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  • 深圳市卓越微芯电子有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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  • 深圳市硅诺电子科技有限公司

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  • 昂富(深圳)电子科技有限公司

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产品型号SI1470DH-T1-E3的概述

芯片SI1470DH-T1-E3的详解与应用 一、概述 SI1470DH-T1-E3是一款高效的N沟道MOSFET,广泛应用于电源管理、开关电源以及其他需要高效能的功率转换系统。作为一种半导体器件,它的主要功能是控制电流流动,因而在现代电子设备中扮演着至关重要的角色。MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)以其优越的开关特性和高频性能,成为电源适配器、DC-DC转换器及电机驱动中的重要之选。 随着小型化、集成化趋势的加剧,SI1470DH-T1-E3提供了理想的解决方案,以满足高效率和小尺寸的要求。同时,由于兼容性强、易于集成,其在消费电子、通信设备和工业控制等领域中得到广泛应用。 二、详细参数 SI1470DH-T1-E3的主要电气参数如下: - 最大漏极-源极电压(V_DS):30V - 最大连续漏极电流(I_D):49A(在适当的散热条件下) - 最大脉冲漏极电流(I_DM...
配单直通车
SI1470DH-T1-E3产品参数
型号:SI1470DH-T1-E3
是否无铅:不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:5.82
Samacsys Confidence:3
Samacsys Status:Released
Samacsys PartID:142730
Samacsys Pin Count:6
Samacsys Part Category:Integrated Circuit
Samacsys Package Category:SOT23 (6-Pin)
Samacsys Footprint Name:SC-70 6 LEADS
Samacsys Released Date:2015-04-16 09:48:08
Is Samacsys:N
雪崩能效等级(Eas):5 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:30 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):5.1 A
最大漏极电流 (ID):3.8 A
最大漏源导通电阻:0.066 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):2.8 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):12 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Powers
表面贴装:YES
端子面层:Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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