بررسی رفتار اکسیداسیون پوشش آلومینایدی نفوذی بر روی آلیاژ γ-TiAl
سال انتشار: 1386
نوع سند: مقاله کنفرانسی
زبان: فارسی
مشاهده: 1,444
فایل این مقاله در 9 صفحه با فرمت PDF قابل دریافت می باشد
- صدور گواهی نمایه سازی
- من نویسنده این مقاله هستم
استخراج به نرم افزارهای پژوهشی:
شناسه ملی سند علمی:
CIMS11_130
تاریخ نمایه سازی: 24 اردیبهشت 1387
چکیده مقاله:
آلیاژهای TiAl بر پایه فاز γ، به دلیل دارا بودن نسبت استحکام به وزن بالا، حفظ استحکام در دمای بالا، مقاومت به خزش خوب، در یک دهه اخیر مورد توجه قرار گرفته اندو افزایش مقاومت به اکسیداسیون، یکی از مسائل مورد توجه جهت کاربرد این آلیاژها می باشد. پوشش آلومینا یدی نفوذی یکی از پوششهای مطرح شده برای افزایش مقاومت به اکسیداسیون آلیاژهای TiAl در سالهای اخیر می باشد. در این تحقیق، با تهیه آلیاژ Ti-47Al-2Cr در کوره ذوب مجدد قوسی تحت خلا (VAR) و اعمال عمیات همگن سازی در دمای 1125 درجه سانتیگراد، نمونه های با اندازه مطلوب تهیه گردید. سپس فرآیند آلومینا یزینگ در دمای 950 درجه سانتیگراد و به مدت زمان 5 ساعت تحت گاز محافظ Ar-5%H2 انجام شد. رفتار اکسیداسیون ایزوترمال در دماهای 900، 950 و 1000 درجه سانتیگراد مورد بررسی قرار گرفت. بررسی های ریزساختاری نشان می دهد که لایه با ترکیب TiAl3 با اعمال پوشش آلومینایدی نفوذی، در سطح نمونه تشکیل می شود و همچنین بررسی رفتار اکسیداسیون آلیاژ مذکور در دماهای 950، 900 و 1000 درجه سانتیگراد نشان می دهد، پوشش آلومینایدی تاثیر بسیار مثبت بر رفتار اکسیداسیون ایزوترمال آلیاژهای TiAl دارند.
کلیدواژه ها:
نویسندگان
حمیدرضا جعفریان
بخش مهندسی مواد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس
علیرضا صبور روح اقدم
استادیار، بخش مهندسی مواد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس
تقی شهرابی
دانشیار، بخش مهندسی مواد، دانشکده فنی و مهندسی، دانشگاه تربیت مدرس
محمود نیل احمد آبادی
استاد دانشکده مهندسی متالورژی و مواد، دانشگاه تهران
مراجع و منابع این مقاله:
لیست زیر مراجع و منابع استفاده شده در این مقاله را نمایش می دهد. این مراجع به صورت کاملا ماشینی و بر اساس هوش مصنوعی استخراج شده اند و لذا ممکن است دارای اشکالاتی باشند که به مرور زمان دقت استخراج این محتوا افزایش می یابد. مراجعی که مقالات مربوط به آنها در سیویلیکا نمایه شده و پیدا شده اند، به خود مقاله لینک شده اند :