vorm aanneemt van één of meerdere kanalen.
12. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 11, waarbij de één of 5 meerdere kanalen een gekromd gedeelte omvatten.
13. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 12, waarbij tenminste een deel van de één of meerdere kanalen de vorm van een spiraal aanneemt.
14. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 12, waarbij tenminste een deel van de één of meerdere kanalen een serpentinevorm heeft.
15. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van conclusies 11-14, waarbij het oppervlak van de één of meerdere kanalen minder dan 25% van het oppervlak van de substraat ondersteunende structuur bedekt.
16. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 15, waarbij het oppervlak van de één of meerdere kanalen homogeen is verdeeld over het oppervlak van de substraat 15 ondersteunende structuur.
17. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies, waarbij een oppervlaktegedeelte met de laagste capillaire potentiaal zich aan de buitenrand van het oppervlak bevindt.
18. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 17, waarbij een 20 hoogteverschil tussen het bovenste oppervlak van de substraat ondersteunende elementen en het hoogte niveau van het oppervlaktegedeelte met de laagste capillaire potentiaal, welke de rest van het oppervlak omschrijft, substantieel gelijk is aan twee keer de hoogte van de substraat ondersteunende elementen op het oppervlaktegedeelte met een lagere capillaire potentiaal binnen de rest van het oppervlak.
19. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 1, waarbij een oppervlaktegedeelte met het laagste hoogteniveau is verschaft aan de omtrek van een oppervlaktegedeelte met een hoger hoogteniveau.
20. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies, waarbij het oppervlak is voorzien van verhoogde structuren voor het vormen van 30 een veelvoud aan compartimenten.
21. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 20, waarbij de hoogte van de verhoogde structuren minder is dan de hoogte van de substraat ondersteunende elementen.
22. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 21, waarbij het hoogteverschil tussen de verhoogde structuren en de substraat ondersteunende elementen ten minste 1,5 micron is.
23. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande 5 conclusies, waarbij de gedeelten (51, 52, 83) met verschillende capillaire potentialen verschillende hoogteniveaus hebben teneinde een verschil in capillaire potentiaal te verschaffen.
24. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van conclusies 1-22, waarbij de gedeelten (51, 52; 83) met verschillende capillaire potentialen een verschillende affiniteit 10 hebben voor de klemvloeistof teneinde een verschil in capillaire potentiaal te verschaffen.
25. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 24, waarbij de gedeelten (51, 52; 83) met verschillende capillaire potentialen een verschillende oppervlaktebehandeling, oppervlaktemateriaal of oppervlaktedeklaag omvatten, teneinde een verschil in capillaire potentiaal te verschaffen.
26. Een substraat ondersteunende structuur (13) voor het klemmen van een substraat (12) door middel van een capillaire kracht uitgeoefend door een vloeibare klemmende laag (11), waarbij de substraat ondersteunende structuur een oppervlak (16) omvat voorzien van een veelheid van substraat ondersteunende elementen (17) voor het vasthouden van het substraat, en verhoogde structuren (63) voor het vormen van een veelheid van compartimenten, waarbij 20 de hoogte van de verhoogde structuren minder is dan de hoogte van de substraat ondersteunende elementen.
27. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 26, waarbij het hoogteverschil tussen de verhoogde structuren en de substraat ondersteunende elementen ten minste 1,5 micron is.
28. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies, waarbij de substraat ondersteunende structuur verder een vloeistofverwijderingssysteem omvat voor het verwijderen van vloeistof rondom het oppervlak.
29. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 28, waarbij het 30 vloeistofverwijderingssysteem een gasdistributiesysteem omvat.
30. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 29, waarbij het gasdistributiesysteem ten minste één gasinlaat omvat voor het toevoeren van gas en ten minste één gasuitlaat omvat voor het afvoeren van gas.
31. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 30, waarbij het gasdistributiesysteem een veelheid van gasinlaten en een veelheid van gasuitlaten op onderlinge gelijke afstand omvat.
32. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van conclusies 29-31, waarbij 5 de substraat ondersteunende structuur verder een afdichtstructuur omvat, welke de omtrek van de substraat ondersteunende structuur omschrijft, zodat gas dat wordt toegevoerd door het gasdistributiesysteem kan stromen tussen het oppervlak van de substraat ondersteunende structuur en de afdichtstructuur.
33. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 32, waarbij de 10 afdichtstructuur een hoogteniveau heeft wat correspondeert met het hoogteniveau van de veelheid van substraat ondersteunende elementen.
34. De substraat ondersteunende structuur volgens conclusie 32 of conclusie 33, waarbij de substraat ondersteunende elementen opgesteld zijn in een regelmatig patroon met een onderlinge gelijke afstand, en de afstand tussen de afdichtstructuur en de dichtstbijzijnde 15 substraat ondersteunende elementen groter is dan de onderlinge gelijke afstand.
35. De substraat ondersteunende structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies waarbij de vloeistof in de vloeibare laag water omvat.
36. De substraat ondersteunende volgens eenieder van de voorgaande conclusies, waarbij de substraat ondersteunende elementen de vorm van noppen aannemen.
37. Een klemvoorbereidingseenheid omvattende: - een behuizing voor het verstrekken van een omgeving met gecontroleerde druk - ten minste één laadingang voor het inladen van een substraat en het uitladen van een substraat, respectievelijk in en uit de behuizing; en - een substraatoverbrengeenheid voor het bewegen van de substraat in de behuizing; 25 waarbij de klemvoorbereidingseenheid is ingericht om een substraat ondersteunde structuur volgens eenieder van de voorgaande conclusies te huisvesten, en waarbij de klem voorbereidingseenheid is ingericht om een substraat te klemmen op het substraat ondersteunende oppervlak van de substraat ondersteunende structuur door middel van een vloeibare klemmende laag.
38. De klemvoorbereidingseenheid volgens conclusie 37, waarbij de klemvoorbereidingseenheid verder een vloeistof-aanbrengmechanisme omvat voor het aanbrengen van vloeistof op het substraat ondersteunende structuur oppervlak.
39. Een lithografïesysteem omvattende een lithografisch apparaat omvattende: - een stralingssysteem om een voorgevormde bundel straling aan te leveren; - een substraat ondersteunende structuur om een substraat te ondersteunen; en - een optisch systeem om de voorgevormde bundel straling op een doelgedeelte van het substraat te projecteren; waarbij de substraat ondersteunende structuur een substraat ondersteunende structuur volgens 5 eenieder van conclusies 1 - 36 is.
40. Het lithografïesysteem volgens conclusie 39, waarbij de bundel straling wordt gevormd door een veelheid van geladen deeltjes bundels.
41. Het lithografïesysteem volgens conclusie 40, waarbij de geladen deeltjes bundels elektronenbundels zijn.
42. Een inrichting omvattende: - een klemvoorbereidingseenheid volgens conclusie 37 of 38; en - een lithografïesysteem volgens eenieder van conclusies 39-41; waarbij de klemvoorbereidingseenheid is ingesteld om het lithografïesysteem te bedienen.
43. Een werkwijze voor het klemmen van een substraat op een substraat ondersteunende 15 structuur, de werkwijze omvattende: - verschaffen van een klemvoorbereidingseenheid volgens conclusie 37 of 38; - aanbrengen van een vloeistof op het oppervlak van de substraat ondersteunende structuur teneinde een vloeibare laag te vormen; - het plaatsen van een substraat op de vloeibare laag; en 20. het vormen van een klemmende laag tussen het substraat en de substraat ondersteunende structuur door het weghalen van het overschot aan vloeistof van de substraat ondersteunende structuur.
44. Een substraat omvattende een eerste oppervlaktezijde ingericht voor beeldvorming en een tweede oppervlaktezijde ingericht om te worden geklemd op een substraat 25 ondersteunende structuur middels een capillaire kracht gevormd door een vloeibare klemmende laag (1) welke een lagere druk heeft dan de omgeving, waarbij de tweede oppervlaktezijde gedeelten omvat met verschillende capillaire potentialen voor het induceren van, gedurende het klemmen, een vooraf bepaalde capillaire stroming binnen de vloeibare klemmende laag.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1037754A NL1037754C2 (en) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL1037754 | 2010-02-26 | ||
NL1037754A NL1037754C2 (en) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
NL1037754C2 true NL1037754C2 (en) | 2011-08-30 |
Family
ID=42333253
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
NL1037754A NL1037754C2 (en) | 2010-02-26 | 2010-02-26 | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
NL (1) | NL1037754C2 (nl) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5088006A (en) * | 1991-04-25 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing |
US6281128B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-08-28 | Agere Systems Guardian Corp. | Wafer carrier modification for reduced extraction force |
US20040135099A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2009011574A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
-
2010
- 2010-02-26 NL NL1037754A patent/NL1037754C2/en active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5088006A (en) * | 1991-04-25 | 1992-02-11 | International Business Machines Corporation | Liquid film interface cooling system for semiconductor wafer processing |
US6281128B1 (en) * | 1999-06-14 | 2001-08-28 | Agere Systems Guardian Corp. | Wafer carrier modification for reduced extraction force |
US20040135099A1 (en) * | 2002-11-29 | 2004-07-15 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
WO2009011574A1 (en) * | 2007-07-13 | 2009-01-22 | Mapper Lithography Ip B.V. | Lithography system, method of clamping and wafer table |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2399279B1 (en) | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system | |
USRE49725E1 (en) | Method and arrangement for handling and processing substrates | |
EP2537304B1 (en) | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system | |
US8436324B2 (en) | Preparation unit for lithography machine | |
NL1037754C2 (en) | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. | |
NL1038213C2 (en) | Substrate support structure, clamp preparation unit, and lithography system. | |
GB2469113A (en) | Substrate Support Structure and Method for maintaining a substrate clamped to a substrate support Structure | |
GB2469114A (en) | Clamp preparation unit, unclamping unit, arrangement, method for clamping a substrate, and a method of unclamping a substrate |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PD | Change of ownership |
Owner name: ASML NETHERLANDS B.V.; NL Free format text: DETAILS ASSIGNMENT: CHANGE OF OWNER(S), ASSIGNMENT; FORMER OWNER NAME: MAPPER LITHOGRAPHY IP B.V. Effective date: 20190425 |