طراحی وشبیه سازی ترانزیستور و ماسفت دو گیتی و بدست آوردن پارامترهای الکتریکی آن

ترانزیستور اثر میدانی حساس به یون ISFET ، یک حسگر شیمیایی متداول می باشد. وابستگی لگاریتمی بین بار حاضر در سطح الکترولیت عایق و بار منتقل شده به بازتاب آینه ای در کانال هدایت، حساسیت ISEET ترانزیستور ایده آل معمولی را محدود می سازد که به عنوان حد ترنستین Nernstian limit نیز شناخته می شود. به عبارت دیگر در ترانزیستورهای ISFET ایده آل معمولی، در اثر شارش صفحه ای حساسیت سنوسر به طور قابل توجهی کاهش می یابد. استفاده از اثر دو گیتی بر فناوری سیلیکون روی عایق SOI موجب بهبود حساسیت ISFET می گردد. در این مقاله، یک SOI MOSFET دو گیتی با استفاده از ابزار TCAD SILVACO شبیه سازی شده است. مشاهده شده است. که با اعمال یک پتانسیل به گیت پشتی، می توان ولتاژ استانه و جریان درین ترانزیستور را کنترل نمود.