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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京齐天芯科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 深圳市和谐世家电子有限公司

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SI1488DH-T1-GE3产品参数
型号:SI1488DH-T1-GE3
是否无铅: 不含铅
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:VISHAY SILICONIX
零件包装代码:SC-70
包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数:6
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.82
雪崩能效等级(Eas):5 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:20 V
最大漏极电流 (ID):4.6 A
最大漏源导通电阻:0.049 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PDSO-G6
湿度敏感等级:1
元件数量:1
端子数量:6
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):20 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES
端子面层:Pure Matte Tin (Sn)
端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:30
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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