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  • 北京元坤伟业科技有限公司

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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司

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  • 上海熠富电子科技有限公司

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产品型号APT30D100BHBG的概述

芯片APT30D100BHBG的概述 APT30D100BHBG是一款由先进功率技术(Advanced Power Technology)公司制造的高性能功率MOSFET,广泛应用于各种电力电子设备中。这款器件以其卓越的性能和可靠性而受到电力工程师的青睐,尤其是在需要高效率和高密度电源设计的场合。APT30D100BHBG的主要特点包括低导通电阻、高开关速度以及优秀的热性能,适合用于电源转换、马达驱动等领域。 芯片APT30D100BHBG的详细参数 APT30D100BHBG在技术参数上具有显著的优势。下面列出了该芯片的主要电气特性和机械特性: - 最大漏极源极电压(VDS):100V - 最大连续漏极电流(ID):30A - 导通电阻(RDS(on)):典型值为0.05Ω(在VGS=10V时) - 最大脉冲电流(IDM):最大达200A - 栅极阈值电压(VGS(th)):介于2V...
配单直通车
APT30D100BHBG产品参数
型号:APT30D100BHBG
是否Rohs认证: 符合
生命周期:Transferred
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明:R-PSFM-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.66
Is Samacsys:N
其他特性:HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用:ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:ANODE AND CATHODE
配置:SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:TO-247AD
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3
最大非重复峰值正向电流:210 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:3
最大输出电流:18 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V
最大反向恢复时间:0.029 µs
表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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