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产品型号APT100S20LCTG的概述

芯片APT100S20LCTG的概述 APT100S20LCTG是一款以其高性能和高效率而闻名的功率MOSFET芯片,主要用于电源管理、驱动电机以及开关电源等应用领域。此芯片归属于N沟道MOSFET系列,它的设计旨在提供低导通电阻和快速开关特性,这使其在高频率、高负载的环境中表现出色。 APT100S20LCTG具有较高的电流承载能力,能够在高温环境下稳定工作,这使其成为工业应用与消费电子的理想选择。其优越的散热能力和耐压特性使其特别适合在重负载和高温条件下进行工作。 芯片APT100S20LCTG的详细参数 APT100S20LCTG的主要参数如下: - 类型: N沟道MOSFET - 额定电流: 100A - 额定电压: 200V - 导通电阻: R_ds(on) < 0.1Ω(在Vgs=10V时) - 最大栅源电压: ±20V - 开关时间: 典型的开关时间(t_on、t_off...
配单直通车
APT100S20LCTG产品参数
型号:APT100S20LCTG
是否无铅:不含铅
是否Rohs认证:符合
生命周期:Active
IHS 制造商:MICROSEMI CORP
零件包装代码:TO-264AA
包装说明:TO-264, 3 PIN
针数:3
Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80
风险等级:1.83
Is Samacsys:N
其他特性:FREE WHEELING DIODE, SNUBBER DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW NOISE, LOW LEAKAGE CURRENT
应用:HIGH VOLTAGE ULTRA FAST SOFT RECOVERY
外壳连接:CATHODE
配置:COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):0.95 V
JEDEC-95代码:TO-264AA
JESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e1
最大非重复峰值正向电流:1000 A
元件数量:2
相数:1
端子数量:3
最高工作温度:150 °C
最低工作温度:-55 °C
最大输出电流:120 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:200 V
最大反向恢复时间:0.07 µs
子类别:Rectifier Diodes
表面贴装:NO
技术:SCHOTTKY
端子面层:TIN SILVER COPPER
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1
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