H. Maejima, K. Kanda, S. Fujimura, T. Takagiwa, S. Ozawa, J. Sato, Y. Shindo, M. Sato, N. Kanagawa, J. Musha, S. Inoue, K. Sakurai, N. Morozumi, R. Fukuda, Y. Shimizu, T. Hashimoto, X. Li, Y. Shimizu, K. Abe, T. Yasufuku, T. Minamoto, H. Yoshihara, T. Yamashita, K. Satou, T. Sugimoto, F. Kono, M. Abe, T. Hashiguchi, M. Kojima, Y. Suematsu, T. Shimizu, A. Imamoto, N. Kobayashi, M. Miakashi, K. Yamaguchi, S. Bushnaq, H. Haibi, M. Ogawa, Y. Ochi, K. Kubota, T. Wakui, D. He, W. Wang, H. Minagawa, T. Nishiuchi, H. Nguyen, K. H. Kim, K. Cheah, Y. Koh, F. Lu, V. Ramachandra, S. Rajendra, S. Choi, K. Payak, N. Raghunathan, S. Georgakis, H. Sugawara, S. Lee, T. Futatsuyama, K. Hosono, N. Shibata, T. Hisada, T. Kaneko, and H. Nakamura. 2018. A 512Gb 3b/Cell 3D flash memory on a 96-word-line-layer technology. In 2018 IEEE International Solid - State Circuits Conference - (ISSCC) .