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产品型号BUZ330的概述

芯片BUZ330的全面解析 概述 BUZ330是一种广泛应用的N沟道增强型MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor),主要用于开关应用和功率放大电路。它的优异性能使其成为电子工程师在设计电源管理系统、照明控制和电机驱动等各种应用中的理想选择。 BUZ330提供了低导通电阻、高速开关与较大的工作电压范围,使其在不同的负载条件下均能稳定工作。凭借出色的热性能,BUZ330能够在多种环境条件下有效运行,这也使其广受工业界和电子消费市场的热爱。 详细参数 BUZ330的关键参数如下: - 类型: N沟道增强型MOSFET - 最大漏极—源极电压 (V_DS): 55V - 最大栅极—源极电压 (V_GS): ±20V - 最大漏极电流 (I_D): 30A - 导通电阻 (R_DS(on)): 0.08Ω(在V_GS=1...
配单直通车
BUZ330产品参数
型号:BUZ330
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:MOTOROLA INC
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.83
Is Samacsys:N
外壳连接:DRAIN
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):9.5 A
最大漏极电流 (ID):9.5 A
最大漏源导通电阻:0.6 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss):120 pF
JEDEC-95代码:TO-218AC
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e0
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:125 W
最大功率耗散 (Abs):125 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):38 A
认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
最大关闭时间(toff):400 ns
最大开启时间(吨):110 ns
Base Number Matches:1
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