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产品型号APT10M09B2VR的概述

APT10M09B2VR芯片概述 APT10M09B2VR是一种在功率电子设备中广泛应用的高性能功率MOSFET,具有高开关速度和低导通电阻的特点。此芯片被广泛应用于电源管理、逆变器、直流-直流转换器等多种电源应用场景。APT10M09B2VR的设计旨在满足现代电子设备对高效率和小型化的需求,其卓越的热性能和电气特性使其在市场中占据了一席之地。 芯片APT10M09B2VR的详细参数 APT10M09B2VR是一款N沟道MOSFET,其主要参数如下: - 最大漏极-源极电压 (Vds): 100V - 最大连续漏极电流 (Id): 10A - 最大脉冲漏极电流 (Id_pulse): 40A - 导通电阻 (Rds(on)): 0.1Ω (在Vgs = 10V时) - 输入电容 (Ciss): 950pF (在Vds = 25V时) - 输入门电压 (Vgs): ±20V - 工作温度...
配单直通车
APT10M09B2VR产品参数
型号:APT10M09B2VR
生命周期:Obsolete
IHS 制造商:ADVANCED POWER TECHNOLOGY INC
包装说明:IN-LINE, R-PSIP-T3
Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99
风险等级:5.63
其他特性:FAST SWITCHING, AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas):3000 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (ID):100 A
最大漏源导通电阻:0.009 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码:R-PSIP-T3
元件数量:1
端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):400 A
认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO
端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE
晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1
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