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  • 深圳市一线半导体有限公司

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ADG419BN产品参数
型号:ADG419BN
是否无铅: 含铅
是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active
IHS 制造商:ROCHESTER ELECTRONICS LLC
零件包装代码:DIP
包装说明:PLASTIC, DIP-8
针数:8
Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.5
其他特性:ALSO OPERATES WITH 12V NOMINAL SINGLE SUPPLY
模拟集成电路 - 其他类型:SPDT
JESD-30 代码:R-PDIP-T8
JESD-609代码:e0
长度:9.88 mm
湿度敏感等级:NOT APPLICABLE
负电源电压最大值(Vsup):-16.5 V
负电源电压最小值(Vsup):-13.5 V
标称负供电电压 (Vsup):-15 V
信道数量:1
功能数量:1
端子数量:8
标称断态隔离度:80 dB
最大通态电阻 (Ron):35 Ω
最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:DIP
封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
座面最大高度:5.33 mm
最大供电电压 (Vsup):16.5 V
最小供电电压 (Vsup):13.5 V
标称供电电压 (Vsup):15 V
表面贴装:NO
最长断开时间:160 ns
最长接通时间:160 ns
技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL
端子面层:TIN LEAD
端子形式:THROUGH-HOLE
端子节距:2.54 mm
端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:7.62 mm
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