EEPROM

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, en galego Memoria reprogramable de só lectura borrable electricamente), tamén escrito E²PROM, é un tipo de memoria regravable (reprogramable) de acceso aleatorio. As EEPROMs son memorias non volátiles, é dicir, manteñen a información almacenada se se lles retira a alimentación.

As EEPROM poden ser tanto gravadas coma borradas mediante impulsos eléctricos de tensión superior á usual. O borrado por impulsos é o que as diferencia das EPROMs, fronte ás cales isto representa unha vantaxe, xa que non é necesario retirar o chip da súa localización para efectuar esa operación. Pero o número de veces que unha EEPROM se pode borrar e reprogramar é limitado: os fabricantes estiman un límite máximo de decenas ou centos de miles. En cambio, o número de veces que a memoria se pode ler é practicamente ilimitado.

A tecnoloxía empregada nas EEPROMs, coma nas EPROMs, son os transistores MOS de porta flotante.

As EEPROMs foron inventadas en 1978 por George Perlegos a partir dunha EPROM cando traballaba para a Intel no desenvolvemento do Intel 2816. Posteriormente, Perlegos e outros abandonaron Intel para formar Seeq Technology, e alí usaron multiplicadores de tensión para subministrar as altas voltaxes necesarias para programar estes dispositivos.

As EEPROMs úsanse sobre todo para memorizar datos de configuración ou consignas de funcionamento que poden variar de forma dinámica durante o traballo do equipo. Un aspecto a ter en conta é a súa vida limitada cando é frecuentemente reprogramada.

Na actualidade, as EEPROMs están sendo substituídas por tecnoloxías máis avanzadas coma as FeRAM e as MRAM, ademais das memorias flash, que son un tipo avanzado de EEPROM.

• Atmel
• Hitachi
• Infineon
• Linear Technology
• Maxwell Technologies
• Microchip Technology
• Mitsubishi
• NXP Semiconductors
• ON Semiconductor
• Renesas Technology
• ROHM
• Samsung Electronics
• STMicroelectronics
• Seiko Instruments
• Winbond