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  • 深圳市芯福林电子有限公司

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  • 深圳市欧瑞芯科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 北京中其伟业科技有限公司

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  • 深圳市正信鑫科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市惊羽科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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  • 深圳市亿科泰电子有限公司

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  • 深圳市拓亿芯电子有限公司

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  • 深圳市华来深电子有限公司

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  • 深圳市富科达科技有限公司

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  • 上海磐岳电子有限公司

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产品型号APT30D100B的概述

芯片APT30D100B的概述 APT30D100B是一款高性能的功率MOSFET,专为工业和汽车应用设计,具有较高的电流和电压承受能力。此芯片采用了先进的制造工艺,使其在开关速度、热性能和电能效率方面表现出色。由于其优良的电气特性与稳定性,APT30D100B广泛应用于电源管理、电机驱动、DC-DC转换器等多种场景。 在当今电子设备发展的背景下,功率MOSFET的需求不断增长,特别是在电动汽车、可再生能源系统以及大型电气设备的驱动和控制上。APT30D100B凭借其高可靠性和经济性,成为市场上比较有竞争力的选择。 芯片APT30D100B的详细参数 APT30D100B芯片的主要参数如下: - 最大漏极源极电压(VDS):100V - 最大漏极电流(ID):30A - 栅极源极阈值电压(VGS(th)):2V ~ 4V - 最大栅极源极电压(VGS):±20V - 导通电阻(RDS(...
配单直通车
APT30D100B产品参数
型号:APT30D100B
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSFM-T2
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.72
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT, LOW NOISE
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):2.3 V
JEDEC-95代码:TO-247
JESD-30 代码:R-PSFM-T2
JESD-609代码:e0
最大非重复峰值正向电流:210 A
元件数量:1
相数:1
端子数量:2
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:30 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向电流:250 µA
最大反向恢复时间:0.29 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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