| dbo:abstract
|
- LDMOS (موسفت جانبي الانتشار أو أشباه الموصلات ذات أكسيد الفلز المنتشر جانبياً) عبارة عن موسفت مستو مزدوج الإنتشار (ترانزستور يعتبر تأثير المجال فيه من أكسيد الفلز أشباه الموصلات) المستخدم في مكبرات الصوت، بما في ذلك طاقة الميكروويف مضخمات التردد الراديوي ومضخمات القدرة الصوتية. غالبًا ما يتم تصنيع هذه الترانزستورات على طبقات فوقية من السيليكون p / p +. يتضمن تصنيع أجهزة LDMOS في الغالب غرس أيوني مختلف ودورات تلدين لاحقة. على سبيل المثال، تم تصنيع منطقة الإنجراف لهذه الطاقة موسفت باستخدام ما يصل إلى ثلاثة تسلسلات لزرع الأيونات من أجل تحقيق ملف المنشطات المناسب اللازم لتحمل المجالات الكهربائية العالية. إن RF LDMOS (LDMOS) القائم على السيليكون هو مضخم طاقة التردد الراديوي الأكثر استخدامًا في شبكات الهاتف المحمول، مما يمكّن غالبية حركة الصوت والبيانات الخلوية في العالم. تُستخدم أجهزة LDMOS على نطاق واسع في مضخمات طاقة التردد اللاسلكي للمحطات القاعدية حيث أن المطلب هو طاقة خرج عالية مع استنزاف مماثل لجهد تفكيك المصدر عادةً أعلى من 60 فولت. بالمقارنة مع الأجهزة الأخرى مثل GaAs FETs، فإنها تُظهر ترددًا أقل لكسب الطاقة. تشمل الشركات المصنعة لأجهزة LDMOS والمسابك التي تقدم تقنيات LDMOS شركة تايوان لصناعة أشباه الموصلات المحدودة، تاور لأشباه الموصلات، شركة جلوبال فاوندريز الطليعة الدولية لأشباه الموصلات، إس تي ميكروإلكترونكس، إنفنيون، RFMD ،NXP (المؤسسة الدولية لتصنيع أشباه الموصلات). (ar)
- LDMOS (laterally-diffused metal-oxide semiconductor) is a planar double-diffused MOSFET (metal–oxide–semiconductor field-effect transistor) used in amplifiers, including microwave power amplifiers, RF power amplifiers and audio power amplifiers. These transistors are often fabricated on p/p+ silicon epitaxial layers. The fabrication of LDMOS devices mostly involves various ion-implantation and subsequent annealing cycles. As an example, the drift region of this power MOSFET is fabricated using up to three ion implantation sequences in order to achieve the appropriate doping profile needed to withstand high electric fields. The silicon-based RF LDMOS (radio-frequency LDMOS) is the most widely used RF power amplifier in mobile networks, enabling the majority of the world's cellular voice and data traffic. LDMOS devices are widely used in RF power amplifiers for base-stations as the requirement is for high output power with a corresponding drain to source breakdown voltage usually above 60 volts. Compared to other devices such as GaAs FETs they show a lower maximum power gain frequency. Manufacturers of LDMOS devices and foundries offering LDMOS technologies include TSMC, LFoundry, Tower Semiconductor, ,GLOBALFOUNDRIES, Vanguard International Semiconductor Corporation, STMicroelectronics, Infineon Technologies, RFMD, NXP Semiconductors (including former Freescale Semiconductor), SMIC, MK Semiconductors, Polyfet and Ampleon. (en)
- 横向扩散金属氧化物半导体（英語：Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，缩写：LDMOS）经常被用于微波/射频电路，制造于高浓度掺杂硅基底的外延层上。 LDMOS常被用于制作基站的射频功率放大器，原因是它可以满足高输出功率、栅源击穿电压大于60伏的要求。与其他器件（如GaAs場效電晶體）相比，LDMOS功放极大值的频率相对较小。LDMOS技术的生产制造商包括台灣積體電路製造公司（TSMC）、格罗方德（GLOBALFOUNDRIES）、（VIS）、英飞凌、RFMD、飞思卡尔（Freescale）等。 (zh)
|