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产品型号BUZ348的概述

芯片BUZ348的概述 BUZ348是一种N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于电子电路中,特别是在开关电源、电机控制和功率放大器等领域。该器件以其低导通电阻、高驱动效率和优异的热性能而受到广泛关注。BUZ348的设计特性使得它在高效能电路中扮演着至关重要的角色,能够处理较高的电流和电压,同时降低系统的能量损耗。 芯片BUZ348的详细参数 BUZ348的主要电气参数包括: - ID(连续漏极电流): 49A - VDSS(漏极至源极电压): 55V - VGS(th)(门极至源极开启电压): 2V-4V - RDS(on)(导通电阻): 0.06Ω(VGS=10V时) - 最大功耗: 94W - 工作温度范围: -55°C至+150°C BUZ348的这些参数使其在众多电子电路中成为一种理想的选择。其高速开关特性使得其在PWM(脉宽调制)控制应用中尤其显得出色,对于高频操作能够提供...
配单直通车
BUZ348产品参数
型号:BUZ348
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
包装说明:,
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.84
配置:Single
最大漏极电流 (Abs) (ID):39 A
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-609代码:e0
工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):125 W
子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches:1
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